JP3903588B2 - 信号変化検出回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力された信号の立ち上がりまたは立ち下がりの一方の信号の変化を検出して、所定のパルス幅を有するパルス信号を発生する信号変化検出回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
外部から入力された同期信号、例えば、クロック信号に同期して動作する集積回路において、その外部クロック信号に同期して、内部で一定の幅を持つパルスを生成することがある。一般的に、このような機能は単安定マルチバイブレータにより実現できる。単安定マルチバイブレータは、外部クロック信号の波形に依存せず、外部クロック信号のレベル変化のエッジ、例えば、立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジに同期して所望の幅を持つパルスを生成する。このように外部クロック信号に同期して、LSI(集積回路)内部でパルスを生成し、それに応じてLSIの内部動作を制御することによって、内部回路の動作の安定性が図れる。
【0003】
外部クロック信号波形が変動する要因は、使用条件、装置の特性、ノイズなどによるものがある。例えば、LSIの使用条件に応じて、外部クロック信号の周波数、デューティ比、ロジックの高(ハイ)レベルの電圧および低(ロー)レベルの電圧が変化する。または、装置の特性により、外部クロック信号の立ち上がり時間および立ち下がり時間が影響される。さらに、リンギング、オーバーシュートおよびアンダシュートなどの波形ひずみにより、外部クロック信号の波形が崩れることがある。
【0004】
上述した外部クロック信号の波形の変動は、LSIの内部回路の動作に悪影響を与えるので、通常好ましくない。このため、外部クロック信号に同期して、内部で一定の幅を持つパルスを生成するという処理を行った後、内部回路に供給する。このような回路は、一般的に信号変化検出回路と呼ばれ、上述した単安定マルチバイブレータも信号変化検出回路の一例である。
【0005】
また、従来では図14および図16に示す信号変化検出回路を用いて、入力信号に同期して所定の幅を有するパルスを発生し、内部回路に供給していた。
図14の回路は、インバータINV1、遅延回路DLY1およびANDゲートAND1により構成されている。入力信号Aは、ANDゲートAND1の一方の入力端子に入力され、また、インバータINV1により反転され、さらに遅延回路DLY1により所定の遅延時間tdで遅延した後、ANDゲートAND1の他方の入力端子に入力される。このため、図15(a)に示すように、入力信号Aは一定の幅を有する場合に、遅延回路DLY1の遅延時間tdで設定された幅を持つパルスCが生成される。
【0006】
一方、入力信号A’の幅が遅延回路DLY1の遅延時間tdより短い場合は、図15(b)に示すように、遅延時間tdよりも幅が短いパルスC’が生成され、正常な出力が得られない。この問題を解決するため、外部クロック信号のハイレベルの幅を引き延ばすことが考えられる。図16は、このような機能を備えた信号変化検出回路の一例を示している。
【0007】
図16に示す信号変化検出回路は、遅延回路DLY2、ORゲートOR1、インバータINV2、遅延回路DLY3およびANDゲートAND2により構成されている。
入力信号Aの幅をtCH、遅延回路DLY2の遅延時間をtd1とすると、図17に示すように、遅延回路DLY2とORゲートOR1により、幅(tCH+td1)のパルスCが生成される。
【0008】
パルス幅が伸長されたパルスCに対して、インバータINV2、遅延回路DLY3およびANDゲートAND2からなる信号変化検出回路により、一定の幅を有するパルスEが生成される。ここで、例えば遅延回路DLY3の遅延時間をtd2とすると、図17に示すように、幅td2のパルスEが生成される。且つ、入力信号Aの幅が狭い場合でも、遅延回路DLY2の遅延時間td1を十分長く設定することにより、正常な幅のパルスEを生成可能である。即ち、図14に示す信号変化検出回路が持つ課題をある程度は回避可能である。
【0009】
ここで、入力信号Aの周期をtCPとすると、図16の信号変化検出回路が正常に動作する条件は次式により与えられる。
【数1】
td2−td1<tCH<tCP−td1 …(1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の信号変化検出回路では、確実な動作を実現するために、回路の段数が多くなり、入力信号に対して出力信号の遅延時間が大きくなるという不利益がある。例えば、同期型SRAMのクロックアクセスタイム(Clock Access Time )のようにクロック信号の立ち上がりエッジからのデータ出力を高速に行う用途では、少ない段数で内部クロック信号を伝送することが重要であり、信号変化検出回路を設けることによる信号遅延を極力少なくすることが重要である。
【0011】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、入力クロック信号の波形に依存せず、安定したパルスを生成でき、且つ高速にパルスを発生できる信号変化検出回路を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の信号変化検出回路は、入力信号端子と、セット入力端子とリセット入力端子のうち、一方の端子を優先入力とするセットリセットフリップフロップ手段と、入力端子が上記セットリセットフリップフロップの出力とカップリングする遅延手段と、制御端子を有し、上記制御端子に入力される第1のレベルの制御信号に応答して入力信号を保持し、上記制御端子に入力される第2のレベルの制御信号に応答して入力信号を伝達し、上記第1のレベルあるいは第2のレベルのうち何れかのレベルを有する入力信号のみを選択的に伝達する信号伝達制御手段とを有し、信号変化検出信号の出力端子は、上記信号伝達制御手段の出力に結合され、入力信号端子は、上記セットリセットフリップフロップ手段の上記優先入力端子および上記信号伝達制御手段の制御端子に結合され、上記信号伝達制御手段の出力が上記セットリセットフリップフロップ手段の他方の入力端子に結合して構成され、上記入力信号の第1のレベルから第2のレベルへの変化に応じて所定幅のパルス信号を発生し、上記入力信号の第2のレベルから第1のレベルへの変化に対しては上記パルス信号の発生を抑止する。
