KR20000035285A - 시료의 처리시스템 - Google Patents

시료의 처리시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20000035285A
KR20000035285A KR1019990049122A KR19990049122A KR20000035285A KR 20000035285 A KR20000035285 A KR 20000035285A KR 1019990049122 A KR1019990049122 A KR 1019990049122A KR 19990049122 A KR19990049122 A KR 19990049122A KR 20000035285 A KR20000035285 A KR 20000035285A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
processing system
sample
separation
Prior art date
Application number
KR1019990049122A
Other languages
English (en)
Inventor
야나기타카즈타카
오오미카즈아키
사카구치키요후미
Original Assignee
미다라이 후지오
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미다라이 후지오, 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 미다라이 후지오
Publication of KR20000035285A publication Critical patent/KR20000035285A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은, SOI기판을 제조하기 위해 적절한 처리시스템을 제공하는 것이다. 이 처리시스템(6000)은 반전장치(6130), 심출장치(6120), 세정/건조장치(6110), 로더(6070), 제 1언로더(6080), 제 2언로더(6090), 제 3언로더(6100), 분리장치(6020)를 포함한다. 또한, 이 처리시스템(6000)은 로보트팔(6152)을 수평면에서 수평구동축(6160)을 따라서 직선적으로 이동시키고, 회동축(6151)을 중심으로 로보트팔을 회전시키고, 로보트팔(6152)을 회동축(6151)으로부터 멀리 또는 가까이 이동시켜서 복수의 처리장치 사이에서 접합된 기판스택(50)이나 분리된 기판을 반송하는 반송기구를 가진다. 복수의 처리장치는 반송기구가 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 인도할 수 있는 위치에 배치되어 있다.

Description

시료의 처리시스템{SAMPLE PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 시료처리시스템에 관한 것이고, 더욱 구체적으로 시료를 처리하는 복수의 처리장치를 포함한 처리시스템에 관한 것이다.
절연층상에 단결정Si층을 가진 기판으로서 SOI(Silicon On Insulator)구조를 가진 기판(SOI기판)이 알려져 있다. 이 SOI기판을 사용한 디바이스는 통상의 Si기판에 의해서 달성할 수 없는 많은 이점을 가진다. 이점의 예는 다음과 같다.
(1) 유전체분리가 용이하기 때문에 집적도를 증가시킬 수 있다.
(2) 방사선내성을 증가시킬 수 있다.
(3) 부유용량이 작기 때문에 디바이스의 동작속도를 증가시킬 수 있다.
(4) 웰공정이 불필요하다.
(5) 래치업을 방지할 수 있다.
(6) 박막화에 의해 완전한 공핍형 전해효과 트랜지스터를 형성할 수 있다.
SOI구조는 상기 다양한 우위점을 가지기 때문에, 수십년동안 그 형성방법에 관한 연구가 진행되었다.
하나의 SOI기술로서, 단결정사파이어 기판상에 Si를 CVD(화학기층성장, chemical Vapor Deposition)법에 의해 헤테로에피택셜성장시켜서 형성하는 SOS(Silion On sapphire)기술이 장기간 알려져 있었다. 이 SOS기술은 최고 성숙한 SOS기술로서, 일응의 평가를 얻었다. 그러나, SOS기술은 Si층과 밑바닥의 사파이어기판의 계면에 격자부정합에 의해 대량의 결정결함이 발생하고, 사파이어기판을 구성하는 알루미늄이 Si층으로 혼입하고 기판이 고가이고, 대면적화로의 늦음 등의 이유에 의해 실용화가 진행되지 않았다.
SOS기술에 이어서 각종 SOI기술이 등장하였다. 이들 SOI기술에 관해서, 결정결함의 저감이나 제조비용의 저감 등을 목적으로 다양한 방법이 시험되었다. 이 방법은 기판에 산소이온을 주입해서 매립산화층을 형성하는 방법, 산화막을 끼워서 2매의 웨이퍼를 접합시켜 한쪽의 웨이퍼를 연마 또는 에칭해서 얇은 단결정Si층을 산화막상에 남기는 방법 또는 산화막이 형성된 Si기판의 표면으로부터 소정의 깊이에 산소이온을 주입하고 다른쪽의 기판과 접합시킨 후에 가열처리 등에 의해서, 이 산화막상에 얇은 단결정Si층을 남겨서 접합된 기판(다른쪽의 기판)을 박리하는 방법 등을 포함한다.
