JP2002091604A - クロック発生回路 - Google Patents

クロック発生回路

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JP2002091604A
JP2002091604A JP2000283064A JP2000283064A JP2002091604A JP 2002091604 A JP2002091604 A JP 2002091604A JP 2000283064 A JP2000283064 A JP 2000283064A JP 2000283064 A JP2000283064 A JP 2000283064A JP 2002091604 A JP2002091604 A JP 2002091604A
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Yasuhiko Tatewaki
恭彦 帶刀
Akira Yamazaki
彰 山崎
Gen Morishita
玄 森下
Nobuyuki Fujii
信行 藤井
Mihoko Akiyama
実邦子 秋山
Masako Okamoto
真子 岡本
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Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
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    • HELECTRICITY
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    • H03K3/70Generators producing trains of pulses, i.e. finite sequences of pulses by interrupting the output of a generator time intervals between all adjacent pulses of one train being equal

Abstract

(57)【要約】 【課題】 グリッチの発生を防止することが可能なクロ
ック発生回路を提供する。 【解決手段】 このクロック発生回路は、基準クロック
信号CLK0を生成する発振器15と、リング状に接続
されたEX−ORゲート16およびDラッチ回路17,
18とを含む。活性化信号φENが「H」レベルの場合
は、EX−ORゲート16はクロック信号CLKを反転
させてDラッチ回路17に与える。この場合は、クロッ
ク信号CLKは、基準クロック信号CLK0の2倍の周
期を有するクロック信号となる。活性化信号φENが
「L」レベルにされると、EX−ORゲート16はクロ
ック信号CLKをそのままDラッチ回路17に与える。
この場合は、クロック信号CLKのレベル変化が停止さ
れる。したがって、クロック信号CLKにグリッチが発
生するのを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はクロック発生回路
に関し、特に、活性化信号が第1のレベルの場合はクロ
ック信号を生成し、活性化信号が第2のレベルの場合は
クロック信号の生成を停止するクロック発生回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】ダイナミックランダムアクセスメモリ
(以下、DRAMと称す)は主にCMOSプロセスで形
成され、そのメモリセルはNチャネルMOSトランジス
タおよびキャパシタで構成される。メモリセルにデータ
を書込む場合は、NチャネルMOSトランジスタにおけ
る電圧降下を防止するため、NチャネルMOSトランジ
スタのゲートには通常の「H」レベル(外部電源電位E
xVdd)よりも高い昇圧電位Vppが印加される。こ
のため、DRAMには、外部電源電位ExVddから昇
圧電位Vppを生成するための昇圧電位発生回路が内蔵
されている。
【0003】図11は、そのような昇圧電位発生回路の
要部を示す回路ブロック図である。図11において、こ
の昇圧電位発生回路は、クロック発生回路50およびチ
ャージポンプ回路51を含む。クロック発生回路50
は、図12に示すように、NANDゲート55およびイ
ンバータ56,57を含む。インバータ56,57は、
NANDゲート55の出力ノードと一方入力ノードとの
間に直列接続される。NANDゲート55の他方入力ノ
ードは、活性化信号φENを受ける。活性化信号φEN
は、昇圧電位Vppが目標電位Vtよりも低い場合は
「H」レベルになり、昇圧電位Vppが目標電位Vtよ
りも高い場合は「L」レベルになる信号である。NAN
Dゲート55の出力信号は、クロック信号CLKとな
る。
【0004】活性化信号φENが「H」レベルの場合
は、NANDゲート55はインバータ57の出力信号に
対してインバータとして動作し、NANDゲート55お
よびインバータ56,57はリングオシレータを構成す
る。したがって、クロック信号CLKのレベルは、NA
NDゲート55およびインバータ56,57の遅延時間
が経過するごとに反転する。活性化信号φENが「L」
レベルになると、NANDゲート55の出力レベルは
「H」レベルに固定される。
【0005】図11に戻って、チャージポンプ回路51
は、ダイオード52,53およびキャパシタ54を含
む。ダイオード52,53は、外部電源電位ExVdd
のラインと出力ノードN53との間に直列接続される。