【0013】
また、本発明では、好適には、上記信号伝達制御手段の出力信号のうち、第1のレベルまたは第2のレベルの何れか一つを保持する信号保持手段がさらに設けられている。また、好適には、上記第1のレベル或いは第2のレベルのうち、一方のレベルを有する入力信号の伝達のみをクロック制御し、他方のレベル有する入力信号をスルーさせる信号伝達制御手段として、CMOSインバータの出力端子と一方の電源端子との間にクロック入力用のトランジスタを設けて構成している。
また、本発明では、優先入力つきセットリセットフリップフロップを電源端子と接地端子間に、一方の駆動能力を他方に対し大きく設定された2個のトランジスタを直列に接続して構成している。
【0019】
本発明によれば、クロック制御反転手段により入力信号はクロック信号の入力タイミングで反転され、出力される。当該反転信号に応じて、レベル制御手段の出力信号レベルが第2のレベルに保持され、また、上記クロック信号の入力タイミングに応じてレベル制御手段の出力信号レベルが第1のレベルにそれぞれ保持される。レベル制御手段の出力信号のレベル変化エッジ、例えば、上記第1のレベルから上記第2のレベルへの変化エッジが遅延され、遅延された信号がクロック制御反転手段の入力信号として当該クロック制御反転手段に入力される。当該クロック制御反転手段の出力信号は、信号変化検出回路の出力パルスとして、例えば、内部回路に供給される。
【0020】
これによって、入力信号の波形に依存せず、安定したパルスを生成でき、さらに、クロック入力からパルスの出力までのゲート段数が少なく、パルスの発生を高速に行うことができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
第1実施形態
図1は本発明に係る信号変化検出回路の第1の実施形態を示す回路図である。
図示のように、本例の信号変化検出回路は、セット優先セットリセットフリップフロップ(以下、単にフリップフロップという)RSFF1と、遅延回路DLY1と、高(ハイ)レベルの信号をクロック制御し、低(ロー)レベルの信号を通過させる信号伝達制御回路DCNTL1と、信号変化検出回路の内部ノードND01の信号レベルを保持するラッチ回路LAT1とにより構成されている。
【0022】
さらに、伝達制御回路DCNTL1は、入力信号SINにより伝達制御されるpチャネルMOSトランジスタ(以下、単にpMOSトランジスタという)MP1および、データ信号が低レベルのとき、データ信号の反転信号でゲートを制御することにより、低レベルのデータ信号を通過させるnチャネルMOSトランジスタ(以下、単にnMOSトランジスタという)MN1から構成されている。
【0023】
入力信号SINはフリップフロップRSFF1のリセット入力端子Rに接続されるとともに信号伝達制御回路DCNTL1を構成するpMOSトランジスタMP1のゲートおよびラッチ回路LAT1を構成するnMOSトランジスタMN2に接続されている。フリップフロップRSFF1の反転出力端子から出力される信号Bを遅延回路DLY1により遅延した信号Bdが、上記伝達制御回路DCNTL1のデータ入力端子に入力される。伝達制御回路DCNTL1の出力端子は直列に接続されている2段のインバータINV3およびINV4を介して、フリップフロップRSFF1のセット入力端子Sに接続されている。
【0024】
ラッチ回路LAT1は、上記伝達制御回路DCNTL1の出力を保持する回路であり、ノードND01の信号レベルを反転するインバータINV2と、ノードND01と接地端子間に接続され、インバータINV2の出力信号を受けてノードND01の“0”レベル、即ち、ローレベルを保持するためのトランジスタMN2とによって構成されている。
【0025】
図2は本実施形態の信号変化検出回路の動作を説明するタイミングチャートである。
以下、上記の様にして構成された信号変化検出回路の動作を、図2を参照して説明する。図2において、入力信号SINが高レベルのとき、伝達制御回路DCNTL1のpMOSトランジスタMP1がオフ状態に保持され、ノードND01がフローティング状態にある。このとき、ラッチ回路LAT1において、nMOSトランジスタMN2の寄生容量により、ノードND01の電位が接地電位GNDにプルダウンされる。ノードND01の電位がインバータINV2のしきい値電圧より低くなったとき、インバータINV2の出力端子がハイレベルに保持され、これに応じてnMOSトランジスタMN2がオン状態となり、ノードND01は接地電位GNDに保持される。これに応じて出力信号SOUT がローレベルに設定される。従って、フリップフロップRSFF2のセット入力Sがローレベルのためそのリセット入力Rが有効になる。入力信号SINがハイレベルのとき、フリップフロップRSFF2の反転出力端子Qzはハイレベルに保持される。即ち、遅延回路DLY1の入力信号Bはハイレベルであり、その出力信号Bdもハイレベルに保持される。
【0026】
次いで、入力信号SINが"1"から"0"に、即ち、ハイレベルからローレベルに変化すると、伝達制御回路DCNTL1において、pMOSトランジスタMP1が導通し、出力が"1"に反転する。また、出力信号SOUT 、即ちフリップフロップRSFF1のセット入力Sが"1"に変化することにより、フリップフロップRSFF1がセットされ、反転出力信号Bは"0"に変化する。反転出力信号Bを遅延させた信号Bdは、遅延回路DLY1の遅延時間τだけ遅れて"0"に反転する。遅延回路DLY1の出力信号Bdが"0"に反転すると、伝達制御回路DCNTL1は入力信号SINの信号レベルにかかわらず信号"0"を通過させるため、信号変化検出回路の出力信号SOUT は"0"に反転し、ほぼ遅延回路DLY1の遅延時間τに相当する幅のパルスを出力する。即ち、図1に示す回路は、入力信号SINの"1"から"0"への信号変化(立ち下がりエッジ)を検出する信号変化検出回路として動作する。
【0027】
なお、ラッチ回路LAT1は特に設けなくても、例えば、電源投入後、入力信号の1サイクルの期間にノードND01の信号レベルが初期設定され、且つ入力信号SINがハイレベルの期間が短ければ、ノードND01の信号レベルは保持されることは容易にわかる。従って、ラッチ回路LAT1は本発明の信号変化検出回路の必須の構成要件ではなく、省略することも可能である。
