KR970004033A - 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법에 관한 것으로, 플로팅게이트와 콘트롤게이트간의 용량성 커플링 비(Capacitive Coupling Ratio)를 증가시키기 위하여 실리콘기판의 채널(Channel) 지역을 리세스(Recess) 구조로 형성하여 콘트롤게이트와 플로팅게이트가 중첩(Overlap) 되는 면적을 증가시키므로써 프로그램 및 소거시의 효율을 증가시키며 칩의 크기를 감소시킬 수 있도록 한 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 제2G도는 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀의 제조 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (8)

  1. 비휘발성 메모리 셀에 있어서, 소오스영역 및 채널지역이 리세스 구조로 식각되며 상기 리세스 구조의 양측부가 소정의 경사면을 갖도록 구성된 실리콘기판과, 상기 채널지역의 실리콘기판 상부에 형성되며 터널산화막에 의해 상기 실리콘기판과 전기적으로 분리되는 플로팅게이트와, 상기 플로팅게이트 상부에 형성되며 유전체막에 의해 상기 플로팅 게이트와 전기적으로 분리되는 콘트롤게이트와, 상기 플로팅게이트 양측부의 실리콘기판에 형성되며 불순물 이온이 주입된 소오스 및 드레인영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 하부 산화막, 질화막 및 상부 산화막이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀.
  3. 비휘발성 메모리 셀의 제조방법에 있어서, 소오스영역 및 채널이 형성될 지역의 실리콘기판에 양측부가 경사면을 갖는 두꺼운 산화막을 형성하기 위하여 산화공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 제1감광막을 도포하고 상기 채널이 형성될 지역의 상기 산화막이 노출되도록 상기 제1감광막을 패터닝한 후패터닝된 제1감광막을 마스크로 이용하여 노출된 부분의 상기 산화막을 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1감광막을 제거하고 전체 상부면에 터널산화막 및 제1폴리실리콘층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 게이트전극용 마스크를 이용한 사진 및 식각공정으로 상기 제1폴리실리콘층 및 터널산화막을 순차적으로 패터닝하여 플로팅게이트를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 유전체막, 제2폴리실리콘층 및 제2감광막을 순차적으로 형성한 후 상기 게이트전극용 마스크를 이용하여 상기 제2감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 패터닝된 상기 제2감광막을 마스크로 이용하여 노출된 부분의 제2폴리실리콘층 및 유전체막을 순차적으로 식각하여 상기 채널지역의 실리콘기판상에 터널산화막, 플로팅게이트, 유전체막 및 콘트롤 게이트가 적층된 구조를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제2감광막을 제거한 후 상기 소오스영역이 형성될 지역의 잔류된 산화막을 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 노출된 실리콘기판에 불순물 이온을 주입하여 소오스 및 드레인영역을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 소오스영역이 형성될 지역의 잔류된 산화막을 제거하는 단계로부터 상기 소오스영역이 형성될 지역의 노출된 실리콘기판에 불순물이온을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 불순물 이온은 P31인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 산화공정은 LOCOS 공정인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 제조방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 유전체막은 하부 산화막, 질화막 및 상부 산화막이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 제조방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 패터닝된 제2감광막을 마스크로 이용한 식각공정은 자기 정렬 시각 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리셀의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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