キャパシタ54の一方端子はクロック信号CLKを受
け、その他方端子はダイオード52のカソード(ノード
N52)に接続される。
【0006】図13は、図11に示した昇圧電位発生回
路の動作を示すタイムチャートである。初期状態では昇
圧電位Vppは目標電位Vtよりも十分に低く、活性化
信号φENが「H」レベルにされてクロック発生回路5
0が活性化され、クロック信号CLKのレベルが所定時
間ごとに反転しているものとする。
【0007】クロック信号CLKが「L」レベル(接地
電位GND)の期間は、外部電源電位ExVddのライ
ンからダイオード52を介してキャパシタ54に電流が
流入し、キャパシタ54はExVdd−Vd(ただし、
Vdはダイオード52,53の各々のしきい値電圧であ
る)にプリチャージされる。
【0008】次いでクロック信号CLKが「H」レベル
(ExVdd)に立上げられると、キャパシタ54を介
してノードN52のレベルが2ExVdd−Vdに昇圧
され、ノードN52から出力ノードN53に正電荷が供
給される。ノードN52のレベルは、Vpp+Vdとな
る。
【0009】すなわち、活性化信号φENが「H」レベ
ルの場合は、クロック信号CLKが「L」レベルの期間
(プリチャージ期間)はキャパシタ54が充電され、ク
ロック信号CLKが「H」レベルの期間(ポンプ期間)
はキャパシタ50の電荷が出力ノードN53に供給さ
れ、出力ノードN53の電位が昇圧される。
【0010】昇圧電位Vppが目標電位Vtに到達して
活性化信号φENが「L」レベルになると、クロック信
号CLKのレベルが「H」レベルに固定され、チャージ
ポンプ回路51が非活性化される。昇圧電位Vppが低
下して目標電位Vtよりも低くなると、活性化信号φE
Nが「H」レベルになって再びチャージポンプ回路51
が活性化される。したがって、昇圧電位Vppは目標電
位Vtに保持される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の昇圧電
位発生回路では、図14に示すように、クロック信号C
LKが「L」レベルの期間に昇圧電位Vppが目標電位
Vtに到達して活性化信号φENが「H」レベルが
「L」レベルに立下げられた場合は、活性化信号φEN
の立下がりエッジに応答してクロック信号CLKが
「H」レベルに立上げられ、クロック信号CLKにいわ
ゆるグリッチGが発生するという問題があった。このよ
うなグリッチGが発生すると、昇圧電位Vppが既に目
標電位Vtに到達しているにもかかわらず、チャージポ
ンプ回路51がクロック信号CLKの立上がりエッジに
応答して再度正電荷を供給し、昇圧電位Vppが目標電
位Vtよりも過度に高くなってしまう。
【0012】それゆえに、この発明の主たる目的は、グ
リッチの発生を防止することが可能なクロック発生回路
を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明に係るクロック
発生回路は、クロック信号を生成するクロック発生回路
であって、基準クロック信号を生成する発振器と、第1
および第2のノード間に設けられ、基準クロック信号が
第1の論理レベルの場合は第1のノードのレベルを第2
のノードに伝達させ、基準クロック信号が第1の論理レ
ベルから第2の論理レベルに変化したことに応じて第2
のノードのレベルを保持する第1のラッチ回路と、第2
のノードとクロック信号を出力するための出力ノードと
の間に設けられ、基準クロック信号が第2の論理レベル
の場合は第2のノードのレベルを出力ノードに伝達さ
せ、基準クロック信号が第2の論理レベルから第1の論
理レベルに変化したことに応じて出力ノードのレベルを
保持する第2のラッチ回路と、出力ノードと第1のノー
ドとの間に設けられ、活性化信号が第1のレベルの場合
は出力ノードのレベルの相補レベルを第1のノードに与
えてクロック信号を生成させ、活性化信号が第2のレベ
ルの場合は出力ノードのレベルを第1のノードに伝達さ
せてクロック信号の生成を停止させる論理回路とを備え
たものである。
【0014】好ましくは、さらに、論理回路の出力ノー
ドと第1のノードとの間に設けられ、論理回路の出力信
号からノイズを除去して第1のノードに与えるためのノ
イズフィルタが設けられる。
【0015】また好ましくは、発振器は、活性化信号が
第1のレベルにされたことに応じて活性化され、活性化
信号が第2のレベルにされたことに応じて非活性化され
る。
【0016】また好ましくは、さらに、活性化信号を予
め定められた時間だけ遅延させて発振器に与える遅延回
路が設けられる。
【0017】また、この発明に係る他のクロック発生回
路は、クロック信号を生成するクロック発生回路であっ
て、リング状に接続された奇数段のインバータを含み、
活性化信号が第1のレベルの場合に活性化されてクロッ
ク信号を生成し、活性化信号が第2のレベルの場合に非
活性化されてクロック信号の生成を停止するリングオシ
レータと、リングオシレータの出力ノードに接続され、
活性化信号が第1のレベルから第2のレベルに変化した
ことに応じて、リングオシレータの出力ノードのレベル
を保持するラッチ回路を備える。
【0018】好ましくは、奇数段のインバータのうちの
1つのインバータは、活性化信号が第1のレベルの場合
に活性化され、活性化信号が第2のレベルの場合に非活
性化され、その出力ノードがリングオシレータの出力ノ
ードとなるクロックドインバータである。
【0019】また好ましくは、リングオシレータは、さ
らに、奇数段のインバータのうちの1つのインバータの