본 출원인은 일본국 특개평 5-21338호에서 새로운 SOI기술을 개시하였다. 이 기술은 다공질층이 형성된 단결정반도체기판상에 비다공질 단결정층(단결정Si층을 포함한다)을 형성한 제 1기판을, 절연층을 개재해서 제 2기판에 접합시킨다. 그후에 다공질층에 의해 양기판을 분리하고, 제 2기판에 비다공질단결정층을 이동시킨다. 이 기술은 SOI층의 막두께 균일성이 우수하고, SOI층내의 결정결함밀도를 감소시킬 수 있고, SOI층의 표면평탄성이 양호하고, 고가의 특수사양의 제조장치가 불필요하고, 수백Å∼10㎛정도의 범위의 SOI막을 가진 SOI기판을 동일한 제조장치에서 제조가능한 것등의 이점이 있다.
또한, 본 출원인은 일본국 특개평 7-302889호에서 상기의 제 1기판과 제 2기판을 접합시킨 후에 제 1기판을 파손하는 일없이 제 2기판을 분리하고, 그후에 분리된 제 1기판의 표면을 평활하게 해서 다시 다공질층을 형성하고, 이것을 재이용하는 기술을 개시하였다. 이 기술은 제 1기판을 버리지 않기 때문에 제조비용을 대폭적으로 저감할 수 있고, 제조공정도 단순하게 할 수 있는 이점을 가진다.
본 출원인에 의해 제안된 SOI기판의 제조방법에 따르면, 양질의 SOI기판을 제조할 수 있다. 그러나, SOI기판을 양산하기 위해서는 예를 들면, 일연의 처리를 고속화할 필요가 있다.
본 발명은, 상기의 배경을 고려해서 이루어져 있고, 예를 들면 SOI기판의 제조 등에 적절한 처리시스템을 제공하는 것이다.
도 1(a) 내지 도 1(e)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 SOI기판의 제조시의 공정을 설명하는 단면도
도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 처리시스템의 개략적인 구성을 표시하는 평면도
도 3은 본 발명의 제 2실시예에 따른 처리시스템의 개략적인 구성을 표시하는 평면도
도 4는 제 1실시예에 따른 처리시스템에 있어서, 스칼라로보트에 의해 접합된 기판스택이나 분리된 기판의 반송처리 및 장치의 처리의 실행수순의 일예를 표시하는 도면
도 5는 제 2실시예에 따른 처리시스템에 있어서, 스칼라로보트에 의해 접합된 기판스택이나 분리된 기판의 반송처리 및 장치의 처리의 실행수순의 일예를 표시하는 도면
도 6은 처리시스템에서 하나의 접합된 기판스택의 처리수순을 설명하는 플로우차트
도 7은 분리장치의 제 1구성예를 표시하는 개략도
도 8은 도 7에 표시된 기판유지부의 외관을 개략적으로 표시하는 도면
도 9는 분리장치의 제 2구성예를 표시하는 개략도
도 10은 도 9에 표시된 분리장치의 일부를 표시하는 도면
도 11은 분리장치의 제 3구성예를 표시하는 개략단면도
도 12는 분리장치의 제 3구성예를 표시하는 개략단면도
도 13은 분리장치의 제 4구성예를 표시하는 개략도
도 14(a)와 도 14(b)는 스칼라로보트의 로보트팔의 다른 구조를 표시하는 도면
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
10: 제 1기판 11: 단결정Si기판
12: 다공질Si층 13: 비다공질단결정Si층
15: 절연층 20: 제 2기판
50: 접합된 기판 1000: 분리장치
110: 모터 120: 지지부재
130: 커플링 140: 회전축
141: 진공라인 150: 링
170: 상단부 240: 하단부
250: 모터 270: 기판유지부
270a: 변동방지부재 271: 흡인구멍
310: 각부재 320: 에어실린더
330: 커플링 1010: 기판유지부
1010a: 변동방지부재 1011: 도입부
1013: 베르누이척 1020: 회전축
1021: 압력라인 1022: 링
1030: 왕복/회전가이드 1900: 분리장치
1901: 기판유지부 1902: 흡인구멍
1903: 지지부 1904: 회전축
1905: 시일부재 1906: 베어링
1907: 진공라인 1908: 링
1909: 기판유지부 1910: 구동축
1911: 변동방지부재 1912: 지지부
1913: 변동방지부재 1914: 흡인구멍
1920: 지지대 1921: 노즐
1922: 셔터 1930: 구동기구
4000: 분리장치 4001: 기판지지부재
4002: 시일부재 4003: 힌지부
4004: 기판지지부재 4005: 시일부재
4006: 주입부 4007: 록기구
4008: 시일부재 4009: 지지부
4010: 에어실린더 4011: 펌프
5000: 분리장치 5001: 밀폐용기
5002: 밀폐덮개 5004: 진동원
5006: 배출구 5007: 밸브
5008: 주입구 5009: 밸브
5010: 펌프 5011: 지지부재
6000: 처리시스템 6010: 챔버
6020: 제 1분리장치 6030: 셔터
6040: 노즐 6050: 직교로보트
6060: 셔터 6070: 로더
6071: 제 1카세트 6080: 제 1언로더
6081: 제 2카세트 6090: 제 2언로더
6091: 제 3카세트 6100: 제 3언로더
