JPH0778777A - 垂直ボート集合体およびウェハー支持物 - Google Patents
垂直ボート集合体およびウェハー支持物Info
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- JPH0778777A JPH0778777A JP5302491A JP30249193A JPH0778777A JP H0778777 A JPH0778777 A JP H0778777A JP 5302491 A JP5302491 A JP 5302491A JP 30249193 A JP30249193 A JP 30249193A JP H0778777 A JPH0778777 A JP H0778777A
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- boat
- silicon carbide
- wafer
- silicon
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体物質のウェハーを処理するための耐火
物ボートおよび適合する支持物である。 【構成】 このボート１は、垂直拡散炉に適合する形状
であり、高純度の焼結炭化珪素、シリコン含浸炭化珪
素、窒化珪素、石英、アルミナ、またはジルコニアなど
の高純度耐火物から作られるか、あるいはそれらを炭化
珪素、窒化珪素、或いはその類似物の高純度の不浸透性
被膜が被覆したもので作られている。好ましくはこのボ
ートと同質材料で構成されるウェハー支持物５は、垂直
ボートに合わせるためおよびシリコンのような半導体物
質のウェハーを支持するために特に適している。このウ
ェハー支持物は、最も簡便には、分割または一体の円形
リング状耐火物物質である。しかしながら、中実円板で
もよく、ボートのデザインが許すならば、円形以外の別
の形状、例えば６角形、または４角形であってもよい。
物ボートおよび適合する支持物である。 【構成】 このボート１は、垂直拡散炉に適合する形状
であり、高純度の焼結炭化珪素、シリコン含浸炭化珪
素、窒化珪素、石英、アルミナ、またはジルコニアなど
の高純度耐火物から作られるか、あるいはそれらを炭化
珪素、窒化珪素、或いはその類似物の高純度の不浸透性
被膜が被覆したもので作られている。好ましくはこのボ
ートと同質材料で構成されるウェハー支持物５は、垂直
ボートに合わせるためおよびシリコンのような半導体物
質のウェハーを支持するために特に適している。このウ
ェハー支持物は、最も簡便には、分割または一体の円形
リング状耐火物物質である。しかしながら、中実円板で
もよく、ボートのデザインが許すならば、円形以外の別
の形状、例えば６角形、または４角形であってもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を製造する
ために用いられる垂直拡散炉、さらに具体的には半導体
基板を支持するために用いる架台或いはボート、および
そのような基板の支持手段に関する。
ために用いられる垂直拡散炉、さらに具体的には半導体
基板を支持するために用いる架台或いはボート、および
そのような基板の支持手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイオード、トランジスタ、および集積
回路のような半導体素子製造における一分野は、例え
ば、シリコンウェハーへの高温酸化、拡散および／また
は薄膜堆積を含む。そのような処理は、米国特許第３，
４３６，２５５号、第４，７６１，１３４号、および第
４，８０２，８４２号に説明されるそれらと同様の色々
の機器形式で行われている。
回路のような半導体素子製造における一分野は、例え
ば、シリコンウェハーへの高温酸化、拡散および／また
は薄膜堆積を含む。そのような処理は、米国特許第３，
４３６，２５５号、第４，７６１，１３４号、および第
４，８０２，８４２号に説明されるそれらと同様の色々
の機器形式で行われている。
【０００３】この１番目の特許は、ウェハーを耐火物架
台或いはボートにまず配置して、その後この架台或いは
ボートを運搬装置或いは支持装置の上に配置され、さら
