KR970062818A - 펄스폭 신장광학계 및 이러한 광학계를 갖춘 노광장치 - Google Patents

펄스폭 신장광학계 및 이러한 광학계를 갖춘 노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970062818A
KR970062818A KR1019960082559A KR19960082559A KR970062818A KR 970062818 A KR970062818 A KR 970062818A KR 1019960082559 A KR1019960082559 A KR 1019960082559A KR 19960082559 A KR19960082559 A KR 19960082559A KR 970062818 A KR970062818 A KR 970062818A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
light
optical system
optical paths
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019960082559A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100483981B1 (ko
Inventor
유지 구도
Original Assignee
고노 시게오
니콘 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고노 시게오, 니콘 코포레이션 filed Critical 고노 시게오
Publication of KR970062818A publication Critical patent/KR970062818A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100483981B1 publication Critical patent/KR100483981B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/42Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0057Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S372/00Coherent light generators
    • Y10S372/70Optical delay

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

펄스광의 발광시간을 의사적으로 신장하는 것에 의하여 발광시간내의 평균에너지를 저감한다.
펄스광을 복수의 광로에 따라 분할하기 위한 광분할수단과 복수의광로를 따르는 분할펄스광을 동일한 광로에 따라 합성하기 위한 광합성수단이 포함되어 있고, 동일한 광로에 따라 합성된 합성펄스광의 강도가 복수의 광로에 따라 분할되는 원 펄스광의 강도보다 실질적으로 더 작게 되도록 복수의 광로는 서로 소정의 광로차를 가진다.

Description

펄스폭 신장광학계 및 이러한 광학계를 갖춘 노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 펄스폭 신장광학계의 구성을 개략적으로 도시한 도면.

Claims (22)