6101: 제 4카세트 6110: 세정/건조장치
6120: 심출장치 6130: 반전장치
6140: 조작패널 6150: 스칼라로보트
6151: 회전축 6152: 로보트팔
6160: 수평구동축 6310: 챔버
6320: 제 2분리장치 6330: 셔터
6340: 노즐 6350: 직교로보트
6500: 처리시스템 9002: 유지부
9003: 유지부 9004: 로보트팔의 본체
본 발명에 따르면, 시료를 처리하는 처리시스템은 시료를 취급 또는 처리하기 위한 복수의 처리장치와, 시료를 유지하는 유지부를 가지고, 상기 유지부를 수평면내에서 직선적으로 이동시키는 동시에 회동축을 중심으로 회전시키고 상기 유지부를 상기 회동축에서 멀어지거나 가까워지게하여, 상기 복수의 처리장치 사이에서 시료를 반송하는 반송기구를 구비하고, 상기 복수의 처리장치는, 상기 반송기구가 시료를 전달할 수 있는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 처리시스템에 있어서, 예를 들면, 상기 복수의 처리장치는 상기 회동축의 이동가능한 범위에서 대략 등거리의 위치에 바람직하게 배치되어 있다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 반송장치는 예를 들면 수평구동축을 가지고, 상기 수평구동축에 따라서 상기 유지부를 이동시키는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 복수의 처리장치의 일부처리장치는 예를 들면 상기 수평구동축의 한쪽에서 상기 수평구동축과 대략 평행한 선상에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 복수의 처리장치의 나머지 처리장치는 예를 들면, 상기 수평구동축의 다른쪽에서 상기 수평구동축과 대략 평행한 선상에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 복수의 처리장치의 나머지처리장치의 일부처리장치는 예를 들면 상기 수평구동축의 일단부 및/또는 타단부로부터 소정거리의 위치에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 수평구동축의 한쪽에 배치된 처리장치는 시료를 조작하고 또는 시료에 물리적 혹은 화학적 처리를 실시하는 처리장치를 구비하고, 상기 수평구동축의 다른쪽에 배치된 처리장치는 시료를 취급하기 위한 로더 또는 언로더를 구비하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 예를 들면 상기 수평구동축의 한쪽에 배치된 처리장치 및 상기 수평구동축의 일단부 및/또는 타단부에 배치된 처리장치는 시료를 조작하고 또는 물리적 혹은 화학적 처리를 실시하기 위한 처리장치를 구비하고, 상기 수평구동축의 다른쪽에 배치된 처리장치는 시료를 취급하기 위한 로더 또는 언로더를 구비하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 예를 들면 처리대상의 시료는 판형상의 시료이고, 상기 반송기구는 유지부에 의해서 판형상의 시료를 대략 수평으로 유지해서 반송하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 예를 들면 상기 복수의 처리장치의 각각은 상기 반송기구의 유지부사이에서 시료를 대략 수평한 상태로 전달하고 받는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 예를 들면, 처리대상의 판형상의 시료는 분리층을 가지고, 복수의 처리장치는 분리층에서 판형상의 시료를 분리하는 적어도 하나의 분리장치를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 분리장치는 예를 들면 시료를 수평으로 유지하면서 판형상의 시료를 분리하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 분리장치는 예를 들면 판형상의 시료를 수평으로 유지하면서 분리층에 유체의 흐름을 분사하여 분리층에서 판형상의 시료를 분리하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서 상기 분리장치는 예를 들면 판형상의 시료를 수평으로 유지하고 회전시키면서 분리층에 유체의 흐름을 분사하여, 분리층에서 판형상의 시료를 분리하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 분리장치는 예를 들면 판형상의 시료를 상하에서 샌드위치하여 시료를 유지하면서 판형상의 시료를 분리하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 분리장치는 예를 들면 판형상의 시료를 유지하는 유지기구로서 베르누이척을 가지는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 분리장치는 예를 들면, 판형상의 시료의 분리층의 적어도 