KR960005606A - 부하 박막 트랜지스터를 갖는 에스램 장치 - Google Patents
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Abstract
드레인이 제1,2 전달 벌크 트랜지스터(Qt1, Qt2)를 경유하여 각기 제1, 2비트라인(BL1, BL2)에 접속되는 제1, 2부하 박막 트랜지스터(T1, T2)를 구비하는 플립-플롭을 포함하는 에스램 장치에 있어서, 상기 제2 비트라인이 상기 제1부하 박막 트랜지스터 상에 배열되고, 상기 제1 비트라인이 상기 제2 박막 트랜지스터 상에 배열된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명에 따른 SRAM 셀의 제1실시예를 나타내는 회로도.
Claims (7)
- 제1,2전원 공급라인(Vcc, GND)과, 워드라인(WL1)과, 제1,2 비트라인(BL1, BL2)과, 상기 제1,2 노드(N1,N2)와, 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 제1 노드 사이에 접속되며 상기 제2 노드에 접속된 게이트 전극(10)을 갖는 제1부하 트랜지스터(T1)와, 상기 제1노드에 접속된 게이트 전극을 갖는 박막 트랜지스터(T2)와, 상기 제1노드와 상기 제2전원 공급라인 사이에 접속되며 상기 제2 노드에 접속된 게이트 전극(5)을 갖는 제1 구동 벌트 트랜지스터(Qd1)와, 상기 제2 노드와 상기 제2 전원 공급라인 사이에 접속되며, 상기 제1 노드에 접속된 게이트 전극(5)을 갖는 제2 구동 벌크 트랜지스터(Qd2)와, 상기 제1 비트라인과 상기 제1 노드사이에 접속되며 상기 워드 라인에 접속된 게이트 전극(5)을 갖는 제1 전달 벌크 트랜지스터(Qt1), 및 상기 제2 비트라인과 상기 노드사이에 접속되며 상기 워드라인에 접속된 게이트 전극(5)을 갖는 제2 전달 트랜지스터(Qt2)를 구비하고, 상기 제2 비트라인은 상기 제1 부하 박막 트랜지스터 근처에 배열되어 제1 기생 부하 박막트랜지스터(T3)를 생성하며, 상기 제1 비트라인은 상기 제2 부하 박막 트랜지스터 근처에 배열되어 제2기생 부하 박막 트랜지스터(T4)를 생성하는 것을 특징으로 하는 에스램 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 비트라인은 그의 소오스-채널-드레인층(12)에 대해 상기 제1부하 박막 트랜지스터의 게이트 전극의 반대측에 위치하며, 상기 제1 비트라인은 그의 소오스-채널-드레인층(12)에 대해 상기 제2 부하 박막 트랜지스터의 게이트 전극의 반대측에 위치하는 것을 특징으로 하는 에스램 장치.
- 제1, 2 전원 공급 라인 (Vcc, GND)과, 동일한 위치에 배치되는 제1, 2 워드라인(WL1, WL2)과, 제1,2 비트라인(BL1, BL2)과, 제1, 2 노드(N1, N2)와, 상기 제1 전원공급라인과 상기 제1 노드 사이에 접속되며 상기 제2 노드에 접속된 게이트 전극(10)을 갖는 제1 부하 박막트랜지스터(T1)와, 상기 제1 전원공급라인과 상기 제2 노드 사이에 접속되며 상기 제1 노드에 접속된 게이트 전극을 갖는 박막 트랜지스터(T2)와, 상기 제1 노드와 상기 제2 전원공급라인 사이에 접속되며 상기 제2 노드사이에 접속된 게이트 전극(5)을 갖는 제1 구동 벌크 트랜지스터(Qd1)와, 상기 제2노드와 상기 제2 전원 공급라인 사이에 접속되며, 상기 제1 노드에 접속된 게이트 전극(5)을 갖는 제2 구동 벌크 트랜지스터(Qd2)와, 상기 제1 비트라인과 상기 제1 노드사이에 접속되며 상기 워드라인에 접속된 게이트 전극(5)을 갖는 제1 전달 벌크 트랜지스터(Qt1), 및 상기 제2 비트라인과 상기 노드사이에 접속되며 상기 워드라인에 접속된 게이트 전극(5)을 갖는 제2 전달 트랜지스터(Qt2)를 구비하고, 상기 제2 비트라인은 상기 제1 부하 박막 트랜지스터 근처에 배열되어 제1 기생 부하 박막 트랜지스터(T3)를 생성하며, 상기 제1 비트라인은 상기 제2 부하 박막 트랜지스터 근처에 배열되어 제2기생 부하 박막 트랜지스터(T4)를 생성하는 것을 특징으로 하는 에스램 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제2 비트라인은 그의 소오스-채널-드레인층(12)에 대해 상기 제1 부하 트랜지스터의 게이트 전극의 반대측에 위치하며, 상기 제1 비트라인은 그의 소오스-채널-드레인층(12)에 대해 상기 제2 부하 박막 트랜지스터의 게이트 전극의 반대측에 위치하는 것을 특징으로 하는 에스램 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1, 2 워드라인, 상기 제1,2 비트라인, 상기 제1,2 박막 트랜지스터, 상기 제1,2 구동 벌크 트랜지스터 및 상기 제1,2 전달 트랜지스터는 균형(P)의 일 중심에 대해 대칭인 것을 특징으로 하는 에스램 장치.
