JPS58154285A - 回折格子の製造方法 - Google Patents

回折格子の製造方法

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Publication number
JPS58154285A
JPS58154285A JP57036489A JP3648982A JPS58154285A JP S58154285 A JPS58154285 A JP S58154285A JP 57036489 A JP57036489 A JP 57036489A JP 3648982 A JP3648982 A JP 3648982A JP S58154285 A JPS58154285 A JP S58154285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resist
exposed
developed
diffraction grating
Prior art date
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Pending
Application number
JP57036489A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Uematsu
豊 植松
Hajime Okuda
肇 奥田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP57036489A priority Critical patent/JPS58154285A/ja
Publication of JPS58154285A publication Critical patent/JPS58154285A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は２０００Å前後の周期を有する回折格子を半導
体結晶表面に製造する方法に関する。
〔従来技術とその問題点〕
ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体結晶表面に微小なピ
ッチの周期的凹凸を形成した回折格子は、光集積回路の
分野において分布帰還半導体レーザ、分布反射敲半尋体
レーザ、光カプラ勢に応用されている。
この種の１！２１折格子はｊＩＡ埋的Ｃ二はホトレジス
ト技術と二光束干渉法とを用いて作られる。Ｍ１図幅二
したホトレジスト３面上に、再び所定の％４腋で一欽さ
せる。すると、ホトレジスト３＠上１：　ｔｉ　崗期的
な縦縞状の干渉縞が生成し、ホトレジスト３はこの干渉
縞の＊ｍ分布に従って感光する。次いで、微細な回折格
子を製造する際、レーザ光束１ａ、ｌｂが基板５で反射
するため、ホトレジスト３の基板近くが感光しにくくな
り、その後現像を行なっても完全にホトレジスト３が現
像されなけれはならない部分にもホトレジスト３が残っ
てしまうことか多く、その後エツチングを行なっても良
好な回ｖ１格子か製造できないことがあり、歩留まり低
下なきたしてい九〇 〔％明の目的〕 この発＃ｉは・上述した従来方法の欠点を改良するため
Ｃ二なされたもので、レーザ光束１ａ、１ｂで干渉路光
および現像した後、豊ひ例えば水銀ランプで路光および
機像し、その後エツチングすることにより、周期が２０
００ＸＩｉｕ後の回１ｒ格子を確実に基板す上感−製造
する方法を提供することを目的とする。
〔発明の歓賛〕
ランプし良好な回折格子を前記基板表面に製造すること
を４Ｉ徴とする。
〔発明の効果〕
本発明方法６二よｔｌは、い′１まで製造が困難とされ
ていた周期が２０００　Ｘ前後の回折格子を丹現性よく
基板面上に製造することが可能であり、例えは分布＃ｌ
ｊｌ＆レーザの低しきい値化など、将来の光集積回路の
分野（２及＃よす影Ｉ＊Ｉは大きい。
〔発明の実施例〕
以下この説明の実施例を厚２図（ａ）〜（ｅ）を参照し
て説明する。ます第２図（ａ）　ｌ２示すようＣ−回折
格子を瞑けようとするｎ　−ＩｎＰ基板基板面１面上６
．布したＡＺ１３５０　（シプレ社曲品名）のホトレジ
スト２２面上に波長が３２５０　ＸのＨｅ　−ＯｅＬレ
ーザの２つの光束酸二よる干渉パターンで無光した後、
現像して２０００１前後の爛期な有する回折格子をホト
レジスト２２（８）にわたって均一かつ確実に現像され
、基板２１の繕出した部分と残され九ホトレジストが交
互番−現われるようＣ二なる。その後ホトレジスト２２
をマスクとして基板２１の農出しｆＣｍ分をＨＯｊ　：
　ＣＨｇ０ＯＯＨ二Ｈ３Ｏ１＝　１　：　２　：　１の
浴液を用いて化学エッチンクシテマスクを除去すること
６二よって第２図（ｃ）に不すよう一二Ａ板２１向上Ｃ
二圓折裕子を製造する。これにより、従来例に見られた
ようなエツチングのストとしてＡＺ１３５０　（商品名
）、エッチャントと［、てＨＯｊ　：　ＣＨｓ（！ＯＯ
Ｈ：　ＨｓＯｍ　＝　１　：　２　：　１のものを用い
たが、この組み合わせに限定されるものではなく　、Ｌ
ｊａＡθ等の他の腹−ｖ族化合物半導体や、ＬｉＮｂ０
ｌ１等の酸化物、他のホトレジスト、更には他のエッチ
ャントを用いた化学エツチング、また反応性イオンエツ
チング等のドライエツチングプロセスを用いてもよい。
要するＣ：本発明の趣旨な逸脱しない範囲で種々変形冥
施することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は二光束干渉法による回折格子の製造方法の原理
を説明するための図、第２図はこの発明に係る回折格子
の製造方法の一実施例を説明するための図である。 １・・・レーザ光束　２・・・ビームスプリッター３，
２２・・・ホトレジスト　４・・・ミラー５，２１・・
・基板 特許出願人　工業技術院長　石　坂　誠　−−守　　　
　　　　　　　〜 昧　　　　　　　・・　　　　”

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 二光束干渉法及びエッチング方法を用いて基板上に周期
    構造を形成するにあたり、ホトレジストで塗布した基板
    を２つの光束による干渉パターンで無光した後現像し、
    残されたホトレジストを非干渉性光源で再度露光した後
    現像してマスクを形成し、このマスクにより前記基板表
    面をエッチングした後前記マスクを除去することを特徴
    とする回折格子の製造方法。
JP57036489A 1982-03-10 1982-03-10 回折格子の製造方法 Pending JPS58154285A (ja)

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Cited By (4)

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