KR960032778A - 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터 - Google Patents

금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

MESFET은 WSix, Ti, Pt, 및 Au막을 포함하며 MESFET의 게이트, 소오스 및 드레인 전극과 그의 내부연결을 설치하는 금속 누적층을 갖는다. MESFET의 기판은 기판체, 2×1018원자수/㎤ 농도로 Si로 도핑된 n+-GaAs로 만들어지는 제1반도체 층 및 1×1019원자수/㎤ 농도로 Si로 도핑된 n+-InGaAs로 만들어지는 제2반도체 층으로 형성된다. 소오스와 드레인 전극은 저항 접촉에서 제2반도체 층과 접촉하며 반면에 게이트 전극은 제2반도체 층에서 형성된 구멍을 통해 쇼트키 접촉에서 제1반도체 층과 접촉한다. MESFET의 제조시 감소된 공정수를 얻을 수 있으며 그에 의해 MESFET의 제조비를 절감할 수 있다.

Description

금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F는 MESFET 제조 과정의 연속 단계에서의 본 발명의 실시예에 의한 MESFET의 단면도
제3도는 제2A도 내지 제2F도의 실시예에 따른 MESFET의 실질적인 연결 배치를 도시하는 평면도.

Claims (8)

  1. 반도체 기판체와, 상기 반도체 기판상에 형성되며, 상기 반도체 기판의 일부분을 노출시키는 구멍을 갖는 제1층을 구비한 기판과, 상기 제1층상에 형성되고, 제1개구부와, 제2개구부 및 제3개구부가 연속 배치되고, 상기 제2개구부가 상기 구멍위에 배치되는 절연층, 및 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극과, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하며, 상기 제1개구부와 제3개구부를 각각 통과하는 상기 소오스 전극과 드레인 전극이 저항 콘택트로 상기 제1층과 접속하고, 상기 제2개구부와 상기 구멍을 통과하는 상기 게이트 전극이 쇼트키 콘택트로 상기 반도체 기판체와 접속하는 금속 누적층으로 이루어지는 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판체가 도핑되지 않은 GaAs 베이스와 상기 GaAs 베이스상에 형성된 반도체 막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체층이 1×1017내지 5×1018원자수/㎤ 의 농도로 실리콘이 도핑된 GaAs로 주로 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1층이 InxGa1-xAs (여기서 x는 0.1 내지 0.9)로 주로 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1층이 주로 Ni 및 Ge의 합금제로 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1층이 1×1019내지 1×1020원자수/㎤ 의 농도로 실리콘이 도핑된 InGaAs로 주로 제조된 것을 특징으로 하는 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판체가 InxGa1-xAs (여기서 x는 0.1 내지 0.9)로 주로 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속 누적층이 누적층의 하방으로부터 볼 때 WSix, Ti, Pt, 및 Au의 순으로 누적된 층인 것을 특징으로 하는 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960003788A 1995-02-20 1996-02-16 금속 반도체 접합 전계 효과 트랜지스터 KR100288896B1 (ko)

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