JP4157001B2 - マルチチップ圧接型半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施の形態を、マルチチップ型逆導通IGBT装置を例にとって説明する。
図3は本発明にかかる半導体装置の第2の実施の形態を示す平面図であって、図1と同様に熱緩衝板208と各チップの区画との関係を示している。
図4は本発明の第2の実施の形態にかかるマルチチップ型逆導通IGBT装置の断面図であって図1のB−B’線に沿った断面を示している。この部分はチップ番号1および3はFRDチップ202、チップ番号2はIGBTチップ201となっている。これらのIGBTチップ201およびFRDチップ202はそれぞれ分離型熱緩衝板203上に搭載されている。IGBTチップ201の上面にはコレクタ電極が、FRDチップ202の上面にはカソード電極が設けられている。また、各チップの側方終端部には、チップ間耐圧を得る為のプラスチック製ホルダ204がはめ込まれ、これによりチップを正規位置に位置決めしている。
図5は本発明の第4の実施の形態にかかるマルチチップ圧接型半導体装置の構造を示す断面図であり、図8のA−A’線に沿った断面を示している。
本発明の第5の実施の形態を、図1,図6、図7および図8を参照して説明する。
102,202 FRDチップ
103,203 熱緩衝板
104、204 ホルダ
105,205、210 下電極板
106,206 ゲート基板
107,207 チップ固定用樹脂部材
108,208 熱緩衝板
109,209 上電極板
Claims (6)
- 一方向に流れる電流を制御する複数の能動素子チップと、前記能動素子チップの電流通過方向とは逆方向に電流を通過させる複数のダイオードチップを配設し、前記能動素子チップおよび前記ダイオードチップの電極板を上下から圧接してなる逆導通型のマルチチップ圧接型半導体装置において、
前記ダイオードチップは、チップ配設領域のうちチップの少なくとも1辺に隣接する他のチップが存在しない最外周チップ位置の全部、及び前記最外周チップ位置に囲まれた内部の配置位置に配設され、
前記内部の配置位置に配設されるダイオードチップは、チップの辺と頂点の少なくとも一方に隣接して存在する他のチップの総数が少ない位置の順に配設されたことを特徴とするマルチチップ圧接型半導体装置。 - 一方向に流れる電流を制御する複数の能動素子チップと、前記能動素子チップの電流通過方向とは逆方向に電流を通過させる複数のダイオードチップを配設し、前記能動素子チップおよび前記ダイオードチップの電極板を上下から圧接してなる逆導通型のマルチチップ圧接型半導体装置において、
チップ配設領域のうちチップの少なくとも1辺に隣接する他のチップが存在しない最外周チップ位置に、前記能動素子チップと前記ダイオードチップとが混在して配設され、
前記最外周におけるダイオードチップの配設は、チップの辺と頂点の少なくとも一方に隣接して存在する他のチップの総数が少ない位置の順に配設され、
前記最外周チップ位置に囲まれた内部の配置位置には、前記能動素子チップのみが配設されることを特徴とするマルチチップ圧接型半導体装置。 - 配設されたすべてのダイオードチップを上方から見た平面上の重心位置が半導体装置全体の平面上の重心位置にほぼ一致するようにダイオードチップが配設されたことを特徴とする請求項1または2に記載のマルチチップ圧接型半導体装置。
- 前記複数の能動素子チップと前記ダイオードチップとは、行、列いずれの方向にも隣接チップ辺がその全長で対向するようなマトリクス配置となっていることを特徴とする請求項1または2に記載のマルチチップ圧接型半導体装置。
- 前記複数の能動素子チップと前記ダイオードチップとは、少なくとも一組の隣接する行あるいは列で半チップ分ずれるように配設されたことを特徴とする請求項1または2に記載のマルチチップ圧接型半導体装置。
- 前記能動素子チップがIGBTチップ、ダイオードチップがFRDチップであることを特徴とする請求項1または2に記載のマルチチップ圧接型半導体装置。
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