KR970053434A - 반도체 장치의 소자분리 방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자분리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
쉘로우 트렌치 소자분리 방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 반도체기판 상에 비활성영역과 활성영역을 한정하는 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴을 마스크로 사용하여 반도체 기판의 비활성영역에 트렌치를 형성하는 단계, 트렌치의 내벽에 절연막을 형성하는 단계, 결과물 상에 트렌치를 매몰하기 위한 절연물질을 두껍게 증착한 후, 상기 절연물질을 CMP함으로써 표면을 평탄화하는 단계, 활성영역 상의 패턴을 제거하는 단계, 트렌치에 매몰된 절연물질을, 그 높이가 기판레벨 이하로 될 때까지 식각하는 단계 및 활성영역의 반도체기판을, 그 높이가 트렌치에 매몰된 절연물질의 높이 이하로 될 때까지 식각하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 활성영역의 노출이 없이 소자분리 영역을 형성할 수 있으므로, 소자의 특성 열화를 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 의한 쉘로우 트렌치 소자분리 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (4)
- 반도체기판 상에 비활성영역과 활성영역을 한정하는 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴을 마스크로 사용하여 반도체 기판의 비활성영역에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치의 내벽에 절연막을 형성하는 단계; 결과물 상에 트렌치를 매몰하기 위한 절연물질을 두껍게 증착한 후, 상기 절연물질을 CMP함으로써 표면을 평탄화하는 단계; 상기 활성영역 상의 패턴을 제거하는 단계; 상기 트렌치에 매몰된 절연물질을, 그 높이가 기판레벨 이하로 될 때까지 식각하는 단계; 및 상기 활성영역의 반도체기판을, 그 높이가 트렌치에 매몰된 절연물질의 높이 이하로 될 때까지 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치의 내벽에 형성하는 절연막은 1,000Å 미만의 두께의 열산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치 매몰 절연막을 식각하는 단계는 습식식각방법을 사용하고, 상기 활성영역의 기판을 식각하는 단계는 건식식각방법을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 활성영역의 기판을 식각하는 단계는, 트렌치 매몰 절연막과 기판의 식각 선택비가 10:1 이상인 화학물질을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057230A KR970053434A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 소자분리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057230A KR970053434A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 소자분리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053434A true KR970053434A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66618250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057230A KR970053434A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 소자분리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053434A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057230A patent/KR970053434A/ko not_active Application Discontinuation
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