出力ノードとその後段のインバータの入力ノードとの間
に介挿され、活性化信号が第1のレベルの場合に導通
し、活性化信号が第2のレベルの場合に非導通になるト
ランスファーゲートを含み、後段のインバータの入力ノ
ードがリングオシレータの出力ノードとなる。
【0020】また好ましくは、インバータは、第1およ
び第2の電源電位のライン間に直列接続された互いに異
なる導電形式の第1および第2のトランジスタと、第1
および第2の電源電位のライン間に第1および第2のト
ランジスタと直列接続された少なくとも1つの定電流源
を含む。
【0021】また好ましくは、ラッチ回路は、リングオ
シレータの出力ノードとクロック発生回路の出力ノード
との間に接続されたインバータと、インバータと逆並列
に接続され、活性化信号が第1のレベルの場合に非活性
化され、活性化信号が第2のレベルの場合に活性化され
るクロックドインバータを含む。
【0022】また好ましくは、インバータは少なくとも
3段設けられ、少なくとも3段のインバータは、リング
オシレータの出力ノードとクロック発生回路の出力ノー
ドとの間に直列接続されている。
【0023】また好ましくは、さらに、インバータの出
力ノードとクロック発生回路の出力ノードとの間に介挿
され、インバータの出力信号からノイズを除去するため
のノイズフィルタが設けられる。
【0024】また好ましくは、クロック信号は、チャー
ジポンプ回路の駆動クロック信号として用いられる。
【0025】
【発明の実施の形態】[実施の形態1]図1は、この発
明の実施の形態1による昇圧電位発生回路の構成を示す
回路ブロック図である。
【0026】図1において、この昇圧電位発生回路は、
電位検出回路1、クロック発生回路2、チャージポンプ
回路3,4およびインバータ5を備え、その出力ノード
N1は負荷回路12に接続されている。
【0027】電位検出回路1は、出力ノードN1の電位
Vppと目標電位Vtとを比較し、Vpp<Vtの場合
は活性化信号φENを「H」レベルにし、Vpp≧Vt
の場合は活性化信号φENを「L」レベルにする。
【0028】クロック発生回路2は、活性化信号φEN
が「H」レベルになったことに応じてクロック信号CL
Kを生成し、活性化信号φENが「L」レベルになった
ことに応じてクロック信号CLKの生成を停止する。ク
ロック発生回路2については、後に詳細に説明する。ク
ロック信号CLKは、チャージポンプ回路3に直接与え
られるとともに、インバータ5で反転されてチャージポ
ンプ回路4に与えられる。
【0029】チャージポンプ回路3は、ダイオード6,
7およびキャパシタ8を含む。ダイオード6,7は、外
部電源電位ExVddのラインと出力ノードN1との間
に直列接続される。キャパシタ8の一方電極はクロック
信号CLKを受け、その他方電極はダイオード6のカソ
ード(ノードN6)に接続される。クロック信号CLK
が「L」レベルの期間はキャパシタ8がExVdd−V
dにプリチャージされる。クロック信号CLKが「H」
レベルになると、ノードN6が2ExVdd−Vdに昇
圧され、ノードN6からダイオード7を介して出力ノー
ドN1に正電荷が供給される。
【0030】チャージポンプ回路4は、ダイオード9,
10およびキャパシタ11を含む。ダイオード9,10
は、外部電源電位ExVddのラインと出力ノードN1
との間に直列接続される。キャパシタ11の一方電極は
インバータ5からの反転クロック信号/CLKを受け、
その他方電極はダイオード9のカソード(ノードN9)
に接続される。反転クロック信号/CLKが「L」レベ
ルの期間はキャパシタ11がExVdd−Vdにプリチ
ャージされる。反転クロック信号/CLKが「H」レベ
ルになると、ノードN9が2ExVdd−Vdに昇圧さ
れ、ノードN9からダイオード10を介して出力ノード
N1に正電荷が供給される。
【0031】したがって、クロック信号CLKが「L」
レベルの期間はチャージポンプ回路3のキャパシタ11
がプリチャージされるとともにチャージポンプ回路4か
ら出力ノードN1に正電荷が供給され、クロック信号C
LKが「H」レベルの期間はチャージポンプ回路3から
出力ノードN1に正電荷が供給されるとともにチャージ
ポンプ回路4のキャパシタ11がプリチャージされる。
【0032】次に、この昇圧電位発生回路の動作につい
て説明する。初期状態では、ノードN1の電位Vppは
十分に低くなっているので、電位検出回路1によって活
性化信号φENが「H」レベルにされる。これにより、
クロック発生回路2が活性化されてクロック信号CLK
が生成される。クロック信号CLKは、チャージポンプ
回路3に直接与えられるとともに、インバータ5で反転
されてチャージポンプ回路4に与えられる。
【0033】クロック信号CLKが「H」レベルの期間
は一方のチャージポンプ3から出力ノードN1に正電荷
が供給され、クロック信号CLKが「L」レベルの期間
は他方のチャージポンプ回路4から出力ノードN1に正
電荷が供給される。したがって、ノードN1の電位Vp
pは急速に上昇する。
【0034】昇圧電位Vppが目標電位Vtに到達する
と、電位検出回路1によって活性化信号φENが「L」
レベルにされる。これにより、クロック発生回路2にお
いてクロック信号CLKの生成が停止され、チャージポ
ンプ回路3,4からノードN1への電荷の供給も停止さ
れる。
【0035】負荷回路12で電流が消費されて昇圧電位
Vppが目標電位Vtよりも低下すると、電位検出回路
1によって活性化信号φENが「H」レベルにされる。
これにより、クロック発生回路2においてクロック信号
