KR970008399A - 화학-물리적폴리싱 공정에서 디싱억제방법 - Google Patents
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Abstract
화학-물리적 폴리싱에 관한 것으로, 하나 이상의 패턴밀도의 단차를 갖는 기판위에 평탄화 물질을 증착하는 공정, 상기 평탄층의 가장 낮은 영역을 기준으로, 상기 패턴밀도의 단차에 따라 서로 다른 크기를 가지는 포토레지스트막을 상기 단차가 형성된 영역 상에 형성하는 공정, 상기 포토레지스트막을 마스크로 이용하여 결과물을 에칭하는 공정, 및 상기 포토레지스트막을 제거하고 화학-물리적 폴리싱을 실시하는 공정을 구비하여, 종래의 화학-물리적 폴리싱에서 발생하는 디싱현상을 억제할 수 있는 방법을 개시한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 단층의 단차를 갖는 경우로, 본 발명의 제1실시예를 나타낸다.
Claims (3)
- 하나 이상의 패턴밀도의 단차를 갖는 기판위에 평탄화 물질을 중착하는 공정, 상기 평탄층의 가장 낮은 영역을 기준으로, 상기 패턴밀도의 단차에 따라 서로 다른 크기를 가지는 포토레지스트막을 상기 단차가 형성된 영역 상에 형성하는 공정, 상기 포토레지스트막을 마스크로 이용하여 결과물을 에칭하는 공정, 및 상기 포토레지스트막을 제거하고 화학-물리적 폴리싱을 실시하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 평탄화 물질의 증착 두께는 기판에 존재하는 단차 이상임을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 평탄화 물질의 에칭은 상기 포토레지스트막 하부에 형성된 평탄화 물질층과 같은 높이가 될때까지 실시됨을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950023168A KR970008399A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 화학-물리적폴리싱 공정에서 디싱억제방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950023168A KR970008399A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 화학-물리적폴리싱 공정에서 디싱억제방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970008399A true KR970008399A (ko) | 1997-02-24 |
Family
ID=66540771
Family Applications (1)
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| KR1019950023168A KR970008399A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 화학-물리적폴리싱 공정에서 디싱억제방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970008399A (ko) |
-
1995
- 1995-07-31 KR KR1019950023168A patent/KR970008399A/ko not_active Application Discontinuation
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