KR970004081A - 반도체 장치, 그 제조방법 및 전계효과 트랜지스터 - Google Patents

반도체 장치, 그 제조방법 및 전계효과 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

코발트나 니켈의 실리사이드층의 형성에 악영향을 끼치는 자연산화막을 파괴해서, 평탄성이 풍부하고 막 두께가 균일한접합릭이 적은 실리사이드층의 형성을 가능하게 한다.
게이트 전극(4)의 전극층(4A)와 소스/드레인 확산층(1),(2)의 위에 막두께20nm이하의 코발트층(7)을 형성하고, 이온주입에 의해 질소(8)을 밀도1E15/㎤정도로,또 주입에너지 10keV으로 주입한다.
그때, 질소(8)은 코발트층(7)과 전극층(4A)와의 계면 및 코발트층(7)과 소스/드레인 확산층(1),(2)와의 계면에 존재하는 자연산화막을 파괴하고, 전극층(4A)와 소스/드레인 확산층(1),(2)의 내부 깊은데 까지 분포한다.
그때, 코발트의 실리사이드화 반응에 의해 실리사이드층(6)을 형성한다. 자연산화막이 존재하지 않기 때문에 실리사이드화 반응이 균일하게 진행된다. 질소(8)에 대신해서 불소 또는 실리콘으로 해도 된다.

Description

반도체 장치, 그 제조방법 및 전계효과 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예1에 의해 얻어진 반도체 장치 내지 FET의 구조를 나타내는 단면도.

Claims (14)

  1. 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기계의 주면위에 형성된 절연막과, 상기 전극층의 상면위에 형성된 전극층과, 성기 전극층의 상명위에 형선된 실리사이드층과, 상기 실리사이드층의 내부에 분포하고, 또한 해당 실리사이드층과 상기 전극층과의 계면에서 상기 전극층의 냅에 향해서도 분포한 불순물층을 구비하고, 상기 전극층과 상기 실리사이드층과는 트란지스터의 게이트 전극을 형성하고, 상기 실리사이드 층은 환원성이 없는 확산종으로써의 금속의 실리사이드화 한 측이고, 상기 불순물층은 상기 트랜지스터의 전기적 특성이 손상되지 않는 재료로 이루어지는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 주면중에 상기 절연막과의 계면을 이루는 부분의 일부와 해당 절연막과의 계면을 이루는 부분이외의 부분에서 상기 반도체 기판의 내부에 향해서 형성된 상기 트랜지스터의 제2도전형의 확산층과, 상기 절연막과의 계면을 이루는 부분이외의 상기 반도체 기판의 주면에서 상기 확산층의 내부에 향해서 형성된 새로운 실리사이드층과, 상기 새로운 실리사이드층의 내부에 분포하고, 또한 해당 새로운 실리사이드층과 상기 확산층과의계면에서 다시 확산층의 내부에 향해서 분포한 새로운 불순물층을 더 구비하고, 상기 새로운 불순물층과 같은 재료로 이루어지는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 불순물층과 상기 새로운 불순물층은 상기 확산층내에 주입한 불순물 이온보다도 활성화 에너지가 작은 재료를 포함하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서는, 상기 불순물층과 상기 불순물층은 질소를 포함하는 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 질소는 반도체 기판과 동일의 원소를 주입할 때에 생기는 것을 포함하고, 그 원소의주입시에 생기는 것의 분포밀도는 1E16/㎤에서 1E20/㎤까지의 범위내에 있는 반도체 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 불순불층과 상기 새로운 불순물층은 불소를 포함하는 반도체 장치.
