KR910015011A - 금속 또는 금속 실리사이드막의 형성방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

금속 또는 금속 실리사이드막의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명의 실시예를 설명하는 도면.

Claims (47)

  1. 박막 형성 프로세스를 포함하는 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 박막형성 프로세스는 반도체 기판상에 금속박막을 CVD로 형성하는 스텝과 적어도 하나의 플루오르 실란을 포함하는 가스원으로 CVD를 실시하는 스텝을 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 플루오르 실란을 디플루오로 실란(SiH2F2)인 전자장치의 제조방법.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 금속 박막을 형성하는 스텝은 상기 금속을 금속실리사이드로써 퇴적하는 전자장치의 제조방법.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 가스원은 금속할로겐화물인 전자 장치의 제조방법.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 금속할로겐 화물은 텅스텐 헥사플루오르(WF6)인 전자 장치의 제조방법.
  6. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 금속할로겐화물은 몰리브덴 헥사풀루오르(MOF6)인 전자 장치의 제조방법.
  7. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 플루오르 실란은 SiHF3인 전자 장치의 제조방법.
  8. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 플루오르 실란은 SiHF3인 전자 장치의 제조방법.
  9. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 플루오르 실란은 SiF4인 전자 장치의 제조방법.
  10. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 플루오르 실란은 SiHF3, SiH2F2, SiH3F와 SiF4중의 적어도 2개인 전자 장치의 제조방법.
  11. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 그의 표면, 절연막 및 실리콘영역상에서 노출되며, 상기 금속박막을 형성하는 스텝은 상기 실리콘 영역상에 선택적으로 금속막을 형성하는 전자 장치의 제조방법.
  12. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 그의 표면, 실리콘 함유 도체영역상에서 노출되며, 상기 금속박막을 형성하는 스텝은 상기 실리콘 함유 도체영역상에 선택적으로 금속막을 형성하는 전자 장치의 제조방법.
  13. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 그의 표면, 금속 영역상에서 노출되며, 상기 금속박막을 형성하는 스텝은 상기 금속영역상에 선택적으로 금속막을 형성하는 전자 장치의 제조방법.
  14. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 기판과 막사이에 도체접착층을 형성하는 스텝을 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  15. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 기판과 막사이에 베리어층을 형성하는 스텝을 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  16. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 가스원은 금속할로겐화물로 되고, 상기 금속할로겐화물을 감시하는 스텝을 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  17. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 플로오르 실란을 감시하는 스텝을 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  18. 특허청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 감시하는 스텝은 적외선 분광에 의해 이루어지는 전자 장치의 제조방법.
  19. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 감시하는 스텝은 적외선 분광에 의해 이루어지는 전자 장치의 제조방법.
  20. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 가스원은 상기 플루오르 실란 이외의 반응성 가스를 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  21. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 CVD를 실시하는 스텝은 상기 가수원을 캐리어가스와 희석시키는 전자 장치의 제조방법.
  22. 특허청구의 범위 제21항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 질소, 수소, 헬륨 및 아르곤중의 하나인 전자 장치의 제조방법.
  23. 특허청구의 범위 제21항에 있어서, CVD를 실시하는 스텝은 가스원내의 금속할로겐 화물을 포함하고, 0.01~10Torr의 범위내의 전체 압력내에서, 또 200~800℃의 반응 온도 범위내에서 실시되는 전자 장치의 제조방법.
  24. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 CVD를 실시하는 스텝은 열 CVD를 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  25. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 CVD를 실시하는 스텝은 플라즈마 CVD를 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  26. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 가스원내에 SiF4의 부가를 제어하는 것에 의해 선택성을 제어하는 스텝을 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  27. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 금속박막을 형성하는 스텝을 금속 실리사이드를 퇴적하고, 상기 CVD를 실시하는 스텝은 SiH2F2와 WF6의 가스원을 사용하고, 텅스텐 실리사이드의 퇴적을 위해 가스의 비율을 제어하는 전자 장치의 제조방법.
