KR940001263A - 성막장치 - Google Patents

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KR940001263A
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도시아끼 하세가와
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

온도분포를 개선한 지지대(서셉터)를 가진 CVD 장치 등의 성막장치(成膜裝置)를 제공한다.
반도체기판(3)을 재치하는 지지대(2)와, 반도체기판(3)을 지지대(2)를 통해 가열하기 위한 가열장치(1)와, 반도체기판(3)상에 박막을 성장시키기 위한 원료가스를 공급하는 원료가스 공급수단을 가지며, 지지대(2)가 최소한 반도체기판(3)과 접촉하는 부분인 접촉부(2a)와, 지지대(2)의 외주에 있고 반응실측벽(7)에 고정되어 있는 부분인 고정부(2b)로 분할되어 있으며, 바람직하기로는 접촉부(2a)의 재료에는 열전도가 양호한 재료인 그래파이트를 사용하고, 고정부(2b)의 재료에는 열전도성이 낮은 재료인 석영이나 SUS를 사용한다.

Description

성막장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예 1의 요부단면도.
제2도는 실시예 1의 지지대의 상면도.

Claims (8)

  1. 반도체기판을 재치하는 지지대와, 상기 반도체기판을 상기 지지대를 통해 가열하기 위한 가열장치와, 상기 반도체기판상에 박막을 성장시키기 위한 원료가스를 공급하는 원료가스 공급수단을 가진 성막장치에 있어서, 상기 지지대가 최소한 반도체기판과 접촉하는 부분인 접촉부와, 상기 지지대의 외주에 있고 반응실측벽에 고정되어 있는 부분인 고정부로 분할되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지대의 접촉부의 재료에는 열전도가 양호한 재료를 사용하고, 상기 지지대의 고정부의 재료에는 열전도성이 낮은 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 분할한 지지대의 양 부분의 사이에 퍼지가스를 도입하는 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 메탈박막형성 CVD 장치인 것을 특징으로 하는 성막장치.
  5. 반도체기판을 재치하는 지지대와, 상기 반도체기판을 상기 지지대를 통해 가열하기 위한 가열장치와, 상기 반도체기판상에 박막을 성장시키기 위한 원료가스를 공급하는 원료가스 공급수단을 가진 성막장치에 있어서, 상기 지지대가 최소한 반도체기판과 접촉부분인 접촉부와, 상기 지지대의 외주에 있고 반응실측벽에 고정되어 있는 부분인 고정부로 분할되어 있는 동시에, 상기 접촉부분과 상기 고정부분에는 각각 메탈박막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 지지대의 접촉부의 재료에는 열전도가 양호한 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 성막장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 블랭킷텅스텐 CVD 장치인 것을 특징으로 하는 성막장치.
  8. 제7항에 있어서, 메탈박막이 텅스텐과 밀착성이 양호하고, 또한 텅스텐의 에칭시에 에칭되지 않는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 성막장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용이 의하여 공개하는 것임.
KR1019930011441A 1992-06-29 1993-06-23 성막장치 KR100284753B1 (ko)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5803977A (en) * 1992-09-30 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
JP2701767B2 (ja) * 1995-01-27 1998-01-21 日本電気株式会社 気相成長装置
US5715361A (en) * 1995-04-13 1998-02-03 Cvc Products, Inc. Rapid thermal processing high-performance multizone illuminator for wafer backside heating
US6108490A (en) * 1996-07-11 2000-08-22 Cvc, Inc. Multizone illuminator for rapid thermal processing with improved spatial resolution
US5937142A (en) * 1996-07-11 1999-08-10 Cvc Products, Inc. Multi-zone illuminator for rapid thermal processing
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
JP4329171B2 (ja) * 1999-07-14 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US6455814B1 (en) 2001-11-07 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Backside heating chamber for emissivity independent thermal processes
DE102007027704A1 (de) * 2007-06-15 2008-12-18 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten von auf einem Suszeptor angeordneten Substraten
JP4678386B2 (ja) * 2007-06-15 2011-04-27 住友電気工業株式会社 気相成長装置および気相成長方法
KR101955887B1 (ko) * 2017-02-28 2019-03-11 (주)세고스 자동 개방 및 폐쇄 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63114976A (ja) * 1986-11-01 1988-05-19 Ulvac Corp 基板電極機構
JPH0639709B2 (ja) * 1988-09-05 1994-05-25 日立電子エンジニアリング株式会社 プラズマｃｖｄ装置
JP2927857B2 (ja) * 1990-01-19 1999-07-28 株式会社東芝 基板加熱装置
US5094885A (en) * 1990-10-12 1992-03-10 Genus, Inc. Differential pressure cvd chuck
JP2725081B2 (ja) * 1990-07-05 1998-03-09 富士通株式会社 半導体装置製造用熱処理装置

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