  7. 제1도전형의 반도체 기판의 주면에, 게이트 산화막과 게이트 전극과 제2도전형의 소스/드레인 확산층을 가지는 트랜지스터를 형성하는 공정과, 환원성이 없는 확산종으로써의 금속을 상기 게이트 전극과 상기 소스/드레인 확산층과의 상면위에 퇴적해서 금속층을 형성하는 공정과, 상기 트랜지스터의 전기적특성을 손상하지 않는 특질을 구비한 믹싱재료를 이온주입에 의해 상기 금속층에서 상기 소스/드레인 확산층의 내부 및 상기 게이트 전극의 내부에까지 주입하는공정과, 주입후의 상기 금속층을 실리사이드화 시켜서, 상기 게이트 전극과 상기 소스/드레인 확산층내에 실리사이드층을 형성하는 공정을 구비한 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,사익 믹싱재료는 상기 소스/드레인 확산층을 형성할 때에 주입된 이온보다도 활성화에너지가 작은 재료인 반도체 장치의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 믹싱재료는 질소인 반도체 장치의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 믹싱재료는 불소인 반도체 장치의 제조방법.
  11. 상기 믹싱재료는 상기 반도체 기판을 구성하는 원소와 동일한 반도체 장치의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기반도체 기판을 구성하는 원소와 상기 소스/드레인 확산층을 형성할 때에 주입된 이온보다도 활서화 에너지가 작은 원소를 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  13. 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 주면에 형성된 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막의상면에 형성된 게이트 전극과, 상기 반도체 기판의 주면에 이온을 주입해서 형성된 제2도전형의 소스/드레인 확산층과,상기 게이트 전극내에 형성된 환원성이 없는, 확산종으로써의 금속의 실리사이드층과, 상기 소스/드레인 확산층내에 형성된, 상기 환원성이 없는 확산종으로써의 금속의 별도의 실리사이드층과, 상기 실리사이드층과 해당 실리사이드층이 없는상기 게이트 전극의 내부에 분포한, 상기 이온보다도 활성화 에너지가 작은 원소로 이루어지는 불순물층과, 상기 별도의실리사이드층과 해당 별도의 실리사이드층이 없는 상기 소스/드레인 확산층의 내부에 분포한, 상기 원소로 이루어지는 별도의 불순물층을 구비한 전계효과 트랜지스터.
  14. 제1도전형의 시리콘 시판과, 상기 실리콘 기판의 주면에 형성된 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막의상면에 형성된 게이트 전극과, 상기 실리콘 기판의 주면에 이온을 주입해서 형성된 제2도전형의 소스/드레인 확산층과,상기 게이트 전극내에 형성된, 환원성이 없는 확산종으로써의 금속의 실리사이드층과, 상기 소스/드레인 확산층내에 형성된 상기 환원성이 없는 확산층으로써의 금속의 별도의 실리사이드층과, 상기 실리사이드층과 해당 실리사이드층이 없는상기 게이트 전극의 내부에 1E16/㎤에서 1E20/㎤까지의 범위내의 밀도로 분포한 질소층과, 상기 별도의 실리사이드층과해당 별도의 실리사이드층이 없는 상기 소스/드레인 확산층의 내부에, 1E16/㎤에서 1E20/㎤까지의 범위내의 밀도로 분포한 별도의 질소층을 구비한 전계효과 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396691B1 (ko) * 1999-06-16 2003-09-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 살리사이드층 형성 방법

