JP4389791B2 - 微細構造体の製造方法および露光装置 - Google Patents
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Description
また、上記回折型ビームスプリッタは、上記±n次回折ビームに加えて、当該±n次回折ビームよりもエネルギーの低い0次ビームを生じさせるものであることが更に好ましい。
図1は、本発明を適用した第1の実施形態の露光装置の構成を説明する図である。図1に示す露光装置1は、感光性膜を露光するために用いられるものであり、レーザー光源10、ミラー11、12、シャッター13、回折型ビームスプリッタ14、モニタ15、レンズ16a、16b、空間フィルタ17a、17b、ミラー18a、18b、ステージ19を含んで構成されている。
P=λ/(2sinθ)・・・(1)
Δz<W/sinθ・・・(2)
C=sin(Δx)/(Δx)・・・(3)
まず、図7(A)に示すように、基板100の一面に金属薄膜101と反射防止膜102とを形成する。本例では、基板100として板厚1mmのガラス基板を用いる。また、金属薄膜101として、スパッタや真空蒸着等の成膜方法によってアルミニウム膜を膜厚160nm程度に形成する。また、反射防止膜102は、スピンコート法などの成膜方法により膜厚75nm程度に形成する。
次に図7(B)に示すように、被加工体としての金属薄膜101の上側(本例では反射防止膜102の上面)に感光性膜103を形成する。本実施形態では、化学増幅型レジストを用い、これをスピンコート法などの成膜方法によって成膜することにより、膜厚450nm程度の感光性膜103を形成する。ここで、化学増幅型レジストは、樹脂、酸発生剤、溶媒からなる混合液であり、光化学反応で発生する酸を利用するため、アンモニアなどの微量のアルカリ系不純物にも敏感に影響を受け、特性が変動する。よって、本実施形態では、本工程及びその後の露光工程及び現像工程を行うときの雰囲気をアルカリ系不純物の濃度が1ppb以下となるようにする。
次に図7(C)に示すように、可視光波長よりも小さい波長(本例では266nm)の2本のレーザービームB1、B2を所定角度で交叉させて干渉光を発生させ、当該干渉光を照射することによって感光性膜103を露光する。例えば、2本のレーザービームB1、B2の交叉角度(図3参照)を62度とすることにより、周期150nmの干渉縞が得られ、当該干渉縞(干渉光)に対応した潜像パターン104が感光性膜103に形成される。本例では、ビームエキスパンダによりビーム径が200mm程度まで拡大されたレーザービームB1、B2を用いているので、4インチ程度の領域を一括露光できる。露光に要する時間は30秒程度である。また、さらに大きな領域(例えば、8インチ程度)を露光する場合には、基板100をステップ&リピートで移動すればよい。
次に図7(D)に示すように、露光後の感光性膜103を焼成(ベーキング)し、その後に現像することにより、干渉光のパターンに対応する形状を感光性膜103に発現させる。これにより、金属薄膜101上に周期150nmのレジストパターンが得られる。
次に図7(E)に示すように、現像後の感光性膜103をエッチングマスクとして用いてエッチングを行い、被加工体としての金属薄膜101を加工する。これにより、金属薄膜101へレジストパターンが転写される。エッチング方法としては、原理的にはウェットエッチング、ドライエッチングのいずれも採用することが可能である。特に、ICP(誘導結合プラズマ)やECR(電子サイクロトロン共鳴)等の方法でドライエッチングすることが好適である。なお、エッチング以前に反射防止膜102を除去しておくことにより、エッチングの再現性や均一性をさらに向上させることも可能である。
次に図7(F)に示すように、反射防止膜102及び感光性膜103を除去する。これにより、微細なアルミパターンからなる金属格子型偏光素子が得られる。
図15は、第2の実施形態の露光装置の構成を説明する図である。図15に示す露光装置1aは、基板100の一面に形成された感光性膜を露光するために用いられるものであり、レーザー光源10、ミラー11、12、シャッター13、回折型ビームスプリッタ14、モニタ15、レンズ16a、16b、空間フィルタ17a、17b、ミラー18a、18b、ステージ19、位相変調手段20を含んで構成されている。この露光装置1aは、基本的には上述した第1の実施形態における露光装置1と同様の構成を有しており、位相変調手段20が追加された点が異なっている。以下では、第1の実施形態と重複する内容については説明を省略する。
I=I1+I2+2√(I1I2cos(φ))・・・(4)
まず、図18(A)に示すように、基板100の一面に金属薄膜101と反射防止膜102とを形成する。本例では、基板100として板厚1mmのガラス基板を用いる。また、金属薄膜101として、スパッタや真空蒸着等の成膜方法によってアルミニウム膜を膜厚160nm程度に形成する。また、反射防止膜102は、スピンコート法などの成膜方法により膜厚75nm程度に形成する。
次に図18(B)に示すように、被加工体としての金属薄膜101の上側(本例では反射防止膜102の上面)に感光性膜103を形成する。本実施形態では、多光子吸収レジストを用い、これをスピンコート法などの成膜方法によって成膜することにより、膜厚450nm程度の感光性膜103を形成する。
次に図18(C)に示すように、可視光波長よりも短い波長(本例では266nm)の2本のレーザービームB1、B2を所定角度で交叉させて干渉光を発生させ、当該干渉光を照射することによって感光性膜103を露光する。例えば、2本のレーザービームB1、B2の交叉角度(図3、図5参照)を62度とすることにより、周期150nmの干渉縞が得られ、当該干渉縞に対応した潜像パターン104が感光性膜103に形成される。なお、本実施形態では、本工程における2本のレーザービームB1、B2の相互間の位相差が0の場合を考えるが、当該位相差はこれに限られない。
次に図18(D)に示すように、2本のレーザービームB1、B2の相互間に上記第1の露光工程の際とは異なる位相差を与えながら当該各レーザービームB1、B2を所定角度で交叉させて干渉光を発生させ、当該干渉光を照射することによって感光性膜103を露光する。例えば、2本のレーザービームB1、B2の交叉角度(図3参照)を62度とすることにより、上記のように周期150nmの干渉縞が得られ、当該干渉縞に対応した潜像パターン104が感光性膜103に形成される。このとき、例えば各レーザービームB1、B2の位相φをπだけずらす、すなわち1/2波長分の位相差を与えることで、第1の露光工程における潜像パターンのピッチPを半ピッチ(P/2)だけずらした位置に新たな潜像パターンが形成される(図17参照)。このような多重露光により、周期75nm程度の微細な潜像パターン104が得られる。また、上記した液晶空間光変調器20b(図16(B)参照)のように連続的な位相変調を与えうる素子を用いた場合には、位相φをπよりも細かいステップにして干渉縞を移動させ、多重露光を繰り返すことができる。したがって、75nmよりも更に短い周期を有するパターンの製作も可能となる。