  28. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 가스원은 퇴적될 금속의 플루오르를 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  29. 특허청구의 범위 제28항에 있어서, 상기 플루오르 실란은 SiHF3, SiH2F2, SiH3F 및 SiF4중의 적어도 2개인 전자 장치의 제조방법.
  30. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 가스원내에 SiF4의 부가를 제어하는 것에 의해 선택성을 제어하는 스텝을 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  31. 특허청구의 범위 제23항에 있어서, 상기 가스원은 퇴적될 금속의 플루오르를 포함하는 전자 장치의 제조방법.
  32. 실란, 디실란, 디클로로실란 및 트리클로로실란으로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 실란계 가스를 포함하는 가스원과 금속 할로겐 화물을 사용해서 CVD를 실시하는 스텝, 반도체 기판상에 금속막을 형성하면서 상기 가스원내에 적어도 하나의 플루오르실란을 부가하는 스텝을 포함하는 금속막의 형성방법.
  33. 특허청구의 범위 제32항에 있어서, 상기 플루오르 실란은 SiHF3, SiH2F2, SiH3F 및 SiF4중의 적어도 2개인 금속막의 형성방법.
  34. 특허청구의 범위 제33항에 있어서, 상기 가스원내에 SiF4의 부가를 제어하는 것에 의해 선택성을 제어하는 스텝을 포함하는 금속막의 형성방법.
  35. 특허청구의 범위 제32항에 있어서, 상기 CVD를 실시하는 스텝은 상기 가스원내의 금속 플루오르를 포함하고, 0.01~10Torr의 범위내의 전체 압력내에서, 또 200~800℃의 반응 온도 범위내에서 실시되는 금속막의 형성방법.
  36. 가스원을 위한 저장 장치와 상기 가스원을 CVD실로 도입하기 위한 파이프를 가지며, 전자 장치 제조시의 반도체 기판상에 금속박막을 형성하는 CVD 장치에 있어서, 상기 실내에 마련되어 상기 CVD실내의 가스원의 내용을 감시하는 감시수단을 포함하는 CVD 장치.
  37. 특허청구의 범위 제36항에 있어서, 상기 저장 장치내에 함유된 적어도 하나의 플루오르실란을 함유하는 가스원을 포함하는 CVD 장치.
  38. 특허청구의 범위 제36항에 있어서, 상기 가스원은 금속할로겐화물을 포함하는 CVD 장치.
  39. 특허청구의 범위 제36항에 있어서, 상기 감시수단은 적외선분광을 실시하는 수단인 CVD 장치.
  40. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 상기 가스원 내에 SiF4의 부가를 제어하는 것에 의해 선택성을 제어하는 수단을 포함하는 CVD 장치.
  41. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 금속실리사이드의 퇴적을 위해 상기 가스원내의 플루오르실란과 금속할로겐화물의 베율을 제어하는 수단을 포함하는 CVD 장치.
  42. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, CVD 중에 200~800℃의 반응 온도범위와 0.01~10Torr의 범위내의 전체 압력을 유지하는 수단을 포함하는 CVD장치.
  43. 가스원을 위한 저장 장치와 상기 가스원을 CVD실로 도입하기 위한 파이프를 가지며, 전자 장치 제조시의 반도체 기판상에 금속박막을 형성하는 CVD 장치에 있어서, 상기 저장 장치내에 함유된 적어도 하나의 플루오르실란을 갖는 가스원을 포함하는 CVD 장치.
  44. 특허청구의 범위 제43항에 있어서, 상기 가수원은 금속할로겐화물을 포함하는 CVD 장치.
  45. 특허청구의 범위 제43항에 있어서, 상기 가스원내에 SiF4의 부가를 제어하는 것에 의해 선택성을 제어하는 수단을 포함하는 CVD 장치.
  46. 특허청구의 범위 제43항에 있어서, 금속실리사이드의 퇴적을 위해 상기 가스원내의 플루오르실란과 금속할로겐화물의 비율을 제어하는 수단을 포함하는 CVD 장치.
  47. 특허청구의 범위 제43항에 있어서, CVD 중에 200~800℃의 반응 온도범위와 0.01~10Torr의 범위내의 전체 압력을 유지하는 수단을 포함하는 CVD 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0486927A1 (en) * 1990-11-20 1992-05-27 Air Products And Chemicals, Inc. Deposition of tungsten films from mixtures of tungsten hexafluoride, organohydrosilanes and hydrogen
CA2067565C (en) * 1992-04-29 1999-02-16 Ismail T. Emesh Deposition of tungsten
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
US5482749A (en) * 1993-06-28 1996-01-09 Applied Materials, Inc. Pretreatment process for treating aluminum-bearing surfaces of deposition chamber prior to deposition of tungsten silicide coating on substrate therein
JPH07176484A (ja) * 1993-06-28 1995-07-14 Applied Materials Inc 窒化アルミニューム面を有するサセプタをサセプタの浄化後珪化タングステンで処理することによって半導体ウエハ上に珪化タングステンを一様に堆積する方法
