KR970072022A - 노광 장치 - Google Patents

노광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970072022A
KR970072022A KR1019970013308A KR19970013308A KR970072022A KR 970072022 A KR970072022 A KR 970072022A KR 1019970013308 A KR1019970013308 A KR 1019970013308A KR 19970013308 A KR19970013308 A KR 19970013308A KR 970072022 A KR970072022 A KR 970072022A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
illuminance
optical systems
exposure
exposure apparatus
projection optical
Prior art date
Application number
KR1019970013308A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100472929B1 (ko
Inventor
게이 나라
도시오 마쯔우라
Original Assignee
고노 시게오
니콘 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고노 시게오, 니콘 코포레이션 filed Critical 고노 시게오
Publication of KR970072022A publication Critical patent/KR970072022A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100472929B1 publication Critical patent/KR100472929B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 소형이고 경량이며 간단하고 저렴하게 구성할 수 있어, 신속하게 투영 광학계의 조도를 측정하고, 조도 제어를 정확하고 확실히 실시할 수 있는 노광 장치를 제공하려는 것이다.
마스크 2상에 형성된 노광 패턴을 복수의 투영 광학계 5~9를 이용하여 감광 기판상에 동시에 노광 주사하는 노광 장치 있어서, 투영 광학계 5~9의 노광 조도를 각 광학계의 출사측에서 거의 동시에 측정할 수 있도록, 복수의 조도 센서 S1~S6을 캘리브레이션 유닛 10상에 배치하여, 캐리지의 이동 주사에 의해 조도 센서 S1~S6에 인접하는 투영 광학계 5~9의 오버랩부의 노광 조도를 측정하고, 인접하는 오버랩부의 노광 조도가 일치하도록 투영 광학계 5~9에 각각 조명광을 입사하는 조명 유닛 3a~3e의 조도를 제어한다. 그 경우, 투영 광학계 5~9의 입사측에 설치한 조도 센서 S11~S15를 이용한 페루프 제어에 의해 조도 제어를 실시한다.

Description

노광 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명에 의한 노광 장치의 구성을 도시한 설명도이다.

Claims (6)

  1. 마스크상에 형성된 노광 패턴을 복수의 광학계를 이용하여 감광 기판상에 동시에 노광 주사하는 노광 장치에 있어서, 상기 복수의 광학계 노광 조도를 광학계의 출사측에서, 거의 동시에 측정하기 위해, 복수의 조도 측정 수단을 노광 주사 기구의 소정 위치에 배치하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조도 측정 수단의 하나는, 상기 복수의 광학계 중, 적어도 인접하는 두개의 광학계의 노광 조도를 계측하도록 배치됨과 동시에, 상기 조도 측정 수단의 출력에 근거하여 상기 복수의 광학계의 조도를 제어하는 제어 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어 수단은, 서로 인접하는 광학계의 조도차가 감소하도록 상기 복수의 광학계의 조도를 제어하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제어 수단은, 서로 인접하는 광학계의 조도차가 감소하도록 상기 복수의 광학계의 조도를 제어함과 동시에, 또한 목표 조도에 대한 전체 조도의 평균치가 일치하도록 상기 복수의 광학계 조도를 제어하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제어 수단은, 조도차를 감소시키면서, 목표 조도에 대한 전체 조도의 최대치 및 최소치의 차가 최소화되도록 상기 복수의 광학계 조도를 제어하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 복수 광학계의 조명광의 입사측에서 개개의 광학계에 입사되는 조명광의 조도를 측정하는 조명광 조도 측정 수단이 설치되며, 상기 제어수단은, 상기 조도 측정 수단의 출력에 근거하여 각 광학계에 있어서 목적으로 하는 조도를 얻기 위해 제어량을 구하고, 이 제어량 및 상기 조명광조도 측정 수단의 출력에 근거하여 상기 복수 광학계의 조명 수단을 각각 구동 제어하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970013308A 1996-04-12 1997-04-10 노광장치 KR100472929B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8090660A JPH09283407A (ja) 1996-04-12 1996-04-12 露光装置
JP90660/1996 1996-04-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970072022A true KR970072022A (ko) 1997-11-07
KR100472929B1 KR100472929B1 (ko) 2005-08-29