次に図18(E)に示すように、露光後の感光性膜103を焼成(ベーキング)し、その後に現像することにより、干渉光のパターンに対応する形状を感光性膜103に発現させる。これにより、金属薄膜101上に周期75nmのレジストパターンが得られる。
次に図18(F)に示すように、現像後の感光性膜103をエッチングマスクとして用いてエッチングを行い、被加工体としての金属薄膜101を加工する。これにより、金属薄膜101へレジストパターンが転写される。エッチング方法としては、原理的にはウェットエッチング、ドライエッチングのいずれも採用することが可能である。特に、ICP(誘導結合プラズマ)やECR(電子サイクロトロン共鳴)等の方法でドライエッチングすることが好適である。
次に図18(G)に示すように、反射防止膜102及び感光性膜103を除去する。これにより、微細なアルミパターンからなる金属格子型偏光素子が得られる。
図22は、第3の実施形態の露光装置の構成を説明する図である。図22に示す露光装置1bは、基板100の一面に形成された感光性膜を露光するために用いられるものであり、レーザー光源10、ミラー11、12、シャッター13、回折型ビームスプリッタ14b、モニタ15、レンズ16a、16b、空間フィルタ17a、17b、ミラー18a、18b、ステージ19を含んで構成されている。この露光装置1bは、基本的には上述した第1の実施形態における露光装置1と同様の構成を有しており、回折型ビームスプリッタ14bの果たす機能が第1の実施形態の場合と若干異なっている。以下では、第1の実施形態と重複する内容については説明を省略する。
まず、図25(A)に示すように、被加工体としての基板100の一面に反射防止膜102を形成する。本例では、基板100として板厚1mmのガラス基板を用いる。また、反射防止膜102は、スピンコート法などの成膜方法により膜厚75nm程度に形成する。
次に図25(B)に示すように、被加工体としての基板100の上側(本例では反射防止膜102の上面)に感光性膜103を形成する。本実施形態では、化学増幅型レジストを用い、これをスピンコート法などの成膜方法によって成膜することにより、膜厚200nm程度の感光性膜103を形成する。ここで、化学増幅型レジストは、樹脂、酸発生剤、溶媒からなる混合液であり、光化学反応で発生する酸を利用するため、アンモニアなどの微量のアルカリ系不純物にも敏感に影響を受け、特性が変動する。よって、本実施形態では、本工程及びその後の露光工程及び現像工程を行うときの雰囲気をアルカリ系不純物の濃度が1ppb以下となるようにする。
次に図25(C)に示すように、可視光波長よりも短い波長(本例では266nm)の2本のレーザービームB1、B2を所定角度で交叉させて干渉光を発生させ、当該干渉光を照射することによって感光性膜103を露光する。例えば、2本のレーザービームB1、B2の交叉角度(図3参照)を62度とすることにより、周期150nmの干渉縞が得られ、当該干渉縞(干渉光)に対応した潜像パターン104が感光性膜103に形成される。本例では、ビームエキスパンダによりビーム径が200mm程度まで拡大されたレーザービームB1、B2を用いているので、4インチ程度の領域を一括露光できる。露光に要する時間は30秒程度である。また、さらに大きな領域(例えば、8インチ程度)を露光する場合には、基板100をステップ&リピートで移動すればよい。
次に図25(D)に示すように、露光後の感光性膜103を焼成(ベーキング)し、その後に現像することにより、干渉光のパターンに対応する形状を感光性膜103に発現させる。これにより、150nm程度の解像度のレジストパターンが得られる。
次に図25(E)に示すように、現像後の感光性膜103をエッチングマスクとして用いてエッチングを行い、被加工体としての基板100を加工する。これにより、基板100へレジストパターンが転写される。エッチング方法としては、原理的にはウェットエッチング、ドライエッチングのいずれも採用することが可能である。特に、ICP(誘導結合プラズマ)やECR(電子サイクロトロン共鳴)等の方法でドライエッチングすることが好適である。なお、エッチング以前に反射防止膜102を除去しておくことにより、エッチングの再現性や均一性をさらに向上させることも可能である。
次に図25(F)に示すように、反射防止膜102及び感光性膜103を除去する。これにより、微細な凹凸形状が表面に施された基板100が得られる。
Claims (12)
- 被加工体の上側に感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
可視光波長よりも短い波長の2本のレーザービームを交叉させて干渉光を発生させ、当該干渉光を照射することによって前記感光性膜を露光する第1の露光工程と、
露光後の前記感光性膜を現像して、前記干渉光のパターンに対応する形状を前記感光性膜に発現させる現像工程と、
現像後の前記感光性膜をエッチングマスクとしてエッチングを行い、前記被加工体を加工するエッチング工程と、
を含み、
前記2本のレーザービームは、同一のレーザー光源から出力される1本のレーザービームを分岐手段により±n次回折ビーム(nは1以上の自然数)に分岐させて得られるものであり、
前記分岐手段は前記±n次回折ビームよりもエネルギーの低い0次ビームを更に生じさせるものであり、当該0次ビームを参照して前記感光性膜と前記干渉光との相対位置を設定し、前記露光を行う、
微細構造体の製造方法。 - 請求項1において、
前記2本のレーザービームの強度比を調節することによって前記干渉光の光強度分布を可変に設定して露光を行う、微細構造体の製造方法。 - 請求項2において、
前記第1の露光工程は、前記感光性膜の露光を複数回行い、当該複数回の露光のそれぞれ毎に前記2本のレーザービームの強度比を異なる値に設定する、微細構造体の製造方法。 - 請求項1において、
前記第1の露光工程の以後であって前記現像工程より以前に、前記2本のレーザービームの相互間に前記第1の露光工程の際とは異なる位相差を与えながら当該2本のレーザービームを交叉させて干渉光を発生させ、当該干渉光を照射することによって前記感光性膜を露光する第2の露光工程を更に含む、微細構造体の製造方法。 - 請求項4において、