일부에 대해서 실질적으로 정지한 유체에 의한 압력을 인가하여 판형상의 시료를 분리층에서 분리하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 분리장치는 예를 들면 밀폐용기를 가지고, 판형상의 시료를 밀폐용기내에 수납하고, 밀폐용기내의 압력을 증가시켜서 판형상의 시료를 분리층에서 분리하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 복수의 처리장치는 예를 들면 분리장치에 의한 분리에 의해서 얻어진 판형상의 시료를 세정하는 세정장치를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 세정장치는 예를 들면, 상기 분리장치에 의한 분리에 의해서 얻어진 판형상의 시료를 수평한 상태에서 세정하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서 상기 복수의 처리장치는 예를 들면, 상기 분리장치에 의한 분리에 의해 얻어진 판형상의 시료를 세정하고 건조시키는 세정/건조장치를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 세정/건조장치는 예를 들면 분리장치에 의한 분리에 의해서 얻어진 판형상의 시료를 수평한 상태에서 세정하고 건조하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 복수의 처리장치를 예를 들면 상기 분리장치의 의한 분리에 얻어진 2매의 판형상의 시료중 윗쪽의 판형상의 시료를 180°회전시키는 반전장치를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 예를 들면 상기 복수의 처리장치는 처리를 병행해서 실시하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 반송기구는 예를 들면 스칼라로보트와 이 스칼라로보트를 수평면내에서 직선상으로 구동하는 구동기구를 구비하는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 분리층을 취약한 구조를 가진 층인 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 취약한 구조를 가진 층을 예를 들면 다공질층인 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 취약한 구조를 가진 층은 예를 들면 미소기포층인 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 처리대상의 판형상의 시료는 예를 들면 반도체기판인 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 처리대상의 판형상의 시료는 예를 들면, 제 1기판과 제 2기판을 접합해서 형성되고, 분리층으로서 취약한 구조를 가진 층을 가지는 것이 바람직하다.
상기 처리시스템에 있어서, 상기 처리대상의 판형상의 시료는 예를 들면 제 1반도체기판의 표면에 다공질층을 형성하고 이 다공질층 위에 비다공질층을 형성하고, 이 비다공질층에 제 2기판을 접합해서 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 목적, 구성, 효과는 첨부도면을 참조해서 본 발명의 실시예의 다음의 상세한 설명에서 명백해 질 것이다.
이하 첨부도면을 참조해서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1(a) 내지 도 1(e)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 SOI기판의 제조방법을 공정순으로 설명하는 단면도이다.
도 1(a)에 표시된 공정에서는 단결정Si기판(11)을 준비해서 이 단결정Si기판(11)의 표면상에 예를 들면 양극화성 등에 의해 다공질Si층(12)을 형성한다. 도 1(b)에 표시된 공정에서는 다공질Si층(12)상에 비다공질단결정Si층(13)을 에피택셜성장법에 의해 형성한다. 이 비다공질단결정Si층(13)상에 절연층(예를 들면 SiO2층)(15)을 형성한다. 이 처리에 의해 제 1기판(10)이 형성된다.
도 1(c)에 표시된 공정에서는 제 2기판(20)을 준비하고, 절연층(15)이 면하도록해서 제 1기판(10)과 제 2기판(20)을 실온에서 밀착시킨다. 이후에 양극접합, 가압 혹은 열처리 또는 이들을 조합한 처리에 의해 제 1기판(10)과 제 2기판(20)을 접합시킨다. 절연층(15)과 제2 기판(20)이 확실하게 결합되어 접합된 기판스택(50)을 형성한다. 절연층(15)은 상기 언급한 바와 같이 비다공질단결정Si층(13)상에 형성될 수 있다. 또한, 절연층(15)은 제 2기판(20)상이나 단결정Si층(13) 및 제 2기판(20)의 양쪽에 형성될 수 있고, 결과적으로, 제 1기판과 제 2기판을 서로 밀착시켜서 도 1(c)에 표시한 상태를 얻을 수 있다.