【0028】
第2実施形態
図3は本発明の第2の実施形態を示す回路図である。本実施形態において、第1の実施形態と異なるのは、フリップフロップRSFF2の入力および出力の極性が第1実施形態と逆になることと、伝達制御回路DCNTL2は入力信号SINが"1"(ハイ)レベルのときデータ信号を通過させ、データ信号の"1"レベルを無条件に通過させることと、ラッチ回路LAT2はノードND02の"1"レベル、即ち、ハイレベルを保持することである。
【0029】
図3に示すように、本実施形態において、伝達制御回路DCNTL2およびラッチ回路LAT2においては、図1に示す第1の実施形態における伝達制御回路DCNTL1およびラッチ回路LAT1のnMOSトランジスタMN1,MN2をpMOSトランジスタMP2,MP3に、pMOSトランジスタMP1をnMOSトランジスタMN3にそれぞれ置き換え、且つトランジスタMP2,MP3のソースを電源電圧VCCに接続することにより構成できる。
フリップフロップRSFF2においては、構成要素が第1の実施形態のフリップフロップRSFF1と異なる。フリップフロップRSFF2は、ORゲートOGT1、NANDゲートNAGT1,NAGT2により構成されている。
【0030】
図4は本実施形態の動作を示すタイミングである。図示のように、本実施形態の信号変化検出回路は第1実施形態と全く逆の極性において、入力信号のレベル変化を検出し、信号変化検出信号SOUT を発生する。動作の詳細は基本的に第1実施形態とほぼ同じである。以下、図4を参照しつつ、本実施形態の信号変化検出回路の動作を説明する。
【0031】
入力信号SINがローレベルのとき、伝達制御回路DCNTL2のnMOSトランジスタMN3がオフ状態に保持され、ノードND02がフローティング状態にある。このとき、ラッチ回路LAT2において、pMOSトランジスタMP3の寄生容量により、ノードND02の電位が電源電圧VCCによってプルアップされる。ノードND02の電位がインバータINV2のしきい値電圧を越えたとき、インバータINV2の出力端子がローレベルに保持され、これに応じてpMOSトランジスタMP3がオン状態となり、ノードND02は電源電圧VCCに保持される。これに応じて出力信号SOUT がハイレベルに設定される。また、入力信号SINがローレベルのとき、フリップフロップRSFF2の出力端子Qは、ローレベルに保持される。即ち、遅延回路DLY2の入力信号Bはローレベルであり、その出力信号Bdもローレベルに保持される。
【0032】
入力信号SINがローレベルからハイレベルに切り換わったとき、伝達制御回路DCNTL2において、nMOSトランジスタMN3がオフ状態からオン状態に切り換えられ、ラッチ回路LAT2のノードND02がローレベルに切り換わる。これに応じて、出力信号SOUT はハイレベルからローレベルに切り換わる。さらに、フリップフロップRSFF2の出力端子Qはローレベルからハイレベルに切り換わるので、遅延回路DLY2の遅延時間τを経過したあと、その出力信号Bdもハイレベルに切り換えられる。伝達制御回路DCNTL2において、ハイレベルの信号Bdが入力されると、インバータINV1の出力端子がローレベルに保持され、pMOSトランジスタMP2がオン状態となる。このため、入力信号SINのレベルにかかわらず、ラッチ回路LAT2のノードND02はハイレベルに保持され、これに応じて出力信号SOUT もローレベルからハイレベルに切り換わる。
【0033】
即ち、図4に示すように、本実施形態の信号変化検出回路により、入力信号SINがローレベルからハイレベルへの信号変化、即ち、入力信号SINの立ち上がりエッジが検出され、それに応じて遅延回路DLY2の遅延時間τにより設定された所定の幅を持つ負のパルス信号SOUT が出力される。
【0034】
第3実施形態
図5は本発明に係る信号変化検出回路の第3の実施形態を示す回路図であり、伝達制御回路の変形例を示す回路図である。
図5(a)に示す伝達制御回路は、pMOSトランジスタPT1とダイオードD1により構成されている。本例の伝達制御回路は、クロック信号φが低レベルで入力Dinを出力Doutに伝達するとともに、入力Dinが低レベルのときに入力Dinを出力Doutに伝達する。
本例の伝達制御回路は、図1に示す第1の実施形態に適用して好適である。
【0035】
図5(b)に示す伝達制御回路は、nMOSトランジスタNT1とダイオードD2により構成されている。本例の伝達制御回路は、クロック信号φが高レベルで入力Dinを出力Doutに伝達するとともに、入力Dinが高レベルのときに入力Dinを出力Doutに伝達する。
本例の伝達制御回路は、図3に示す第2の実施形態に適用して好適である。
なお、図5(a),図5(b)に於けるダイオードD1,D2は、pn接合ダイオードを用いても、ダイオード接続のMISトランジスタを用いても、また他の整流作用を持つ素子を用いても良い。MISトランジスタを用いる場合、例えば、nチャネルMISトランジスタを用いる場合には、正極側にドレイン電極とゲート電極を共通接続し、負極側はソース電極となる。pチャネルMISトランジスタを用いる場合には、正極側をソース電極とし、負極側にドレイン電極とソース電極を共通接続して形成する。
【0036】
第4実施形態
図6は、伝達制御回路の他の変形例を示す。
図6(a)はクロックφが低レベルで入力を出力に伝達し、入力Dinが低レベルの時、φのレベルによらず入力を出力に伝達する回路の一例である。本例の伝達制御回路を、上記第1の実施形態に適用して好適である。
図6(b)はクロックφが高レベルで入力を出力に伝達し、入力Dinが高レベルの時、φのレベルによらず入力を出力に伝達する回路の一例である。本例の伝達制御回路を、上記第2の実施形態に適用して好適である。
【0037】
第5実施形態
優先入力つきセットリセットフリップフロップの例を、図7に示す。
図7(a)は優先入力側のトランジスタの駆動能力を他方に対して大きく設定することにより、セット優先にもリセット優先にもなる例である。
同図(b)及び同図(c)はソースフォロア側の入力に対し、他方の入力が優先入力となる例である。通常同一サイズのトランジスタを用いても、十分駆動能力の比はとれる。
【0038】
第6実施形態
図8は、本発明の第6の実施形態を示す回路図である。
