KR960012024A - 불휘발성 반도체 기억 장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억 장치 Download PDF

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Abstract

높은 시큐리티 기능을 갖는 불휘발성 반도체 기억 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
입력된 어드레스와 액세스 금지 어드레스를 비교기(12)에서 비교하고 양 어드레스가 일치한 경우에 일치 후 입력된 어드레스의 변화 횟수를 카운터(14)에서 카운트한다. 이 카운트 횟수와 미리 설정된 카운트 횟수를 비교기(15)에서 비교하고, 양 카운트 횟수가 일치한 경우에 링 오실레이터(17)를 발진시킨다. 이 링 오실레이터의 사이클 횟수와 미리 설정된 사이클 횟수를 비교기(18)에서 비교하고 양 사이클 횟수가 일치한 경우에 입력된 어드레스를 스크램블해서 오류 데이타를 출력하는 것을 특징으로 한다. 데이타를 복사할 때 금지 어드레스를 액세스하면 소정 사이클 후에 오류 데이타가 출력되고 복사된 데이타로는 프로그램이 정상 동작하지 않는다. 따라서, 실질적으로 불법 복사를 방지할 수 있다.

Description

불휘발성 반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 입력된 어드레스와 미리 기억된 액세스 금지 어드레스를 비교하는 제1비교 수단, 상기 제1비교 수단에 의해 상기 입력된 어드레스와 상기 미리 기억된 액세스 금지 어드레스의 일치가 검출된 때 일치 후에 입력된 어드레스의 변화 횟수를 계수하는 제1계수 수단, 상기 제1계수 수단의 계수값과 미리 기억된 계수치를 비교하는 제2비교 수단, 상기 제2비교 수단에서 상기 제1계수 수단의 계수값과 상기 미리 기억된 계수치의 일치가 검출된 때 발진을 개시하는 발진 수단, 상기 발진 수단의 사이클 횟수를 계수하는 제2계수 수단, 상기 제2계수 수단의 사이클 횟수와 상기 미리 기억된 사이클 횟수를 비교하는 제3비교 수단, 및 상기 제3비교 수단에서 상기 제2계수 수단의 사이클 횟수와 상기 미리 기억된 사이클 횟수의 일치가 검출된 때 입력된 어드레스에 대응하는 기억 데이타와는 다른 오류 데이타를 출력하는 출력 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 출력 수단은 어드레스를 스크램블하기 위한 정보가 기억된 스크램블 정보 기억 수단 및 상기 스크램블 정보 기억 수단의 기억 정보에 따라 입력된 어드레스를 변화시키는 전환 수단을 구비하며, 상기 제3비교 수단에서 일치가 검출된 때 디코더로 공급되는 어드레스 신호 및 메모리 셀 어레이로 공급되는 디코드 신호의 적어도 한 쪽을 전환하므로써 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 출력 수단은 메모리 셀 어레이 내에 기억된 데이타와는 다른 오류 데이타가 기억된 오류 데이타 기억 수단 및 상기 제3비교 수단에서 일치가 검출된 때 상기 오류 데이타 기억 수단을 액세스하는 액세스 수단을 구비하며, 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 상기 오류 데이타 기억 수단으로부터 출력하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발진 수단은 판독 사이클과는 다른 사이클로 발진하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  5. 액세스가 금지된 어드레스가 기억된 제1기억 수단, 상기 제1기억 수단에 기억된 액세스 금지 어드레스와 입력된 어드레스를 비교하는 제1비교 수단, 상기 제1비교 수단에 의해 상기 제1기억 수단에 기억된 액세스 금지 어드레스와 상기 입력된 어드레스의 일치가 검출된 때 일치 후에 입력된 어드레스의 변화 횟수를 계수하는 제1계수 수단, 계수치가 기억된 제2기억 수단, 상기 제1계수 수단의 계수치와 상기 제2기억 수단에 기억된 계수치를 비교하는 제2비교 수단, 상기 제2비교 수단에서 상기 제1계수 수단의 계수치와 상기 제2기억 수단에 기억된 계수치의 일치가 검출된 때 발진을 개시하는 발진 수단, 상기 발진 수단의 사이클 횟수를 계수하는 제2계수 수단, 사이클 횟수가 기억된 제3기억 수단, 상기 제3기억 수단에 기억된 사이클 횟수와 상기 제2계수 수단에서 계수한 사이클 횟수를 비교하는 제3비교 수단, 및 상기 제3비교 수단에서 상기 제3기억 수단에 기억된 사이클 횟수와 상기 제2계수 수단에서 계수한 사이클 횟수의 일치가 검출된 때 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 출력하는 출력 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 출력 수단은 어드레스를 스크램블하기 위한 정보가 기억된 스크램블 정보 기억 수단 및 상기 스크램블 정보 기억 수단의 기억 정보에 따라 입력된 어드레스를 변화시키는 전환 수단을 구비하며, 상기 제3비교 수단에서 일치가 검출된 때 디코더로 공급되는 어드레스 신호 및 메모리 셀 어레이로 공급되는 디코드 신호의 적어도 한 쪽을 전환하므로써 