도 1(d)에 표시한 상태에 있어서, 접합된 2매의 기판은 다공질Si층(12)에서 분리된다. 제 2기판쪽(10"+20)은 다공질Si층(12")/단결정Si층(13)/절연층(15)/단결정Si기판(20)의 다층구조를 가진다. 제 1기판쪽(10')은 단결정Si기판(11)상에 다공질Si층(12')이 형성되어 있는 구조를 가진다.
잔류한 다공질Si층(12')을 제거하고, 다공질Si층(12')의 표면을 필요에 따라서 평탄화한 후에, 분리된 기판(10')은 다시 제 1기판(10)을 형성하기 위한 단결정Si기판(11)으로 사용된다.
접합된 기판스택이 분리된 후에, 도 1(e)에 표시된 공정에 있어서, 제 2기판쪽(10"+20)의 표면상에서 다공질층(12")은 선택적으로 제거된다. 이 공정에 의해서, 단결정Si층(13)/절연층(15)/단결정Si기판(20)의 다층구조를 가진 기판, 즉 SOI기판을 얻는다.
제 2기판으로서는 예를 들면 단결정Si기판 외에 절연기판(예를 들면, 석영기판)이나 광투과성기판(예를 들면, 석영기판)을 사용할 수 있다.
상기 제조공정에서는 2매의 기판을 접합시키고, 이들을 분리하는 처리(도 1(d)참조)를 용이하게 하기 위하여 취약한 구조를 가진 다공질Si층(12)을 분리영역에 형성한다. 예를 들면 다공질층 대신에, 미소기포층을 형성할 수 있다. 미소기포층은 예를 들면 반도체기판에 이온을 주입하여 형성될 수 있다.
이하, 상기 SOI기판 등의 제조공정에서 접합된 기판스택의 분리공정(도 1(d)참조)에 적합한 처리시스템에 대해서 설명한다.
(제 1실시예)
도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 처리시스템의 개략적인 구성을 표시하는 평면도이다. 처리시스템(6000)에 있어서, 접합된 기판스택은 카세트로부터 취출해서 분리하고, 분리된 기판스택은 세정하고 건조해서, 분류하여 카세트에 수납한다.
이 처리시스템(6000)은 접합된 기판스택의 반송기구로서, 스칼라로보트(6150)와 이 스칼라로보트(6150)를 직선적으로 구동시키는 수평구동축(6160)을 가진다. 이 처리시스템(6000)에 있어서, 스칼라로보트(6150)는 수평구동축(6160)을 따라서 직선적으로 이동하는 동시에 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)은 수평면에서 회동축(6151)을 중심으로 회동되어, 로보트팔(6152)을 회동축(6151)에서 멀리 또는 가까이 함으로써 장치들 사이에서 접합된 기판스택 또는 분리된 기판을 반송시킨다.
이 처리시스템(6000)은 접합된 기판스택이나 분리된 기판이 장치들과 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)사이의 운반 될 수 있는 위치에서 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 취급하거나 처리하기 위한 각종 처리장치를 가진다. 이들 처리장치는 스칼라로보트(6150)가 이동할 수 있는 위치에서 분리된 대략 등거리위치에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
더 구체적으로, 이 실시예에 있어서, 이 처리시스템(6000)은 수평구동축(6160)으로부터 분리된 대략 등거리의 위치에서 수평구동축(6160)의 한쪽에서 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 조작하거나, 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 화학적이나 물리적으로 처리하는 처리장치로서, 반전장치(6130), 심출장치(6120), 세정/건조장치(6110)를 가진다. 이 실시예에 있어서, 이 처리시스템(6000)은 수평구동축(6160)으로부터 분리된 대략 등거리의 위치에서 수평구동축(6160)의 다른쪽에서 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 취급하는 처리장치로서, 로더(6070), 제 1언로더(6080), 제 2언로더(6090), 제 3언로더(6100)를 가진다. 본 실시예에 있어서, 분리장치(6020)는 수평구동축(6160)의 일단부에서 소정거리만큼 분리된 위치에 배치되어 있다.
처리전에 로더(6070)상에는 1개이상의 접합된 기판스택을 수납한 제 1카세트(6071)가 위치되어 있다. 처리전에 텅빈 제 2카세트(6081)는 제 1언로더(6080)상에 위치되어 있고, 텅빈 제 3카세트(6091)는 제 2언로더(6090)상에 위치되어 있고, 텅빈 제 4카세트(6101)는 제 3언로더(6100)상에 위치되어 있다.
