KR960019318A - 불휘발성 반도체메모리장치 - Google Patents

불휘발성 반도체메모리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 재기입가능한 불휘발성 반도체메모리장치는 스레스홀드치에 있어서 전기적으로 극성의 반전이 가능한 복수의 메모리셀과, 메모리셀과 동일한 단면구조를 가지고, 소정수의 메모리셀마다 최소한 1쌍 배설되는 레퍼런스셀을 가지고, 1쌍의 레퍼런스셀은 서로 역상의 데이터가 기입되고, 독출시 1쌍의 레퍼런스셀의 전류를 조합하여, 기준전류를 작성하고, 이것과 메모리셀의 신호전류와를 비교함으로써 데이터를 판정한다.

Description

불휘발성 반도체메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 관한 불휘발성 반도체메모리장치의 개략구성도,
제4도는 본 발명의 실시예 1에 관한 메모리셀의 요부단면도.

Claims (7)

  1. 스레스홀드치에 있어서 전기적으로 극성의 반전이 가능한 복수의 메모리셀과, 상기 메모리셀을 구성하는 트랜지스터의 두께방향과 대략 동일한 두께방향의 구조를 가지는 트랜지스터를 가지고, 소정수의 메모리셀마다 최소한 1쌍 배설되는 레퍼런스셀과, 선택된 상기 메모리셀을 구동할 때에, 대응하는 1쌍의 레퍼런스셀도 구동하고, 메모리셀의 기입시에는, 한쪽의 레퍼런스셀에는 제1데이터의 기입을 행하고, 다른 쪽의 레퍼런스셀에는 제1데이터와는 역상으로 반전된 제2데이터를 기입하는 기입용 구동수단과, 선택된 메모리셀의 데이터독출시에, 대응하는 1쌍의 레퍼런스쎌의 데이터를 독출하는 독출용 구동수단과, 선택된 1쌍의 상기 제1데이터에 대응하는 레퍼런스셀의 전류(i1)와 상기 제2데이터에 대응하는 레퍼런스셀의 전류(i0)와를 하기 식(I)에 따라서 조합하여, 기준전류(ire) 또는 기준전류(ire)의 K배를 작성하는 기준전류생성수단과, 상기 생성수단으로 생성된 기준전류(ire) 또는 기준전류(ire)의 k배와, 상기 선택된 메모리셀에 흐르는 전류 또는 전류의 k배와를 비교함으로써, 선택된 메모리셀에 축적되어 있는 데이타를 판정하는 비교수단을 가지는 불휘발성 반도체메모리장치.
    ire=(mxi1+nxi0)/k … (1)
    단 m,n,k는 플러스의 수이며, m,n은 모두 k보다 작다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정수의 메모리셀과 1쌍의 레퍼런스셀은 동일한 원드선에 의하여 접속되어 있는 불휘발성 반도체메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀을 구성하는 트랜지스터 및 레퍼런스셀을 구성하는 트랜지스터는 전하의 축적이 가능한 플로팅게이트를 가지는 트랜지스터, 전하트랩 기능을 가지는 절연막을 가지는 트랜지스터, 강유 전체막을 가지는 트랜지스터중 어느 하나인 불휘발성 반도체메모리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 비교수단은 최소한 차동앰프를 그 구송요소의 일부를 가지고, 상기 기준전류생성수단과 상기 비교수단이 일체로 이루어지고, 상기 기준전류생성수단의 일부를 구성하는 트랜지스터가 상기 비교수단을 구성하는 차동앰프의 일부의 트랜지스터를 겸하고 있는 불휘발성 반도체메모리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 1쌍의 레퍼런스셀의 출력선이 합류하여 접속되는 합류배선의 신호전류를 전압으로 변환하는 제1의 전류-전압변환트랜지스터와, 