KR970054203A - 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법 - Google Patents
비휘발성 메모리 셀의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법에 관한 것으로, 드레인 영역에서의 정전 용량 증가로 인한 비트라인의 복귀 속도 저하를 방지하기 위하여 산화막이 형성된 실리콘 기판상에 폴리실리콘층을 형성하고 상기 폴리실리콘층에 소오스 및 드레인 영역을 형성하므로써 소자의 특성을 향상시키며 고집적화를 이룰 수 있는 비휘발성 메모리 셀이 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1E도는 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법에 있어서, 필드 산화막이 형성된 실리콘 기판상에 산화막을 성장시킨 후 상기 산화막상에 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 폴리실리콘층에 채널 이온을 주입한 후 열처리하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 폴리실리콘층상에 터널 산화막, 플로팅 게이트, 유전체막 및 콘트롤 게이트가 적충된 구조의 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 불순물 이온을 주입하여 상기 게이트 전극 양측부의 상기 폴리실리콘층에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 절연층을 형성한 후 상기 소오스 및 드레인 영역의 소정 부분이 노출되도록 상기 절연층을 식각하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 콘택 홀이 매립되도록 전체 상부면에 금속층을 형성한 후 상기 금속층을 패터닝하여 소오스 및 드레인 전극을 각각 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 2000 내지 6000A의 두께로 형성되며, 상기 폴리실리콘층은 300 내지 2000A의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 하부 산화막, 질화막 및 상부 산화막이 순차적으로 적충된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법.※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR (1) | KR970054203A (ko) |
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1995
- 1995-12-07 KR KR1019950047327A patent/KR970054203A/ko not_active Application Discontinuation
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