KR960042729A - 메모리 장치용 멀티플렉서 - Google Patents

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KR960042729A
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Abstract

반도체 장치용 멀티플렉서는 외란의 영향으로 인한 데이타의 유실을 방지하여 적어도 2개 이상의 패드로 부터의 데이타신호를 정확하게 전송한다. 이를 위하여, 상기 반도체 장치용 멀키플렉서는 적어도 2개 이상의 패드로 부터 각각 데이타신호를 입력하기 위한 적어도 2개 이상의 입력라인과, 상기 적어도 2개 이상의 데이타신호의 절환을 제어하기 위한 제어신호를 입력하는 적어도 2개 이상의 제어라인과, 상기 2개 이상의 제어라인으로 부터 각각 인가되는 상기 제어신호에 의하여, 상기 2개 이상의 입력라인으로 부터 출력라인쪽으로 전송될 상기 적어도 2개 이상의 데이타신호를 각각 절환하고 그리고 상기 출력라인상의 데이타신호의 유실을 방지하기 위하여 상기 출력라인 및 상기 입력라인들과 격리된 전압노드를각각 설정하기에 적합한 적어도 2개 이상의 절환부를 구비한다.

Description

메모리 장치용 멀티플렉서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 메모리 장치용 멀티플렉서의 회로도.

Claims (7)

  1. 데이타신호를 외부로 부터 입력하기 위한 적어도 2개 이상의 패드를 구비하는 반도체장치에 있어서, 상기적어도 2개 이상의 패드로 부터 각각 데이타신호를 입력하기 위한 적어도 2개 이상의 입력라인과, 상기 적어도 2개 이상의 데이타신호의 절환을 제어하기 위한 제어신호를 입력하는 적어도 2개 이상의 제어라인과, 상기 2개 이상의 제어라인으로 부터 각각 인가되는 상기 제어신호에 의하여, 상기 2개 이상의 입력라인으로 부터 출력라인쪽으로 전송될 상기 적어도2개 이상의 데이타신호를 각각 절환하고 그리고 상기 출력라인상의 데이타신호의 유실을 방지하기 위하여 상기 출력라인및 상기 입력라인들과 격리된 프로딩노드를 각각 설정하기에 적합한 적어도2개 이상의 절환수단을 구비한 것을 특징으로하는 멀티플렉서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절환수단이, 상기 제어라인으로 부터의 제어신호에 의하여 상기 출력라인 및 상기플로팅 노드를 선택적으로 접속시키기 위한 제1 절환소자와, 상기 제어라인으로 부터의 제어신호에 의하여 상기 입력라인및 상기 플로팅 노드를 선택적으로 접속시키기 위한 제2 절환소자와, 상기 제어라인으로 부터의 제어신호에 의하여 전압원으로 부터 전압을 상기 플로팅 노드쪽으로 선택적으로 절환하는 제3 절환소자를 구비한 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절환소자가 상기 제3 절환소자와 상호 보완적으로 구동되도록 된 것을특징으로 하는 멀티플렉서.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절환소자는, 상기 제어신호가 고전위를 갖을 경우에 구동되는 NMOS 트랜지스터를 각각 구비하고, 상기 제3 절환소자는 상기 제어신호가 저전위를 갖을 경우에 구동되도록 상기 제어신호를 반전시키기 위한 인버터 및 상기 인버터의 출력신호에 의하여 구동되는 NMOS 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전압원으로 부터의 전압이 상기 제어신호의 저전위 보다 높은 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 출력라인상의 데이타신호를 완충하기 위한 완충수단을 추가로 구비한 것을 특징으로하는 멀티플렉서.
  7. 제6항에 있어서, 상기 완충수단이, 기준전압신호를 발생하는 기준전압원과, 상기 기준전압신호와 상기 출력라인으로 부터의 데이타신호를 비교하기 위한 비교수단을 구비한 것을 특징으로 하는 멀티플렉서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950011883A 1995-05-15 1995-05-15 메모리 장치용 멀티플렉서 KR0144494B1 (ko)

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1049100B1 (en) * 1999-04-28 2005-01-19 STMicroelectronics S.r.l. Semiconductor device with selectionable pads
US6501817B2 (en) 2000-08-25 2002-12-31 United Memories, Inc. Area efficient redundancy multiplexer circuit technique for integrated circuit devices providing significantly reduced parasitic capacitance

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3621288A (en) * 1969-09-11 1971-11-16 Xerox Corp Multichannel switching system with unity-gain isolation amplifier operatively connected between the selected channel and remaining open channels
US4905189B1 (en) * 1985-12-18 1993-06-01 System for reading and writing information
JPS63142717A (ja) * 1986-11-28 1988-06-15 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン マルチプレクサ回路
JP2504018B2 (ja) * 1987-01-25 1996-06-05 日本電気株式会社 入力回路
JP2600753B2 (ja) * 1988-02-03 1997-04-16 日本電気株式会社 入力回路
US5003475A (en) * 1988-11-25 1991-03-26 Picker International, Inc. Medical imaging system including means to increase data transfer speeds by simultaneously transferring data from latches to registers and from registers to latches
JPH05101646A (ja) * 1991-10-07 1993-04-23 Mitsubishi Electric Corp デユアルポートメモリ
US5438295A (en) * 1993-06-11 1995-08-01 Altera Corporation Look-up table using multi-level decode
US5376829A (en) * 1993-09-10 1994-12-27 Sun Microsystems, Inc. High-speed complementary multiplexer

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