US6090706A (en) * 1993-06-28 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Preconditioning process for treating deposition chamber prior to deposition of tungsten silicide coating on active substrates therein
JPH09501612A (ja) * 1994-04-08 1997-02-18 マーク エー． レイ， 選択的プラズマ成長
US5665640A (en) 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
AU1745695A (en) * 1994-06-03 1996-01-04 Materials Research Corporation A method of nitridization of titanium thin films
US5628829A (en) 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US5975912A (en) * 1994-06-03 1999-11-02 Materials Research Corporation Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits
JP3744554B2 (ja) * 1994-09-09 2006-02-15 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成方法
JP2748881B2 (ja) * 1995-02-03 1998-05-13 日本電気株式会社 半導体製造装置および製造方法
US5972790A (en) * 1995-06-09 1999-10-26 Tokyo Electron Limited Method for forming salicides
US5786023A (en) * 1996-02-13 1998-07-28 Maxwell; James L. Method and apparatus for the freeform growth of three-dimensional structures using pressurized precursor flows and growth rate control
JP3050152B2 (ja) * 1997-01-23 2000-06-12 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5919531A (en) * 1997-03-26 1999-07-06 Gelest, Inc. Tantalum and tantalum-based films and methods of making the same
US6113983A (en) * 1997-04-03 2000-09-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Method of forming metallic and ceramic thin film structures using metal halides and alkali metals
JP3191290B2 (ja) * 1999-01-07 2001-07-23 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造方法に用いられるプラズマｃｖｄ装置
DE19917821C1 (de) * 1999-02-10 2000-10-12 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Verfahren zur Regelung eines Hochtemperatur-Gasphasen-Prozesses und Verwendung des Verfahrens
JP2002536549A (ja) * 1999-02-12 2002-10-29 ゲレスト インコーポレイテッド 窒化タングステンの化学蒸着
US6958174B1 (en) * 1999-03-15 2005-10-25 Regents Of The University Of Colorado Solid material comprising a thin metal film on its surface and methods for producing the same
US6139922A (en) * 1999-05-18 2000-10-31 Gelest, Inc. Tantalum and tantalum-based films formed using fluorine-containing source precursors and methods of making the same
US20010051215A1 (en) * 2000-04-13 2001-12-13 Gelest, Inc. Methods for chemical vapor deposition of titanium-silicon-nitrogen films
US6632737B1 (en) * 2000-10-13 2003-10-14 Tokyo Electron Limited Method for enhancing the adhesion of a barrier layer to a dielectric
JP4352783B2 (ja) * 2002-08-23 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系及び処理システム
KR100617049B1 (ko) * 2004-12-21 2006-08-30 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 콘택 형성방법
US20080246124A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 James Mathew Plasma treatment of insulating material
JP6437324B2 (ja) * 2014-03-25 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法および半導体装置の製造方法
US10453744B2 (en) 2016-11-23 2019-10-22 Entegris, Inc. Low temperature molybdenum film deposition utilizing boron nucleation layers

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3697343A (en) * 1970-12-16 1972-10-10 Ibm Method of selective chemical vapor deposition

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KR0184279B1 (ko) 1999-04-15

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