KR970008637A - 기상성장장치 및 그에 의해 제조된 화합물 반도체 장치 - Google Patents

기상성장장치 및 그에 의해 제조된 화합물 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

열방사형 기판 가열시스템 MOCVD 성장장치에서, 1mm 또는 그 이하의 깊이를 가지는 반원형 홈(3)은 가스상류영역에서 P가 풍부한 것이 억압되도록 웨이퍼 포켓(2)의 작각에 형성된다.
특별히, 종래의 웨이퍼 홀더는 표면온도는 가스상류영역에서 높고 하류영역에서 낮은 균일하지 않은 온도분포를 나타낸다.
반면에, 본 발명에 따른 구조는 웨이퍼 접촉영역에서 높은 온도 및 웨이퍼를 접촉하지 않은 영역에서 낮은 온도를 현실화하여, 전체 가스상류 및 하류영역 상의 온도가 균일하게 된다.

Description

기상성장장치 및 그에 의해 제조된 화합물 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1인 기상성장장치에서 사용된 웨이퍼 홀더를 나타내는 평면도이다.

Claims (12)

  1. 반응가스입구, 배기파이프로 제공되는 기상반응로와, 웨이퍼가 수평으로 위치되는 것에 마주하는 스폿을 가지고 상기 기상 반응로 내에 제공되는 웨이퍼 홀더와, 상기 마주하는 스폿내에 지역적으로 형성된 홈과, 상기 웨이퍼 홀더를 회전하기 위한 구동수단 및, 상기 웨이퍼 홀더의 이면에 위치된 웨이퍼 가열기로 구성되고, 상기에서 상기 마주하는 스폿포션 상에 위치된 웨이퍼의 표면온도는 웨이퍼 내의 표면온도를 균일하게 하기 위하여 상기 홈상의 지역에서 증가하는 것으로부터 억압되는 것을 특징으로 하는 기상성장장치.
  2. 반응가스입구, 배기파이프로 제공되는 기상 반응로와, 상기 기상반응로 내에 제공되고 웨이퍼가 수평으로 위치한 것에 마주하는 스폿을 가지는 기상 반응로와, 마주하는 상기 스폿의 이면상에 지역적으로 형성된 홈과, 상기 웨이퍼 홀더를 회전하기 위한 구동수단 및 상기 웨이퍼 홀더의 이면에 위치된 웨이퍼 홀더를 구성되고, 상기에서 마주하는 상기 스폿에 위치된 웨이퍼의 표면온도는 웨이퍼내의 표면온도를 균일하게 하기 위하여 상기 홈상의 영역에서 증가하는 것으로부터 억압되는 것을 특징으로 하는 기상성장장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 홈은 상기 웨이퍼 홀더의 회전방향에서 전진방향에 형성되는 것을 특징으로 하는 기상성장장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 홈은 상기 웨이퍼 홀더의 회전방향에서 전진방향에 형성되는 것을 특징으로 하는 기상성장장치.
  5. 반응가스입구, 배기파이프로 제공되는 기상 반응로와, 기상 반응로에 제공되고 웨이퍼가 수평으로 위치된 것에 마주하는 스폿을 가지는 웨이퍼 홀더와, 상기 마주하는 스폿의 이면에 형성된 콘백스와, 상기 웨이퍼 홀더를 회전하기 위한 구동수단 및, 상기 웨이퍼 홀더의 이면에 위치된 웨이퍼 가열기로 구성되고, 상기에서 상기 마주하는 스폿에 위치된 웨이퍼의 표면온도는 상기 마주하는 스폿 이외에 상기 웨이퍼 홀더의 표면온도와 웨이퍼의 표면온도 사이에 온도차이가 감소되도록 상기 콘백상의 영역에서 증가되어, 웨이퍼의 표면온도가 균일하게 되는 것을 특징으로 하는 기상성장장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 콘백스는 상기 마주하는 스폿의 이면에 전체 존에 형성되는 것을 특징으로 하는 기상성장장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기기상성장장치로 제공되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기기상성장장치로 제조되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
  9. 제3항에 있어서, 상기기상성장장치로 제조되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
  10. 제4항에 있어서, 상기기상성장장치로 제조되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
  11. 제5항에 있어서, 상기기상성장장치로 제조되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
  12. 제6항에 있어서, 상기기상성장장치로 제조되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960003209A 1995-07-21 1996-02-09 기상성장장치 및 그에 의해 제조된 화합물 반도체 장치 KR970008637A (ko)