前記第2の露光工程は、前記2本のレーザービームの少なくとも一方に対して位相変調手段によって位相変調を加えることにより前記位相差を生じさせる、微細構造体の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれかにおいて、
前記感光性膜形成工程に先立って、前記被加工体と前記感光性膜との間に介在する反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程を更に含む、微細構造体の製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
前記感光性膜形成工程の後に、前記感光性膜の上面に保護膜を形成する保護膜形成工程を更に含む、微細構造体の製造方法。 - 感光性膜又は感光性を有する被加工体を露光するための装置であって、
可視光波長よりも短い波長の2本のレーザービームを発生するビーム発生手段と、
前記2本のレーザービームが所定角度で交叉して干渉光を発生するように当該各レーザービームの進路を設定する光学的手段と、
を含み、
前記ビーム発生手段は、1本のレーザービームを出力するレーザー光源と、
当該1本のレーザービームを分岐して2本のレーザービームを生成する分岐手段と、
を含み、
前記分岐手段は、回折型ビームスプリッタであり、
前記2本のレーザービームは、前記回折型ビームスプリッタによって得られる±n次回折ビーム(nは1以上の自然数)であり、
前記回折型ビームスプリッタは、前記±n次回折ビームに加えて、当該±n次回折ビームよりもエネルギーの低い0次ビームを生じさせるものである、露光装置。 - 請求項8において、
前記干渉光を用いて前記感光性膜又は前記被加工体を露光し、前記2本のレーザービームのうち少なくとも一方のレーザービームの進路上に配置され、当該レーザービームの強度を増減させることにより前記2本のレーザービームの強度比を調節するビーム強度比制御手段、
を更に含む、露光装置。 - 請求項8において、
前記2本のレーザービームのうち少なくとも一方のレーザービームの進路上に配置されて当該レーザービームに位相変調を与える位相変調手段を更に含み、
前記干渉光を用いて前記感光性膜又は前記被加工体を多重露光し、その際、各露光ごとに前記位相変調手段によって前記2本のレーザービームの相互間に異なる位相差を与えながら露光を行う、露光装置。 - 請求項10において、
前記位相変調手段は、位相差板又は液晶空間光変調素子である、露光装置。 - 請求項8において、
前記0次ビームを受光して電気信号に変換するモニタを更に含む、露光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10101652B2 (en) | 2015-09-24 | 2018-10-16 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Exposure method, method of fabricating periodic microstructure, method of fabricating grid polarizing element and exposure apparatus |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090068597A1 (en) * | 2005-01-14 | 2009-03-12 | Naomasa Shiraishi | Exposure method and apparatus, and electronic device manufacturing method |
JP4822022B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-11-24 | 株式会社ニコン | 露光方法および装置、ならびに電子デバイス製造方法 |
JP2006339359A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Seiko Epson Corp | 微細構造体の製造方法、電子機器 |
US20070153249A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types |
US20090155401A1 (en) * | 2006-03-28 | 2009-06-18 | Sang-Choll Han | Method of Forming Nanopattern and Substrate Having Pattern Formed Using the Method |
KR100871059B1 (ko) * | 2006-03-28 | 2008-11-27 | 주식회사 엘지화학 | 나노 패턴 형성 방법 및 이에 의하여 형성된 패턴을 갖는기판 |
US8934084B2 (en) * | 2006-05-31 | 2015-01-13 | Asml Holding N.V. | System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system |
US7626185B2 (en) * | 2006-08-11 | 2009-12-01 | Battelle Memorial Institute | Patterning compositions, masks, and methods |
JP5145673B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-02-20 | 住友電気工業株式会社 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP4269295B2 (ja) | 2007-02-20 | 2009-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 微細構造体の製造方法 |
US8431328B2 (en) * | 2007-02-22 | 2013-04-30 | Nikon Corporation | Exposure method, method for manufacturing flat panel display substrate, and exposure apparatus |