図示のように、本実施形態においては、入力信号SADRの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジを検出する信号変化検出回路10,20を設けて、これらの信号変化検出回路の検出信号の論理和を取ることにより、入力信号SADRの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの両方を検出する信号変化検出回路40を実現できる。
【0039】
図1および図3に示す本発明の第1および第2の実施形態は、それぞれ信号の立ち下がりエッジおよび立ち上がりエッジを検出する信号変化検出回路であって、入力信号SADRの立ち下がりエッジおよび立ち上がりエッジ両方を同時に検出することができない。
なお、ここで入力信号SADRは、例えば、同期型メモリを制御するためのクロック信号、または、メモリのモードを切り換えるための制御信号である。
【0040】
図8は、本発明の第1、第2の実施形態をアドレス遷移検出回路に応用した回路であり、信号変化検出回路(立ち上がり検出回路)10は、図3に示す第2の実施形態と同様であり、アドレス入力信号SADRの立ち上がりエッジを検出し、幅τの負のパルス信号S10を出力し、信号変化検出回路(立ち下がり検出回路)20は、図1に示す第1の実施形態と同様であり、アドレス入力信号SADRの立ち下がりエッジを検出し、幅τの正のパルス信号S20を出力する。
【0041】
信号変化検出回路10の出力信号S10が反転され、ORゲート30の一方の入力端子に入力され、信号変化検出回路20の出力信号S20がそのままORゲート30の他方の入力端子に入力される。この結果、アドレス入力信号SADRの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの両方に対して、それぞれ幅τのパルス信号が出力され、アドレス信号が変化したことを検出することができる。即ち、図8に示す回路により、アドレス信号の変化を検出するアドレス遷移検出回路ATD(Address transition detector )を構成することができる。
【0042】
図9は、本実施形態の動作を示す波形図である。
図示のように、アドレス遷移検出回路40では、アドレス信号SADRが信号変化検出回路10,20に入力される。これらの信号変化検出回路10,20により、アドレス信号SADRの立ち上がり及び立ち下がりの両方のエッジが検出され、信号のレベル変化を示すパルス信号S30がORゲート30により得られる。
【0043】
第7実施形態
図10は本発明に係る信号変化検出回路の第7の実施形態を示す回路図である。
図示のように、本例の信号変化検出回路は、pMOSトランジスタP1とnMOSトランジスタN1からなるレベル設定手段、pMOSトランジスタP2とインバータINV13からなるデータ保持回路(第2のデータ保持手段)、遅延回路DLY10、インバータINV14、さらに、pMOSトランジスタP3,P4、nMOSトランジスタN2からなるクロック制御反転手段、インバータINV11,INV12からなるデータ保持回路(第1のデータ保持手段)とにより構成されている。
【0044】
pMOSトランジスタP3,P4とnMOSトランジスタN2は電源電圧VCCの供給線と接地電位GND間に直列接続されている。さらに、pMOSトランジスタP3のゲートとnMOSトランジスタN2のゲートが、インバータINV14の出力端子、即ち、ノードND5に接続され、pMOSトランジスタP4のゲートは、ノードND1、即ち、クロック信号CKの入力端子に接続されている。
【0045】
pMOSトランジスタP4のドレインとnMOSトランジスタN2のドレインがノードND2に共通に接続され、ノードND2は、クロック制御反転手段の出力端子を形成している。このように構成されているクロック制御反転手段は、クロック信号CKがローレベルのとき、ノードND5の信号レベルを反転して、ノードND2に出力する。クロック信号CKがハイレベルのとき、ノードND2の直前の信号レベルが保持される。
また、ノードND5がハイレベルのとき、nMOSトランジスタN2がオン状態に保持され、ノードND2がローレベルに保持される。
このように構成されているクロック制御反転手段は、クロック信号CKの入力タイミングに応じて、入力信号を反転して出力するので、クロックドインバータとも呼ばれている。
【0046】
ノードND2の出力信号OUTは、インバータINV11,INV12からなるデータ保持回路により保持される。そして、保持された信号がノードND3に出力される。
【0047】
レベル設定手段において、pMOSトランジスタP1とnMOSトランジスタN1が電源電圧VCCと接地電位GND間に直列接続されている。pMOSトランジスタP1のゲートは、ノードND3に接続され、nMOSトランジスタN1のゲートは、ノードND1、即ちクロック信号CKの入力端子に接続されている。pMOSトランジスタP1とnMOSトランジスタN1のドレインが共通に接続され、当該接続点により、ノードND4が形成される。なお、ノードND4は、レベル設定手段の出力端子を成している。
【0048】
このように構成されているレベル設定手段において、例えば、ノードND3がローレベルのとき、pMOSトランジスタP1がオン状態にあり、ノードND4がハイレベル、例えば、電源電圧VCCレベルに保持される。一方、クロック信号CKがハイレベルのとき、nMOSトランジスタN1がオン状態にあり、ノードND4がローレベル、例えば、接地電位GNDレベルに保持される。
【0049】
なお、ノードND3の信号レベルとクロック信号CKのレベルが競合してレベル設定手段に入力された場合に、即ち、ノードND3がローレベル、且つクロック信号CKがハイレベルに保持されている場合、pMOSトランジスタP1とnMOSトランジスタN1がともにオン状態になる。回路構成上では、pMOSトランジスタP1の駆動能力がnMOSトランジスタN1より大きく設定されるので、上記の場合において、レベル設定手段の出力端子ND4がハイレベルに設定される。即ち、レベル設定手段の入力信号が競合した場合、pMOSトランジスタP1が優先的にオン状態に保持され、レベル設定手段の出力信号がハイレベルに保持される。
【0050】