  1. 펄스광의 발광시간을 의사적으로 신장하는 펄스폭 신장광학계로서, 상기 펄스광을 복수의 광로에 따라 분할하기 위한 광 분할수단과 복수의 광로에 따르는 분할펄스광을 동일한 광로에 따라 합성하기 위한 광합성수단이 포함되어 있고, 동일한 광로에 따라 합성된 합성펄스광의 강도가 복수의 광로에 따라 분할되는 원펄스광의 강도보다도 실질적으로 작게 되도록, 복수의 광로가 서로 소정의 광로차를 가지는 것을 특징으로 하는 펄스폭 신장광학계.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정의 광로차가 원펄스광의 발광시간 내에서의 발광강도가 피크강도의 1/2이상인 시간과 광 속의 적(積)보다 더 큰 것을 특징으로 하는 펄스폭 신장광학계.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 광로중 적어도 하나의 광로중에 광분할수단의 분할면과 광합성수단의 합성면을 실질적으로 공역으로 구성하기 위한 릴레이 광학계가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 펄스폭 신장광학계.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 광로가 2개의 공로로 구성되어 있고, 광분할수단과 광합성수단이 동일한 광학소자인 것을 특징으로 하는 펄스폭 신장광학계.
  5. 패턴이 형성되어 있는 마스크를 거의 균일하게 조명하기 위한 조명광학계가 포함되어 있고, 상기 마스크 위에 형성되어 있는 패턴의 상을 감광기판위에 형성하는 노광장치로서, 조명광학계에 펄스발광하는 광원과 이러한 광원으로부터의 펄스광의발광시간을 의사적으로 신장하기 위한 펄스폭 신장광학계가 제공되어 있고, 펄스폭 신장광학계에는 펄스광을 복수의 광로에 따라 분할하기 위한 광분할수단과 복수의 광로에 따르는 분할펄스광을 동일한 광로에 따라 합성하기 위한 광합성 수단이 포함되어 있고, 동일한 광로에 따라 합성된 합성펄스광의 강도가 복수의 광로에 따라 분할되는 원펄스광의 강도보다 실질적으로 더 작게 되도록, 복수의 광로가 서로 소정의 광로차를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 조명광학계에, 펄스폭 신장광학계를 거쳐 형성된 합성펄스광에 근거하여 다수의 광원상을 형성하기 위한 다광원상 형성수단과 이러한 다광원상 형성수단에 의하여 형성된 다수의 광원상으로부터의 광속을 집광하여 상기 마스크 위를 중첩적으로 조명하는 집광광학계가 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 소정의 광로차가 원펄스광의 발광시간내에서의 발광강도가 피크강도의 1/2 이상인 시간과 광 속의 적보다 더 큰 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 복수의 광로중 적어도 하나의 광로중에, 광분할수단의 분할면과 광합성 수단의 합성면을 광학적으로 공역이 되도록 구성하기 위한 릴레이 광학계가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 복수의 광로가 2개의 광로로 구성되고, 광분할수단과 광합성수단이 동일한 광학소자인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 다광원상 형성수단이 조명광학계의 광축에 따라 병렬배치되어 있는 다수의 렌즈요소들로 구성되는 플라이아이 렌즈이고, 이러한 플라이아이 렌즈의 입사면과 광합성수단의 합성면이 실질적으로 공역으로 위치가 결정되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 복수의 광로가 2개의 광로로 구성되고, 광분할수단과 광합성수단이 동일한 광학소자인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 복수의 광로가 2개의 광로로 구성되고, 광분할수단과 광합성수단이 동일한 광학소자인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 제8항에 있어서, 상기 복수의 광로가 2개의 광로로 구성되고, 광분할수단과 광합성수단이 동일한 광학소자인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  14. 제7항에 있어서, 상기 다광원상 형성수단이 조명광학계의 광축에 따라 병렬 배치되어 있는 다수의 렌즈요소들로 구성되는 플라이아이 렌즈이고, 이러한 플라이아이 렌즈의 입사면과 광합성수단의 합성면이 실질적으로 공역으로 위치가 결정되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  15. 제8항에 있어서, 상기 다광원상 형성수단이 조명광학계의 광축에 따라 병렬 배치되어 있는 다수의 렌즈요소들로 구성되는 플라이아이 렌즈이고, 이러한 플라이아이 렌즈의 입사면과 광합성수단의 합성면이 실질적으로 공역으로 위치가 결정되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  16. 제9항에 있어서, 상기 다광원상 형성수단이 조명광학계의 광축에 따라 병렬 배치되어 있는 다수의 렌즈요소들로 구성되는 플라이아이 렌즈이고, 이러한 플라이아이 렌즈의 입사면과 광합성수단의 합성면이 실질적으로 공역으로 위치가 결정되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  17. 제5항에 있어서, 상기 마스크상의 패턴을 감광성기판에 노광하는 공정이 포함되어 있는 반도체 소자의 제조방법.
  18. 제6항에 있어서, 상기 마스크상의 패턴을 감광성기판에 노광하는 공정이 포함되어 있는 반도체 소자의 제조방법.
  19. 제7항에 있어서, 상기 마스크상의 패턴을 감광성기판에 노광하는 공정이 포함되어 있는 반도체 소자의 제조방법.
  20. 제8항에 있어서, 상기 마스크상의 패턴을 감광성기판에 노광하는 공정이 포함되어 있는 반도체 소자의 제조방법.
  21. 제9항에 있어서, 상기 마스크상의 패턴을 감광성기판에 노광하는 공정이 포함되어 있는 반도체 소자의 제조방법.
  22. 제10항에 있어서, 상기 마스크상의 패턴을 감광성기판에 노광하는 공정이 포함되어 있는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960082559A 1996-02-22 1996-12-31 펄스폭신장광학계및이러한광학계를갖춘노광장치 Expired - Fee Related KR100483981B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5997096 1996-02-22
JP59970/1996 1996-02-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970062818A true KR970062818A (ko) 1997-09-12
KR100483981B1 KR100483981B1 (ko) 2005-11-11

Family

ID=26401031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960082559A Expired - Fee Related KR100483981B1 (ko) 1996-02-22 1996-12-31 펄스폭신장광학계및이러한광학계를갖춘노광장치

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6549267B1 (ko)
KR (1) KR100483981B1 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040627A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Nec Corp レーザパターン修正方法並びに修正装置
US6955956B2 (en) 2000-12-26 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4791368B2 (ja) * 2003-11-13 2011-10-12 サイマー インコーポレイテッド レーザ出力光パルスストレッチャ
US7321468B2 (en) * 2003-12-15 2008-01-22 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Method and optical arrangement for beam guiding of a light beam with beam delay
US7486707B2 (en) * 2003-12-15 2009-02-03 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Optical delay module for lenghtening the propagation path of a light beam and pulse multiplication or elongation module
US7035012B2 (en) * 2004-03-01 2006-04-25 Coherent, Inc. Optical pulse duration extender
US7432517B2 (en) 2004-11-19 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US7326948B2 (en) * 2005-08-15 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Beam modifying device, lithographic projection apparatus, method of treating a beam, and device manufacturing method
WO2007049525A1 (en) 2005-10-26 2007-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and manufacturing method of semiconductor device
WO2007132540A1 (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Osaka University パルスレーザ光のタイミング調整装置、調整方法及び光学顕微鏡
WO2007137763A2 (en) * 2006-05-26 2007-12-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure apparatus and projection exposure
DE102006032810A1 (de) * 2006-07-14 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
GB2462151A (en) * 2008-03-07 2010-02-03 Zeiss Carl Smt Ag A projection exposure tool for microlithography
NL2004483A (nl) * 2009-05-26 2010-11-30 Asml Holding Nv Pulse stretcher with reduced energy density on optical components.
DE102009047098A1 (de) * 2009-11-25 2011-05-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung zur Homogenisierung eines Laserpulses
US9164397B2 (en) * 2010-08-03 2015-10-20 Kla-Tencor Corporation Optics symmetrization for metrology
US9793673B2 (en) 2011-06-13 2017-10-17 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
JP5803027B2 (ja) * 2011-08-11 2015-11-04 株式会社ブイ・テクノロジー パルス幅拡張装置
US9151940B2 (en) 2012-12-05 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US9525265B2 (en) 2014-06-20 2016-12-20 Kla-Tencor Corporation Laser repetition rate multiplier and flat-top beam profile generators using mirrors and/or prisms
JP2018164636A (ja) 2017-03-28 2018-10-25 株式会社トーメーコーポレーション 眼科装置
CN110383175A (zh) 2017-04-26 2019-10-25 极光先进雷射株式会社 Euv光生成装置
KR102328438B1 (ko) * 2017-06-02 2021-11-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 장치
US11336071B2 (en) * 2018-01-17 2022-05-17 Lumentum Operations Llc Degradation detection for a pulsed laser
US10678037B2 (en) * 2018-07-13 2020-06-09 Trustees Of Boston University Reverberation microscopy systems and methods
CN108899744A (zh) * 2018-09-03 2018-11-27 吉林大学 一种偏振式激光脉冲展宽系统
KR102606723B1 (ko) 2019-06-20 2023-11-24 사이머 엘엘씨 출력 광 빔 형성 장치
CN114072977A (zh) 2019-08-07 2022-02-18 极光先进雷射株式会社 光学脉冲展宽器、激光装置和电子器件的制造方法
CN111025665B (zh) * 2019-12-29 2020-11-03 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种时间整形器
WO2021171516A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 ギガフォトン株式会社 パルス幅伸長装置、及び電子デバイスの製造方法
CN113131315A (zh) * 2021-04-20 2021-07-16 电子科技大学 一种光脉冲展宽方法
FR3145450A1 (fr) * 2023-01-27 2024-08-02 Bloom Lasers Dispositif de génération d’impulsions laser étirées à profil modulé