にそれを処理チューブ内に設置されることによる、シリ
コンウェハーまたはその類似物の処理に関する。その
後、この全部の集合体は、熱および適当なガスを供給す
る水平型マッフル炉内へと移動される。
台或いはボートにまず配置して、その後この架台或いは
ボートを運搬装置或いは支持装置の上に配置され、さら
にそれを処理チューブ内に設置されることによる、シリ
コンウェハーまたはその類似物の処理に関する。その
後、この全部の集合体は、熱および適当なガスを供給す
る水平型マッフル炉内へと移動される。
【０００４】この２番目の特許は、エピタキシアル成長
炉用にグラファイトで作られた加熱要素についてであ
る。この加熱要素は、本質的に平らで且つ長方形であ
り、処理されるウェハーはグラファイト加熱要素の表面
の窪み或いは凹みに配置され、この凹みは処理されるウ
ェハーの直径よりほんの僅か大きい直径を有する。１つ
の実施態様において、この窪み或いは凹みはこの窪みよ
り幾分小さな直径の肩部を有し、この実施態様におい
て、ウェハーをこの肩部に載せる。ウェハーを保持する
ための支持リングも開示され、この支持リングが加熱要
素の窪みに適合する大きさと形状となる。
炉用にグラファイトで作られた加熱要素についてであ
る。この加熱要素は、本質的に平らで且つ長方形であ
り、処理されるウェハーはグラファイト加熱要素の表面
の窪み或いは凹みに配置され、この凹みは処理されるウ
ェハーの直径よりほんの僅か大きい直径を有する。１つ
の実施態様において、この窪み或いは凹みはこの窪みよ
り幾分小さな直径の肩部を有し、この実施態様におい
て、ウェハーをこの肩部に載せる。ウェハーを保持する
ための支持リングも開示され、この支持リングが加熱要
素の窪みに適合する大きさと形状となる。
【０００５】米国特許第４，８０２，８４２号は、米国
特許第４，７６１，１３４号に説明されているような旧
式な水平炉でなく、垂直に配向された炉および反応容器
である新式の拡散炉内に、半導体ウェハー物質を保持す
るための架台或いはボートに関する。図１、２、および
３から明らかなように、この文献の関連した開示は、シ
リコンウェハーが装入される支柱のスロット、或いは、
ウェハーが処理中に置かれる支柱の突起物のいずれかを
有する少なくとも３本の支柱から作られた垂直に立つボ
ート或いは架台であり、ウェハーを支持するこのボート
或いは架台は垂直炉に装入されている。この垂直ボート
は先行技術を越えた明らかな改良であるが、１つの重大
な欠点を提示する。すなわち、ウェハーは３つの比較的
小さな表面で支持されるので、ウェハーの端部上の実質
的な点接触の結果として、ウェハーに少なくとも本質的
に応力／歪みおよび時には曲げが発生する。それが本発
明が解決する問題である。
特許第４，７６１，１３４号に説明されているような旧
式な水平炉でなく、垂直に配向された炉および反応容器
である新式の拡散炉内に、半導体ウェハー物質を保持す
るための架台或いはボートに関する。図１、２、および
３から明らかなように、この文献の関連した開示は、シ
リコンウェハーが装入される支柱のスロット、或いは、
ウェハーが処理中に置かれる支柱の突起物のいずれかを
有する少なくとも３本の支柱から作られた垂直に立つボ
ート或いは架台であり、ウェハーを支持するこのボート
或いは架台は垂直炉に装入されている。この垂直ボート
は先行技術を越えた明らかな改良であるが、１つの重大
な欠点を提示する。すなわち、ウェハーは３つの比較的
小さな表面で支持されるので、ウェハーの端部上の実質
的な点接触の結果として、ウェハーに少なくとも本質的
に応力／歪みおよび時には曲げが発生する。それが本発
明が解決する問題である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題および課題を解決するた
めの手段】本発明は半導体物質のウェハーを処理するた
めの耐火物ボートおよび適合する支持物である。このボ
ートは垂直型、すなわち、垂直拡散炉に適合する形状で
あり、高純度の焼結炭化珪素、シリコン含浸炭化珪素、
窒化珪素、石英、アルミナ、またはジルコニアなどの高
純度耐火物から作られるか、あるいはそれらを炭化珪