심출장치(6120)는 스칼라로보트(6150)에서 접합된 기판스택을 받아서 소정의 위치에 접합된 기판스택의 중심을 일치시키는 처리(심출)를 실행하고, 다음에 스칼라로보트(6150)로 접합된 기판스택을 전달한다.
반전장치(6130)는 분리된 2매의 기판중 윗쪽의 기판을 180°회전시켜서 기판을 반전시킨다(분리면을 위로 향하게 한다). 스칼라로보트(6150)는 기판을 180°회전시켜서 기판을 반전하는 기능을 가진다. 이 경우에, 반전장치(6130)는 생략할 수 있다.
도 2에 표시된 실시예에 있어서, 분리장치(6020)는 접합된 기판의 다공질층을 향해서 유체(젯매체)를 분사하여 이 유체에 의해 다공질층에서 접합된 기판스택을 분리한다. 분리장치(6020)는 주변부로 이후 언급되는 젯매체(예를 들면, 물)가 비산하는 것을 방지하기 위하여 챔버(6010)내에 배치되어 있다. 챔버(6010)는 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 챔버를 출입하는 셔터(6060)를 가진다. 분리장치(6020)는 젯을 분사하는 노즐(6040)을 가진다. 노즐(6040)의 위치는 직교로보트(6050)에 의해서 제어된다. 분리장치(6020)로서 이후 언급하는 바와 같이 다른 타입의 분리장치를 채용할 수 있다.
세정/건조장치(6110)는 분리된 기판을 세정하고 건조한다. 세정/건조장치 대신에 분리된 세정장치와 건조장치를 채용할 수 있다.
처리시스템(6000)은 조작패널(6140)의 지시에 의거해서 접합된 기판스택의 분리처리를 실행한다.
이하 이 처리시스템의 처리수순을 설명한다. 첫째로, 수동이나 자동으로 처리대상의 접합된 기판스택(예를 들면, 도 1(c)에 표시된 접합된 기판스택(50))을 수납한 제 1카세트(6071)를 로더(6070)상의 소정위치에 위치시킨다. 텅빈 제 2카세트(6081), 제 3카세트(6091), 제 4카세트(6101)를 각각 제 1언로더(6080), 제 2언로더(6090), 제 3언로더(6100)상에 위치시킨다.
본 실시예에 있어서, 제 2카세트(6081)는 분리된 하부의 기판을 수용하기 위해 사용되고, 제 3카세트(6091)는 분리된 상부의 기판을 수용하기 위해 사용되고, 제 4카세트(6101)는 분리를 실패한 접합된 기판스택(또는 분리된 기판)을 수용하기 위한 사용된다.
제 1카세트(6071)는 수용된 접합기판스택이 수평으로 되도록 로더(6070)상에 배치되어 있다. 제 2카세트(6081), 제 3카세트(6091), 제 4카세트(6101)는 각각의 기판을 수평상태로 수용할 수 있도록, 제 1언로더(6080), 제 2언로더(6090), 제 3언로더(6100)상에 배치되어 있다.
도 6은 하나의 접합된 기판스택을 위한 처리시스템(6000)의 처리수순을 설명하기 위한 플로우차트이다. 스텝 S101에서 스칼라로보트(6150)는 로더(6070)상의 제 1카세트(6071)에서 최하부의 접합된 기판스택을 흡착해서 접합된 기판스택을 취출하고 수평한 상태를 유지하면서 심출장치(6120)로 인도한다. 스텝 S102에서, 심출장치(6120)는 접합된 기판스택의 심출을 행해서 스칼라로보트(6150)에 인도한다.
스텝S103에서, 챔버(6010)의 셔터(6060)를 개방하여 스칼라로보트(6150)에서 분리장치(6020)로 심출된 접합기판스택을 인도한다. 바람직하게 스칼라로보트(6150)는 접합된 기판스택을 아랫쪽으로부터 수평상태로 유지하면서 심출된 접합기판스택을 분리장치(6020)에 인도한다. 이로 인하여 접합된 기판스택이 낙하하는 것을 방지한다. 분리장치로 인도된 접합기판스택은 이미 심출되어 있었다. 이 때문에, 스칼라로보트(615)의 로보트팔(6152)이 소정위치로 이동하여 접합된 기판스택을 분리장치(6020)로 인도하면, 접합된 기판스택은 분리장치(6020)에서 위치결정될 수 있다.