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3514500B2 (ja) 1994-01-28 2004-03-31 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びその製造方法
KR100329749B1 (ko) * 1995-12-23 2002-11-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의코발트실리사이드막을이용한모스트랜지스터형성방법
JP2874626B2 (ja) * 1996-01-23 1999-03-24 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
EP0812009A3 (en) * 1996-06-03 1998-01-07 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to semiconductor processing
US6080645A (en) 1996-10-29 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Method of making a doped silicon diffusion barrier region
US6262458B1 (en) 1997-02-19 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Low resistivity titanium silicide structures
US5926730A (en) * 1997-02-19 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Conductor layer nitridation
US6015997A (en) 1997-02-19 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor structure having a doped conductive layer
JPH10261588A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5902129A (en) * 1997-04-07 1999-05-11 Lsi Logic Corporation Process for forming improved cobalt silicide layer on integrated circuit structure using two capping layers
JP3191728B2 (ja) 1997-06-23 2001-07-23 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6054355A (en) 1997-06-30 2000-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device which includes forming a dummy gate
US6100170A (en) * 1997-07-07 2000-08-08 Matsushita Electronics Corporation Method of manufacturing semiconductor device
JP3075225B2 (ja) * 1997-09-11 2000-08-14 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6136677A (en) * 1997-09-25 2000-10-24 Siemens Aktiengesellschaft Method of fabricating semiconductor chips with silicide and implanted junctions
US5854115A (en) * 1997-11-26 1998-12-29 Advanced Micro Devices, Inc. Formation of an etch stop layer within a transistor gate conductor to provide for reduction of channel length
KR100257075B1 (ko) * 1998-01-13 2000-05-15 김영환 반도체 소자 및 그의 제조방법
JP3199015B2 (ja) 1998-02-04 2001-08-13 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6229155B1 (en) 1998-05-29 2001-05-08 International Business Machines Corporation Semiconductor and method of fabricating
KR100282711B1 (ko) * 1998-05-29 2001-03-02 윤종용 콘택홀 플러그 제조 방법(contact hole plug forming method)
KR100304717B1 (ko) * 1998-08-18 2001-11-15 김덕중 트렌치형게이트를갖는반도체장치및그제조방법
US6271133B1 (en) 1999-04-12 2001-08-07 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Optimized Co/Ti-salicide scheme for shallow junction deep sub-micron device fabrication
JP4565700B2 (ja) 1999-05-12 2010-10-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6319784B1 (en) * 1999-05-26 2001-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Using high temperature H2 anneal to recrystallize S/D and remove native oxide simultaneously
US6242776B1 (en) * 1999-06-02 2001-06-05 Advanced Micro Devices, Inc. Device improvement by lowering LDD resistance with new silicide process
KR100390848B1 (ko) 1999-06-24 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 게이트전극 형성 방법
US6737710B2 (en) * 1999-06-30 2004-05-18 Intel Corporation Transistor structure having silicide source/drain extensions
US6369434B1 (en) 1999-07-30 2002-04-09 International Business Machines Corporation Nitrogen co-implantation to form shallow junction-extensions of p-type metal oxide semiconductor field effect transistors
US6096647A (en) * 1999-10-25 2000-08-01 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to form CoSi2 on shallow junction by Si implantation
JP2001352057A (ja) 2000-06-09 2001-12-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、およびその製造方法
US6653227B1 (en) 2000-08-31 2003-11-25 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of cobalt silicidation using an oxide-Titanium interlayer
US6507123B1 (en) * 2000-10-05 2003-01-14 Advanced Micro Devices, Inc. Nickel silicide process using UDOX to prevent silicide shorting
KR100368310B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
US6559018B1 (en) * 2002-01-18 2003-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Silicon implant in a salicided cobalt layer to reduce cobalt-silicon agglomeration
JP3657915B2 (ja) * 2002-01-31 2005-06-08 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の製造方法
US6610262B1 (en) * 2002-03-04 2003-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Depletion mode SCR for low capacitance ESD input protection
US6873051B1 (en) * 2002-05-31 2005-03-29 Advanced Micro Devices, Inc. Nickel silicide with reduced interface roughness
US6689688B2 (en) * 2002-06-25 2004-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method and device using silicide contacts for semiconductor processing
DE10245607B4 (de) 2002-09-30 2009-07-16 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Bilden von Schaltungselementen mit Nickelsilizidgebieten, die durch ein Barrierendiffusionsmaterial thermisch stabilisiert sind sowie Verfahren zur Herstellung einer Nickelmonosilizidschicht
AU2003272444A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-23 Advanced Micro Devices, Inc. Circuit element having a metal silicide region thermally stabilized by a barrier diffusion material
KR100940438B1 (ko) 2002-12-18 2010-02-10 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법
KR100583090B1 (ko) * 2003-05-30 2006-05-23 주식회사 하이닉스반도체 강유전체 레지스터의 캐패시터 제조방법
US9673280B2 (en) * 2003-06-12 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cobalt silicidation process for substrates comprised with a silicon-germanium layer
KR101024637B1 (ko) * 2003-07-18 2011-03-25 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법
KR101051807B1 (ko) * 2003-10-02 2011-07-25 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법
US7422968B2 (en) * 2004-07-29 2008-09-09 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing a semiconductor device having silicided regions
US20060222024A1 (en) * 2005-03-15 2006-10-05 Gray Allen L Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region
KR100617067B1 (ko) * 2005-06-27 2006-08-30 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그의 제조방법
US7811877B2 (en) * 2007-07-16 2010-10-12 Applied Materials, Inc. Method of controlling metal silicide formation
JP2011009329A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4829363A (en) * 1984-04-13 1989-05-09 Fairchild Camera And Instrument Corp. Structure for inhibiting dopant out-diffusion
US4640004A (en) * 1984-04-13 1987-02-03 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method and structure for inhibiting dopant out-diffusion
US4793896C1 (en) * 1988-02-22 2001-10-23 Texas Instruments Inc Method for forming local interconnects using chlorine bearing agents

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396691B1 (ko) * 1999-06-16 2003-09-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 살리사이드층 형성 방법

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