CLKの生成が開始され、チャージポンプ回路3,4か
らノードN1へ電荷が供給される。このようにして、昇
圧電位Vppは目標電位Vtに保持される。
【0036】図2は、クロック発生回路2の構成を示す
回路ブロック図である。図2において、このクロック発
生回路2は、発振器15、EX−ORゲート16、ネガ
ティブエッジトリガ形のDラッチ回路17、およびポジ
ティブエッジトリガ形のDラッチ回路18を含む。発振
器15は、所定周期Tの基準クロック信号CLK0を生
成してDラッチ回路17,18のクロック端子Cに与え
る。
【0037】EX−ORゲート16は、活性化信号φE
Nと、クロック発生回路2の出力クロック信号CLKと
を受け、その出力信号φ16はDラッチ回路17の入力
端子Dに入力される。活性化信号φENが「H」レベル
の場合は、EX−ORゲート16はクロック信号CLK
に対してインバータとして動作し、信号φ16のレベル
はクロック信号CLKのレベルの相補レベルとなる。活
性化信号φENが「L」レベルの場合は、EX−ORゲ
ート16はクロック信号CLKに対してバッファとして
動作し、信号φ16のレベルはクロック信号CLKのレ
ベルと同じになる。
【0038】Dラッチ回路17は、基準クロック信号C
LK0が「L」レベルの期間は信号φ16をそのまま通
過させ、基準クロック信号CLK0が「L」レベルから
「H」レベルに変化したことに応じて出力信号φ17の
レベルを保持する。すなわちDラッチ回路17の出力信
号φ17は、基準クロック信号CLK0が「L」レベル
の期間は信号φ16のレベルと同じになり、基準クロッ
ク信号CLK0が「H」レベルの期間は基準クロック信
号CLK0が「L」レベルから「H」レベルに立上がる
瞬間のレベルに保持される。Dラッチ回路17の出力信
号φ17は、Dラッチ回路18の入力端子Dに入力され
る。
【0039】Dラッチ回路18は、基準クロック信号C
LK0が「H」レベルの期間は信号φ17をそのまま通
過させ、基準クロック信号CLK0が「H」レベルから
「L」レベルに変化したことに応じて出力信号CLKの
レベルを保持する。すなわちDラッチ回路18の出力信
号CLKは、基準クロック信号CLK0が「H」レベル
の期間は信号φ17のレベルと同じになり、基準クロッ
ク信号CLK0が「L」レベルの期間は基準クロック信
号CLK0が「H」レベルから「L」レベルに立下がる
瞬間のレベルに保持される。Dラッチ回路18の出力信
号は、クロック信号発生回路2の出力クロック信号CL
Kとなる。
【0040】図3は、クロック発生回路2の動作を示す
タイムチャートである。活性化信号φENが「H」レベ
ルの場合は、EX−ORゲート16がクロック信号CL
Kに対してインバータとして動作するので、信号φ16
のレベルは基準クロック信号CLK0の立上がりエッジ
に応答して反転する。信号φ17のレベルは、基準クロ
ック信号CLK0の立下がりエッジに応答して反転す
る。クロック信号CLKのレベルは、基準クロック信号
CLK0の立上がりエッジに応答して反転する。したが
って、クロック信号CLKは、基準クロック信号CLK
0を2倍に分周した信号となる。
【0041】基準クロック信号CLK0が「L」レベル
から「H」レベルに立上げられて信号φ16が「L」レ
ベルから「H」レベルに立上げられるとともにクロック
信号CLKが「H」レベルから「L」レベルに立下げら
れた直後に(時刻t1)、活性化信号φENが「H」レ
ベルから「L」レベルに立下げられると、EX−ORゲ
ート16がクロック信号CLKに対してバッファとして
動作し、信号φ16が「H」レベルから「L」レベルに
立下げられる。このため、信号φ16にはグリッチGが
発生する。しかし、信号φ17およびクロック信号CL
Kは「L」レベルに固定され、信号φ17およびクロッ
ク信号CLKにはグリッチGは発生しない。
【0042】基準クロック信号CLK0が「L」レベル
の期間のある時刻t2において、活性化信号φENが
「L」レベルから「H」レベルに立上げられると、EX
−ORゲート16はクロック信号CLKに対してインバ
ータとして動作し、信号φ16,φ17が「L」レベル
から「H」レベルに立上げられる。次いで、基準クロッ
ク信号CLK0の立上がりエッジに応答して信号φ16
が「H」レベルから「L」レベルに立下げられるととも
にクロック信号CLKが「L」レベルから「H」レベル
に立上げられる。したがって、信号φ16にはグリッチ
Gが発生するがクロック信号CLKにはグリッチGは発
生しない。
【0043】この実施の形態1では、2段のDラッチ回
路17,18を含む分周器によって基準クロック信号C
LK0を分周してクロック信号CLKを生成するので、
クロック信号CLKにグリッチGが発生するのを防止す
ることができる。したがって、昇圧電位Vppを目標電
位Vtに正確に保持することができる。
【0044】以下、この実施の形態1の変更例について
説明する。図4の変更例では、EX−ORゲート16の
出力ノードとDラッチ回路17の入力端子Dとの間にノ
イズフィルタ19が設けられる。この場合は、スキュー
などによるDラッチ回路17,18のラッチタイミング
のずれやEX−ORゲート16およびDラッチ回路1
7,18の遅延などによりEX−ORゲート16の出力
信号φ16に発生したグリッチGをノイズフィルタ19
によって効果的に除去することができる。
【0045】また、図5の変更例では、発振器15が発
振器15′で置換される。発振器15′は、活性化信号
φENが「H」レベルの場合に活性化されて基準クロッ
ク信号CLK0を生成し、活性化信号φENが「L」レ