스텝 S104에서, 챔버(6010)의 셔터(6060)가 폐쇄되고, 분리장치(6020)에 의해서 분리처리를 행한다. 더 구체적으로, 본 실시예에 있어서, 분리장치(6020)는 접합된 기판스택을 수평상태로 회전시키면서 노즐(6040)로부터 접합된 기판 스택의 다공질층을 향해서 젯을 분사하고 이 젯에 의해서 접합된 기판스택을 분리층에서 2매의 기판으로 분리한다.
스텝 S105에서, 챔버(6010)의 셔터(6060)를 개방하고, 스칼라로보트(6150)는 분리장치(6020)에서 분리된 하부의 기판을 받아서 이 기판을 세정/건조장치(6110)로 인도한다. 바람직하게, 스칼라로보트(6150)는 분리장치(6020)에서 기판을 받아서, 이 기판을 아래쪽으로 부터 수평한 상태로 유지하면서 이 기판을 세정/건조장치(6110)로 인도한다. 이로 인하여 기판이 낙하하는 것을 방지한다.
스텝 S106에서, 세정/건조장치(6110)는 분리된 하부의 기판을 세정하고 건조하기 시작한다.
이 세정/건조장치(6110)와 병행해서, 스칼라로보트(6150)는 분리장치(6020)에서 분리된 하부의 기판을 받아서, 이 기판을 반전장치(6130)로 인도한다. 바람직하게 스칼라로보트(6150)는 분리장치(6020)에서 기판을 받아서 이 기판을 윗쪽으로부터 수평한 상태를 유지하면서 반전장치(6130)로 인도한다. 이 구성에 의하여, 분리면에 부착한 칩 등이 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)에 거의 부착하지 않는다. 또한, 이 칩에 기인한 기판에 대한 손상을 방지할 수 있다.
스텝S108에서 반전장치(6130)는 수취한 기판을 180°회전시킨다. 여기서 처리는 세정/건조장치(6110)에 의한 하부기판의 세정/건조처리가 종료할 때까지 대기한다.
스텝S109에서 스칼라로보트(6150)는 세정/건조장치(6110)에서 아랫쪽 기판을 수취해서 제 1언로더(6080)상의 제 2카세트(6081)에 기판을 수용한다. 바람직하게 스칼라로보트(6150)는 분리장치(6020)에서 기판을 수취해서 이 기판을 아랫쪽에서 수평한 상태로 지지하면서 제 2카세트(6081)내에 수용한다. 이로 인하여 기판의 낙하로 방지한다.
스텝 S110에서, 스칼라로보트(6150)는 반전장치(6130)에서 윗쪽의 기판을 수취해서 이 기판을 세정/건조장치(6110)로 인도한다. 바람직하게 스칼라로보트(6150)는 반전장치(6130)에서 기판을 수취해서 이 기판을 아랫쪽으로부터 수평한 상태로 지지하면서 세정/건조장치(6110)에 이 기판을 인도한다. 이로 인하여 기판의 낙하를 방지한다.
스텝S111에서 세정/건조장치(6110)는 윗쪽의 기판을 세정해서 건조한다. 스텝S112에서 스칼라로보트(6150)는 세정/건조장치(6110)에서 윗쪽의 기판을 수취하여 제 1언로더(6090)상의 제 3카세트(6091)에 기판을 수용한다. 바람직하게 스칼라로보트(6150)는 세정/건조장치(6110)에서 기판을 수취해서, 이 기판을 아랫쪽으로부터 수평한 상태로 지지하면서 제 2언로더(6090)의 제 3카세트(6091)내에 수용한다. 이로 인하여 기판의 낙하를 방지한다.
도 6에 표시된 처리에 있어서, 분리된 아랫쪽의 기판이 우선 세정되고 건조된다. 반대로, 분리된 윗쪽의 기판이 우선 세정되고 건조될 수 있다. 이 경우에, 처리는 예를 들면, 스텝S101, S102, S103, S104, S107, S108, S110, S111, S112, S105, S106, S109의 순으로 진행한다.
처리시스템(6000)에 있어서, 스칼라로보트(6150)는 조작패널(6140)을 개재해서 조작자로부터의 지령입력에 따라서 제 3언로더(6100)상의 제 4카세트에서 분리를 실패한 기판을 수용한다. 조작자로부터의 지령에 따라서 분리실패를 인식하는 대신에, 분리상태모니터장치는 분리실패를 검출하기 위해 준비될 수 있다.
하나의 접합된 기판스택에 대한 처리시스템(6000)의 동작을 이상과 같이 설명하였다. 처리시스템(6000)에 있어서, 복수매의 접합된 기판스택을 병행해서 처리할 수 있다.