상기 제1의 전류-전압변환트랜지스터의 출력선이 접속되고, 상기 차동앰프의 일부의 트랜지스터를 구성하는 차동앰프용 제1트랜지스터와, 상기 메모리셀의 출력선의 신호전류를 전압으로 변환하는 제2의 전류-전압변환트랜지스터와, 상기 제2의 전류-전압변환트랜지스터의 출력선이 접속되고, 상기 차동앰프의 일부의 트랜지스터를 구성하는 차동앰프용 제2트랜지스터를 최소한 가지고, 이들 제1의 전류-전압변환트랜지스터, 제2의 전류-전압변환트랜지스터, 차동앰프용 제1트랜지스터, 차동앰프용 제2트랜지스터에 있어서의 각 채널폭을 각 채널길이로 나눈 값 상호의 관계를 소정의 비율로 하는 불휘발성 반도체메모리장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 레퍼런스셀의 한쪽의 출력선의 신호전류를 m배 또는 m/k배로 하기 위한 제1계수배 변환회로와, 상기 레퍼런스셀의 다른 쪽의 출력선의 신호전류를 n배 또는 n/k배로 하기 위한 제2계수배변환회로와, 상기 제1계수배변환회로의 출력선과 제2계수배변환회로의 출력선과를 합류하는 합류배선회로와, 합류배선에 흐르는 전류를 전압으로 변환하는 제1의 전류-전압변환트랜지스터와, 상기 제1의 전류-전압변환트랜지스터의 출력선이 접속되고, 상기 차동앰프의 일부의 트랜지스터를 구성하는 차동앰프용 제1트랜지스터와, 상기 메모리셀의 출력선의 신호전류를 k배 또는 1배로 하는 제3계수배변환회로와, 제3계수배 변환회로의 출력선의 신호전류를 전압으로 변환하는 제2의 전류-전압 변환트랜지스터와, 상기 제2의 전류-전압변환트랜지스터의 출력선이 접속되고, 상기 차동 앰프의 일부의 트랜지스터를 구성하는 차동앰프용 제2트랜지스터를 최소한 가지고, 이들 제1계수배변환회로의 트랜지스터, 제2계수배변환회로의 트랜지스터, 제3계수배변환회로의 트랜지스터, 제1의 전류-전압변환트랜지스터, 제2의 전류-전압변환트랜지스터, 차동앰프용 제1트랜지스터, 차동앰프용 제2트랜지스터에 있어서의 각 채널폭을 각 채널길이로 나눈 값 상호의 관계를 소정의 비율로 하는 불휘발성 반도체메모리장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 레퍼런스셀의 한쪽의 출력선의 신호전류를 m배 또는 m/k배로 하기 위한 제1계수배 변환회로와, 상기 레퍼런스셀의 다른 쪽의 출력선의 신호전류를 n배 또는 n/k배로 하기 위한 제2계수배변환회로와, 상기 제1계수배변환회로의 출력선과 제2계수배변환회로의 출력선과를 합류하는 합류배선회로와, 합류배선에 흐르는 전류를 전압으로 변환하는 제1의 전류-전압변환트랜지스터와, 상기 제1의 전류-전압변환트랜지스터의 출력선이 접속되고, 상기 차동앰프의 일부의 트랜지스터를 구성하는 차동앰프용 제1트랜지스터와, 상기 메모리셀의 출력선의 신호전류를 전압으로 변환하는 제2의 전류-전압 변환트랜지스터와, 상기 제2의 전류-전압변환트랜지스터의 출력선이 접속되고, 상기 차동앰프의 일부의 트랜지스터를 구성하는 차동앰프용 제2트랜지스터를 최소한 가지고, 이들 제1계수배변환회로의 트랜지스터, 제2계수배변환회로의 트랜지스터, 제1의 전류-전압변환트랜지스터, 제2의 전류-전압변환트랜지스터, 차동앰프용 제1트랜지스터, 차동앰프용 제2트랜지스터에 있어서의 각 채널폭을 각 채널길이로 나눈 값 상호의 관계를 소정의 비율로 하는 불휘발성 반도체메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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