ノードND4の信号レベルは、インバータINV13とpMOSトランジスタP2からなるデータ保持回路により保持される。保持された信号は遅延回路DLY10に入力される。
【0051】
遅延回路DLY10は、入力信号の立ち上がりエッジに対して、時間td だけ遅延させて、遅延信号を出力する。そして、遅延回路DLY10の出力信号をインバータINV14により反転され、クロック制御反転手段の入力信号としてノードND5に入力される。
【0052】
第7の実施形態は、レベル設定手段として、本発明の第1の実施形態を示す図1におけるRSFF1を図7(a)に示す回路で置き換えた回路を用い、クロック制御反転手段として、やはり本発明の第1の実施形態を示す図1におけるDCNTL1を図6(b)示す回路で置き換えた回路を用いたものと本質的に同じである。異なるのはノードの電位がキャパシタに保持された容量に依存しているためデータ保持のためのデータ保持手段を設けている点にあり、それは図10に於けるノードND2のレベルを保持する為のインバータINV12、およびノードND4のレベルを保持する為のpMOSトランジスタP2である。基本的な動作は実施形態1と同様であるので動作の詳細な説明は省略する。
【0053】
第8実施形態
図11は本発明に係る信号変化検出回路の第8の実施形態を示す回路図である。
図示のように、本実施形態の信号変化検出回路は、図10に示す第7の実施形態の信号変化検出回路に較べて、クロック信号CKの入力端子とノードND1との間にインバータINV15が接続され、さらに,ノードND2とパルスの出力端子との間に、インバータINV16が接続されている。
なお、本実施形態の他の構成部分は、図10に示す第7の実施形態と基本的に同じであり、図11では、回路の同じ構成部分を図10と同一の符号を用いて表記する。
【0054】
本実施形態では、クロック信号/CKの入力段にインバータINV15を設けたことにより、クロック信号/CKの波形が不安定な場合に、インバータINV15の論理しきい値電圧により、一旦波形の整形が行われる。即ち、クロック信号/CKのレベルがインバータINV15のしきい値電圧以下の場合、ノードND1がハイレベルに保持され、クロック信号/CKのレベルがインバータINV15のしきい値電圧を越えた場合、ノードND1がローレベルに保持される。このため、例えば、クロック信号/CKに低いレベルのノイズが混入している場合、それがある程度除去され、ノイズの影響が抑制される。
【0055】
さらに、入力したクロック信号/CKの波形が、例えば、装置の特性により歪み、立ち上がり時間および立ち下がり時間が延びた場合でも、インバータINV15の働きにより、ノードND1の信号の波形の特性がある程度改善され、立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジがともに急峻に整形される。これによって、本実施形態においては、信号変化検出回路の動作安定性がさらに向上する。
【0056】
また、信号変化検出回路の出力側にインバータINV16を設けることにより、生成されたパルスがインバータINV16を介して、例えば、LSIの内部回路に供給されるので、出力パルス/OUTの駆動能力が向上し、且つ供給対象の回路特性によって信号変化検出回路に与える影響を抑制でき、信号変化検出回路の動作安定性が図れる。
【0057】
なお、本実施形態の信号変化検出回路の動作は、第7の実施形態とほぼ同じであり、ただし、本実施形態では、クロック信号CKの立ち上がりエッジに応じてパルスの生成が始まる。即ち、第7の実施形態に較べて、クロック信号CKが反転して、信号変化検出回路が駆動される。同様に、出力されるパルス信号/OUTは、第7の実施形態に較べて、波形が反転する。
【0058】
第9実施形態
図12は本発明に係る信号変化検出回路の第9の実施形態を示す回路図である。
図示のように、本実施形態の信号変化検出回路は、図11に示す第8の実施形態の信号変化検出回路に較べて異なる点は、クロック信号/CKと電源投入検出信号/PONを論理合成手段としてNAND1がINV15にかわって設けられている点である。さらに、ノードND2とパルスの出力端子との間に、インバータINV16が接続されている。
【0059】
なお、本実施形態の他の構成部分は、図11に示す第8の実施形態と基本的に同じであり、図12では、回路の同じ構成部分を図11と同一の符号を用いて表記する。動作に関しては/PONが“0”レベルのときにND1が“1”レベルとなり、ND4を“0”にリセットする以外は第8実施形態と同じである。
【0060】
第10実施形態
図13は本発明に係る信号変化検出回路の第10の実施形態を示す回路図である。
図示のように、本実施形態の信号変化検出回路は、図11に示す信号変化検出回路の第8実施形態に較べて、トランスファゲートTG1,TG2およびこれらのトランスファゲートのオン/オフ状態を制御するフューズ回路が新たに設けられている。
【0061】
トランスファゲートTG1の入力端子は、インバータINV14の出力端子に接続され、出力端子はノードND5に接続されている。トランスファゲートTG2の入力端子は、インバータINV15の出力端子に接続され、出力端子はノードND5に接続されている。
【0062】
フューズF1の一方の端子が電源電圧VCCに接続され、他方の端子がnMOSトランジスタN3のドレインに接続されている。nMOSトランジスタN3のソースは接地されている。さらに、インバータINV17の入力端子は、nMOSトランジスタN3のドレインに接続され、出力端子はnMOSトランジスタN3のゲートとともにノードND6に接続されている。
【0063】
トランスファゲートTG1を構成するpMOSトランジスタとトランスファゲートTG2を構成するnMOSトランジスタのゲートは、ともにノードND6に接続され、トランスファゲートTG1を構成するnMOSトランジスタとトランスファゲートTG2を構成するpMOSトランジスタのゲートは、ともにインバータINV18の出力端子に接続されている。なお、インバータINV18の入力端子はノードND6に接続されている。
【0064】
このため、フューズF1が接続した状態では、ノードND6がローレベルに保持され、インバータINV18の出力端子がハイレベルに保持される。このため、トランスファゲートTG1がオン状態、トランスファゲートTG2がオフ状態にそれぞれ設定される。
【0065】