US7768627B2 (en) * | 2007-06-14 | 2010-08-03 | Asml Netherlands B.V. | Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system |
KR100881140B1 (ko) | 2007-08-09 | 2009-02-02 | 삼성전기주식회사 | 나노패턴 형성장치 및 이를 이용한 나노패턴 형성방법 |
US8582079B2 (en) * | 2007-08-14 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Using phase difference of interference lithography for resolution enhancement |
US20090117491A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-05-07 | Applied Materials, Inc. | Resolution enhancement techniques combining interference-assisted lithography with other photolithography techniques |
US20100002210A1 (en) * | 2007-08-31 | 2010-01-07 | Applied Materials, Inc. | Integrated interference-assisted lithography |
US20090111056A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Resolution enhancement techniques combining four beam interference-assisted lithography with other photolithography techniques |
WO2009032813A2 (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Lightguides having light extraction structures providing regional control of light output |
US9440376B2 (en) | 2007-09-06 | 2016-09-13 | 3M Innovative Properties Company | Methods of forming molds and methods of forming articles using said molds |
WO2009032815A1 (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Tool for making microstructured articles |
NL1035920A1 (nl) * | 2007-09-26 | 2009-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic System, Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method. |
US8451457B2 (en) | 2007-10-11 | 2013-05-28 | 3M Innovative Properties Company | Chromatic confocal sensor |
EP2232531B1 (en) | 2007-12-12 | 2018-09-19 | 3M Innovative Properties Company | Method for making structures with improved edge definition |
EP2257854B1 (en) | 2008-02-26 | 2018-10-31 | 3M Innovative Properties Company | Multi-photon exposure system |
JP2010182934A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置および描画方法 |
KR102046286B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2019-11-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 장치, 조명 방법, 및 노광 방법 및 장치 |
JP2011218398A (ja) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Fujikura Ltd | 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板 |
JP5300799B2 (ja) | 2010-07-28 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料 |
KR101385070B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2014-04-15 | 한국생산기술연구원 | 레이저간섭 노광을 이용한 대면적 미세패턴 제작 방법, 상기 방법을 이용하여 제작된 미세패턴의 비평면적 전사 방법 및 이를 이용하여 미세 패턴을 전사한 물품 |
JP5732548B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2015-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置、及び構造の生産方法 |
TWI546518B (zh) * | 2012-04-20 | 2016-08-21 | 德律科技股份有限公司 | 三維量測系統與三維量測方法 |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
JP6221849B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2017-11-01 | ウシオ電機株式会社 | 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置 |
