KR940016668A - 수직 보트 및 웨이퍼 지지체 - Google Patents

수직 보트 및 웨이퍼 지지체 Download PDF

Info

Publication number
KR940016668A
KR940016668A KR1019930025771A KR930025771A KR940016668A KR 940016668 A KR940016668 A KR 940016668A KR 1019930025771 A KR1019930025771 A KR 1019930025771A KR 930025771 A KR930025771 A KR 930025771A KR 940016668 A KR940016668 A KR 940016668A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer support
boat
silicon
wafer
silicon carbide
Prior art date
Application number
KR1019930025771A
Other languages
English (en)
Inventor
이. 프로이아 스테펜
디. 포스터 브리안
Original Assignee
스테펜 에프. 왈쉬
쌩 고벵/노턴 인더스트리알 세라믹스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스테펜 에프. 왈쉬, 쌩 고벵/노턴 인더스트리알 세라믹스 코포레이션 filed Critical 스테펜 에프. 왈쉬
Publication of KR940016668A publication Critical patent/KR940016668A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)
  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)
  • Packaging Of Annular Or Rod-Shaped Articles, Wearing Apparel, Cassettes, Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 확산로내에서 반도체 재료 웨이퍼를 지지하고 운반하기 위한 수직 랙 또는 보트 조립체에 관한 것이며, 상기 조립체는 랙 또는 보트 및 보트에 들어맞는 웨이퍼 지지체 링으로 구성된다.

Description

수직 보트 및 웨이퍼 지지체
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 웨이퍼 지지체를 포함하는 반도체 재료 웨이퍼를 가공하기 위한 보트 조립체의 측면도. 제 2 도는 제 1 도의 2-2선을 따라 절취한 제 1 도의 보트조립체의 단면 평면도.

Claims (10)

  1. 수직 반도체 웨이퍼 노를 위한 확산로 보트 조립체에 있어서, 다수의 웨이퍼 지지체를 분리된 방법으로 유지하기 위한 수단을 갖는 수직 보트와 웨이퍼 지지체를 포함하며, 상기 보트와 웨이퍼 지지체는 고순도 내화성 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 확산로 보트 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 솔리드 형태인 것을 특징으로 하는 확산로 보트 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 분할 링 형태인 것을 특징으로 하는 확산로 보트 조립체.
  4. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 수직 보트와 웨이퍼 지지체는 실리콘 탄화물과, 실리콘 포화 실리콘 탄화물과, 불침투성 내화성 코팅을 갖는 실리콘 탄화물과, 불침투성 내화성 코팅을 갖는 실리콘 포화 실리콘 탄화물과, 석영과, 실리콘 질화물 및 자르코늄 산화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 확산로 보트 조립체.
  5. 확산로에서 보트와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 지지체에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 폭에 비하여 얇은 단면적을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지체.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 솔리드 디스크인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지체.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 웨이퍼를 수용하기 위한 리세스를 내부에 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지체.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 연속 링인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지체.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 분할 링인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지체.
  10. 제 5 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 실리콘 탄화물과, 실리콘 포화 실리콘 탄화물과, 불침투성 내화성 코팅을 갖는 실리콘 탄화물과, 불침투성 내화성 코팅을 갖는 실리콘 포화 실리콘 탄화물과, 석영과, 실리콘 질화물 및 지르코늄 산화물로 구성된 그룹으로 부터 선택된 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지체.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930025771A 1992-12-03 1993-11-30 수직 보트 및 웨이퍼 지지체 KR940016668A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US98616192A 1992-12-03 1992-12-03
US986,161 1992-12-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940016668A true KR940016668A (ko) 1994-07-23

Family

ID=25532141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930025771A KR940016668A (ko) 1992-12-03 1993-11-30 수직 보트 및 웨이퍼 지지체

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP0600516A1 (ko)
JP (1) JPH0778777A (ko)
KR (1) KR940016668A (ko)
CN (1) CN1090344A (ko)
CA (1) CA2109654A1 (ko)
NO (1) NO934238L (ko)
TW (1) TW242196B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100234530B1 (ko) * 1996-08-23 1999-12-15 윤종용 반도체 웨이퍼 보트
KR100657501B1 (ko) * 2004-08-19 2006-12-13 주식회사 테라세미콘 고온공정용 반도체 제조공정에서의 웨이퍼 지지방법 및고온공정용 반도체 제조장치의 웨이퍼 홀더