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 출력하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 출력 수단은 메모리 셀 어레이 내에 기억된 데이타와는 다른 오류 데이타가 기억된 오류 데이타 기억 수단 및 상기 제3비교 수단에서 일치가 검출된 때 상기 오류 데이타 기억 수단을 액세스하는 액세스 수단을 구비하며, 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 상기 오류 데이타 기억 수단으로부터 출력하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3의 기억 수단은 각각 ROM 마스크에 의해 데이타가 기록되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 발진 수단은 판독 사이클과는 다른 사이클로 발진하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  10. 입력된 어드레스와 미리 기억된 액세스 금지 어드레스를 비교하는 제1비교 수단, 상기 제1비교 수단에 상기 입력된 어드레스와 상기 미리 기억된 액세스 금지 어드레스의 일치가 검출된 때 일치 후에 입력된 어드레스의 변화 횟수를 계수하는 제1계수 수단, 상기 제1계수 수단의 계수치와 미리 기억된 계수치를 비교하는 제2비교 수단, 및 상기 제2비교 수단에서 상기 제1계수 수단의 계수치와 상기 미리 기억된 계수치의 일치가 검출된 때 입력된 어드레스에 대응하는 기억 데이타와는 다른 데이타를 출력하는 출력 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 출력 수단은 어드레스를 스크램블하기 위한 정보가 기억된 스크램블 정보 기억 수단 및 상기 스크램블 정보 기억 수단의 기억 정보에 따라 입력된 어드레스를 변화시키는 전환 수단을 구비하며, 상기 제2비교 수단에서 일치가 검출된 때 디코더로 공급되는 어드레스 신호 및 메모리 셀 어레이로 공급되는 디코드 신호의 적어도 한쪽을 전환함으로써 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 출력하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 출력 수단은 메모리 셀 어레이 내에 기억된 데이타와는 다른 오류 데이타가 기억된 오류 데이타가 기억 수단 및 상기 제2비교 수단에서 일치가 검출된 때 상기 오류 데이타 기억 수단을 액세스하는 액세스 수단을 구비하며, 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 상기 오류 데이타 기억 수단으로부터 출력하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  13. 액세스가 금지된 어드레스가 기억된 제1기억 수단, 상기 제1기억 수단에 기억된 액세스 금지 어드레스와 입력된 어드레스를 비교하는 제1비교 수단, 상기 제1비교 수단에 의해 상기 제1기억 수단에 기억된 액세스 금지 어드레스와 상기 입력된 어드레스의 일치가 검출된 때 일치 후에 입력된 어드레스의 변화 횟수를 계수하는 제1계수 수단, 계수치가 기억된 제2기억 수단, 상기 제1계수 수단의 계수치와 상기 제2기억 수단에 기억된 계수치를 비교하는 제2비교 수단, 상기 제2비교 수단에서 상기 제1계수 수단의 계수치와 상기 제2기억 수단에 기억된 계수치의 일치가 검출된 때 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 출력하는 출력 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 출력 수단은 어드레스를 스크램블하기 위한 정보가 기억된 스크램블 정보 기억 수단 및 상기 스크램블 정보 기억 수단의 기억 정보에 따라 입력된 어드레스를 변화시키는 전환 수단을 구비하며, 상기 제2비교 수단에서 일치가 검출된 때 디코더로 공급되는 어드레스 신호 및 메모리 셀 어레이로 공급되는 디코드 신호의 적어도 한쪽을 전환하므로써 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 출력하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 출력 수단은 메모리 셀 어레이 내에 기억된 데이타와는 다른 오류 데이타가 기억된 오류 데이타 기억 수단 및 상기 제2비교 수단에서 일치가 검출된 때 상기 오류 데이타 기억 수단을 액세스하는 액세스 수단을 구비하며, 입력된 어드레스에 대응하는 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀에 기억된 데이타와는 다른 데이타를 상기 오류 데이타 기억 수단으로부터 출력하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2기억 수단은 각각 ROM 마스크에 의해 데이타가 기록되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950031315A 1994-09-22 1995-09-22 불휘발성 반도체 기억 장치 KR0178622B1 (ko)

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