これにより、本実施形態の信号変化検出回路は、図11に示す第8の実施形態とほぼ同じ構成を有しており、第8の実施形態と同様に動作する。即ち、クロック信号/CKの立ち上がりエッジに応じて、遅延回路DLY10の遅延時間td により設定された幅を持つ負のパルス/OUTが生成される。
【0066】
一方、フューズF1を切断することにより、ノードND6がハイレベルに保持され、インバータINV18の出力端子をローレベルに保持される。これに応じて、トランスファゲートTG1がオフ状態、トランスファゲートTG2がオン状態にそれぞれ設定される。この場合、インバータINV14の出力端子とノードND5が分離されて、信号変化検出回路の通常の動作が行われない。ノードND5とノードND1にともにインバータINV15の出力端子に接続され、クロック信号CKの反転信号が供給される。
【0067】
このため、pMOSトランジスタP3,P4およびnMOSトランジスタN2から構成されたクロック制御反転手段は、通常のインバータと同じように機能し、インバータINV15の出力信号をさらに反転して、ノードND2に出力する。この場合に、信号変化検出回路の出力パルス/OUTは、入力したクロック信号CKの反転信号になる。
【0068】
このように、フューズF1およびその接続、または切断によりオン/オフ状態が制御されるトランスファゲートTG1,TG2を設けることにより、LSIテスト時に、例えば、外部から入力したクロック信号CKのパルス幅を可変にして、これに応じてLSIの内部回路に供給されるパルス/OUTの幅が設定され、それぞれ設定したパルス幅におけるLSI内部回路の動作を容易に検証することができる。
【0069】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の信号変化検出回路によれば、入力信号の波形に依存せず、主に、内部の遅延回路の遅延時間によりパルス幅が定まることにより、安定したパルス幅の検出パルス信号を得ることができ、且つ高速にパルスを発生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る信号変化検出回路の第1の実施形態を示す回路図である。
【図2】図1の信号変化検出回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図3】本発明に係る信号変化検出回路の第2の実施形態を示す回路図である。
【図4】図3の信号変化検出回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図5】伝達制御回路の変形例を示す回路図である。
【図6】伝達制御回路の他の変形例を示す回路図である。
【図7】フリップフロップの変形例を示す回路図である。
【図8】アドレス遷移検出回路を示す図である。
【図9】図8の検出回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図10】本発明に係る信号変化検出回路の第7の実施形態を示す回路図である。
【図11】本発明に係る信号変化検出回路の第8の実施形態を示す回路図である。
【図12】本発明に係る信号変化検出回路の第9の実施形態を示す回路図である。
【図13】本発明に係る信号変化検出回路の第10の実施形態を示す回路図である。
【図14】従来の信号変化検出回路の一例を示す回路図である。
【図15】図14の信号変化検出回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図16】従来の信号変化検出回路の他の例を示す回路図である。
【図17】図16の信号変化検出回路の動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
10…立ち上がりエッジ検出回路、20…立ち下がり検出回路、30…ORゲート、40…アドレス遷移検出回路、DCNTL1,DCNTL2…伝達制御回路、RSFF1,RSFF2…フリップフロップ回路、LAT1,LAT2…ラッチ回路、DLY1,DLY2,DLY3,DLY10…遅延回路、INV1,INV2,INV3,INV4,INV11,…,INV18…インバータ、AGT1…ANDゲート、OGT1…ORゲート、NRGT1,NRGT2…NORゲート、NAGT1,NAGT2,NAND1…NANDゲート、MP1,MP2,P1,P2,P3,P4…pMOSトランジスタ、MN1,MN2,N1,N2,N3…nMOSトランジスタ、F1…フューズ、VCC…電源電圧、Vdd…電源電圧、VSS…共通電位、GND…接地電位。
Claims (12)
- 入力信号端子と、
セット入力端子とリセット入力端子のうち、一方の入力端子を優先入力端子とするセットリセットフリップフロップ手段と、
入力端子が上記セットリセットフリップフロップの出力とカップリングする遅延手段と、
制御端子を有し、上記制御端子に入力される第1のレベルの制御信号に応答して入力信号を保持し、上記制御端子に入力される第2のレベルの制御信号に応答して上記入力信号を伝達し、上記第1のレベルあるいは第2のレベルのうち何れかのレベルを有する上記入力信号のみを伝達する信号伝達制御手段とを有し、
信号変化検出信号の出力端子は、上記信号伝達制御手段の出力に結合され、
入力信号端子は、上記セットリセットフリップフロップ手段の上記優先入力端子および上記信号伝達制御手段の制御端子に結合され、
上記信号伝達制御手段の出力が上記セットリセットフリップフロップ手段の他方の入力端子に結合して構成され、
上記入力信号の第1のレベルから第2のレベルへの変化に応じて所定幅のパルス信号を発生し、上記入力信号の第2のレベルから第1のレベルへの変化に対しては上記パルス信号の発生を抑止する
信号変化検出回路。 - 入力信号端子と、
セット入力端子とリセット入力端子のうち、何れか一方の端子を優先入力とするセットリセットフリップフロップ手段と、
入力端子が上記セットリセットフリップフロップの出力とカップリングする遅延手段と、
制御端子を有し、上記制御端子に入力される第1のレベルの制御信号に応答して入力信号を保持し、上記制御端子に入力される第2のレベルの制御信号に応答して上記入力信号を伝達し、上記第1のレベルあるいは第2のレベルのうち何れかのレベルを有する上記入力信号を伝達する信号伝達制御手段と、
上記信号伝達制御手段の出力信号のうち、第1のレベルまたは第2のレベルの何れか一つを保持する信号保持手段とを有し、
