KR101051807B1 - 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (16)
- 실리콘 성분을 포함하는 접합 영역과 게이트가 형성되고, 상기 게이트의 측벽에 절연막 스페이서가 형성된 반도체 기판이 제공되는 단계;상기 반도체 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;이온주입 공정으로 상기 금속층에 확산 억제 이온을 주입하는 단계; 및열처리 공정으로 상기 금속층에 포함된 금속 성분을 상기 실리콘 성분이 포함된 접합 영역과 게이트로 확산시켜 상기 접합 영역 및 상기 게이트 상에 실리사이드층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 확산 억제 이온은,상기 확산이 이루어지는 금속층에 주입되어, 상기 금속 성분의 확산 속도를 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속층은 티타늄, 코발트 또는 니켈로 형성되는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 금속층은 상온 내지 550℃의 온도와 1E-7Torr 내지 1E-8Torr의 압력에서 상기 압력을 1E-2Torr 내지 1E-4Torr로 변경한 상태에서 DC 스퍼터, RF 스퍼터 또는 CVD법으로 형성되는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속층을 형성한 후 상기 확산 억제 이온을 주입하기 전에,상기 열처리 공정 시 산소의 유입이나 이상 산화를 방지하기 위하여 상기 금속층 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 캡핑층은 TiN으로 형성되는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 캡핑층은 상온 내지 400℃의 온도와 1E-7Torr 내지 1E-8Torr의 압력에서 상기 압력을 1E-2Torr 내지 1E-4Torr로 변경한 상태에서 DC 스퍼터, RF 스퍼터 또는 CVD법으로 형성되는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 확산 억제 이온은 플라즈마 이머젼 방식으로 주입되는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 확산 억제 이온의 이온주입 Rp값은 상기 확산 억제 이온이 상기 금속층에 균일하게 주입되도록 10Å 내지 500Å으로 설정하고, 이온주입 Rp의 변화값은 5Å 내지 100Å으로 설정하는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 확산 억제 이온의 이온주입 에너지가 5KeV 내지 100KeV인 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 확산 억제 이온이 질소인 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 확산 억제 이온의 주입량이 1E13atoms/cm2 내지 1E16atoms/cm2인 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 열처리 공정은 불활성 가스 분위기에서 430℃ 내지 530℃의 온도로 10초 내지 60초 동안 실시되는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 열처리 공정을 실시한 후,상기 실리사이드층의 저항값을 낮추고 막질을 향상시키기 위하여 후속 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 후속 열처리 공정은 불활성 가스 분위기에서 650℃ 내지 800℃의 온도로 5초 내지 30초 동안 실시되는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 12 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 불활성 가스로 N2, Ar, He 또는 H2 가스가 사용되는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
- 제 12 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 불활성 가스의 공급 유량이 10sccm 내지 1000sccm인 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.
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