素、窒化珪素、或いはその類似物の高純度の不浸透性被
膜が被覆したもので作られている。好ましくはこのボー
トと同質材料で構成されるウェハー支持物は、垂直ボー
トに合わせるためおよびシリコンのような半導体物質の
ウェハーを支持するために特に適している。このウェハ
ー支持物は、最も簡便には、分割または一体の円形リン
グ状耐火物物質である。しかしながら、この支持物は中
実円板でよいが、ボートのデザインが許すならば、円形
以外の別の形状、例えば６角形、または４角形であって
もよい。
めの手段】本発明は半導体物質のウェハーを処理するた
めの耐火物ボートおよび適合する支持物である。このボ
ートは垂直型、すなわち、垂直拡散炉に適合する形状で
あり、高純度の焼結炭化珪素、シリコン含浸炭化珪素、
窒化珪素、石英、アルミナ、またはジルコニアなどの高
純度耐火物から作られるか、あるいはそれらを炭化珪
素、窒化珪素、或いはその類似物の高純度の不浸透性被
膜が被覆したもので作られている。好ましくはこのボー
トと同質材料で構成されるウェハー支持物は、垂直ボー
トに合わせるためおよびシリコンのような半導体物質の
ウェハーを支持するために特に適している。このウェハ
ー支持物は、最も簡便には、分割または一体の円形リン
グ状耐火物物質である。しかしながら、この支持物は中
実円板でよいが、ボートのデザインが許すならば、円形
以外の別の形状、例えば６角形、または４角形であって
もよい。
【０００７】
【作用、実施例および発明の効果】図面を参照して、図
１は本発明に従うボート集合体であり、ボートを１、ウ
ェハー支持物を５として示す。このボート１は、頂部板
３、底板４、および底板４と頂部板３の両方に結合され
る少なくとも２本および好ましくは３本の垂直支柱或い
は棒２で作られる。この棒または支柱２は、底板から等
間隔の距離に置かれ、それらが実質的に水平な位置にウ
ェハー支持リング５を受入れ且つ保持されうるような寸
法である一連のスロット６を有する。図面は、支柱２に
スロット６のようなウェハー支持リングを保持する手段
を示すが、これらの保持する手段は各支柱の突起物また
は棚であってもよく、或いはボートの中心の内側に向け
られたピンでさえあってよい。
１は本発明に従うボート集合体であり、ボートを１、ウ
ェハー支持物を５として示す。このボート１は、頂部板
３、底板４、および底板４と頂部板３の両方に結合され
る少なくとも２本および好ましくは３本の垂直支柱或い
は棒２で作られる。この棒または支柱２は、底板から等
間隔の距離に置かれ、それらが実質的に水平な位置にウ
ェハー支持リング５を受入れ且つ保持されうるような寸
法である一連のスロット６を有する。図面は、支柱２に
スロット６のようなウェハー支持リングを保持する手段
を示すが、これらの保持する手段は各支柱の突起物また
は棚であってもよく、或いはボートの中心の内側に向け
られたピンでさえあってよい。
【０００８】図１のウェハー支持リング５は、支持され
るウェハーより直径をほんの僅か大きい凹み７をその中
に有する。この窪みの深さは、ウェハーの持物上の動き
を防ぐため丁度十分の深さが好ましいが、望むならばよ
り深くてもよい。図２は、さらに詳細なウェハー支持物
５およびボート１とのその相互作用を示した図１のこの
ボート１を貫通する断面部を示す。このリング５は分割
リングである。この分割の目的は、支柱２のスロット６
にウェハー支持物５、およびその上へに配置されたウェ
ハーを無人化装填することを容易にするためである。し
たがって、この分割リング５は、一体リングまたはリン
グとは別の円板であってもよい。図１および２に示され
るこの好ましい支持リング５は、図示されるような窪み
７を有する。これはさらに好ましい形状であるが、この
リングはその上側表面を平らに、すなわち、凹みまたは
窪みのいずれもがなくても良い。ウェハーの両面が処理
される場合、円板は最も効果的でない支持物である。さ
らに好ましいウェハー支持物のデザインは、図２のウェ
ハー支持物５に示される１つまたはそれ以上の心合わせ
ノッチ８を有しても良い。このノッチ８は、垂直な棒ま
たは支柱２の幅よりも僅かに広い幅でなければならな
い。
るウェハーより直径をほんの僅か大きい凹み７をその中