ベルの場合に非活性化されて基準クロック信号CLK0
の生成を停止する。この場合、クロック信号CLKが不
要な場合は発振器15′を非活性化させるので、消費電
力の低減化を図ることができる。
【0046】また、図6の変更例では、図5の変更例に
遅延回路20が追加される。遅延回路20は、活性化信
号φENを所定時間TDだけ遅延させて発振器15′に
与える。この場合は、発振器15′が活性化状態から非
活性化状態に遷移するときに基準クロック信号CLK0
にグリッチGが発生する場合でも、そのグリッチGがD
ラッチ回路17,18のクロック端子Cに到達する前に
Dラッチ回路17,18の出力レベルが固定されるの
で、クロック信号CLKにグリッチGが発生するのを防
止することができる。なお、遅延回路25を発振器1
5′の出力ノードとDラッチ回路17,18のクロック
端子Cとの間に設けても同じ効果が得られる。
【0047】[実施の形態2]図7は、この発明の実施
の形態2による昇圧電位発生回路のクロック発生回路の
構成を示す回路図である。
【0048】図7において、このクロック発生回路は、
インバータ21〜24およびクロックドインバータ2
5,26を含む。インバータ23,24およびクロック
ドインバータ25は、リング状に接続されてリングオシ
レータを構成する。インバータ22およびクロックドイ
ンバータ26は、クロックドインバータ25の出力ノー
ドにリング状に接続されてラッチ回路を構成する。イン
バータ22の出力信号は、このクロック発生回路の出力
クロック信号CLKとなる。活性化信号φENは、クロ
ックドインバータ25の制御ノードおよびクロックドイ
ンバータ26の反転制御ノードに直接入力されるととも
に、インバータ21を介してクロックドインバータ25
の反転制御ノードおよびクロックドインバータ26の制
御ノードに入力される。
【0049】また、インバータ21,22の各々は、外
部電源電位ExVddのラインと接地電位GNDのライ
ンとの間に直列接続されたPチャネルMOSトランジス
タおよびNチャネルMOSトランジスタを含む通常のイ
ンバータであるが、インバータ23,24の各々は外部
電源電位ExVddのラインと接地電位GNDのライン
との間に直列接続されたPチャネルMOSトランジスタ
27、NチャネルMOSトランジスタ28および定電流
源29を含む。これにより、外部電源電位ExVddの
変動などによるリングオシレータの発振周期の変動を防
止することができる。
【0050】次に、このクロック発生回路の動作につい
て説明する。活性化信号φENが「H」レベルの場合
は、クロックドインバータ25が活性化されるとともに
クロックドインバータ26が非活性化される。これによ
り、インバータ23,24およびクロックドインバータ
25からなるリングオシレータが活性化されてクロック
信号CLKが生成される。クロック信号CLKは、イン
バータ22を介してチャージポンプ回路に与えられる。
【0051】活性化信号φENが「H」レベルから
「L」レベルに変化すると、クロックドインバータ25
が非活性化されるとともにクロックドインバータ26が
活性化される。これにより、インバータ23,24およ
びクロックドインバータ25からなるリングオシレータ
が非活性化されてクロック信号CLKのレベル変化が停
止され、インバータ22およびクロックドインバータ2
6からなるラッチ回路が活性化されてクロック信号CL
Kのレベルがラッチされる。
【0052】この実施の形態2では、活性化信号φEN
が「H」レベルから「L」レベルに変化したとき、その
ときのクロック信号CLKのレベルがラッチされるの
で、クロック信号CLKにグリッチGが発生するのを防
止することができる。したがって、従来のように活性化
信号φENが「H」レベルから「L」レベルに変化した
ことに応じてクロック信号CLKのレベルが変化し、チ
ャージポンプ回路が動作して昇圧電位VPPが高くなり
すぎることはない。
【0053】なお、この実施例2では、インバータ2
3,24の各々のNチャネルMOSトランジスタ28の
ソースと接地電位GNDのラインとの間に定電流源29
を設けたが、これに限るものではなく、外部電源電位E
xVddのラインとPチャネルMOSトランジスタ27
のソースとの間に定電流源29を設けてもよいし、Nチ
ャネルMOSトランジスタ28のソースと接地電位GN
Dのラインとの間および外部電源電位ExVddのライ
ンとPチャネルMOSトランジスタ27のソースとの間
の両方に定電流源29を設けてもよい。
【0054】以下、この実施の形態2の変更例について
説明する。図8の変更例では、図7のクロック発生回路
にノイズフィルタ31が追加される。インバータ23,
24およびクロックドインバータ25からなるリングオ
シレータで生成されたクロック信号CLKは、インバー
タ22およびノイズフィルタ31を介して出力される。
クロックドインバータ25の出力信号が「H」レベルと
「L」レベルの中間のレベル近傍にあるときに活性化信
号φENが「H」レベルから「L」レベルに変化する
と、インバータ22およびクロックドインバータ26か
らのラッチ回路の出力信号が「H」レベル(または
「L」レベル)から「L」レベル(または「H」レベ
ル)に変化しかけて元に戻り、ラッチ回路の出力信号に
グリッチGが発生する場合がある。このグリッチGは、
ノイズフィルタ31によって除去される。
【0055】図9の変更例では、図7のクロック発生回
路にインバータ32,33が追加される。インバータ3
2,33は、インバータ22の出力ノードとクロックド
