KR950034538A - 위치검출장치 - Google Patents

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Abstract

마스크 패턴을 감광재료가 도포된 기판상에 노광하는 노광장치에 사용되는 위치 검출장치가 개시되어 있다.
위치검출장치는, 기판상에 형성된 얼라인먼트 마크의 장치를, 파장 선택성을 갖는 막을 사이에 두고 광을 보냄에 의하여 검출한다. 이 장치는, 검출용의 광을 조사하는 송광계와, 파장선택성을 갖는 막의 파장별의 투과율에 따라 얼라이먼트 마크에 조사되는 위치검출용의 광 파장역을 조정하는 파장가변부재와, 얼라인먼트 마크로부터의 광을 검출하는 수광계를 갖는다. 얼라인먼트 마크의 위치는 수광계로부터 출력되는 광전변환 신호에 근거하여 결정된다.

Description

위치검출장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 위치검출장치의 일실시예가 적용된 투영노광장치를 도시한 개략구성도.

Claims (17)

  1. 기판상에 형성된 위치맞추기용의 마크의 위치를 파장선택성을 갖는 막을 사이에 두고 검출하는 위치검출장치에 있어서, 상기 기판상의 위치맞추기용의 마크에 상기 파장선택성을 갖는 막을 통하여 위치검출용의 광을 조사하는 송광계와, 상기 파장선택성을 갖는 막의 파장별의 투과율 특성에 따라 상기 위치맞추기용의마크에 조사되는 위치검출용의 광의 파장역을 조정하는 파장 가변부재와, 상기 위치맞추기용의 마크로부터의광을 검출하는 수광계를 가지며, 상기 수광계로 부터 출력되는 광전변환 신호에 근거하여 상기 위치맞추기용의 마크의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파장가변부재는, 복수의 파장 선택성을 갖는 막의 파장별의 투과율 특성을 기억시킬 수 있는 메모리와, 상기 기판상에 배치되어 있는 파장 선택성을 갖는 막의 종류를 입력하는 입력장치를 가지며, 상기 입력장치로부터 입력된 막의 종류에 대하여 상기 메모리에 기억되어 있는 파장별의 투과율 특성에 따라, 상기 위치검출용의 광의 파장역을 조정하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수광계로부터 출력되는 광전변환신호의 강도를 검출하는 광강도 검출기와, 상기 파장가변부재에 의하여 상기 위치맞추기용의 마크에 조사되는 광의 파장역을 여러종류로 변환시킨 경우에, 상기 광강도 검출기에서 검출되는 강도에 근거하여 상기 파장 선택성을 갖는 막에 적합한 상기 위치검출용의 광의 파장역을 구하는 컨트롤러를 설치하고, 상기 컨트롤러에 의하여 구한 파장역의 광을 상기 파장가변부재를 두고 선택하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 파장가변부재는, 상기 파장선택성을 갖는 막의 파장별의 투과율 특성에 따라 상기 위치맞추기용의 마크에 조사되는 위치검출용의 광의 강도를 조정하는 광량조정장치를 갖는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 파장 선택성을 갖는 막은, 미리 정해진 색에 착색된 필터인 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 파장가변부재는 상기 송광계에 삽입가능한 필터를 가지는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 광량조정장치는, 상기 송과계내에 설치된 불균일한 투과율 분포를 갖는 ND 필터와, 상기 ND필터를 이동시키는 장치를 가지는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  8. 제1항에 있어서, 마스크의 패턴상에서, 상기 기판상에 도포되는 감광재료를 노광하는 노광 시스템을 다시금 가지고 있으며, 상기 파장 선택성을 갖는 막은 상기 감광재료인 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  9. 마스크 패턴을 감광재료가 도포된 기판상에 전사하는 노광장치에 설치하고, 상기 기판상에 형성된 위치맞추기용의 마크의 위치를 파장선택성을 갖는 막을 사이에 두고 검출하는 위치검출장치에 있어서, 상기 기판상에 위치맞추기용의 마크에, 상기 노광장치에서 사용되는 복수의 파장 선택성을 갖는 막의 각각을 투과하는 광대역의 광을 조사하는 송광계와, 상기 위치맞추기용의 마크로부터의 광을 검출하는 수광계와, 상기 기판상의 파장선택성을 갖는 막의 종류에 따라, 상기 수광계로부터 출력되는 광전변환신호의 강도를 변환시키는 조정장치를 가지며, 상기 수광계로부터 출력되는 광전변환신호에 근거하여 상기 위치맞추기용의 마크의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 조정장치는, 상기 송광계로부터 조사되는 광대역의 광중에서, 상기 기판상의 파장선택성을 갖는 막을 투과가능한 파장역의 광에 대한 상기 파장 선택성을 갖는 막의 투과율에 따라, 상기 기판에 조사되는 상기 광대역의 광의 강도를 변환시키는 광강도 가변부재를 갖는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 파장선택성을 갖는 막은, 그 감광재료 또는 상기 기판과 그 감광재료와의 사이에 형성되는 필터이며, 상기 감광재료 또는 필터는 미리 정해진 색에 착색되는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  12. 파장선택성을 갖는 막으로 덮힌, 기판상에 얼라인먼트 마크를, 광빔으로 조사하는 조명계와, 상기 얼라인먼트 마크로부터의 광을 검출하여 광전신호를 출력하는 수광계와 상기 파장선택성을 갖는 막의 광투과 특성에 따라, 상기 광빔의 파장과 상기 광전신호의 강도의 적어도 한쪽을 조정하는 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 조명계는, 광대역의 광빔을 사출하는 광원을 가지며, 상기 조정장치는 상기 광대역의 광빔중에서, 소정의 파장역의 광빔을 선택적으로 추출하는 파장 선택부재를 갖는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 조정장치는, 상기 광전신호의 강도를 조절하도록, 상기 광빔의 강도를 변화시키는 광강도 가변부재를 갖는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  15. 제12항에 있어서, 마스크의 패턴상에서, 상기 기판상에 도포되는 포토레지스트를 노광하는 시스템은 다시금 구비한 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  16. 파장 선택성을 갖는 막으로 덮혀있는 기판상의 얼라인먼트 마크에 조사되는 광빔의 강도와 파장역과의 적어도 한쪽을, 상기 파장 선택성을 갖는 막의 광투과 특성에 따라 조정하는 단계와, 상기 얼라인먼트 마크로부터의 광을 검출하여, 마스크와 상기 기판과를 얼라인먼트하는 단계와, 상기 마스크의 패턴상에서 상기 기판상에 도포된 포토레지스트를 노광하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 마이크로 디바이스, 액정장치(liguid crystal device)는 CCD인 것을 특징으로 하는 마이크로 디바이스의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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