信号変化検出信号の出力端子は、上記信号保持手段の出力に結合され、
上記入力信号端子は上記セットリセットフリップフロップ手段の一方の入力端子および上記信号伝達制御手段の制御端子に結合され、
上記信号保持手段の出力端子が上記セットリセットフリップフロップ手段の他方の入力端子に結合して構成され、
入力信号の第1のレベルから第2のレベルへの変化に応じて所定幅のパルス信号を発生し、上記入力信号の第2のレベルから第1のレベルへの変化に対しては上記パルス信号の発生を抑止する
信号変化検出回路。 - 上記信号伝達制御手段は、相補型反転増幅回路の第1の電源端子と第2の電源端子間に上記相補型反転増幅回路を構成するトランジスタと直列に上記制御端子を入力とするトランジスタが接続された
請求項2記載の信号変化検出回路。 - 上記セットリセットフリップフロップ手段は、第1および第2のトランジスタが第1の電源端子と第2の電源端子間に接続され、その接続中点を出力端子とし、上記一方の端子が上記第1または第2のトランジスタのゲート電極に結合した
請求項1記載の信号変化検出回路。 - 上記第1および第2のトランジスタは同一導電型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタである
請求項4記載の信号変化検出回路。 - 上記セットリセットフリップフロップ手段は、第1および第2のトランジスタが第1の電源端子と第2の電源端子間に接続され、その接続中点を出力端子とし、上記一方の端子が上記第1または第2のトランジスタのゲート電極に結合した
請求項2記載の信号変化検出回路。 - 上記第1および第2のトランジスタは同一導電型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタである
請求項6記載の信号変化検出回路。 - 上記信号伝達手段の出力信号のうち、第1のレベルまたは第2のレベルの何れか一つを保持する信号保持手段を有する
請求項1記載の信号変化検出回路。 - 上記信号保持手段は、ドレインが上記信号伝達制御手段の出力端子に接続され、ソースが第2の電源電圧に接続され、ゲートに上記信号伝達制御手段の出力信号の反転信号が印加されるトランジスタを有する
請求項8記載の信号変化検出回路。 - 上記信号保持手段は、ドレインが上記信号伝達制御手段の出力端子に接続され、ソースが第1の電源電圧に接続され、ゲートに上記信号伝達制御手段の出力信号の反転信号が印加されるトランジスタを有する
請求項2記載の信号変化検出回路。 - 初期状態時に、上記信号保持手段の出力信号を所定のレベルに設定する初期設定手段を有する
請求項8記載の信号変化検出回路。 - 初期状態時に、上記信号保持手段の出力信号を所定のレベルに設定する初期設定手段を有する
請求項2記載の信号変化検出回路。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6566925B2 (en) * | 1995-10-25 | 2003-05-20 | Mosaid Technologies Incorporated | Duty-cycle regulator |
US20010031229A1 (en) * | 1998-10-20 | 2001-10-18 | Spjut Reed E. | UV-enhanced, in-line, infrared phosphorous diffusion furnace |
US6831493B2 (en) * | 1998-10-30 | 2004-12-14 | Mosaid Technologies Incorporated | Duty cycle regulator |
CA2250538A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-04-30 | Mosaid Technologies Incorporated | Duty cycle regulator |
KR100350766B1 (ko) * | 1999-11-22 | 2002-08-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 펄스 발생기 |
AU2001249785A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-15 | Flint Hills Scientific, L.L.C. | Method, computer program, and system for automated real-time signal analysis fordetection, quantification, and prediction of signal changes |
US6768969B1 (en) * | 2000-04-03 | 2004-07-27 | Flint Hills Scientific, L.L.C. | Method, computer program, and system for automated real-time signal analysis for detection, quantification, and prediction of signal changes |
JP2002049345A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Kawasaki Microelectronics Kk | パターン出力回路およびパターン出力方法 |
JP4632114B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2011-02-16 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US8190251B2 (en) * | 2006-03-24 | 2012-05-29 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus for the treatment of movement disorders |
