CN112965288B - 内置偏光片的制备方法及偏光片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供内置偏光片的制备方法及偏光片，采用负性光阻搭配接触式曝光图案化制备出光阻柱，再采用钢材料作为金属掩膜板，沉积第二金属材料后，利用选择性腐蚀剂去除金属掩膜板，制备出200nm线宽的金属线栅层作为内置偏光。相较于现有技术中的纳米压印等方式制备方法，本发明通过现有工艺即可制备得到，有效地降低内置偏光制备成本，有利于量产。

Description

内置偏光片的制备方法及偏光片
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种内置偏光片的制备方法及偏光片。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)显示需要偏光片作为起偏收偏器，在量子点(QD)应用在彩色滤光片(Color filter，CF)技术中，可以提升色域及视角，但由于量子点材料具有改变偏光状态的作用，光线偏光经过量子点偏光状态改变，再经过面板外的收偏器无法达成预设的明暗效果，所以必须搭配将偏光片由面板外移至面板内，让线偏光先经过收偏器，达到预设的明暗程度，再让透过的光激发量子点，但目前内置偏光的技术尚不成熟，采用纳米压印等方式制备内置偏光，无法大型化，制备成本高，良率低。
因此急需提供一种内置偏光片的制备方法，降低生产成本。
发明内容
本发明提供一种内置偏光片的制备方法，以现有工艺制备出内置偏光片，降低内置偏光制备成本。
为了达到上述目的，本发明提供一种内置偏光片的制备方法，包括：提供一基板；涂覆一层光阻材料并接触式曝光图案化形成光阻柱于所述基板上；溅射一第一金属材料于所述光阻柱以及所述基板上；浸泡于有机溶剂中，超声波震动分解所述光阻柱以及覆盖在所述光阻柱上的第一金属材料得到金属掩膜板；沉积一第二金属材料于所述基板以及所述金属掩膜板上；去除金属掩膜板及所述金属掩膜板上对应的第二金属材料形成一金属线栅层于所述基板上。
进一步地，在所述涂覆一层光阻材料并接触式曝光图案化形成光阻柱于所述基板上的步骤中，具体包括：涂覆一层光阻材料于所述基板上形成光阻层；将掩膜板设于所述光阻的上，所述掩膜板包括交替设置的遮挡片以及开口；使用接触式曝光机发出光线照射所述光阻层；滴加显影液于所述光阻层上，形成所述光阻柱。
进一步地，所述光阻材料为负性光阻，则所述光阻柱为对应所述开口处的光阻层。
进一步地，所述光阻材料为正性光阻，则所述光阻柱为对应所述遮挡片处的光阻层。
进一步地，所述光阻层的厚度为0.5～1.5um；所述遮挡片的宽度为400～600nm；所述开口的宽度为100～300nm。
进一步地，所述第一金属材料为钢；所述第一金属材料的厚度为400～600nm。
进一步地，所述金属掩膜板包括间隔设置的缺口，所述缺口的宽度为100～300nm。
进一步地，所述第二金属材料的厚度为400～600nm。
进一步地，所述沉积一第二金属材料于所述基板以及所述金属掩膜板上的步骤中，通过物理气相沉积法制备得到，所述第二金属材料包括铝。
进一步地，所述去金属掩膜板及所述金属掩膜板上对应的第二金属材料形成一金属线栅层于所述基板上的步骤中，通过采用腐蚀剂去除金属掩膜板，所述金属线栅层中的线栅间隔为100～300nm。
本发明还提供一种偏光片，由前文所述内置偏光片的制备方法制备得到，包括：所述偏光片包括基板；以及金属线栅层，设于所述基板上。
本发明的有益效果：本发明一实施例提供内置偏光片的制备方法及偏光片，采用负性光阻搭配接触式曝光图案化制备出光阻柱，再采用钢材料作为金属掩膜板，沉积第二金属材料后，利用选择性腐蚀剂去除金属掩膜板，制备出200nm线宽的金属线栅层作为内置偏光，可有效地降低内置偏光制备成本，有利于量产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的内置偏光片的制备方法的步骤S1与步骤S2的结构示意图；
图2是本发明一实施例提供的内置偏光片的制备方法的步骤S2制备结束后的结构示意图。
图3是本发明一实施例提供的内置偏光片的制备方法的步骤S3制备结束后的结构示意图。
图4是本发明一实施例提供的内置偏光片的制备方法的步骤S4制备结束后的结构示意图。
图5是本发明一实施例提供的内置偏光片的制备方法的步骤S5制备结束后的结构示意图。
图6是本发明一实施例提供的内置偏光片的制备方法的步骤S6制备结束后的结构示意图。
本发明具体附图标记：
基板101；光阻柱104；光阻层102；
遮挡片1031；开口1032；第一金属材料105；
金属掩膜板106；缺口1061；第二金属材料107；
金属线栅层108。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明一实施例提供一种内置偏光片的制备方法，包括如下步骤S1～S6。
S1)如图1所示，提供一基板101。
