KR960043269A - 압접형 반도체장치 - Google Patents

압접형 반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960043269A
KR960043269A KR1019960019026A KR19960019026A KR960043269A KR 960043269 A KR960043269 A KR 960043269A KR 1019960019026 A KR1019960019026 A KR 1019960019026A KR 19960019026 A KR19960019026 A KR 19960019026A KR 960043269 A KR960043269 A KR 960043269A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
semiconductor
pressure
semiconductor chips
chips
Prior art date
Application number
KR1019960019026A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100203533B1 (ko
Inventor
사토시 데라마에
미치아키 히요시
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15128656&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR960043269(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 사토 후미오, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 사토 후미오
Publication of KR960043269A publication Critical patent/KR960043269A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100203533B1 publication Critical patent/KR100203533B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은, 대용량화가 용이하고, 또한 제조수율에도 기여할 수 있는 압접형 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, IGBT칩(11,11,…)과 FRD칩(12,12,…)을 동일 평면상에 배치하고, 이들 칩을 이미터압접전극판(27)과 콜렉터압접전극판(28)에서 일괄하여 압접한다. FRD칩은 중앙부에 배치하고, IGBT칩은 FRD칩의 주변에 배치한다. 양 압접전극판 사이에 각 칩의 주표면과, 이미터압접전극판의 접합부에 개구를 형성한 수지기판(22)을 설치한다. 이 수지기판에 게이트압접전극(23,23,…)을 설치하고, 각 IGBT칩의 게이트전극과 각각 전기적으로 접속한다. 또한, 이 수지기판에 게이트배선을 고착하고, IGBT칩을 제어하는 제어신호를 이 게이트배선에서 상기 게이트압접전극을 매개로 IGBT칩의 게이트전극으로 공급하는 것을 특징으로 한다.

Description

압접형 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 압접형 반도체장치의 단면도.

Claims (47)

  1. 제어전극을 갖추고, 동일 평면상에 배치된 복수의 반도체칩(11, 12)과, 이들 반도체칩(11, 12)을 일괄하여압접하는 제1, 제2압접전극판(27, 28), 이 제1, 제2압접전극판(27, 28)사이에 배치되고, 상기 각 반도체칩(11, 12)의 주표면과 제1압접전극판(27)과의 접촉부에 개구를 형성한 절연기판(13), 이 절연기판에 설치되고, 상기각 반도체칩(11,12)의 제어전극과 각각 전기적으로 접속되는 압접전극(23), 상기 절연기판(13)에 고착되고, 상기 각 반도체칩(11, 12)을제어하는 제어신호를 상기 압접전극(23)을 매개로 각 반도체칩(11, 12)의 제어전극에 공급하는 제어배선(29)을 구비하여구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연기판(13)에 고착된 제어배선(29)을 보호하는 보호커버(24)를 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보호커버(24)가 상기 절연기판(13)에 걸게 되는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩(11, 12)군과 상기 제2압접전극판(28) 사이에 개재되는 원판형 완충판(15)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩의 각각의 주표면과 상기 제1압접전극판(27) 사이에 각각 개재되는복수의 열완충판(14)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 복수의 열완충판(14)과 복수의 반도체칩(11, 12) 사이에 각각 개재되는 연금속박을더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩(11, 12)에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩(11, 12)의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 압접형 반도체장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체칩이 중앙부에 배치된 FRD칩(12)과, 이 FRD칩(12)을 둘러싸도록 배치된 IGBT칩(11)을 포함하고, 상기, 각 FRD칩(12)이 각각 상기 각 IGBT칩(11)과 통전방향을 역으로 하여 병렬접속되는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고,이 돌기부에서 상기 반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩의 주표면과 상기 각 제1압접전극판(27) 사이에 개재되고, 상기 각반도체칩의 수평방향의 위치산출 및 고정을 행하는 틀 형상의 칩프레임(13)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 칩프레임(13)이 외주에 절결부(13a)를 갖추고, 상기 절연성 프레임이 상기 칩프레임(13)의 절결부(13a)에 걸어맞춰지는 돌기부를 갖추며, 상기 각 반도체칩의 상하방향의 위치산출 및 고정을 행하는 것을특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  14. 