Family

ID=14004696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970013308A KR100472929B1 (ko) 1996-04-12 1997-04-10 노광장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5985496A (ko)
JP (1) JPH09283407A (ko)
KR (1) KR100472929B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727982B2 (en) 2000-08-25 2004-04-27 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system with plural light sources, and exposure apparatus having the same

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19757074A1 (de) * 1997-12-20 1999-06-24 Zeiss Carl Fa Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren
TW447009B (en) 1999-02-12 2001-07-21 Nippon Kogaku Kk Scanning exposure method and scanning type exposure device
JP2002134393A (ja) 2000-10-24 2002-05-10 Mitsubishi Electric Corp 露光装置、露光方法およびその露光方法を用いて製造した半導体装置
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4801931B2 (ja) * 2005-05-12 2011-10-26 株式会社オーク製作所 描画装置
KR100919366B1 (ko) * 2007-12-28 2009-09-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
CN102057331A (zh) * 2008-06-09 2011-05-11 夏普株式会社 曝光装置和曝光方法
JP2010251409A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Nikon Corp 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
KR101680754B1 (ko) * 2010-02-18 2016-12-13 삼성디스플레이 주식회사 광학 헤드의 중첩 거리 결정 방법 및 이를 이용한 디지털 노광 장치
CN106773548A (zh) * 2017-01-17 2017-05-31 深圳凯世光研股份有限公司 一种直写成像曝光设备能量实时自动校正装置及方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175100A (ja) * 1991-12-19 1993-07-13 Nikon Corp 焦点位置検出装置
JP3376688B2 (ja) * 1993-10-06 2003-02-10 株式会社ニコン 露光装置、及び該装置を用いた露光方法
US5581075A (en) * 1993-10-06 1996-12-03 Nikon Corporation Multi-beam scanning projection exposure apparatus and method with beam monitoring and control for uniform exposure of large area
JP3339149B2 (ja) * 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
JP3384068B2 (ja) * 1993-12-22 2003-03-10 株式会社ニコン 走査型露光装置
JP3376690B2 (ja) * 1994-04-28 2003-02-10 株式会社ニコン 露光装置、及び該装置を用いた露光方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727982B2 (en) 2000-08-25 2004-04-27 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system with plural light sources, and exposure apparatus having the same
KR100452519B1 (ko) * 2000-08-25 2004-10-12 캐논 가부시끼가이샤 복수의 광원을 가진 조명장치와 이 조명장치를 가지는노광장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100472929B1 (ko) 2005-08-29
JPH09283407A (ja) 1997-10-31
US5985496A (en) 1999-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960002904A (ko) 투영노광장치 및 이것을 사용한 디바이스제조방법
KR950034538A (ko) 위치검출장치
EP1039509A4 (en) ALIGNER, EXPOSURE METHOD USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING CIRCUIT DEVICE
KR900008299A (ko) 조명방법 및 그 장치와 투영식 노출방법 및 그 장치
KR970072022A (ko) 노광 장치
DE59611251D1 (de) Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit radial-polarisations-drehender optischer Anordnung
DE50201578D1 (de) Optische sensorvorrichtung
JP2004363590A5 (ko)
KR970067591A (ko) 투영노광장치
JPS63193130A (ja) 光量制御装置
JPH03211813A (ja) 露光装置
KR950009901A (ko) 투영 노광 장치
KR950033694A (ko) 노광 장치 및 노광 방법
KR840005916A (ko) 프로젝션 어라이너
KR970062818A (ko) 펄스폭 신장광학계 및 이러한 광학계를 갖춘 노광장치
KR970049076A (ko) 주사형 노광장치 및 주사노광방법
KR20080015023A (ko) 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크
KR970002483A (ko) 노광 장치
DE60219404D1 (de) Beleuchtungsvorrichtung
JP2005236088A5 (ko)
KR960015000A (ko) 투영 노광 장치
KR970016824A (ko) 투영노광장치 및 방법
KR970028861A (ko) 노광장치
KR960019544A (ko) 마스크와 워크의 위치 맞춤 방법 및 장치
ATE316254T1 (de) Parallelverarbeitender optischer entfernungsmesser

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130118

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140117

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160119

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170119

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term