S2)如图1及图2所示，涂覆一层光阻材料并接触式曝光图案化形成光阻柱104于所述基板101上。步骤S2)具体包括：步骤S201)涂覆一层光阻材料于所述基板101上形成光阻层102；步骤S202)将掩膜板设于所述光阻的上，所述掩膜板包括交替设置的遮挡片1031以及开口1032；所述遮挡片1031的宽度为400～600nm，在本实施例中为500nm，在其他实施例中可为450nm、550nm；所述开口1032的宽度为100～300nm，在本实施例中为200nm，在其他实施例中还可为150nm、250nm；步骤S103)使用接触式曝光机发出光线照射所述光阻层102；步骤S104)滴加显影液于所述光阻层102上，形成所述光阻柱104。若所述光阻材料为负性光阻，则所述光阻柱104为对应所述开口1032处的光阻层102。若所述光阻材料为正性光阻，则所述光阻柱104为对应所述遮挡片1031处的光阻层102。所述光阻层102的厚度为0.5～1.5um，在本实施例中为1um，在其他实施例中可为0.6um、0.8um以及1.3um。
S3)如图3所示，溅射一第一金属材料105于所述光阻柱104以及所述基板101上。所述第一金属材料105为钢；所述第一金属材料105的厚度为400～600nm。
S4)如图4所示，浸泡于有机溶剂中，超声波震动分解所述光阻柱104以及覆盖在所述光阻柱104上的第一金属材料105得到金属掩膜板106。所述金属掩膜板106包括间隔设置的缺口1061，所述缺口1061的宽度为100～300nm，在本实施例中为200nm，在其他实施例中还可为150nm、250nm。
S5)如图5所示，通过使用物理气相沉积法沉积一第二金属材料107与所述基板101以及所述金属掩膜板106上。所述第二金属材料107的厚度为400～600nm，在本实施例中为500nm，在其他实施例中还可为450nm、550nm。所述第二金属材料107包括铝。
S6)如图6所示，通过采用腐蚀剂去除掩膜板形成一金属线栅层108与所述基板101上。所述金属线栅层108中的线栅间隔为100～300nm，在本实施例中为200nm，在其他实施例中还可为150nm、250nm。
本发明一实施例提供内置偏光片的制备方法，采用负性光阻搭配接触式曝光图案化制备出光阻柱104，再采用钢材料作为金属掩膜板106，沉积第二金属材料107后，利用选择性腐蚀剂去除金属掩膜板106，制备出200nm线宽的金属线栅层108作为内置偏光。相较于背景技术中的纳米压印等方式制备方法，本发明通过现有工艺即可制备得到，有效地降低内置偏光制备成本，有利于量产。
如图6所示，本发明一实施例还提供一种偏光片，由本发明所述一实施例的内置偏光片的制备方法制备得到，所述偏光片包括：基板101以及金属线栅层108。
所述金属线栅层108设于所述基板101上。所述金属线栅层108中的线栅间隔为100～300nm，在本实施例中为200nm，在其他实施例中还可为150nm、250nm。所述金属线栅层108金属材料包括铝。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板100进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种内置偏光片的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
涂覆一层光阻材料并接触式曝光图案化形成光阻柱于所述基板上；
溅射一第一金属材料于所述光阻柱以及所述基板上；
浸泡于有机溶剂中，超声波震动分解所述光阻柱以及覆盖在所述光阻柱上的第一金属材料得到金属掩膜板；
沉积一第二金属材料于所述基板以及所述金属掩膜板上；
去除金属掩膜板及所述金属掩膜板上对应的第二金属材料形成一金属线栅层于所述基板上。
2.如权利要求1所述的内置偏光片的制备方法，其特征在于，
在所述涂覆一层光阻材料并接触式曝光图案化形成光阻柱于所述基板上的步骤中，具体包括：
涂覆一层光阻材料于所述基板上形成光阻层；
将掩膜板设于所述光阻的上，所述掩膜板包括交替设置的遮挡片以及开口；
使用接触式曝光机发出光线照射所述光阻层；
滴加显影液于所述光阻层上，形成所述光阻柱。
3.如权利要求2所述的内置偏光片的制备方法，其特征在于，
所述光阻材料为负性光阻，则所述光阻柱为对应所述开口处的光阻层。
4.如权利要求2所述的内置偏光片的制备方法，其特征在于，
所述光阻材料为正性光阻，则所述光阻柱为对应所述遮挡片处的光阻层。
5.如权利要求2所述的内置偏光片的制备方法，其特征在于，
所述光阻层的厚度为0.5～1.5um；
所述遮挡片的宽度为400～600nm；
所述开口的宽度为100～300nm。
6.如权利要求1所述的内置偏光片的制备方法，其特征在于，
所述第一金属材料为钢；
所述第一金属材料的厚度为400～600nm；
所述第二金属材料的厚度为400～600nm。
7.如权利要求1所述的内置偏光片的制备方法，其特征在于，
所述金属掩膜板包括间隔设置的缺口，所述缺口的宽度为100～300nm。
8.如权利要求1所述的内置偏光片的制备方法，其特征在于，
所述沉积一第二金属材料于所述基板以及所述金属掩膜板上的步骤中，通过物理气相沉积法制备得到，所述第二金属材料包括铝。
9.如权利要求1所述的内置偏光片的制备方法，其特征在于，
所述去除金属掩膜板及所述金属掩膜板上对应的第二金属材料形成一金属线栅层于所述基板上的步骤中，
通过采用腐蚀剂去除金属掩膜板，所述金属线栅层中的线栅间隔为100～300nm。
10.一种偏光片，由权利要求1～9任一项所述内置偏光片的制备方法制备得到，其特征在于，包括：
基板；以及
金属线栅层，设于所述基板上。
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