동일 평면상에 배치된 제1반도체칩군(12)과, 제어전극을 갖추고, 이 제1반도체칩군(12)과 동일 평면상에서, 또한 상기 제1반도체칩군(12)의 주위에 배치된 제2반도체칩군(11), 상기 제1, 제2반도체칩군(12, 11)을 일괄하여 압접하는 제1, 제2압접전극판(27,28), 이 제1, 제2압접전극판(27, 28)사이에 배치되고, 상기 제1, 제2반도체칩군(11, 12)의주표면과 제1압접전극판(27)의 접촉부에 개구를 형성한 절연기판(13), 이 절연기판(13)에 설치되고, 상기 제2반도체칩군(11)의 제어전극과 각각 전기적으로 접속되는 압접전극(23), 상기 절연기판(13)에 고착되고, 상기 제2반도체칩군(11)을제어하는 제어신호를 상기 압접전극(23)을 매개로 제2반도체칩군(11)의 제어전극에 공급하는 제어배선(29)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 절연기판(13)에 고착된 제어배선(29)을 보호하는 보호커버(24)를 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 보호커버(24)가 상기 절연기판(13)에 걸게 되는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 제1, 제2반도체칩군(12, 11)과 상기 제2압접전극판(28) 사이에 개재되는 원판형완충판(15)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1, 제2반도체칩군(12, 11)의 각각의 주표면과 상기 제1압접전극판 (27) 사이에각각 개재되는 복수의 열완충판(14)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 복수의 열완충판(14)과 상기 제1, 제2반도체칩군(12, 11)사이에 각각 개재되는 연금속박을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 제1, 제2반도체칩군(12, 11)에 대응하는 위치에 주상의돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 제1, 제2반도체칩(12, 11)의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  21. 제14항에 있어서, 상기 제1반도체칩군이 각각 FRD칩(12)이고, 상기 제2반도체칩군이 각각 IGBT칩(11)이며, 상기 각 FRD칩(12)이 각각 상기 각IGBT칩(11)과 통전방향을 역으로 하여 병렬접속되는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 제1, 제2반도체칩군에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 제1, 제2반도체칩군의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  23. 제14항에 있어서, 상기 제1, 제2반도체칩군의 주표면과 상기 각 제1압접전극판(27) 사이에 개재되고, 상기 제1, 제2반도체칩군의 수평방향의 위치산출 및 고정을 행하는 틀 형상의 칩프레임(13)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 칩프레임(13)이 외주에 절결부(13a)를 갖추고, 상기 절연성 프레임이 상기 칩프레임(13)의 절결부(13a)에 걸어맞춰지는 돌기부를 갖추며, 상기 칩프레임(13)과 상기 절연성 프레임으로 거는 것에 의해,상기 제1, 제2반조체칩군의 상하방향의 위치산출 및 고정을 행하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 제1, 제2반도체칩군에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 제1, 제2반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  26. 제14항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 제1, 제2반도체칩군에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 제1, 제2반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  27. 제어전극을 갖추고, 동일 평면상에 배치된 복수의 반도체칩(11, 12)과, 이들 반도체칩(11, 12)을 일괄하압접하는 제1, 제2압접전극판(27, 28), 이 제1, 제2압접전극판(27, 28)사이에 배치되고, 상기 각 반도체칩(11, 12)의주표면과 제1압접전극판(27)과의 접촉부에 개구를 형성한 절연기판(13), 이 절연기판(13)에 설치되고, 상기 각 반도체칩(11, 12)의 제어전극과 각각 전기적으로 접속되는 압접전극(23), 상기 절연기판(13)에 고착되고, 상기 각 반도체칩(11,12)을 제어하는 제어신호를 상기 압접전극(23)을 매개로 각 반도체칩(11, 12)의 제어전극에 공급하는 제어배선(29) 및,상기 절연기판(13)에 실장되는 발진방지용 저항, 온도 검출용 서미스터, 과전류를 검출하기 위한 전류 검출소자, 과전류검출회로 및, 상기 각 반도체칩(11, 12)을 보호하는 보호회로중 적어도 어느 하나를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는압접형 반도체장치.