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4619508A (en) 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
JP2590510B2 (ja) 1988-02-03 1997-03-12 株式会社ニコン 照明装置
JPH01287924A (ja) 1988-03-30 1989-11-20 Hitachi Ltd コヒーレント制御露光装置
US5153773A (en) 1989-06-08 1992-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Illumination device including amplitude-division and beam movements
US5312396A (en) 1990-09-06 1994-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Pulsed laser system for the surgical removal of tissue
US5233460A (en) 1992-01-31 1993-08-03 Regents Of The University Of California Method and means for reducing speckle in coherent laser pulses
JPH0629177A (ja) 1992-07-09 1994-02-04 Nec Corp 半導体露光装置
US5315604A (en) * 1993-01-28 1994-05-24 International Business Machines Corporation Optical structure for adjusting the peak power of a laser beam
US5558667A (en) * 1994-12-14 1996-09-24 Coherent, Inc. Method and apparatus for treating vascular lesions
JP2629624B2 (ja) 1994-12-22 1997-07-09 日本電気株式会社 全光スイッチ
IL112546A (en) * 1995-02-06 1999-04-11 Oramir Semiconductor Ltd Laser pulse extender
JPH0917725A (ja) 1995-06-30 1997-01-17 Nec Corp 投影露光装置
JP3594384B2 (ja) 1995-12-08 2004-11-24 ソニー株式会社 半導体露光装置、投影露光装置及び回路パターン製造方法
US5742626A (en) * 1996-08-14 1998-04-21 Aculight Corporation Ultraviolet solid state laser, method of using same and laser surgery apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR100483981B1 (ko) 2005-11-11
US20030117601A1 (en) 2003-06-26
US6549267B1 (en) 2003-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970062818A (ko) 펄스폭 신장광학계 및 이러한 광학계를 갖춘 노광장치
KR900008299A (ko) 조명방법 및 그 장치와 투영식 노출방법 및 그 장치
KR950004373A (ko) 투영 노광장치 및 방법
DE69923376D1 (de) Projektionsbelichtungsvorrichtung mit katadioptrischem Projektionssystem
WO2002027401A3 (en) Illumination system particularly for microlithography
EP1167868A3 (en) Light projector, particularly for projecting light beams with variable dimensions and coloring
CA2149470A1 (en) Projection Display Apparatus
JPH0817223A (ja) 照明光学装置
TW200741328A (en) Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method
KR940020482A (ko) 투영 노광 방법 및 그 시스템(Projection Exposure Method and System Used Therefor)
KR950024024A (ko) 투영노광장치 및 이를 이용한 디바이스 제조방법
EP0763945A3 (en) Illumination optical system, projection optical system and display apparatus using the same
JP2005236088A5 (ko)
KR950024025A (ko) 투사 노출 장치 및 디바이스 제조방법
KR980003683A (ko) 투사형 액정 표시 장치
KR980005336A (ko) 조명장치, 노광장치 및 디바이스제조방법
KR950024538A (ko) 투사형 화상표시장치
DE60005043D1 (de) Optisches beleuchtungssystem für ein videoprojektionsgerät
KR960001904A (ko) 노광 장치
JPS559549A (en) Projector
JPS61156736A (ja) 露光装置
JPS60230629A (ja) 照明光学装置
KR950015612A (ko) 조도가 높은 환상 조명 광을 위한 환상 조명 시스템을 갖춘 얼라이너
KR950001868A (ko) 조명장치 및 동장치를 사용하는 노광장치
KR100474578B1 (ko) 노광장치와그제조방법,조명광학장치와그제조방법,노광방법,조명광학계의제조방법및반도체소자의제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19961231

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20011227

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19961231

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20040802

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20050112

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20050408

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20050411

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080331

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090326

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100323

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110318

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120322

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120322

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130321

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130321

Start annual number: 9

End annual number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20150309