KR102246872B1 (ko) | 2014-07-29 | 2021-04-30 | 삼성전자 주식회사 | 포커스 계측 마크를 포함하는 포토마스크, 포커스 모니터 패턴을 포함하는 계측용 기판 타겟, 노광 공정 계측 방법, 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
KR102235615B1 (ko) | 2014-07-29 | 2021-04-02 | 삼성전자주식회사 | 노광 공정 계측용 기판 타겟 및 노광 공정 계측 방법과 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
JP6547283B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2019-07-24 | ウシオ電機株式会社 | 基板上構造体の製造方法 |
JP6528394B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2019-06-12 | ウシオ電機株式会社 | 基板上構造体の製造方法 |
JP6609917B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2019-11-27 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源用発光素子の製造方法 |
DE102015214960B4 (de) | 2015-08-05 | 2018-03-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Interferenzstrukturierung einer Oberfläche einer flächigen Probe und deren Verwendung |
JP2017054006A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | ウシオ電機株式会社 | 光照射方法、基板上構造体の製造方法および基板上構造体 |
JP6953109B2 (ja) | 2015-09-24 | 2021-10-27 | ウシオ電機株式会社 | 基板上構造体の製造方法 |
CA3001742C (en) * | 2015-10-13 | 2023-02-28 | Microtau Ip Pty Ltd | Microstructure patterns |
DE102017206968B4 (de) * | 2017-04-26 | 2019-10-10 | 4Jet Microtech Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Riblets |
CN112835263B (zh) * | 2019-11-22 | 2024-05-24 | 北京理工大学 | 一种液晶计算全息图的单步曝光方法及装置 |
CN112731776B (zh) * | 2021-01-14 | 2023-06-20 | 之江实验室 | 一种双掩膜高通量激光超分辨激光直写方法和装置 |
CN112965288B (zh) * | 2021-02-02 | 2022-04-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 内置偏光片的制备方法及偏光片 |
WO2023280793A2 (de) * | 2021-07-03 | 2023-01-12 | Fusion Bionic Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur laserinterferenzstrukturierung von substraten mit periodischen punktstrukturen für antireflexionseigenschaften |
LU102920B1 (de) * | 2022-03-31 | 2023-10-02 | Fusion Bionic Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Laserinterferenzstrukturierung von Substraten mit periodischen Punktstrukturen für Antireflexionseigenschaften |
WO2024047257A1 (de) | 2022-09-02 | 2024-03-07 | Fusion Bionic Gmbh | Strukturiertes optoelektronisches bauelement |
LU103058B1 (de) * | 2023-01-05 | 2024-07-05 | Fusion Bionic Gmbh | Oberflächenstrukturiertes substrat mit einem schwarzmarkierungsbereich |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US579744A (en) * | 1897-03-30 | Hat beim curling machine | ||
JPS58154285A (ja) | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 回折格子の製造方法 |
US4996120A (en) * | 1988-12-29 | 1991-02-26 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Holographic photopolymer compositions and elements containing a ring-opening monomer |
JP2936187B2 (ja) | 1991-12-16 | 1999-08-23 | 株式会社ニコン | レジストパタ−ンの形成方法 |
US5415835A (en) * | 1992-09-16 | 1995-05-16 | University Of New Mexico | Method for fine-line interferometric lithography |
JPH06300909A (ja) | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Canon Inc | ホログラフィック干渉露光法を用いた回折格子作成方法及びこれを用いた光半導体装置 |