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4592849B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
US6634882B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
US6576572B2 (en) * 2000-12-28 2003-06-10 Schott Lithotec Ag Method of heating a substrate using a variable surface hot plate for improved bake uniformity
DE10104052A1 (de) * 2001-01-31 2002-08-22 Fraunhofer Ges Forschung Auflage für Halbleitersubstrate bei Einseiten-Plasma-Prozessen
JP4137407B2 (ja) * 2001-05-21 2008-08-20 日本オプネクスト株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2003086890A (ja) * 2001-09-11 2003-03-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子の製造方法
US7033445B2 (en) * 2001-12-27 2006-04-25 Asm America, Inc. Gridded susceptor
US6709267B1 (en) 2002-12-27 2004-03-23 Asm America, Inc. Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss
KR101322217B1 (ko) * 2004-02-25 2013-10-25 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 기상 성장 장치
WO2006078666A2 (en) 2005-01-18 2006-07-27 Asm America, Inc. Reaction system for growing a thin film
US8603248B2 (en) * 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
DE102007023970A1 (de) * 2007-05-23 2008-12-04 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten einer Vielzahl in dichtester Packung auf einem Suszeptor angeordneter Substrate
KR101294129B1 (ko) * 2008-08-29 2013-08-07 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 가변 열 저항을 가진 웨이퍼 캐리어
US20100264518A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 Lee Shura Wafer and method for construction, strengthening and homogenization thereof
US8486726B2 (en) 2009-12-02 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Method for improving performance of a substrate carrier
CN102605341A (zh) * 2011-01-20 2012-07-25 奇力光电科技股份有限公司 气相沉积装置及承载盘
US10316412B2 (en) 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
US10167571B2 (en) 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
EP3100298B1 (en) 2014-01-27 2020-07-15 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
USD793971S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 14-pocket configuration
USD793972S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 31-pocket configuration
USD778247S1 (en) 2015-04-16 2017-02-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a multi-pocket configuration
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
US11961756B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
CN112779522B (zh) * 2020-12-28 2023-11-28 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 镀膜装置及镀膜方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3539759A (en) * 1968-11-08 1970-11-10 Ibm Susceptor structure in silicon epitaxy
US5242501A (en) * 1982-09-10 1993-09-07 Lam Research Corporation Susceptor in chemical vapor deposition reactors
JPS60263428A (ja) * 1984-06-12 1985-12-26 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長装置用サセプタ
US4780174A (en) * 1986-12-05 1988-10-25 Lan Shan Ming Dislocation-free epitaxial growth in radio-frequency heating reactor
JPS63244613A (ja) * 1987-03-30 1988-10-12 Kyushu Denshi Kinzoku Kk 気相成長用支持台
JPH01206618A (ja) * 1988-02-15 1989-08-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機金属気相成長方法
US4978567A (en) * 1988-03-31 1990-12-18 Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same
JPH01256118A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 気相反応装置
JPH01291421A (ja) * 1988-05-19 1989-11-24 Toshiba Corp 気相成長装置
US4986215A (en) * 1988-09-01 1991-01-22 Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. Susceptor for vapor-phase growth system
JPH0268922A (ja) * 1988-09-02 1990-03-08 Nec Corp 気相成長用サセプタ
JPH0834187B2 (ja) * 1989-01-13 1996-03-29 東芝セラミックス株式会社 サセプタ
JP2764416B2 (ja) * 1989-01-13 1998-06-11 東芝セラミックス株式会社 サセプタ
JPH03291916A (ja) * 1990-04-09 1991-12-24 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
US5152842A (en) * 1991-12-05 1992-10-06 Rohm Co., Ltd. Reactor for epitaxial growth
US5226383A (en) * 1992-03-12 1993-07-13 Bell Communications Research, Inc. Gas foil rotating substrate holder
JPH07111244A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Mitsubishi Electric Corp 気相結晶成長装置
JPH07161648A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
US5556476A (en) * 1994-02-23 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Controlling edge deposition on semiconductor substrates
US5551983A (en) * 1994-11-01 1996-09-03 Celestech, Inc. Method and apparatus for depositing a substance with temperature control

Also Published As

Publication number Publication date
DE19606226A1 (de) 1997-01-23
US5800622A (en) 1998-09-01
JPH0936049A (ja) 1997-02-07

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