KR970049076A - 주사형 노광장치 및 주사노광방법 - Google Patents

주사형 노광장치 및 주사노광방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970049076A
KR970049076A KR1019960064058A KR19960064058A KR970049076A KR 970049076 A KR970049076 A KR 970049076A KR 1019960064058 A KR1019960064058 A KR 1019960064058A KR 19960064058 A KR19960064058 A KR 19960064058A KR 970049076 A KR970049076 A KR 970049076A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
optical system
projection optical
scanning exposure
amount
Prior art date
Application number
KR1019960064058A
Other languages
English (en)
Inventor
고오스케 스즈키
Original Assignee
오노 시게오
니콘 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 니콘 가부시키가이샤 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR970049076A publication Critical patent/KR970049076A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/213—Exposing with the same light pattern different positions of the same surface at the same time
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

레티클상의 패턴영역상에 설정한 이상격자상에 균등한 간격으로 계산점을 설정하고, 렌즈상의 슬릿상의 조명영역에 입사하는 광량을 인테그레이터 센서를 이용하여 측정한다. 레티클상의 패턴 존재율에 기초하여 주사방향의 위치에 따른 흡수열량을 산출하고, 그것에 기초하여 각 계산점에서의 열팽창량을 산출한다. 이 열팽창량으로부터 투영상의 배율변화를 구한다. 동시에 투영광학계 자체에 의한 투영배율의 변화도 레티클의 주사방향의 위치에 따라 산출하고, 구해진 양쪽의 배율변화를 해소하도록 배율보정기구를 거쳐 투영광학계의 투영배율을 보정한다.

Description

주사형 노광장치 및 주사노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 제1도의 레티클(R)의 열팽창에 의한 변형의 일예를 도시하는 도면.

Claims (14)

  1. 주사노광방법으로서, 마스크 및 기판을 조명광에 대하여 동기 주사하므로써 상기 마스크의 패턴의 상을 투영광학계를 거쳐 상기 기판상에 노광하는 단계와, 상기 주사노광중에 상기 마스크의 주사위치에 따라 상기 투영광학계의 결상특성을 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투영광학계의 결상특성은, 배율과 디스토션중 적어도 어느 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 결상특성의 변화는, 상기 마스크의 패턴상을 상기 기판상에 투영하기 위한 투영광학계의 렌즈 엘리먼트의 이동에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 결성특성의 변화는, 상기 마스크의 패턴상을 상기 기판상에 투영하기 위한 투영광학계내에 설치된 밀폐공간의 굴절율을 조정하는 것에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 열팽창을 고려하여 상기 투영광학계의 결상특성를 변화시키는, 상기 마스크상에서의 위치에 의해 열팽창이 다른 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 마스크에로의 입사광량에 기초하여, 상기 마스크상의 복수 위치에서 열팽창량을 구하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 구해진 열팽창량에 기초하여 상기 투영광학계의 결상특성을 변화시키는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 마스크상의 복수 위치에서의 열팽창량은, 상기 마스크상에서의 패턴의 존재율에 기초하여 구해지는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 마스크의 열팽창에 기인하는 상기 패턴상의 결상 상태의 변화량을, 상기 마스크의 주사위치에 대응시켜 구하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 투영 광학계로의 입사광량에 기초하여, 상기 투영광학계의 결상특성의 변화량을 구하는 단계를 추가로 포함하며, 상기 구해진 투영광학계의 결상 특성의 변화량을 고려하여 상기 투영광학계를 조정하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  10. 주사노광방법으로서, 마스크 및 기판을 조명광에 대해 동기 주사하므로써 상기 마스크의 패턴상을 상기 기판상에 노광하는 단계와, 상기 주사노광중에, 상기 마스크의 주사위치에 따라 상기 마스크의 상기 조명광의 광축방향의 위치 또는 상기 광축에 대한 경사를 변환시키는 것에 의해 상개 패턴상의 결상상태를 변화시키는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  11. 광원과, 상기 광원으로부터의 조명광에 대해 마스크와 기판을 동기 주사하는 주사 시스템과, 상기 마스크의 패턴상을 상기 기판상에 투영하기 위한 투영광학계 및, 주사노광중에, 상기 마스크의 주사위치에 따라 상기 투영광학계의 결상 특성을 변화시키는 조정 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 마스크에의 입사광량을 검출하는 광센서 및, 상기 검출된 입사광량에 기초하여 상기 마스크의 열팽창량을 연산하는 연산 시스템을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 조정 시스템은 상기 투영광학계의 렌즈 소자를 이동시켜 상기 투영광학계의 결상 특성를 변화시키는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 조정 시스템은 상기 투영광학계내에 설치된 밀폐공간내의 기체의 굴절율을 변환시켜 상기 투영광학계의 결상특성을 변환시키는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960064058A 1995-12-11 1996-12-11 주사형 노광장치 및 주사노광방법 KR970049076A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-321362 1995-12-11
JP7321362A JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1995-12-11 走査型露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970049076A true KR970049076A (ko) 1997-07-29