JPH07159609A (ja) | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回折格子及び干渉露光装置 |
JP3379200B2 (ja) | 1994-03-25 | 2003-02-17 | 株式会社ニコン | 位置検出装置 |
US5759744A (en) * | 1995-02-24 | 1998-06-02 | University Of New Mexico | Methods and apparatus for lithography of sparse arrays of sub-micrometer features |
US5885753A (en) * | 1996-04-12 | 1999-03-23 | The Texas A&M University System | Polymeric self-assembled mono- and multilayers and their use in photolithography |
JPH1126344A (ja) | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及び装置並びに半導体装置の製造方法 |
US6218292B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual layer bottom anti-reflective coating |
EP0939343A1 (en) | 1998-02-26 | 1999-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and exposure apparatus |
US6074800A (en) * | 1998-04-23 | 2000-06-13 | International Business Machines Corporation | Photo acid generator compounds, photo resists, and method for improving bias |
JP3421673B2 (ja) | 1998-06-02 | 2003-06-30 | 学校法人立命館 | 超微細パターンの並列的製造方法 |
US6243348B1 (en) * | 1998-06-05 | 2001-06-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Very-high-density memory device utilizing a scintillating data-storage medium |
US6140660A (en) * | 1999-03-23 | 2000-10-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical synthetic aperture array |
US6122103A (en) * | 1999-06-22 | 2000-09-19 | Moxtech | Broadband wire grid polarizer for the visible spectrum |
TW445512B (en) | 1999-07-13 | 2001-07-11 | Lee Chih Kung | Processing technology to define pattern by combining two coherent light beams and using interference to proceed multiple direct exposure |
JP2001033982A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
US6243199B1 (en) * | 1999-09-07 | 2001-06-05 | Moxtek | Broad band wire grid polarizing beam splitter for use in the visible wavelength region |
US6882477B1 (en) * | 1999-11-10 | 2005-04-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and system for interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP3605041B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2004-12-22 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びに、デバイス |
US20060109532A1 (en) * | 2004-11-19 | 2006-05-25 | Savas Timothy A | System and method for forming well-defined periodic patterns using achromatic interference lithography |
-
2005
- 2005-01-18 JP JP2005010420A patent/JP4389791B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10101652B2 (en) | 2015-09-24 | 2018-10-16 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Exposure method, method of fabricating periodic microstructure, method of fabricating grid polarizing element and exposure apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060047608A (ko) | 2006-05-18 |
TW200608152A (en) | 2006-03-01 |
US20060046156A1 (en) | 2006-03-02 |
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EP1630612A3 (en) | 2007-09-19 |
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