KR960039354A - 플래쉬 이이피롬 셀 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플래쉬 이이피롬 제조방법에 관하여 개시된다.
본 발명은 플로팅 게이트용 폴리실리콘을 이용하여 셀의 소오스/드레인 불순물 이온주입을 자기정렬하고, 컨트롤 게이트용 폴리실리콘을 이용하여 스택 트랜지스터의 길이를 줄일 수 있어 셀 사이즈와 공정단계를 줄일 수 있다.

Description

플래쉬 이이피롬 셀 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2d도는 본 발명에 따른 플래쉬 이이피롬 셀 제조방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.

Claims (1)

  1. 플래쉬 이이피롬 셀 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 터널 산화막을 형성하고, 제1폴리실리콘층, 하부 산화막 및 질화막을 터널 산화막상에 순차적으로 형성한 후, 플로팅 게이트용 마스크를 사용하여 상기 제1폴리실리콘층을 1차 식각하고, 소오스/드레인 불순물 이온을 주입하는 단계와, 열산화공정으로 상부 산화막을 형성하여 ONO구조의 유전체막을 형성하고, 상기 상부 산화막상에 제2폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 컨트롤 게이트용 마스크를 사용하여 상기 제2 및 1폴리실리콘층을 식각하여 플로팅 게이트 및 컨트롤 게이트를 형성하는 단계와, 상기 플로팅 게이트 및 컨트롤 게이트의 노출된 표면에 층간 절연막을 형성한 다음 스플릿 게이트를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬 셀 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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JPH0637286A (ja) * 1992-07-14 1994-02-10 Sharp Corp 不揮発性メモリ及びその製造方法

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