インバータ26の入力ノードとの間に直列接続される。
インバータ33の出力信号が、出力クロック信号CLK
となる。図7のクロック発生回路では、ラッチ回路の出
力回路と帰還回路がそれぞれ1段のインバータ22,2
6で構成されているので、ゲインが低く、ラッチ回路が
メタステーブル状態に長くとどまり得る。これに対して
図9の変更例では、出力回路を3段のインバータ22,
32,33で構成してゲインを高めたので、ラッチ回路
がメタステーブル状態に入ったとしてもクロック信号C
LKの論理レベルが迅速に確定される。
【0056】また、図10の変更例では、図7のクロッ
ク発生回路のクロックドインバータ25がインバータ3
4およびトランスファーゲート35で置換される。イン
バータ34およびトランスファーゲート35は、インバ
ータ24の出力ノードとインバータ23の入力ノードと
の間に直列接続される。インバータ34は、インバータ
23,24と同じ構成である。活性化信号φENは、ト
ランスファーゲート35のNチャネルMOSトランジス
タ側のゲートに直接入力されるとともに、インバータ2
1を介してトランスファーゲート35のPチャネルMO
Sトランジスタ側のゲートに入力される。
【0057】活性化信号φENが「H」レベルの場合
は、トランスファーゲート35が導通するとともにクロ
ックドインバータ26が非活性化される。これにより、
インバータ23,24,34およびトランスファーゲー
ト35からなるリングオシレータが活性化されてクロッ
ク信号CLKが生成される。クロック信号CLKは、イ
ンバータ22を介してチャージポンプ回路に与えられ
る。
【0058】活性化信号φENが「H」レベルから
「L」レベルに変化すると、トランスファーゲート35
が非導通になるとともにクロックドインバータ26が活
性化される。これにより、インバータ23,24,34
およびトランスファーゲート35からなるリングオシレ
ータが非活性化されてクロック信号CLKのレベル変化
が停止され、インバータ22,26からなるラッチ回路
が活性化されてクロック信号CLKのレベルがラッチさ
れる。この変更例でも、図7のクロック発生回路と同じ
効果が得られる。
【0059】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【0060】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るクロック
発生回路では、基準クロック信号を生成する発振器と、
第1および第2のノード間に設けられ、基準クロック信
号に同期して動作する第1のラッチ回路と、第2のノー
ドおよび出力ノード間に設けられ、基準クロック信号の
相補信号に同期して動作する第2のラッチ回路と、出力
ノードと第1のノードとの間に設けられ、活性化信号が
第2のレベルの場合は出力ノードのレベルの相補レベル
を第1のノードに与えてクロック信号を生成させ、活性
化信号が第2のレベルの場合は出力ノードのレベルを第
1のノードに伝達させてクロック信号の生成を停止させ
る論理回路とが設けられる。したがって、2段のラッチ
回路と論理回路とで基準クロック信号を分周してクロッ
ク信号を生成するので、クロック信号にグリッチが発生
するのを防止することができる。
【0061】好ましくは、さらに、論理回路の出力ノー
ドと第1のノードとの間に設けられ、論理回路の出力信
号からノイズを除去して第1のノードに与えるためのノ
イズフィルタが設けられる。この場合は、論理回路の出
力信号にノイズが発生した場合でも、クロック信号にグ
リッチが発生するのを防止することができる。
【0062】また好ましくは、発振器は、活性化信号が
第1のレベルにされたことに応じて活性化され、活性化
信号が第2のレベルにされたことに応じて非活性化され
る。この場合は、基準クロック信号が不要な場合は発振
器を非活性化させるので、消費電力の低減化を図ること
ができる。
【0063】また好ましくは、さらに、活性化信号を予
め定められた時間だけ遅延させて発振器に与える遅延回
路が設けられる。この場合は、基準クロック信号にグリ
ッチが発生した場合でも、その前に2段のラッチ回路と
論理回路からなる分周回路が分周動作を停止しているの
で、クロック信号にグリッチが発生するのを防止するこ
とができる。
【0064】また、この発明に係る他のクロック発生回
路では、リング上に接続された奇数段のインバータを含
み、活性化信号が第1のレベルの場合に活性化されてク
ロック信号を生成し、活性化信号が第2のレベルの場合
に非活性化されてクロック信号の生成を停止するリング
オシレータと、リングオシレータの出力ノードに接続さ
れ、活性化信号が第1のレベルから第2のレベルに変化
したことに応じて、リングオシレータの出力ノードのレ
ベルを保持するラッチ回路とが設けられる。したがっ
て、活性化信号が第1のレベルから第2のレベルに変化
したことに応じてクロック信号のレベルがそのまま保持
されるので、クロック信号にグリッチが発生することが
ない。
【0065】好ましくは、奇数段のインバータのうちの
1つのインバータは、活性化信号が第1のレベルの場合
に活性化され、活性化信号が第2のレベルの場合に非活
性化され、その出力ノードがリングオシレータの出力ノ
ードとなるクロックドインバータである。この場合は、
活性化信号が第1のレベルから第2のレベルに変化した
ことに応じてクロックドインバータが非活性化され、ク
ロック信号のレベルはクロックドインバータの出力レベ
ルに保持される。
【0066】また好ましくは、リングオシレータは、さ
