KR970076074A - 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법 - Google Patents
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Abstract
전면 에치 백(Etch Back) 및 식각을 이용하여 미세선폭의 패턴을 형성하도록 하는 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법에 관한 것이다.
본 방명은, 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법에 있어서, 소정막 상부에 제1선폭의 홈 패턴을 갖는 제1박막을 형성시키고, 그 상부에 상기 홈에서 제2선폭을 갖는 제2박막을 적층시키며, 포토레지스트를 도포한 후, 상기 포토레지스트 전면 에치 백 및 상기 제1, 제2박막의 식각을 수행함으로써 잔류 포토레지스트에 의한 패턴을 형성시킴으로써 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하여 0.2㎛ 이하의 초미세 선폭의 형성으로 고집적화된 반도체장치를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 내지 (라)는 본 발명에 따른 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법의 실시예를 나타내는 단면도이다.
Claims (2)
- 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법에 있어서, 소정막 상부에 제1선폭의 홈 패턴을 갖는 제1박막을 형성시키고, tm 상부에 상기 홈에서 제2선폭을 갖는 제2박막을 적층시키며, 포토레지스트를 도포한 후, 상기 포토레지스트 전면 에치 백 및 상기 제1, 제2박막의 식각을 수행함으로써 잔류 포토레지스트에 의한 패턴을 형성시킴을 특징으로 하는 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2선폭은 0.2㎛ 이하임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016212A KR970076074A (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016212A KR970076074A (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076074A true KR970076074A (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=66219470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960016212A KR970076074A (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 반도체장치 제조공정에서의 패턴형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970076074A (ko) |
-
1996
- 1996-05-15 KR KR1019960016212A patent/KR970076074A/ko not_active Application Discontinuation
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