に有する。この窪みの深さは、ウェハーの持物上の動き
を防ぐため丁度十分の深さが好ましいが、望むならばよ
り深くてもよい。図２は、さらに詳細なウェハー支持物
５およびボート１とのその相互作用を示した図１のこの
ボート１を貫通する断面部を示す。このリング５は分割
リングである。この分割の目的は、支柱２のスロット６
にウェハー支持物５、およびその上へに配置されたウェ
ハーを無人化装填することを容易にするためである。し
たがって、この分割リング５は、一体リングまたはリン
グとは別の円板であってもよい。図１および２に示され
るこの好ましい支持リング５は、図示されるような窪み
７を有する。これはさらに好ましい形状であるが、この
リングはその上側表面を平らに、すなわち、凹みまたは
窪みのいずれもがなくても良い。ウェハーの両面が処理
される場合、円板は最も効果的でない支持物である。さ
らに好ましいウェハー支持物のデザインは、図２のウェ
ハー支持物５に示される１つまたはそれ以上の心合わせ
ノッチ８を有しても良い。このノッチ８は、垂直な棒ま
たは支柱２の幅よりも僅かに広い幅でなければならな
い。
【０００９】図１および２に図示されるボート１は、単
に８枚のウェハー支持リング５を収容するような大きさ
である。実際に、このボートは用いられる垂直炉に適合
するであろういずれの長さであってもよい。同様に、図
１および２のボート１とウェハー支持物５の集合物の簡
単なデザインは、いかなる意味にも限定するように考慮
したものでない。円形横断面を優先的に有するこのボー
トは、推奨される形状のウェハー支持物で６角形、８角
形、または４角形であってもよい。このボート１は、例
えば、誘導炉内にボート集合物およびウェハーの機械化
された下降を容易にするため、頂部板３の一部としてま
たはそれに付属するリングを有する。
に８枚のウェハー支持リング５を収容するような大きさ
である。実際に、このボートは用いられる垂直炉に適合
するであろういずれの長さであってもよい。同様に、図
１および２のボート１とウェハー支持物５の集合物の簡
単なデザインは、いかなる意味にも限定するように考慮
したものでない。円形横断面を優先的に有するこのボー
トは、推奨される形状のウェハー支持物で６角形、８角
形、または４角形であってもよい。このボート１は、例
えば、誘導炉内にボート集合物およびウェハーの機械化
された下降を容易にするため、頂部板３の一部としてま
たはそれに付属するリングを有する。
【図１】図１は、ウェハー支持物を含む、半導体物質ウ
ェハーを処理するためのボート集合体の側面図である。
ェハーを処理するためのボート集合体の側面図である。
【図２】図２は、図１の線Ａ−Ａで切った、図１のボー
ト組立物の上断面図である。
ト組立物の上断面図である。
１…ボート ２…支柱或いは棒 ３…頂部板 ４…底板 ５…ウェハー支持物或いはウェハー支持リング ６…スロット ７…窪み或いは凹み ８…ノッチ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年２月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項２】 前記ウェハー支持物が分割リング形状で
あることを特徴とする請求項１記載のボート集合体。
あることを特徴とする請求項１記載のボート集合体。
【請求項３】 前記垂直ボートおよび前記ウェハー支持
物が炭化珪素、シリコンを含浸した炭化珪素、不浸透性
の耐火物被覆をその上に有する炭化珪素、不浸透性の耐
火物被覆をその上に有するシリコンを含浸した炭化珪
素、石英、窒化珪素、および酸化ジルコニウムからなる
群から選ばれた材料を含んで成ることを特徴とする請求
項１または２記載のボート集合体。
物が炭化珪素、シリコンを含浸した炭化珪素、不浸透性
の耐火物被覆をその上に有する炭化珪素、不浸透性の耐
火物被覆をその上に有するシリコンを含浸した炭化珪
素、石英、窒化珪素、および酸化ジルコニウムからなる
群から選ばれた材料を含んで成ることを特徴とする請求
項１または２記載のボート集合体。
【請求項４】 その幅と比べて薄い横断面を有し、且つ
拡散炉のボートと共に使用するウェハー支持物。
拡散炉のボートと共に使用するウェハー支持物。