らに、奇数段のインバータのうちの1つのインバータの
出力ノードとその後段のインバータの入力ノードとの間
に介挿され、活性化信号が第1のレベルの場合に導通
し、活性化信号が第2のレベルの場合に非導通になるト
ランスファーゲートを含み、後段のインバータの入力ノ
ードがリングオシレータの出力ノードとなる。この場合
は、活性化信号が第1のレベルから第2のレベルに変化
したことに応じてトランスファーゲートが非導通にな
り、クロック信号のレベルはトランスファーゲートの後
段のインバータの入力レベルに保持される。
【0067】また好ましくは、インバータは、第1およ
び第2の電源電位のライン間に直列接続された互いに異
なる導電形式の第1および第2のトランジスタと、第1
および第2の電源電位のライン間に第1および第2のト
ランジスタと直列接続された少なくとも1つの定電流源
とを含む。この場合は、電源電位が変動した場合でも、
インバータの電流駆動能力が変動するのを防止すること
ができ、クロック信号の周波数が変動するのを防止する
ことができる。
【0068】また好ましくは、ラッチ回路は、リングオ
シレータの出力ノードとクロック発生回路の出力ノード
との間に接続されたインバータと、インバータと逆並列
に接続され、活性化信号が第1のレベルの場合に非活性
化され、活性化信号が第2のレベルの場合に活性化され
るクロックドインバータとを含む。この場合は、ラッチ
回路を容易に構成できる。
【0069】また好ましくは、インバータは少なくとも
3段設けられ、少なくとも3段のインバータは、リング
オシレータの出力ノードとクロック発生回路の出力ノー
ドとの間に直列接続されている。この場合は、ラッチ回
路のゲインを高くすることができるので、ラッチ回路が
メタステーブル状態になった場合でもラッチ回路の出力
レベルを迅速に確定することができる。
【0070】また好ましくは、さらに、インバータの出
力ノードとクロック発生回路の出力ノードとの間に介挿
され、インバータの出力信号からノイズを除去するため
のノイズフィルタが設けられる。この場合は、クロック
信号にグリッチが発生するのを一層確実に防止すること
ができる。
【0071】また好ましくは、クロック信号は、チャー
ジポンプ回路の駆動クロック信号として用いられる。こ
の場合は、クロック信号にグリッチが発生してチャージ
ポンプ回路から電荷が過剰に供給されるのを防止するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による昇圧電位発生
回路の構成を示す回路ブロック図である。
【図2】 図1に示したクロック発生回路の構成を示す
回路ブロック図である。
【図3】 図2に示したクロック発生回路の動作を示す
タイムチャートである。
【図4】 実施の形態1の変更例を示す回路ブロック図
である。
【図5】 実施の形態1の他の変更例を示す回路ブロッ
ク図である。
【図6】 実施の形態1のさらに他の変更例を示す回路
ブロック図である。
【図7】 この発明の実施の形態2による昇圧電位発生
回路のクロック発生回路の構成を示す回路ブロック図で
ある。
【図8】 実施の形態2の変更例を示す回路ブロック図
である。
【図9】 実施の形態2の他の変更例を示す回路ブロッ
ク図である。
【図10】 実施の形態2のさらに他の変更例を示す回
路ブロック図である。
【図11】 従来の昇圧電位発生回路の要部を示す回路
ブロック図である。
【図12】 図11に示したクロック発生回路の構成を
示す回路ブロック図である。
【図13】 図11に示した昇圧電位発生回路の動作を
示すタイムチャートである。
【図14】 図11に示した昇圧電位発生回路の問題点
を説明するためのタイムチャートである。
【符号の説明】
1 電位検出回路、2,50 クロック発生回路、3,
4,51 チャージポンプ回路、5,21〜24,32
〜34,56,57 インバータ、6,7,9,10,
52,53 ダイオード、8,11,54 キャパシ
タ、12 負荷回路、15,15′ 発振器、16 E
X−ORゲート、17,18 Dラッチ回路、19,3
1 ノイズフィルタ、20 遅延回路、25,26 ク
ロックドインバータ、27 PチャネルMOSトランジ
スタ、28 NチャネルMOSトランジスタ、29 定
電流源、35 トランスファーゲート、55 NAND
ゲート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 彰 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 森下 玄 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 藤井 信行 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 秋山 実邦子 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 三 菱電機エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 岡本 真子 兵庫県伊丹市荻野1丁目132番地 大王電 機株式会社内 Fターム(参考) 5B024 AA01 AA15 BA21 BA27 CA07 CA11 5B079 BA07 BA11 BB04 BC03

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 クロック信号を生成するクロック発生回