  28. 제27항에 있어서, 상기 절연기판(13)에 고착된 제어배선(29) 및, 상기 절연기판(13)에 실장되는 발진방지용 저항(30), 온도검출용 서미스터(31), 과전류를 검출하기 위한 전류검출소자(32), 과전류검출회로 및 상기 각 반도체칩을 보호하는 보호회로중 적어도 어느 하나를 보호하는 보호커버(24)를 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기 보호커버(24)가 상기 절연기판(13)에 걸게 되는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  30. 제27항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩(11, 12)과 상기 제2압접전극판(28) 사이에 개재되는 원판형 완충판(15)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩의 각각의 주표면과 상기 제1압접전극판(27) 사이에 각각 개재되는 복수의 열완충판(14)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 복수의 열완충판(14)과 상기 복수의 반도체칩(11, 12) 사이에 각각 개재되는 연금속박을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩(11, 12)에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩(11, 12)의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  34. 제27항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩이 중앙부에 배치된 FRD칩(12)과, 이 FRD칩(12)을 둘러싸도록 배치된 IGBT칩(11)을 포함하고, 상기 각 FRD칩(12)이 각각 상기 각 IGBT칩(11)과 통전방향을 역으로 하여 병렬접속되는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  35. 제34항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 제1, 제2반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  36. 제27항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩의 주표면과 상기 각 제1압접전극판(27) 사이에 개재되고, 상기각 반도체칩의 수평방향의 위치산출 및 고정을 행하는 틀 형상의 칩프레임(13)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는압접형 반도체장치.
  37. 제36항에 있어서, 상기 칩프레임(13)이 외주에 절결부(13a)를 갖추고, 상기 절연성 프레임(16)이 상기 칩프레임(13)의 절결부(13a)에 걸어맞춰지는 돌기부(16a)를 갖추며, 상기 칩프레임(13)과 상기 절연성 프레임(16)으로 거는것에 의해, 상기 각 반도체칩의 상하방향의 위치산출 및 고정을 행하는 것을 특징으로 하는압접형 반도체장치.
  38. 제37항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  39. 제27항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  40. 동일 평면상에 배치된 복수의 반도체칩(11, 12)과, 이들 반도체칩(11, 12)의 주표면에 배치되고, 상기 각반도체칩(11, 12)에 대응하는 위치에 개구를 갖춘 절연성 프레임(16), 상기 반도체칩(11, 12)의 이면측에 배치되는 원판형 열완충판(15), 상기 절연성 프레임(16)의 개구내의 각 반도체칩의 주표면과 상기 원판형 열완충기(15)를 일괄하여 압접하는 제1, 제2압접전극판(27, 28)을 구비하고, 상기 절연성 프레임(16)과 상기 원판형 열완충판(15)에서 각 반도체칩을상하방향에서 끼우는 것에 의해, 각 반도체칩(11, 12)의 상하방향의 위치산출 및 고정을 행하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  41. 제40항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩이 중앙에 배치된 FRD칩(12)과, 이 FRD칩(12)을 둘러싸도록 배치된 IGBT칩(11)을 포함하고, 상기 각 FRD칩(12)이 각각 상기 각 IGBT칩(11)과 통전방향을 역으로 하여 병렬접속되는 것을특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  42. 제41항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  43. 제40항에 있어서, 상기 복수의 반도체칩의 주표면과 상기 제1압접전극판(27) 사이에 개재되고, 상기 각반도체칩의 수평방향의 위치산출 및 고정을 행하는 틀 형상의 칩프레임(13)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  44. 제43항에 있어서, 상기 칩프레임(13)이 외주에 절결부(13a)를 갖추고, 상기 절연성 프레임(16)이 상기 칩프레임(13)의 절결부(13a)에 걸어맞춰지는 돌기부(16a)를 갖추며, 상기 칩프레임(13)과 상기 절연성 프레임(16)으로 거는것에 의해, 상기 각 반도체칩군의 상하방향의 위치산출 및 고정을 행하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  45. 제44항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 제1, 제2반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  46. 제40항에 있어서, 상기 제1압접전극판(27)이 상기 각 반도체칩에 대응하는 위치에 주상의 돌기부를 갖추고, 이 돌기부에서 상기 반도체칩의 주표면을 압접하는 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