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2732224B2 (ja) * 1994-09-30 1998-03-25 信越半導体株式会社 ウエーハ支持ボート
US5618351A (en) * 1995-03-03 1997-04-08 Silicon Valley Group, Inc. Thermal processing apparatus and process
US6395363B1 (en) * 1996-11-05 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Sloped substrate support
JP3377996B1 (ja) * 2001-12-27 2003-02-17 東京エレクトロン株式会社 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置
KR100492977B1 (ko) * 2002-12-12 2005-06-07 삼성전자주식회사 다공성 실리카 박막의 소결을 위한 웨이퍼 보트
US7727588B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-01 Yield Engineering Systems, Inc. Apparatus for the efficient coating of substrates
CN101018885B (zh) * 2004-08-24 2010-07-14 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 半导体加工部件及用该部件进行的半导体加工
JP4368356B2 (ja) 2006-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 画像形成装置および画像形成装置のトナー容器離脱方法
CN102231406A (zh) * 2011-06-24 2011-11-02 苏州凯西石英电子有限公司 一种用于太阳能电池硅片生产的石英舟
CN106298616B (zh) * 2015-06-04 2019-12-13 有研半导体材料有限公司 一种硅片承载部件及降低高温退火片体金属含量的方法
SG10201509996UA (en) * 2015-12-04 2017-07-28 Rokko Systems Pte Ltd Improved substrate processing and apparatus
CN107527971A (zh) * 2017-08-14 2017-12-29 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种硅片扩散装置及硅片插片方法
CN107954719A (zh) * 2017-10-31 2018-04-24 苏州纳朴材料科技有限公司 一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法
CN108800953B (zh) * 2018-08-24 2024-05-17 宁波市北仑区汉朝模具科技有限公司 一种管式电窑炉的料舟与加热管配合结构

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4386255A (en) * 1979-12-17 1983-05-31 Rca Corporation Susceptor for rotary disc reactor
JPS60152675A (ja) * 1984-01-20 1985-08-10 Toshiba Mach Co Ltd 縦型拡散炉型気相成長装置
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100234530B1 (ko) * 1996-08-23 1999-12-15 윤종용 반도체 웨이퍼 보트
KR100657501B1 (ko) * 2004-08-19 2006-12-13 주식회사 테라세미콘 고온공정용 반도체 제조공정에서의 웨이퍼 지지방법 및고온공정용 반도체 제조장치의 웨이퍼 홀더

Also Published As

Publication number Publication date
TW242196B (ko) 1995-03-01
NO934238L (no) 1994-06-06
NO934238D0 (no) 1993-11-23
JPH0778777A (ja) 1995-03-20
CN1090344A (zh) 1994-08-03
CA2109654A1 (en) 1994-06-04
EP0600516A1 (en) 1994-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940016668A (ko) 수직 보트 및 웨이퍼 지지체
KR970008637A (ko) 기상성장장치 및 그에 의해 제조된 화합물 반도체 장치
KR920012537A (ko) 화학기상 성장장치
KR960015781A (ko) 정전기 쵸크를 구비한 챔버용 플라즈마 가드
DE69205241T2 (de) Plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung von Silizium mit gepulster Gas-Einspeisung.
KR890015375A (ko) 에픽텍셜 반응로
NL174499B (nl) Amorf lichtgevoelig materiaal in de vorm van waterstofhoudend siliciumcarbide, alsmede drager voorzien van een of meer lagen van dit materiaal.
KR970030297A (ko) 세로형 확산 및 기상 성장로용의 웨이퍼 보트
KR880011560A (ko) 불투과성 코우팅을 갖는 탄화규소 확산 노 요소
ATE220244T1 (de) Träger für scheibenförmige gegenstände, insbesondere siliziumscheiben
DE68909481T2 (de) Siliciumcarbid-Diffusionsrohr für Halbleiter.
DE3875246D1 (de) Siliciumcarbid/metallcarbid-halbleiterlegierung.
FR2353063A1 (fr) Substrat pour le dosage des activateurs de plasminogene
KR920017250A (ko) 반도체기판 및 그 제조방법
DE68901934D1 (de) Plasmaspritzen unter subathmosphaerischem druck von superleitenden keramischen werkstoffen.
KR920007121A (ko) 열처리 장치
DE3786701D1 (de) Silizium-packungen fuer leistungshalbleiteranordnungen.
ES2077879T3 (es) Material refractario monolitico aislante.
GB996299A (en) Semiconductor device
DE69103748D1 (de) Trägerkassette für Halbleiterscheiben.
IT1257462B (it) Dispositivo di montaggio di due elementi fatti di materiali con coefficienti di dilatazione differenti, sottoposti a variazioni di temperatura elevate.
KR920007126A (ko) 진공막 형성장치
IT1226701B (it) Procedimento per la deposizione di organosilani su substrati di silicio o di ossido di silicio per dispositivi del tipo eos o chemfet.
KR900002404A (ko) 반도체 웨이퍼
DE69104611D1 (de) Tragevorrichtung für waren.

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid