KR970023999A - 반도체 장치 제조 방법(A Method of Manufacturing Semiconductor Devices) - Google Patents

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KR970023999A
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protrusion
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KR1019960044070A
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도모따게 모리따
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
    • H01L21/76229—Concurrent filling of a plurality of trenches having a different trench shape or dimension, e.g. rectangular and V-shaped trenches, wide and narrow trenches, shallow and deep trenches

Abstract

절연 영역을 평탄화시키는데 있어서 양호한 제어와 생산성을 제공하는 반도체 장치 제조 방법. 이 방법은 다수의 트렌치가 충전 물질로 완전히 채워지도록 다수의 트렌치와 함께 형성된 반도체 기판에 충전 물질을 형성하는 단계; 충전 물질의 표면으로 다수의 트렌치 패턴을 인버팅시켜 얻은 패턴을 갖고 있는 마스크를 형성하는 단계, 다수의 트렌치 각각에 충전 재료로 구성된 돌출부가 잔존하도록 마스크를 이용하여 충전 재료를 소정 깊이까지 에칭하는 단계; 및 평탄화를 위해 마스크를 제거한 후 돌출부를 제거하는 단계를 포함한다.

Description

반도체 장치 제조 방법(A Method of Manufacturing Semiconductor Devices)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 4A 내지 도 4D 및 도 4E-1 내지 도 4G-1은 본 발명의 제1 양호한 실시예로서 실행된 제조 단계들을 순차적으로 보여주는 단면도.
도 4E-2 내지 도 4G-2는 본 발명의 제2 양호한 실시예로서 실행된 제조 단계를 순차적으로 보여주는 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 다수의 트렌치들이 충전 재료로 완전히 채워지도록 다수의 트렌치와 함께 형성된 반도체 기판 상에 충전 재료를 형성하는 단계; 상기 다수의 트렌치의 패턴을 상기 충전 재료의 표면에 인버팅시켜서 얻은 패턴을 갖고 있는 마스크를 형성하는 단계; 상기 다수의 트렌치들 각각에 상기 충전 재료로 구성된 돌출부를 잔존시키기 위해서 상기 마스크를 이용하여 상기 충전 재료를 소정 깊이까지 에칭하는 단계; 및 평탄화를 위해 상기 마스크를 제거한 후 상기 돌출부를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다수의 트렌치 바깥쪽의 상기 반도체 기판 표면과 상기 충전 물질 사이에 스톱퍼층이 형성되어 있고, 상기 스톱퍼층은 상기 다수의 트렌치에 상기 충전 재료로 구성된 상기 돌출부가 잔존하도록 상기 마스크를 이용하여 상기 충전 재료를 상기 소정 깊이까지 에칭할 때 에칭 스톱퍼로서 작용하는 반도체 장치 제조 방법.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 상기 돌출부는 평탄화를 위해 상기 반도체 기판 전체에 걸쳐서 이온 조사하여 제거되는 반도체 장치 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이온 조사는 상기 반도체 기판의 표면에 수직하게 실행되는 반도체 장치 제조 방법.
  5. 제1 또는 2항에 있어서, 상기 돌출부는 평탄화를 위해 연마에 의해 제거되는 반도체 장치 제조 방법.
  6. 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 반도체 기판의 소자 형성 영역에 스톱퍼층을 형성하는 단계; 상기 소자 형성 영역 바깥의 상기 반도체 기판 상에 다수의 트렌치를 형성하는 단계; 상기 다수의 트렌치들이 상기 스톱퍼층을 덮도록 상기 반도체 기판 내에 매립되게 절연막을 형성하는 단계; 상기 소자 형성 영역 위에 개구를 갖고 있으며 마스크 패턴을 상기 절연막상에 형성하는 단계; 상기 절연막으로 구성된 돌출부를 형성하고 마스크로서 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 절연막을 에칭하므로써 상기 스톱퍼층을 노출시켜 상기 다수의 트렌치 각각으로부터 상기 돌출부를 돌출시키는 단계; 및 상기 마스크를 제거한 후 상기 돌출부를 제거해서 상기 반도체 기판의 표면을 평탄화시키는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960044070A 1995-10-05 1996-10-05 반도체 장치 제조 방법(A Method of Manufacturing Semiconductor Devices) KR970023999A (ko)

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