  47. 제40항에 있어서, 상기 제2압접전극판(28)에 대응하는 개구를 갖추고, 상기 절연성 프레임(16)에 걸게 되는 것에 의해, 상기 복수의 반도체칩 및 상기 원판형 열완충판(15)을 끼우는 링프레임(17)을 더 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 압접형 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960019026A 1995-05-31 1996-05-31 압접형 반도체장치 KR100203533B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13445195A JP3258200B2 (ja) 1995-05-31 1995-05-31 圧接型半導体装置
JP95-134451 1995-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960043269A true KR960043269A (ko) 1996-12-23
KR100203533B1 KR100203533B1 (ko) 1999-07-01

Family

ID=15128656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960019026A KR100203533B1 (ko) 1995-05-31 1996-05-31 압접형 반도체장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5708299A (ko)
EP (1) EP0746023B1 (ko)
JP (1) JP3258200B2 (ko)
KR (1) KR100203533B1 (ko)
DE (1) DE69614195T2 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452261B1 (en) * 1997-03-26 2002-09-17 Hitachi, Ltd. Flat semiconductor device and power converter employing the same
JP3421544B2 (ja) * 1997-07-14 2003-06-30 株式会社東芝 半導体モジュール
JP3480811B2 (ja) 1997-07-15 2003-12-22 株式会社東芝 電圧駆動型電力用半導体装置
JP3344552B2 (ja) * 1997-09-17 2002-11-11 株式会社東芝 圧接型半導体装置
US6020636A (en) * 1997-10-24 2000-02-01 Eni Technologies, Inc. Kilowatt power transistor
GB9725960D0 (en) * 1997-12-08 1998-02-04 Westinghouse Brake & Signal Encapsulating semiconductor chips
JP2930074B1 (ja) * 1998-06-02 1999-08-03 富士電機株式会社 半導体装置
JP2000091485A (ja) 1998-07-14 2000-03-31 Denso Corp 半導体装置
US6072240A (en) 1998-10-16 2000-06-06 Denso Corporation Semiconductor chip package
JP4085536B2 (ja) 1998-11-09 2008-05-14 株式会社日本自動車部品総合研究所 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置
KR100342589B1 (ko) * 1999-10-01 2002-07-04 김덕중 반도체 전력 모듈 및 그 제조 방법
US6703707B1 (en) * 1999-11-24 2004-03-09 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure
US6693350B2 (en) 1999-11-24 2004-02-17 Denso Corporation Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure
JP3676240B2 (ja) 2000-02-07 2005-07-27 株式会社東芝 圧接型半導体装置
EP1168446A3 (en) 2000-06-23 2008-01-23 Westcode Semiconductors Limited Housing semiconductor chips
GB0015484D0 (en) * 2000-06-23 2000-08-16 Westcode Semiconductors Limite Housing semiconductor chips
DE10048436A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-18 Siemens Ag Elektronische Leistungsschaltervorrichtung
JP3954314B2 (ja) * 2001-01-23 2007-08-08 株式会社東芝 圧接型半導体装置
JP4479121B2 (ja) * 2001-04-25 2010-06-09 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP2004023083A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Toshiba Corp 圧接型半導体装置
US6678163B1 (en) 2002-12-19 2004-01-13 Westcode Semiconductors Limited Housing for semiconductor chips
JP4157001B2 (ja) * 2003-08-28 2008-09-24 株式会社東芝 マルチチップ圧接型半導体装置
JP4802210B2 (ja) * 2008-05-13 2011-10-26 株式会社東芝 マルチチップ圧接型半導体装置
US8531027B2 (en) * 2010-04-30 2013-09-10 General Electric Company Press-pack module with power overlay interconnection
CN104183556B (zh) * 2013-05-23 2018-09-14 国家电网公司 一种全压接式绝缘栅双极晶体管器件
US9177943B2 (en) * 2013-10-15 2015-11-03 Ixys Corporation Power device cassette with auxiliary emitter contact