    路であって、 基準クロック信号を生成する発振器、 第1および第2のノード間に設けられ、前記基準クロッ
    ク信号が第1の論理レベルの場合は前記第1のノードの
    レベルを前記第2のノードに伝達させ、前記基準クロッ
    ク信号が前記第1の論理レベルから第2の論理レベルに
    変化したことに応じて前記第2のノードのレベルを保持
    する第1のラッチ回路、 前記第2のノードと前記クロック信号を出力するための
    出力ノードとの間に設けられ、前記基準クロック信号が
    前記第2の論理レベルの場合は前記第2のノードのレベ
    ルを前記出力ノードに伝達させ、前記基準クロック信号
    が前記第2の論理レベルから前記第1の論理レベルに変
    化したことに応じて前記出力ノードのレベルを保持する
    第2のラッチ回路、および前記出力ノードと前記第1の
    ノードとの間に設けられ、活性化信号が第1のレベルの
    場合は前記出力ノードのレベルの相補レベルを前記第1
    のノードに与えて前記クロック信号を生成させ、前記活
    性化信号が第2のレベルの場合は前記出力ノードのレベ
    ルを前記第1のノードに伝達させて前記クロック信号の
    生成を停止させる論理回路を備える、クロック発生回
    路。
  2. 【請求項2】 さらに、前記論理回路の出力ノードと前
    記第1のノードとの間に設けられ、前記論理回路の出力
    信号からノイズを除去して前記第1のノードに与えるた
    めのノイズフィルタを備える、請求項1に記載のクロッ
    ク発生回路。
  3. 【請求項3】 前記発振器は、前記活性化信号が前記第
    1のレベルにされたことに応じて活性化され、前記活性
    化信号が前記第2のレベルにされたことに応じて非活性
    化される、請求項1または請求項2に記載のクロック発
    生回路。
  4. 【請求項4】 さらに、前記活性化信号を予め定められ
    た時間だけ遅延させて前記発振器に与える遅延回路を備
    える、請求項3に記載のクロック発生回路。
  5. 【請求項5】 クロック信号を生成するクロック発生回
    路であって、 リング状に接続された奇数段のインバータを含み、活性
    化信号が第1のレベルの場合に活性化されて前記クロッ
    ク信号を生成し、前記活性化信号が第2のレベルの場合
    に非活性化されて前記クロック信号の生成を停止するリ
    ングオシレータ、および前記リングオシレータの出力ノ
    ードに接続され、前記活性化信号が前記第1のレベルか
    ら前記第2のレベルに変化したことに応じて、前記リン
    グオシレータの出力ノードのレベルを保持するラッチ回
    路を備える、クロック発生回路。
  6. 【請求項6】 前記奇数段のインバータのうちの1つの
    インバータは、前記活性化信号が前記第1のレベルの場
    合に活性化され、前記活性化信号が前記第2のレベルの
    場合に非活性化され、その出力ノードが前記リングオシ
    レータの出力ノードとなるクロックドインバータであ
    る、請求項5に記載のクロック発生回路。
  7. 【請求項7】 前記リングオシレータは、さらに、前記
    奇数段のインバータのうちの1つのインバータの出力ノ
    ードとその後段のインバータの入力ノードとの間に介挿
    され、前記活性化信号が前記第1のレベルの場合に導通
    し、前記活性化信号が前記第2のレベルの場合に非導通
    になるトランスファーゲートを含み、前記後段のインバ
    ータの入力ノードが前記リングオシレータの出力ノード
    となる、請求項5に記載のクロック発生回路。
  8. 【請求項8】 前記インバータは、第1および第2の電
    源電位のライン間に直列接続された互いに異なる導電形
    式の第1および第2のトランジスタ、および前記第1お
    よび第2の電源電位のライン間に前記第1および第2の
    トランジスタと直列接続された少なくとも1つの定電流
    源を含む、請求項5から請求項7のいずれかに記載のク
    ロック発生回路。
  9. 【請求項9】 前記ラッチ回路は、前記リングオシレー
    タの出力ノードと前記クロック発生回路の出力ノードと
    の間に接続されたインバータ、および前記インバータと
    逆並列に接続され、前記活性化信号が前記第1のレベル
    の場合に非活性化され、前記活性化信号が前記第2のレ
    ベルの場合に活性化されるクロックドインバータを含
    む、請求項5から請求項8のいずれかに記載のクロック
    発生回路。
  10. 【請求項10】 前記インバータは少なくとも3段設け
    られ、 前記少なくとも3段のインバータは、前記リングオシレ
    ータの出力ノードと前記クロック発生回路の出力ノード
    との間に直列接続されている、請求項9に記載のクロッ
    ク発生回路。
  11. 【請求項11】 さらに、前記インバータの出力ノード
    と前記クロック発生回路の出力ノードとの間に介挿さ
    れ、前記インバータの出力信号からノイズを除去するた
    めのノイズフィルタを備える、請求項9または請求項1
    0に記載のクロック発生回路。
  12. 【請求項12】 前記クロック信号は、チャージポンプ
    回路の駆動クロック信号として用いられる、請求項1か
    ら請求項11のいずれかに記載のクロック発生回路。
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