KR960011568A - 고선택성 산화규소 에칭 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 위에 잔류시키고자 하는 노출된 치밀 산화 규소의 부분을 갖고 있는 기판으로부터 다공성 산화 규소층을 선택적으로 제거하는 공정으로서, 다공성 산화 규소층은 그안에 흡수된 수분을 포함하고 있으며, 상기 공정은; 무수 불활성 가스로 구성된 유동하는 무수 가스 환경에 기판을 도입하는 단계; 치밀 산화 규소의 에칭이 개시되기에 요하는 것보다는 기껏해야 단지 약간만 더 긴 펄스시간 동안 무수 플루오르화 수소가스를 가스 환경에 첨가하는 단계; 상기 플루오르화 수소 및 다공성 산화물의 에칭에 의해 발생된 물의 증기를 제거하기에 충분한 시간 동안 가스 환경을 무수 불활성 가스로 세정(플러싱)하는 단계; 및 상기 다공성 산화물층이 제거될 때까지 상기의 첨가 및 세정 단계를 반복하는 단계로 되어 있는 공정.
이 공정(방법)은, TEOS와 같은 치밀 산화실리콘의 피복츠의 일부분 위에 배치된 폴리실리콘 개방구조체 내부에 수용된 BP TEOS나 또는 기타의 그와 같은 도우프된 다공성 산화물을 에칭 제거함으로써 마이크로 전자 장치위에 콘덴서를 제조하는데 특히 적합하게 사용될 수 잇다. 이 공정에 의해 온건한 방식으로 치밀 산화 규소에 대한 다공성 산화규소 특히 도우프된 산화물의 극히 높은 선택적 제거가 달성될 수 있다. 상세하게는, 이 공정에 의해 에칭 제거된 산화물 층 두께를 기준으로 TEOS 제거에 대한 BP TEOS 제거의 선택도 50:1 이상이 얻어질 수 있다.

Description

고선택성 산화규소 에칭 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 비도우프된 치밀 TEOS 산화실리콘층으로 피복된 실리콘 기판의 약시 단면도로서, 그 TEOS 산화실리콘층 위에는 TEOS층을 파괴시킴이 없이 제거시키려는 다공성 BP TEOS 산화규소로 충전된 폴리실리콘 원통이 형성되어 있는 것을 보여준다.

Claims (15)

  1. 기판 위에 잔류시키고자 하는 노출된 치밀 산화 규소의 부분을 갖고 있는 기판으로부터 다공성 산화 규소층을 선택적으로 제거하는 방법으로서, 다공성 산화 규소층은 그안에 흡수된 수분을 포함하고 있으며, 상기 공정은; 무수 불활성 가스로 구성된 유동하는 무수 가스 환경에 기판을 도입하는 단계; 치밀 산화 규소의 에칭이 개시되기에 요하는 것보다는 기껏해야 단지 약간만 더 긴 펄스시간 동안 무수 플루오르화 수소가스를 가스 환경에 첨가하는 단계; 상기 플루오르화 수소 및 다공성 산화물의 에칭에 의해 발생된 물의 증기를 제거하기에 충분한 시간 동안 가스 환경을 무수 불활성 가스로 세정(플러싱)하는 단계; 및 상기 다공성 산화물층이 제거될 때까지 상기의 첨가 및 세정 단계를 반복하는 단계로 되어 있는 것을 특징으로 하는 산화 규소층을 선택적으로 제거하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 무수 불활성가스는 질소, 헬륨, 아르곤 및 그들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플루오르화 수소 가스를 무수 불활성 가스와의 혼합물로서 상기 가스환경에 도입하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 가스 환경을 주위온도와 200℃사이, 바람직하게는 주위온도와 100℃ 사이의 온도에 유지시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 온도가 35℃와 45℃ 사이의 온도인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 환경은 30ℓ/분이상, 바람직하게는 45 내지 60ℓ/분의 유속을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 혼합물 중의 플루오르화 수소 농도는 1.5용적% 내지 2.0용적%, 바람직하게는 1.7용적% 내지 1.9용적%인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 펄스 시간은, 치밀산화물에 대한 다공성 산화물의 에칭에 관한 총괄 공정 선택도가 적어도 25:1이 되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 선택도가 적어도 50:1인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항에 있어서, 상기 펄스시간은 3 내지 10초이며 상기 세정 단계는 약 1분 또는 그 이하의 시간내에 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 환경은 대략 주위 대기압에 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 다공성 산화규소는 붕소 및 인 도우프된 실리카 유리, 인 도우프된 실리카 유리, 붕소 도오프된 실리카유리, BP TEOS 및 스핀 온 글라스로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 다공성 산화규소는 BP TEOS이고 상기 치밀 산화규소는 TEOS인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 있어서, 치밀 산화규소는 비 도우프된 열성장 산화규소 및 비 도우프된 화학 부착(퇴적)산화규소로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 적어도 일부분 위에 TEOS 산화규소층을 갖고 있고, TEOS층의 일부분 위에 설치되어 있는 폴리실리콘 또는 무정형 실리콘의 개방 공허용기를 갖고 있으며, 상기 공허용기는 적어도 4000a의 깊이를 갖고, 제12항의 방법에 따라 용기부의 내부로부터 다공성 산화 규소를 에칭함으로써 제조된 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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