Family

ID=18131729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960064058A KR970049076A (ko) 1995-12-11 1996-12-11 주사형 노광장치 및 주사노광방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6416913B1 (ko)
JP (1) JPH09162106A (ko)
KR (1) KR970049076A (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235438B1 (en) 1997-10-07 2001-05-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
WO1999018604A1 (fr) * 1997-10-07 1999-04-15 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition par projection
KR100555467B1 (ko) * 1999-03-15 2006-03-03 삼성전자주식회사 온도 센서가 구비된 노광장치의 레티클 스테이지 및 이를 이용한 정렬 보정방법
JP3971255B2 (ja) * 2002-07-03 2007-09-05 株式会社東芝 露光量モニタ方法及び半導体デバイスの製造方法
EP2157480B1 (en) 2003-04-09 2015-05-27 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
TWI474132B (zh) 2003-10-28 2015-02-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI505329B (zh) 2004-02-06 2015-10-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7561251B2 (en) * 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2660854B1 (en) 2005-05-12 2017-06-21 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
US7830493B2 (en) * 2005-10-04 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
US8248579B2 (en) 2006-12-01 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device for correcting overlay errors between overlapping patterns
US7683351B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8237914B2 (en) 2006-12-01 2012-08-07 Asml Netherlands B.V. Process, apparatus, and device for determining intra-field correction to correct overlay errors between overlapping patterns
US7829249B2 (en) 2007-03-05 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, computer program and lithographic apparatus
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036546A1 (nl) 2008-02-26 2009-08-27 Asml Netherlands Bv Lithographic method to apply a pattern to a substrate and Lithographic Apparatus.
DE102008042356A1 (de) 2008-09-25 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
DE102012205096B3 (de) 2012-03-29 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator
DE102015209051B4 (de) * 2015-05-18 2018-08-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator sowie Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage
JP6588766B2 (ja) * 2015-08-10 2019-10-09 キヤノン株式会社 評価方法、露光方法、露光装置、プログラム、および物品の製造方法
KR102638613B1 (ko) 2017-04-12 2024-02-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 거울 어레이

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5591958A (en) 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3301153B2 (ja) 1993-04-06 2002-07-15 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法
JP3395280B2 (ja) * 1993-09-21 2003-04-07 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
US5661548A (en) * 1994-11-30 1997-08-26 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus including a changing system for changing the reference image-formation position used to generate a focus signal

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09162106A (ja) 1997-06-20
US6416913B1 (en) 2002-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970049076A (ko) 주사형 노광장치 및 주사노광방법
KR970012982A (ko) 투영노광장치
JPH03211813A (ja) 露光装置
CN102472974A (zh) 微光刻投射曝光设备以及测量有关包含在其中的光学表面的参数的方法
KR960005918A (ko) 투영광학계의 코마수차검출방법
EP1126510A4 (en) METHOD FOR ADJUSTING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
JP3521544B2 (ja) 露光装置
JP3526042B2 (ja) 投影露光装置
JP2897345B2 (ja) 投影露光装置
JPH0926554A (ja) 投影露光装置
KR970077120A (ko) 노광 조건 측정 방법
JPH0784357A (ja) 露光マスクおよび投影露光方法
US6831766B2 (en) Projection exposure apparatus using wavefront detection
KR960015096A (ko) 노광 방법 및 노광 장치
JP3551570B2 (ja) 走査型露光装置及び露光方法
KR970049073A (ko) 투영 노광 장치 및 방법
JP2008021830A (ja) 計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JPH02157844A (ja) 露光条件測定用マスク並びに該マスクを用いた露光条件測定方法及び装置
JP2001284227A (ja) 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法
KR960015753A (ko) 주사형 노광 장치
JPH06349707A (ja) 位置合わせ方法
JP4433609B2 (ja) 露光方法及び装置
JP2817779B2 (ja) 投影露光装置
JP4029134B2 (ja) 投影露光装置
JP3316694B2 (ja) 投影露光装置及び転写方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
SUBM Surrender of laid-open application requested