【請求項５】 前記ウェハー支持物が中実の円板である
請求項４記載のウェハー支持物。
請求項４記載のウェハー支持物。
【請求項６】 ウェハーを収容する窪みをその中に有す
る請求項５記載のウェハー支持物。
る請求項５記載のウェハー支持物。
【請求項７】 前記ウェハー支持物が連続したリングで
ある請求項４記載のウェハー支持物。
ある請求項４記載のウェハー支持物。
【請求項８】 前記ウェハー支持物が分割リングである
請求項４記載のウェハー支持物。
請求項４記載のウェハー支持物。
【請求項９】 前記ウェハー支持物が炭化珪素、シリコ
ンを含浸した炭化珪素、不浸透性の耐火物被覆をその上
に有する炭化珪素、不浸透性の耐火物被覆をその上に有
するシリコンを含浸する炭化珪素、石英、窒化珪素、お
よび酸化ジルコニウムからなる群から選ばれた材料を含
んで成ることを特徴とする請求項４から８のいずれか１
項記載のウェハー支持物。
ンを含浸した炭化珪素、不浸透性の耐火物被覆をその上
に有する炭化珪素、不浸透性の耐火物被覆をその上に有
するシリコンを含浸する炭化珪素、石英、窒化珪素、お
よび酸化ジルコニウムからなる群から選ばれた材料を含
んで成ることを特徴とする請求項４から８のいずれか１
項記載のウェハー支持物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題および課題を解決するた
めの手段】本発明は半導体物質のウェハーを処理するた
めの耐火物ボートおよび適合支持物である。このボート
は垂直型、すなわち、垂直拡散炉に適合する形状であ
り、高純度の焼結炭化珪素、シリコン含浸炭化珪素、窒
化珪素、石英、アルミナ、またはジルコニアなどの高純
度耐火物から作られるか、あるいはそれらを炭化珪素、
窒化珪素、或いはその類似物の高純度の不浸透性被膜が
被覆したもので作られている。好ましくはこのボートと
同質材料で構成されるウェハー支持物は、垂直ボートに
合わせるためおよびシリコンのような半導体物質のウェ
ハーを支持するために特に適している。このウェハー支
持物は、最も簡便には、分割または連続した一体の円形
リング状耐火物物質である。しかしながら、この支持物
は中実円板でよいが、ボートのデザインが許すならば、
円形以外の別の形状、例えば６角形、または４角形であ
ってもよい。
めの手段】本発明は半導体物質のウェハーを処理するた
めの耐火物ボートおよび適合支持物である。このボート
は垂直型、すなわち、垂直拡散炉に適合する形状であ
り、高純度の焼結炭化珪素、シリコン含浸炭化珪素、窒
化珪素、石英、アルミナ、またはジルコニアなどの高純
度耐火物から作られるか、あるいはそれらを炭化珪素、
窒化珪素、或いはその類似物の高純度の不浸透性被膜が
被覆したもので作られている。好ましくはこのボートと
同質材料で構成されるウェハー支持物は、垂直ボートに
合わせるためおよびシリコンのような半導体物質のウェ
ハーを支持するために特に適している。このウェハー支
持物は、最も簡便には、分割または連続した一体の円形
リング状耐火物物質である。しかしながら、この支持物
は中実円板でよいが、ボートのデザインが許すならば、
円形以外の別の形状、例えば６角形、または４角形であ
ってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】図１のウェハー支持リング５は、支持され
るウェハーより直径をほんの僅か大きい軸方向の凹み７
をその中に有する。この窪みの深さは、ウェハーの持物
上の動きを防ぐため丁度十分の深さが好ましいが、望む
ならばより深くてもよい。図２は、さらに詳細なウェハ
ー支持物５およびボート１とのその相互作用を示した図
１のこのボート１を貫通する断面部を示す。このリング
５は分割リングである。この分割の目的は、支柱２のス
ロット６にウェハー支持物５、およびその上へに配置さ
れたウェハーを無人化装填することを容易にするためで
ある。したがって、この分割リング５は、連続した一体
リングまたはリングとは別の円板であってもよい。図１
および２に示されるこの好ましい支持リング５は、図示
されるような窪み７を有する。これはさらに好ましい形
状であるが、このリングはその上側表面を平らに、すな
わち、凹みまたは窪みのいずれもがなくても良い。ウェ
ハーの両面が処理される場合、円板は最も効果的でない
支持物である。さらに好ましいウェハー支持物のデザイ
ンは、図２のウェハー支持物５に示される１つまたはそ
れ以上の心合わせノッチ８を有しても良い。このノッチ
８は、垂直な棒または支柱２の幅よりも僅かに広い幅で
なければならない。
るウェハーより直径をほんの僅か大きい軸方向の凹み７
をその中に有する。この窪みの深さは、ウェハーの持物
上の動きを防ぐため丁度十分の深さが好ましいが、望む
ならばより深くてもよい。図２は、さらに詳細なウェハ
ー支持物５およびボート１とのその相互作用を示した図
１のこのボート１を貫通する断面部を示す。このリング
５は分割リングである。この分割の目的は、支柱２のス
ロット６にウェハー支持物５、およびその上へに配置さ
れたウェハーを無人化装填することを容易にするためで
ある。したがって、この分割リング５は、連続した一体
リングまたはリングとは別の円板であってもよい。図１
および２に示されるこの好ましい支持リング５は、図示
されるような窪み７を有する。これはさらに好ましい形
状であるが、このリングはその上側表面を平らに、すな
わち、凹みまたは窪みのいずれもがなくても良い。ウェ
ハーの両面が処理される場合、円板は最も効果的でない
支持物である。さらに好ましいウェハー支持物のデザイ
ンは、図２のウェハー支持物５に示される１つまたはそ
れ以上の心合わせノッチ８を有しても良い。このノッチ
８は、垂直な棒または支柱２の幅よりも僅かに広い幅で
なければならない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブライアン ディー．フォスター アメリカ合衆国，マサチューセッツ 01520，ホールデン，ウォルナット スト リート 22
Claims (10)
- 【請求項１】 ウェハー支持物および分離された状態に
複数個の前記ウェハー支持物を保持する手段を有する垂
直ボートから成り、前記ボートおよびウェハー支持物が
高純度の耐火物物質から構成される、垂直半導体ウェハ
ー炉のための拡散炉ボート集合体。 - 【請求項２】 前記ウェハー支持物が一体リング形状で
あることを特徴とする請求項１記載のボート集合体。 - 【請求項３】 前記ウェハー支持物が分割リング形状で
あることを特徴とする請求項１記載のボート集合体。 - 【請求項４】 前記垂直ボートおよび前記ウェハー支持
物が炭化珪素、シリコンを含浸した炭化珪素、不浸透性
の耐火物被覆をその上に有する炭化珪素、不浸透性の耐
火物被覆をその上に有するシリコンを含浸した炭化珪
素、石英、窒化珪素、および酸化ジルコニウムからなる
群から選ばれた材料を含んで成ることを特徴とする請求
項１から３のいずれか１項記載のボート集合体。 - 【請求項５】 その幅にと比べて薄い横断面を有し、且
つ拡散炉のボートと共に使用するウェハー支持物。 - 【請求項６】 前記ウェハー支持物が中実の円板である
請求項５記載のウェハー支持物。 - 【請求項７】 ウェハーを収容する窪みをその中に有す
る請求項６記載のウェハー支持物。 - 【請求項８】 前記ウェハー支持物が連続したリングで
ある請求項５記載のウェハー支持物。 - 【請求項９】 前記ウェハー支持物が分割リングである
請求項５記載にウェハー支持物。 - 【請求項１０】 前記ウェハー支持物が炭化珪素、シリ
コンを含浸した炭化珪素、不浸透性の耐火物被覆をその
上に有する炭化珪素、不浸透性の耐火物被覆をその上に
有するシリコンを含浸する炭化珪素、石英、窒化珪素、
および酸化ジルコニウムからなる群から選ばれた材料を
含んで成ることを特徴とする請求項５から９のいずれか
１項記載のウェハー支持物。
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Families Citing this family (15)
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Cited By (1)
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