DE102014104718B3 (de) * 2014-04-03 2015-08-20 Infineon Technologies Ag Halbleiterbaugruppe mit Chiparrays
WO2018105486A1 (ja) 2016-12-06 2018-06-14 株式会社 東芝 半導体装置
JP2018133448A (ja) 2017-02-15 2018-08-23 株式会社東芝 半導体装置
CN111684587B (zh) 2018-02-07 2023-06-09 株式会社东芝 半导体装置
CN112655285B (zh) 2018-10-05 2022-04-01 株式会社东芝 半导体封装
JP7395452B2 (ja) * 2020-09-23 2023-12-11 株式会社東芝 半導体装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH081914B2 (ja) * 1987-03-31 1996-01-10 株式会社東芝 圧接型半導体装置
JPH0693468B2 (ja) * 1988-08-09 1994-11-16 株式会社東芝 圧接平型半導体装置
JP2739970B2 (ja) * 1988-10-19 1998-04-15 株式会社東芝 圧接型半導体装置
JP2755761B2 (ja) * 1990-01-26 1998-05-25 株式会社東芝 半導体装置
JP3137375B2 (ja) * 1990-09-20 2001-02-19 株式会社東芝 圧接型半導体装置
JP3074736B2 (ja) * 1990-12-28 2000-08-07 富士電機株式会社 半導体装置
EP0499707B1 (de) * 1991-02-22 1996-04-03 Asea Brown Boveri Ag Abschaltbares Hochleistungs-Halbleiterbauelement
EP0514615B1 (en) * 1991-05-23 1995-05-03 STMicroelectronics S.r.l. Electronic power device realized by a series of elementary semi-conductor components connected in parallel and related manufacturing process
JPH05152574A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
DE59304797D1 (de) * 1992-08-26 1997-01-30 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
JP3180863B2 (ja) * 1993-07-27 2001-06-25 富士電機株式会社 加圧接触形半導体装置およびその組立方法
JP2991010B2 (ja) * 1993-09-29 1999-12-20 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2845739B2 (ja) * 1993-11-29 1999-01-13 三菱電機株式会社 圧接型半導体装置及びその製造方法
JP3256636B2 (ja) * 1994-09-15 2002-02-12 株式会社東芝 圧接型半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08330338A (ja) 1996-12-13
KR100203533B1 (ko) 1999-07-01
DE69614195T2 (de) 2002-04-18
JP3258200B2 (ja) 2002-02-18
EP0746023B1 (en) 2001-08-01
EP0746023A2 (en) 1996-12-04
US5708299A (en) 1998-01-13
DE69614195D1 (de) 2001-09-06
EP0746023A3 (en) 1997-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960043269A (ko) 압접형 반도체장치
US5296739A (en) Circuit arrangement with a cooling member
US6181007B1 (en) Semiconductor device
JPS62229866A (ja) 半導体装置
KR960012561A (ko) 압접형 반도체 장치
KR870003671A (ko) 양성 온도계수(ptc)가열장치
WO2018211735A1 (ja) 半導体装置
JP4097613B2 (ja) 半導体装置
US4057825A (en) Semiconductor device with composite metal heat-radiating plate onto which semiconductor element is soldered
JP2006332176A (ja) 半導体装置
JP2002289630A (ja) パワー半導体モジュール
US3280383A (en) Electronic semiconductor device
US4329701A (en) Semiconductor package
US3551645A (en) Heater for sealing flat-packs and the like
US2414471A (en) High current rectifier
JPH0639345Y2 (ja) 半導体の温度検出装置
GB2133641A (en) AC solid state relay circuit and thyristor structure
JPH0547991B2 (ko)
US3491271A (en) Housing for electrically conductive heat-dissipating devices
JPS5629352A (en) Resin-sealed semiconductor device
JP3522975B2 (ja) 半導体装置
US5534726A (en) Semiconductor device provided with status detecting function
JPH01293550A (ja) 半導体装置
JPS53110371A (en) Ceramic package type semiconductor device
JPS5918685Y2 (ja) 混成厚膜集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120302

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee