KR950034505A - 코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법 - Google Patents

코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950034505A
KR950034505A KR1019950006681A KR19950006681A KR950034505A KR 950034505 A KR950034505 A KR 950034505A KR 1019950006681 A KR1019950006681 A KR 1019950006681A KR 19950006681 A KR19950006681 A KR 19950006681A KR 950034505 A KR950034505 A KR 950034505A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aluminum
processing apparatus
joining
convex portion
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1019950006681A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100277281B1 (ko
Inventor
미쓰아키 고미노
마사유키 기타무라
마코토 아오키
Original Assignee
이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP08099794A external-priority patent/JP3251762B2/ja
Priority claimed from JP8557394A external-priority patent/JPH07273053A/ja
Application filed by 이노우에 아키라, 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 filed Critical 이노우에 아키라
Publication of KR950034505A publication Critical patent/KR950034505A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100277281B1 publication Critical patent/KR100277281B1/ko

Links

Classifications

    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining
    • Y10T29/49885—Assembling or joining with coating before or during assembling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

처리장치는, 반도체 웨이퍼가 수용됨과 동시에 가스공급 및 배기가능한 처리실과, 처리실내에 수용되는 피처리체를 얹어놓은 얹어놓은대와, 처리실내에 가스를 공급하는 가스 공급계와, 처리실내를 배기하기 위한 배기계를 가지고 있다. 처리실의 내벽 및 재치대는 알루미늄계 재료로 형성되어 있고, 이들의 표면에 불소함유가스를 접촉시키므로써, 그들의 표면에 A1F3코팅이 형성된다.

Description

코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 제1실시 형태에 관계된 판(板)양식의 CVD장치를 모식적으로 나타낸 단면도, 제2도는 본 발명의 제1실시 형태에 관계된 판양식의 CVD장치의 웨이퍼 얹어놓는대를 모식적으로 나타낸 단면도, 제3도는, 본 발명의 제1실시 형태에 관계된 판양식의 CVD장치의 웨이퍼 얹어놓는대 및 정전척을 나타낸 사시도.

Claims (44)

  1. 피처리체가 수용됨과 동시에, 가스공급 및 배기가능한 처리실과, 상기 처리실내에 설치된 상기 파처리체의 처리에 사용되는 부재와, 상기 처리실내에 가스를 공급하는 가스 공급계와, 상기 처리실내를 배기하기 위한 배기계를 가지며, 상기 처리실의 내벽 또는 상기 부재중 분위기와 접하는 부재가 알루미늄계 재료로 형성되어 있고, 상기 처리실의 내벽 또는 그 중의 분위기와 접하는 부재의 표면은 불소를 함유하는 코팅층을 가지고 있는 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코팅층은 AlF3을 함유하는 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 배기계의 분위기와 접하는 부재가 알루미늄계 재료로 형성되어 있고, 그 부재의 표면은 불소를 함유하는 코팅층를 가지고 있는 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 처리실 안의 분위기와 접하는 부재는, 피처리체를 가열하는 가열수단을 포함하는 처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 처리실 안의 분위기와 접하는 부재는, 피처리체를 유지하는 피처리게 유지부재를 포함하는 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 피처리체 유지부재는, 피처리체를 얹어놓기 위한 서셉터와, 피처리체를 흡착하기 위한 정전척을 포함하는 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄계 부재는 Al2O3, AlN 및 Al로 이루어지는 군으로 부터 선택되는 적어도 1종을 함유하고 있는 처리장치.
  8. 피처리체가 수용됨과 동시에, 가스공급 및 배기가능한 처리실과, 상기 처리실내에 설치된 상기 피처리체의 처리에 사용되는 부재와, 상기 처리실내에 가스를 공급하는 가스 공급계와, 상기 처리실내를 배기하기 위한 배기계를 구비하고, 상기 처리실의 내벽 또는 상기 부재 중 분위기와 접하는 부재가 알루미늄계 재료로 형성되어 있고, 상기 처리실의 내벽 또는 그 안이 분위기와 접하는 부재의 표면에 불소 함유가스를 접촉시키므로써, 그들이 표면에 AlF3코팅이 형성되어 있는 처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 불소함유가스는, 상기 처리실 내벽 또는 그 안의 분위기와 접하는 부재의 표면에 부착한 반응생성물을 제거하기 위한 클리닝가스인 처리장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 불소함유가스는, HF, C1F3, NF3, BF3, B2F4, CF4, ClF5, N2F2, N2F4, PF3, PF5, SF4로 이루어지는 군으로 부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 처리장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 알루미늄계 부재는 Al2O3, AlN 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 있는 처리장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 처리실 중의 분위기와 접하는 부재는, 피처리체를 가열하는 가열수단을 포함하는 처리장치.
  13. 제8항에 있어서, 상기 처리실 중의 분위기와 접하는 부재는, 피처리체를 유지하는 피처리체 유지부재를 포함하는 처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 피처리체 유지부재는, 피처리체를 얹어놓기 위한 서셉터와, 피처리체를 흡착하기 위한 정전척을 함유하는 처리장치.
  15. 챔버내에 코팅될 알루미늄계 부재를 장입하는 공정과, 상기 챔버내를 소정온도로 유지한 상태에서. 챔버내에 불소함유가스를 공급하는 공정을 가지며, 상기 알루미늄계 부재와 상기 불소함유가스가 반응하여 상기 부재표면에 AlF3가 형성되는, 알루미늄계 부재의 코팅방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 불소함유가스는, HF, ClF3, NF3, BF3, B2F4, CF4, ClF5, N2F2, N2F4, PF3, PF5, SF4로 이루어지는 군으로 부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 코팅방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 알루미늄계 부재는 Al2O3, AlN 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 있는 코팅방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 챔버의 내벽이, 니켈코팅되어 있는 코팅방법.
  19. 도전성부재의 표면접합부에 볼록부를 형성하는 공정과, 상기 도전부재의 적어도 볼록부를 가지는 표면에 절연층을 형성하는 공정과, 상기 볼록부 표면의 상기 절연층의 일부를 제거하는 공정과, 상기 제거된 볼록부표면에 피접합부재를 접합하는 공정을 구비하는 접합부의 형성방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 도전성 부재는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  21. 제19항에 있어서. 상기 절연층은 Al2O3또는 AlF3로 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  22. 제19항에 있어서, 상기 볼록부의 높이는 30~200㎛의 범위인 접합부의 형성방법.
  23. 제19항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 31~200㎛의 범위인 접합부의 형성방법.
  24. 제19항에 있어서, 상기 볼록부는, 상기 부재의 접합부측의 면의 거의 중앙에 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  25. 도전성부재의 표면에 볼록부를 형성하는 공정과, 그 부재의 표면에 상기 볼록부를 덮는 두께의 절연층을 형성하는 공정과, 상기 볼록부는 표면이 적어도 노출하는 상태가 되도록 상기 절연층과 상기 볼록부를 연마하여 상기 부재의 접합부측의 면을 거울면화하는 공정을 구비하는 접합부의 형성방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 도전성부재는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  27. 제25항에 있어서. Al2O3또는 AlF3로 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 볼록부의 높이는 30~200㎛의 범위인 접합부의 형성방법.
  29. 제25항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 31~200㎛의 범위인 접합부의 형성방법.
  30. 제25항에 있어서, 상기 볼록부는, 상기 부재의 접합부측의 면의 거의 중앙에 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  31. 제25항에 있어서, 상기 거울면화에 의해, 표면 거칠기가 Rmax로 20㎛이하가되는 접합부의 형성방법.
  32. 피처리제를 감압하는 분위기에서 처리하는 처리장치는 구성부재끼리를 전기적으로 도통시키기 위한 부재의 접합방법으로서, 상기 부재중 적어도 한 쪽의 접합부에 볼록부를 형성하는 공정과, 이들의 부재의 접합부 측면에 절연층을 형성하는 공정과, 상기 볼록부표면의 상기 절연층을 제거하는 공정과, 이 공정으로 노출한 볼록부표면에 피접합부재를 접촉시키는 공정을 구비하는 부재의 접합방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 부재는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  34. 제32항에 있어서. 상기 절연층은 A12O3또는 A1F3로 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  35. 제32항에 있어서, 상기 볼록부의 높이는 30~200㎛의 범위인 접합부의 형성방법.
  36. 제32항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 31~200㎛의 범위인 접합부의 형성방법.
  37. 제32항에 있어서, 상기 볼록부는, 상기 부재의 접합부측의 면의 거의 중앙에 형성되어 있는 접합부의 형성방법.
  38. 피처리제를 감압하는 분위기에서 처리하는 처리장치는 구성부재끼리를 전기적으로 도통시키기 위한 부재의 접합방법으로서, 각각의 부재의 접합부측면에 블록부를 형성하는 공정과, 이들의 부재의 접합부 측면에 상기 볼록부를 덮어 두께의 절연층을 형성하는 공정과, 상기 볼록부의 표면까지 상기 절연층을 연마하고 또한 상기 절연층과 상기 볼록부를 동시에 연마하고, 상기 부재의 접합부측면을 거울면 마무리하는 공정과, 각각의 부재의 볼록부를 접촉시키는 공정을 구비하는 부재의 접합방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 부재는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되어 있는 부재의 접합방법.
  40. 제38항에 있어서, 상기 절연층은 Al2O3또는 AlF3로 형성되어 있는 부재의 접합방법.
  41. 제38항에 있어서, 상기 볼록부의 높이는 30~200㎛의 범위인 부재의 접합방법.
  42. 제38항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 31~200㎛의 범위인 부재의 접합방법.
  43. 제38항에 있어서, 상기 볼록부는, 상기 부재의 접합부측의 면의 거의 중앙에 형성되어 있는 부재의 형성방법.
  44. 제38항에 있어서, 상기 거울면화에 의해, 표면 거칠기가 Rmax로 20㎛이하가 되는 부재의 접합방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950006681A 1994-03-28 1995-03-28 코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법 KR100277281B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-80997 1994-03-28
JP08099794A JP3251762B2 (ja) 1994-03-28 1994-03-28 接合部の形成方法及び処理装置の部材間の接合方法
JP8557394A JPH07273053A (ja) 1994-03-31 1994-03-31 処理装置及びアルミ系部材のコーティング方法
JP94-85573 1994-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950034505A true KR950034505A (ko) 1995-12-28
KR100277281B1 KR100277281B1 (ko) 2001-01-15

Family

ID=26421960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950006681A KR100277281B1 (ko) 1994-03-28 1995-03-28 코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5581874A (ko)
KR (1) KR100277281B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000035285A (ko) * 1998-11-06 2000-06-26 미다라이 후지오 시료의 처리시스템
KR100321613B1 (ko) * 1999-09-15 2002-01-31 권문구 금속표면에 불소화합물을 포함하는 다층 이온도금 방법

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09172001A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
US5761023A (en) * 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US5835334A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
US5886864A (en) * 1996-12-02 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Substrate support member for uniform heating of a substrate
JP3160229B2 (ja) * 1997-06-06 2001-04-25 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法
US5978202A (en) * 1997-06-27 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a thermal transfer regulator pad
JPH1154496A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
WO1999048138A1 (en) * 1998-03-18 1999-09-23 Applied Materials, Inc. Large area uniform laminar gas flow dispenser
US6081414A (en) * 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
US5886866A (en) * 1998-07-06 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing
US6182603B1 (en) * 1998-07-13 2001-02-06 Applied Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
JP3453069B2 (ja) * 1998-08-20 2003-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板温調装置
US6639783B1 (en) * 1998-09-08 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Multi-layer ceramic electrostatic chuck with integrated channel
US6094334A (en) * 1999-03-02 2000-07-25 Applied Materials, Inc. Polymer chuck with heater and method of manufacture
JP3911902B2 (ja) * 1999-04-16 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び金属部品の表面処理方法
US6310755B1 (en) 1999-05-07 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having gas cavity and method
US6490146B2 (en) 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6490144B1 (en) 1999-11-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Support for supporting a substrate in a process chamber
US6328807B1 (en) * 1999-12-14 2001-12-11 Corning Incorporated Chuck heater for improved planar deposition process
US6494955B1 (en) 2000-02-15 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US6461435B1 (en) 2000-06-22 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Showerhead with reduced contact area
US7479456B2 (en) 2004-08-26 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
JP4009100B2 (ja) * 2000-12-28 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
TWI272689B (en) * 2001-02-16 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for transferring heat from a substrate to a chuck
JP2002313781A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板処理装置
JP4720019B2 (ja) * 2001-05-18 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 冷却機構及び処理装置
US20050059250A1 (en) * 2001-06-21 2005-03-17 Savas Stephen Edward Fast etching system and process for organic materials
US6838387B1 (en) * 2001-06-21 2005-01-04 John Zajac Fast etching system and process
JP4041797B2 (ja) * 2001-06-28 2008-01-30 ポラック ラボラトリーズ インコーポレイテッド 内蔵型センサ装置
JP2003060019A (ja) * 2001-08-13 2003-02-28 Hitachi Ltd ウエハステージ
US6538872B1 (en) 2001-11-05 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having heater and method
KR100588774B1 (ko) * 2001-11-26 2006-06-14 주성엔지니어링(주) 웨이퍼 서셉터
AU2002353039A1 (en) * 2001-12-04 2003-06-17 Primaxx, Inc. System and method for micro electro mechanical etching
US6828241B2 (en) * 2002-01-07 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Efficient cleaning by secondary in-situ activation of etch precursor from remote plasma source
US6730175B2 (en) 2002-01-22 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US6632325B2 (en) * 2002-02-07 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same
JP4067858B2 (ja) * 2002-04-16 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 Ａｌｄ成膜装置およびａｌｄ成膜方法
US20040027781A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Hiroji Hanawa Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling
US20040187787A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Dawson Keith E. Substrate support having temperature controlled substrate support surface
US8372205B2 (en) * 2003-05-09 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
US20040221959A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Anodized substrate support
US20050082002A1 (en) * 2003-08-29 2005-04-21 Yuusuke Sato Method of cleaning a film-forming apparatus and film-forming apparatus
US7697260B2 (en) 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
JP3913244B2 (ja) * 2004-10-21 2007-05-09 松下電器産業株式会社 基板処理方法
KR100799703B1 (ko) 2005-10-31 2008-02-01 삼성전자주식회사 막 형성 방법 및 반응 부산물의 제거 방법