- 드레인이 제1,2 전달 벌크 트랜지스터(Qt1, Qt2)를 경유하여 각기 제1,2 비트라인(BL1, BL2)에 접속되는 제1,2 부하 박막 트랜지스터(T1, T2)를 구비하는 플립-플롭을 포함하고, 상기 제2 비트라인이 상기 제1 부하 박막 트랜지스터 상에 배열되고, 상기 제1 비트라인이 상기 제2 박막 트랜지스터 상에 배열되는 것을 특징으로 하는 에스램 장치.
- 드레인이 제1,2 전달 벌크 트랜지스터(Qt1, Qt2)를 경유하여 각기 제1,2 비트라인(BL1, BL2)에 접속되는 제1,2 부하 박막 트랜지스터(T1, T2)를 구비하는 플립-플롭을 포함하고, 상기 제1 부하 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 상기 제1 부하 박막 트랜지스터의 채널 영역 밑에 위치하며, 상기 제2 비트라인은 상기 제1 부하 박막 트랜지스터의 상기 채널 영역 위에 위치하고, 상기 제2 부하 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 상기 제2 부하 박막 트랜지스터의 채널 영역 밑에 위치하며, 상기 제1 비트라인은 상기 제2 부하 박막 트랜지스터의 상기 채널 영역위에 위치하는 것을 특징으로 하는 에스램 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP94-174882 | 1994-07-05 | ||
JP6174882A JP2601202B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960005606A true KR960005606A (ko) | 1996-02-23 |
KR0152699B1 KR0152699B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=15986318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950019688A KR0152699B1 (ko) | 1994-07-05 | 1995-07-05 | 부하 박막 트랜지스터를 갖는 에스램 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5535155A (ko) |
EP (1) | EP0691685B1 (ko) |
JP (1) | JP2601202B2 (ko) |
KR (1) | KR0152699B1 (ko) |
DE (1) | DE69524486T2 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2647045B2 (ja) * | 1995-02-28 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP3701405B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2005-09-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | スタティック型半導体記憶装置 |
US5870330A (en) * | 1996-12-27 | 1999-02-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Method of making and structure of SRAM storage cell with N channel thin film transistor load devices |
JPH10242299A (ja) | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Nec Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP3058119B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2000-07-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5953606A (en) * | 1998-04-27 | 1999-09-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing a TFT SRAM memory device with improved performance |
JP4030198B2 (ja) * | 1998-08-11 | 2008-01-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US6040991A (en) * | 1999-01-04 | 2000-03-21 | International Business Machines Corporation | SRAM memory cell having reduced surface area |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0426174B1 (en) * | 1989-11-02 | 1994-07-27 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor integrated circuit |
JPH0770624B2 (ja) * | 1990-06-22 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
JP2789931B2 (ja) * | 1991-05-27 | 1998-08-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPH05235304A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Sony Corp | Tft負荷型sram |
US5404326A (en) * | 1992-06-30 | 1995-04-04 | Sony Corporation | Static random access memory cell structure having a thin film transistor load |
JP3236720B2 (ja) * | 1993-02-10 | 2001-12-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP6174882A patent/JP2601202B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-07-04 EP EP95110435A patent/EP0691685B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-04 DE DE69524486T patent/DE69524486T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-05 KR KR1019950019688A patent/KR0152699B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-07-05 US US08/498,173 patent/US5535155A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0691685A1 (en) | 1996-01-10 |
JPH0823038A (ja) | 1996-01-23 |
EP0691685B1 (en) | 2001-12-12 |
KR0152699B1 (ko) | 1998-12-01 |
DE69524486D1 (de) | 2002-01-24 |
DE69524486T2 (de) | 2002-08-22 |
JP2601202B2 (ja) | 1997-04-16 |
US5535155A (en) | 1996-07-09 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140603 Year of fee payment: 17 |
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