KR960043286A - 회로 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

회로 기판은 전극, 다수의 분기된 부분을 갖고 있고 주로 금속 재료로 형성된 배선, 분기된 부분을 양극 산화시키기도록전압을 배선에 인가하는 단자, 및 상기 분기된 부분의 양극 산화의 정도를 제어하는 양극 산화 콘트롤러를 포함한다. 분기된 부분은 반도체 디바이스의 전극으로서 작용한다. 단자는 배선에 접속된다.

Description

회로 기판 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 회로 기판의 주요 부분을 도시하는 평면도.

Claims (24)

  1. 주로 금속 재료로 형성되며, 전극으로서 사응되는 단부를 갖는 배선: 상기 배선의 다른 단부에 접속되어상기 배선을 양극 산화하기 위해 전압을 상기 배선에 인가하는 단자: 및 상기 전극으로서 작용하는 상기 단부보다 상기단자에 접속된 상기 다른 단부에 더 근접한 상기 배선의 일부분으로서 상기 배선의 양극 산화 정도를 제어하는 양극 산화제어 수단을 포함하고, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 단자에 의해 인가된 상기 전압에 의해 양극 산화되어 절연체가형성되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 배선의 상기 단부의 표면상에 형성된 양극 산화막의 두께와 일치하는 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 배선의 상기 단부의 표면상에 형성된 양극 산화막의 두께와 일치하는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 회로기판.
  4. 전극을 포함하는 다수의 반도체 디바이스: 상기 반도체 디바이스의 상기 전극으로서 작용하는 다수의 분기된 부분을 갖고 있으며, 주로 금속 재료로 형성되는 배선: 상기 배선에 접속되어 상기 분기된 부분을 양극 산화시키기 위해 전압을 상기 배선에 인가하는 단자: 및 상기 분기된 부분의 양극 산화의 정도를 제어하는 양극 산화 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  5. 제4항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 분기된 부분과 다른 상기 배선의 일부분인 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  6. 제5항에 있어서, 상기 일부분은 상기 분기된 부분의 폭보다 더 좁은 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  7. 제6항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단의 상기 폭은 상기 분기된 부분의 양극 산화의 정도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  8. 제5항에 있어서, 상기 일부분은 상기 분기된 부분보다 더 얇은 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  9. 제8항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단의 두께가 상기 분기된 부분의 양극 산화의 정도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  10. 제4항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 분기된 부분의 일부이고, 서로 병렬로 접속되며, 각각이 상기 분기된 부분중 해당 분기된보다 폭이 더 좁은 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  11. 제10항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 폭이 다른 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  12. 제11항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단의 상기 폭은 상기 분기된 부분의 상기 양극 산화의 정도에따라 결정되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  13. 제4항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 분기 부분의 일부이고, 직렬로 접속되며, 각각이 상기분기 부분 중해당 부분보다 폭이 더 좁은 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  14. 제13항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 폭이 다른 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  15. 제14항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단의 상기 폭이 상기 분기된 부분의 상기 양극 산화의 정도에따라 결정되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  16. 제4항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 분기된 부분의 일부이고, 서로 병렬로 접속되며, 각각이 상기 분기된 부분 증 해당 부분보다 두짜가 더 얇은것을 특징으로 하는 회로 기판.
  17. 제16항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 두께가 다른 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  18. 제17항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단의 상기 두께는 상기 분기된 부분의 상기 양극 산화의 정도에따라 결정되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  19. 제4항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 분기 부분의 일부이고, 서로 직렬로 접속되며, 각각이상기 분기된 부분중 해당 부분보다 두께가 더 얇은 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  20. 제19항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 두께가 다른 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  21. 제20항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단의 상기 두께는 상기 분기된 부분의 상기 양극 산화의 정도에따라 결정되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  22. 전극을 포함하는 다수의 반도체 디바이스: 및 상기 반도체 디바이스의 전극으로서 작용하는 다수의 분기된 부분을 갖고 있고, 주로 금속 재료로 형성된 배선을 포함하는 회로 기판을 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 반도체층을 형성하는 스텝: 상기 반도체층 상에 주로 금속 재료로 제조되고 상기 배선을 형성하기 위해 상기 층을 패터닝하는층, 및 전압을 상기 배선에 접속된 배선에 인가하는 단자를 형성하는 스텝: 상기 분기된 부분 상에 양극 산화막을 형성하기 위해 상기 전압을 상기 배선에 인가함으로써 상기 배선을 양극 산화하는 스텝: 및 이온을 상기 반도체충에 주입함으로써 소스 및 드레인 영역을 형성하는 스텝을 포함하고, 주로 상기 금속 재료로 제조된 상기 층을 형성하는 상기 스텝은 상기 배선과 동시에 상기 분기된 부분의 양극 산화의 정도를 제어하는 양극 산화 제어 수단을 형성하는 것을 특징으로 하는회로 기판의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 분기된 부분보다 폭이 더 좁은 것을 특징으로 하는회로 기판의 제조 방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 양극 산화 제어 수단은 상기 분기된 부분보다 두께가 더 얇은 것을 특징으로 하는회로 기판의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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