US8173228B2 (en) * 2006-01-27 2012-05-08 Applied Materials, Inc. Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US7892978B2 (en) 2006-07-10 2011-02-22 Micron Technology, Inc. Electron induced chemical etching for device level diagnosis
US7807062B2 (en) * 2006-07-10 2010-10-05 Micron Technology, Inc. Electron induced chemical etching and deposition for local circuit repair
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US7589950B2 (en) * 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US20080131622A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 White John M Plasma reactor substrate mounting surface texturing
US8673080B2 (en) 2007-10-16 2014-03-18 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
WO2009098784A1 (ja) * 2008-02-06 2009-08-13 Youtec Co., Ltd. プラズマｃｖｄ装置、プラズマｃｖｄ方法及び攪拌装置
US20110097488A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including mirrored finish plate
JP5416570B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-12 住友電気工業株式会社 加熱冷却デバイスおよびそれを搭載した装置
US8597448B2 (en) 2009-12-29 2013-12-03 Novellus Systems, Inc. Electrostatic chucks and methods for refurbishing same
KR101843609B1 (ko) 2011-03-04 2018-05-14 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 하이브리드 세라믹 샤워헤드
US10741365B2 (en) * 2014-05-05 2020-08-11 Lam Research Corporation Low volume showerhead with porous baffle
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
US10818479B2 (en) * 2017-11-12 2020-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Grounding cap module, gas injection device and etching apparatus
JP7413112B2 (ja) * 2020-03-24 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
JPS6131636U (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 株式会社 徳田製作所 静電チヤツク
JPS6355939A (ja) * 1986-08-27 1988-03-10 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
JPS63192867A (ja) * 1987-02-06 1988-08-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 金属皮膜方法
JP2580154B2 (ja) * 1987-03-23 1997-02-12 三菱重工業株式会社 金属の積層コ−テイング膜
JPH0273981A (ja) * 1988-09-09 1990-03-13 Hitachi Ltd エッチング装置
US5179498A (en) * 1990-05-17 1993-01-12 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck device
US5255153A (en) * 1990-07-20 1993-10-19 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck and plasma apparatus equipped therewith
US5099571A (en) * 1990-09-07 1992-03-31 International Business Machines Corporation Method for fabricating a split-ring electrostatic chuck
US5055964A (en) * 1990-09-07 1991-10-08 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck having tapered electrodes
JPH04285173A (ja) * 1991-03-15 1992-10-09 Canon Inc 窓曇り除去機構を備えた光励起プロセス装置
US5213349A (en) * 1991-12-18 1993-05-25 Elliott Joe C Electrostatic chuck
US5463525A (en) * 1993-12-20 1995-10-31 International Business Machines Corporation Guard ring electrostatic chuck
US5452510A (en) * 1993-12-20 1995-09-26 International Business Machines Corporation Method of making an electrostatic chuck with oxide insulator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000035285A (ko) * 1998-11-06 2000-06-26 미다라이 후지오 시료의 처리시스템
KR100321613B1 (ko) * 1999-09-15 2002-01-31 권문구 금속표면에 불소화합물을 포함하는 다층 이온도금 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5581874A (en) 1996-12-10
KR100277281B1 (ko) 2001-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950034505A (ko) 코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법
JPS6056431B2 (ja) プラズマエツチング装置
US20060112970A1 (en) Electrostatic chuck cleaning method
JPH0384919A (ja) 半導体基板の接着方法及び接着装置
GB2334462A (en) Chucks and methods for positioning multiple objects on a substrate
EP0887853A3 (en) Electrostatic chucks for holding substrates in process chambers
EP0301567A3 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Materialien
EP1111661A3 (en) High temperature electrostatic chuck
KR970067593A (ko) 기판처리장치
TW368699B (en) Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing device for semiconductor
KR101467599B1 (ko) 본딩된 실리콘 전극의 세정
JPH08293539A (ja) 半導体製造方法および装置
JPH10256358A (ja) ウエハー吸着装置およびその製造方法
JP2002134481A (ja) 真空処理装置用部材
KR20180098339A (ko) 진공 코팅 공정에서 커버 유리 기판의 정전 척킹
ATE454601T1 (de) Umfangsdichtung zur rückseitenkühlung von substraten
US6217667B1 (en) Method for cleaning copper surfaces
US20050042483A1 (en) Ceramic article having corrosion-resistant layer, semiconductor processing apparatus incorporating same, and method for forming same
KR19990083225A (ko) 내식성 세라믹 부재
WO2003019239A3 (en) Method and apparatus for an encased optical article
DE60212992D1 (de) Verbindungssystem zum befestigen von halbleiterplatten sowie verfahren zur herstellung von halbleiterplatten
GB2375432A (en) Electrostatic clamping
JPH10107130A (ja) ウエハ保持具
JPH10261697A (ja) 静電チャック
US7060622B2 (en) Method of forming dummy wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050926

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee