KR960002448A - 전자 빔 장치 및 화상 형성 장치 - Google Patents

전자 빔 장치 및 화상 형성 장치 Download PDF

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미따라이 하지메
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Abstract

본원 발명의 전자 빔 장치는 전자 방출 디바이스를 갖는 전자원, 상기 전자원으로부터 방출된 전자 빔을 제어하는 전극, 상기 전자원이 방출한 전자 빔으로 조사되는 타겟, 및 상기 전자원과 상기 전극 간에 배열된 스페이서를 구비한다. 스페이서는 그 표면 상에 상기 전자원 및 상기 전극에 전기적으로 접속되는 반도체 막을 갖는다.

Description

전자 빔 장치 및 화상 형성 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 스페이서 및 그의 부근을 도시하기 위해 제2도의 선I-I을 따라 취한 본 발명에 따른 화상 형성 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 화상 형성 장치의 부분 절단 사시도,
제3도는 제1도의 화상 형성 장치의 전자원의 주요부를 개략적으로 도시한 평면도,
제4A도 및 제4B도는 본 발명의 목적에 사용될 수 있는 두개의 상이한 형광막의 개략도.

Claims (56)

  1. 전자 방출 디바이스를 갖는 전자원, 상기 전자원으로부터 방출된 전자 빔을 제어하는 전극, 상기 전자원이 방출한 전자 빔으로 조사되는 타겟, 및 상기 전자원과 상기 전극 간에 배열된 스페이서를 구비하는 전자 빔 장치에 있어서, 상기 스페이서 그 표면 상에 상기 전자원 및 상기 전극에 전기적으로 접속되는 반도체 박막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서는 상기 배선과 상기 전극 간에 배열되며, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 배선과 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고 상기 스페이서는 장방형 평해 육면체이며 그 길이 방향이 상기 배선과 평행을 이루는 방식으로 상기 배선과 상기 전극 간에 배열되고, 상기 스페이서의 표면 상의 상기 반도체 막은 상기 배선과 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고 상기 전극은 상기 타겟 상에 배열되며, 상기 스페이서의 표면 상의 상기 반도체 막은 상기 배선과 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟 상에 배열되며, 상기 스페이서는 상기 배선과 상기 전극 간에 배열되어 있고, 상기 스페이서의 표면상의 반도체 막은 상기 배선과 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟 상에 배열되며, 상기 스페이서는 장방형 평행 육면체이며 그 길이 방향이 상기 배선과 평행을 이루는 방식으로 상기 배선과 상기 전극 간에 배열되고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 배선과 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 적어도 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 중 하나에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서는 적어도 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 중 하나 간에 배열되며, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 적어도 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 중 하나에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서는 장방형 평행 육면체이며 그 길이 방향이 상기 배선과 평행을 이루는 방식으로 적어도 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 중 하나 간에 배열되고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 적어도 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 중 하나에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟에 배열되며, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 적어도 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 중 하나에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟 상에 배열되며, 스페이서는 장방형 평행 육면체이며 그 길이 방향이 상기 배선과 평행을 이루는 방식으로 적어도 상기 행 방향 배선 또는 열 방향 배선 및 상기 전극 중 하나 간에 배열되고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 적어도 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극중 하나에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 반도체 막은 105(Ω/□) 내지 1012(Ω/□) 표면 전기 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  14. 제1항 내지 제12항중 어느 하나의 항에 있어서, 복수의 스페이서가 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  15. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극은 상기 전자원으로부터 방출된 전자 빔을 가속하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  16. 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 냉음극 디바이스인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  17. 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 한쌍의 전극 간에 전자 방출 영역을 포함하는 전기 전도성 막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  18. 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 표면 전도 전자 방출 디바이스인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  19. 전자 방출 디바이스를 갖는 전자원, 상기 전자원으로부터 방출된 전자 빔을 제어하는 전극, 상기 전자원이 방출한 전자 빔으로 조사되는 타겟, 및 상기 전자원과 상기 전극 간에 배열된 스페이서를 구비하는 전자 빔 장치에 있어서, 상기 스페이서는 그 표면 상에 상기 전자원 및 상기 전극에 전기적으로 접속되는 반도체 막을 갖고, 상기 스페이서, 상기 전자원 및 상기 전극의 결합부에 배열된 결합 부재가 제공되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서는 상기 배선과 상기 전극 간에 배열되며, 상기 스페이서의 표면 상의 상기 반도체 막은 상기 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  22. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극간에 배열되고, 상기 스페이서의 표면 상의 상기 반도체 막은 상기 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  23. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟 상에 배열되며, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  24. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟 상에 배열되며, 상기 스페이서는 상기 배선과 상기 전극 간에 배열되어 있고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  25. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟 상에 배열되며, 상기 스페이서는 장방형 평행 육면체이며 그 길이 방향이 상기 배선과 평행을 이루는 방식으로 상기 배선과 상기 전극 간에 배열되고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  26. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  27. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서는 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 간에 배열되며, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선, 및 필요에 따라 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  28. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 스페이서는 장방형 평해 육면체이며 그 길이 방향이 상기 배선과 평행을 이루는 방식으로 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 간에 배열되고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선, 및 필요에 따라 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  29. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟에 배열되며, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  30. 제19항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선 구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극은 상기 타겟에 배열되며, 스페이서는 장방형 평행 육면체이며 그 길이 방향이 상기 행방향 배선 또는 상기 열 방향 배선과 평행을 이루는 방식으로 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선 및 상기 전극 간에 배열되고, 상기 스페이서의 표면 상의 반도체 막은 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선, 및 필요에 따라 상기 전극에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  31. 제19항 내지 제30항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 스페이서의 상기 결합 부재는 기계적으로는 상기 전자원 및 상기 전극에 상기 스페이서를 고정시키고, 전기적으로는 상기 전자원 및 상기 전극에 상기 스페이서상의 반도체 막을 접속시키도록 동작되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  32. 제19항 내지 제30항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 스페이서의 상기 결합 부재 각각은 기계적으로는 상기 전자원 또는 상기 전극에 상기 스페이서를 고정시키고, 전기적으로는 상기 전자원 또는 상기 전극에 상기 스페이서상의 반도체 막을 접속시키기 위해 동작하는 제1부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  33. 제19항 내지 제30항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 반도체 막은 105(Ω/□) 내지 1012(Ω/□) 표면 전기 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  34. 제19항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 복수의 스페이서가 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  35. 제19항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극은 상기 전자원으로부터 방출된 전자를 가속하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  36. 제19항 내지 제30항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 냉음극 디바이스인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  37. 제19항 내지 제30항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 한쌍의 전극 간에 전자 방출 영역을 포함하는 전기 전도성 막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  38. 제19항 내지 제30항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 표면 전도 전자 방출 디바이스인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  39. 전자 방출 디바이스를 갖는 전자원, 상기 전자원으로부터 방출된 전자 빔을 제어하는 전극, 및 상기 전자원이 방출한 전자 빔으로 조사되는 타겟을 포함하는 전자빈 장치에 있어서, 서로 다른 전위를 갖도록 적응된 적어도 2개의 전극 간에 배열된 스페이서를 더 구비하는데, 상기 스페이서는 그 표면 상에 상기 전극에 전기적으로 접속된 반도체 막을 갖고, 상기 스페이서 및 상기 전극의 결합부에 배열된 결합 부재가 제공되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  40. 제39항에 있어서, 상기 전자원은 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극 중 하나는 상기 배선인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  41. 제39항에 있어서, 상기 전극 중 하나는 상기 타겟 상에 배열되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  42. 제39항에 있어서, 상기 전자원은 메트릭스 배선구조를 형성하는 복수의 행 방향 배선 및 복수의 열 방향 배선으로 연결된 복수의 전자 방출 디바이스를 포함하고, 상기 전극 중 하나는 상기 행 방향 배선 또는 상기 열 방향 배선인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  43. 제39항에 있어서, 상기 전극 중 하나는 상기 전자원으로부터 방출된 전자를 가속시키는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  44. 제39항 내지 제43항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 스페이서의 결합 부재는 기계적으로는 상기 전극에 상기 스페이서를 고정시키고 전기적으로는 상기 전극에 상기 스페이서의 상의 반도체 막을 접속시키도록 동작되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  45. 제39항 내지 제43항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 스페이서의 결합 부재 각각은 기계적으로는 상기 스페이서를 상기 전극 중 하나를 고정시키고 전기적으로는 상기 스페이서 상의 반도체 막을 상기 전극 중 하나에 접속시키도록 동작되는 제1부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  46. 제39항 내지 제43항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 반도체 막은 상기 반도체 막은 105(Ω/□) 내지 1012(Ω/□) 표면 전기 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  47. 제39항 내지 제43항 중 어느 하나의 항에 있어서, 복수의 스페이서가 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  48. 제39항 내지 제43항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 냉음극 디바이스인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  49. 제39항 내지 제43항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 한쌍의 전극 간에 전자 방출 영역을 포함하는 전기 전도성 막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  50. 제39항 내지 제43항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전자 방출 디바이스는 표면 전도 전자 방출 디바이스인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  51. 제1항에 있어서, 상기 장치는 이미지 형성 장치인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  52. 제19항에 있어서, 상기 장치는 이미지 형성 장치인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  53. 제39항에 있어서, 상기 장치는 이미지 형성 장치인 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  54. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 전자원 및 상기 전극과 인접하는 영역 상에 전도성 막을 갖고, 상기 전도성 막은 전기적으로 상기 반도체 막에 접속되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  55. 제19항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 전자원 및 상기 전극과 인접하는 영역 상에 전도성 막을 갖고, 상기 전도성 막은 전기적으로 상기 반도체 막에 접속되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
  56. 제39항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 전극과 인접하는 영역 상에 전도성 막을 갖고, 상기 전도성 막은 전기적으로 상기 반도체 막에 접속되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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