KR960006048A - 반도체 불휘발성 기억장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 목적은 단일전원으로 동작가능하며 더구나 완전한 1트랜지스터 메모리타입의 셀면적이 작은 반도체 불휘발성 기억장치를 실현하는데 있다.
그 구성은 비트선, 소스선이 함께 주배선과 부배선으로 계층화되고, 각각 주배선과 부배선이 동작에 따라서 선택적으로 접속되고, 또한 부소스선과 부비트선 상에 메모리셀이 병렬접속된 반도체 불휘발성 기억장치에 있어서, 데이터의 기입을 FN터널링에 의해 채널전면에서 플팅게이트중의 전자를 주입함으로써 행하고 소거는 FN터널링에 의해 드레인측에서 플로팅게이트중의 전자를 뽑아내므로서 행한다. 예를들면 기입시는 선택워드선(WL2)에 22V, 비선택의 워드선(WL1, WL3~WL32)에 중간전압 11V를 인가하고 소거는 선택된 워드선(WL2)에 부전압 -14V를 인가하고, 전 비트선에 전원전압 3.3V를 인가한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관계되는 플래시 메모리의 메모리 어레이 구성을 나타내는 도면이다.
제2도는 본 발명에 관계되는 플래시 메모리의 제1소거, 기입, 독출의 각동작시의 바이어스조건을 나타내는 도면이다.
제3도는 본 발명에 관계되는 플래시 메모리의 제2소거, 기입, 독출의 각 동작시의 바이어스조건을 나타내는 도면이다.
Claims (6)
- 비트선, 소스선이 함께 주배선과 부배선으로 계층화되고, 각각 주배선과 부배선이 동작에 따라서 선택적으로 접속되고, 또한 부소스선과 부비트선사이에 메모리셀이 병렬접속된 반도체 불휘발성 기억장치이며, 데이터의 기입은 FN터널링에 의해 채널전면에서 전하축적축중에 전하를 주입함으로써 행하고 소거는 FN터널링에의해 드레인측에서 전하 축적충중의 전하를 뽑아내므로써 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기입시는 선택된 워드선이 제1정전압으로 설정되고, 비선택의 워드선이 당해 제1정전압 보다 낮은 제2정전압으로 설정되고, 소거시는 선택된 워드선이 부전압으로 설정되고 전 비트선이 정전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기입시는 선택된 워드선이 제1정전압으로 설정되고, 비선택의 워드선이 당해 제1정전압 보다 낮은 제2정전압으로 설정되고, 소거시는 선택된 워드선 섹터를 단위로 한, 각 워드선이 부전압, 전비트선이 정전압으로 설정되고, 또한 소거펄스가 복수의 소거펄스로 분할되고, 소거가 종료한 셀의 비트선 펄스가 플러그전압에서 기준전위로 전환되는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
- 비트선, 소스선이 함께 주배선과 부배선으로 계층화되고, 각각 주배선과 부배선이 동작에 따라서 선택적으로 접속되고, 또한 부소스선과 부비트선 사이에 메모리셀이 병렬접속된 반도체 불휘발성 기억장치이며, 데이터의 기입은 FN터널링에 의해 채널전면에서 전하축적충중에 전하를 주입함으로써 행하고 소거는 FN터널링에 위해 채널전면에서 전하축적충중의 전하를 뽑아내므로써 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기입시는 선택된 워드선이 제1정전압으로 설정되고, 비선택의 워드선이 당해 제1정전압 보다 낮은 제2정전압으로 설정되고, 상기 소거시는 전워드선이 부전압으로 설정되고 전 비트선이 기준전위로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
- 전하축적충을 갖춘 메모리셀을 복수 가지는 반도체 불휘발성장치이며, 메모리셀이 소거불록단위마다로 분할되고, 각 분할불록에 대응하여 설치된 복수의 칼럼디코더를 가지며, 적어도 소거 및 기입동작을 컬럼디코더 단위로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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