US7761145B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-07-20 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus for detection of nervous system disorders |
US20070249953A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus for detection of nervous system disorders |
US7764989B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-07-27 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus for detection of nervous system disorders |
US8165683B2 (en) | 2006-04-21 | 2012-04-24 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus for detection of nervous system disorders |
US20070249956A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus for detection of nervous system disorders |
US7761146B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-07-20 | Medtronic, Inc. | Method and apparatus for detection of nervous system disorders |
JP2009021870A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Sony Corp | 信号生成装置、フィルタ装置、信号生成方法およびフィルタ方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57127329A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-07 | Nec Corp | Multivibrator circuit |
US4583008A (en) * | 1983-02-25 | 1986-04-15 | Harris Corporation | Retriggerable edge detector for edge-actuated internally clocked parts |
JPH01144719A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Toshiba Corp | リトリガブル・マルチバイブレータ |
US4959816A (en) * | 1987-12-28 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
US5124584A (en) * | 1990-10-22 | 1992-06-23 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Address buffer circuit with transition-based latching |
US5218237A (en) * | 1992-01-02 | 1993-06-08 | Etron Technology Inc. | Circuit forming output pulse a selected delay after initiating pulse |
EP0558079B1 (en) * | 1992-02-28 | 1998-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor memory device with address transition detector |
US5306958A (en) * | 1992-05-06 | 1994-04-26 | Alliance Semiconductor Corporation | High-speed address transition detection circuit |
US5306963A (en) * | 1992-06-19 | 1994-04-26 | Intel Corporation | Address transition detection noise filter in pulse summation circuit for nonvolatile semiconductor memory |
KR970003810B1 (ko) * | 1993-04-14 | 1997-03-22 | 삼성전자 주식회사 | 어드레스 천이 검출회로를 내장하는 불휘발성 반도체 집적회로 |
US5357204A (en) * | 1993-09-01 | 1994-10-18 | Intel Corporation | One-shot clock generator circuit |
US5642068A (en) * | 1994-08-08 | 1997-06-24 | Mosaid Technologies Incorporated | Clock period dependent pulse generator |
JPH0969291A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | アドレス信号遷移検出回路 |
US5606269A (en) * | 1995-10-26 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Non-delay based address transition detector (ATD) |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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