도 4는 스칼라로보트에 의한 접합기판스택이나 분리된 기판의 반송처리와 장치의 처리실행수순의 일예를 표시하는 도면이다. 도 4를 참조하면, 횡방향선은 장치에 의한 처리를 표시하고, 사선은 스칼라로보트(6150)에 의한 기판반송처리를 표시한다. 또한, "#1" 내지 "#3"은 접합된 기판스택의 번호를 표시하고 번호의 말미에 "a"를 첨부한 부호는 분리된 윗쪽의 기판을 표시하고, 번호의 말미에 "b"를 첨부한 부호는 분리된 윗쪽의 기판을 표시한다.
본 실시예에 따른 분리시스템(6000)에 있어서, 단지 하나의 스칼라로보트(6150)가 접합된 기판스택이나 분리된기판을 반송하는 로보트로서 사용되므로, 복수의 접합된 기판스택이나 분리된 기판은 동시에 반송될 수 없다.
그러나, 반송처리를 위한 스칼라로보트(6150)에 의해 요구되는 시간은 통상 분리장치(6020)에 의한 분리처리시간보다 충분히 짧다. 따라서 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 반송하는 로보트는 1개로 충분하다. 복수의 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 동시에 반송할 필요가 있을 때, 예를 들면, 처리효율이 하나의 로보트만으로는 낮을때, 복수의 로보트(예를 들면, 스칼라로보트들)를 사용할 수 있다.
상기 언급한 바와 같이, 처리시스템(6000)에 따르면, 복수의 접합된 기판스택은 병행해서 처리될 수 있고, 결과적은 높은 스루풋을 얻을 수 있다.
본 실시예에 따르면 접합된 기판스택이나 분리된 기판이 수평한 상태로 반송되기 때문에, 비교적 단순한 구조를 가진 로보트(예를 들면, 스칼라로보트)가 반송기구로서 채용될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 장치들은 스칼라로보트(6150)가 이동할 수 있는 범위에서 분리된 대략 등거리의 위치에 배치되어 있다. 스칼라로보트(6150)가 수평구동축(6160)을 따라서 이동하고, 동시에 로보트팔(6152)이 수평면에서 회동축(6151)을 중심으로 회동하여, 회동축(6151)로부터 멀리 또는 가까이 로보트팔(6152)을 이동시키면, 접합된 기판스택이나 분리된 기판은 장치들 사이에서 반송될 수 있다. 따라서, 접합된 기판스택이나 분리된 기판은 소망의 장치로 효율적으로 인도될 수 있다.
(제 2실시예)
도 3은 본 발명의 제 2실시예에 따른 처리시스템의 개략적인 구성을 표시하는 평면도이다. 처리시스템(6500)에 있어서, 접합된 기판스택은 제 1실시예의 처리시스템(6000)과 마찬가지로 카세트에서 취출되어 분리되고, 분리된 기판은 세정되고, 건조되어, 분류되고, 카세트에 수용된다. 그러나, 처리시스템(6500)은 이 시스템이 2개의 분리장치를 가지는 점에서 제 1실시예와 다르다.
이 처리시스템(6500)은 접합된 기판스택의 반송기구로서, 스칼라로보트(6150)와 이 스칼라로보트(6150)를 직선적으로 구동시키는 수평구동축(6160)을 가진다. 이 처리시스템(6500)에 있어서, 스칼라로보트(6150)는 수평구동축(6160)을 따라서 직선적으로 이동하는 동시에, 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)은 수평면에서 회동축(6151)을 중심으로 회동되어, 로보트팔(6152)을 회동축(6151)에서 멀리 또는 가까이함으로써 장치들 사이에서 접합된 기판스택 또는 분리된 기판을 반송시킨다.
이 처리시스템(6500)은 접합된 기판스택이나 분리된 기판이 장치들과 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)사이의 운반될 수 있는 위치에서 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 취급하거나 처리하기 위한 각종 처리장치를 가진다. 이들 처리장치는 스칼라로보트(6150)가 이동할 수 있는 위치에서 분리된 대략 등거리위치에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
더 구체적으로, 이 실시예에 있어서, 이 처리시스템(6500)은 수평구동축(6160)으로부터 분리된 대략 등거리의 위치에서 수평구동축(6160)의 한쪽에서 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 조작하거나, 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 화학적이나 물리적으로 처리하는 처리장치로서, 반전장치(6130), 심출장치(6120), 세정/건조장치(6110)를 가진다. 이 실시예에 있어서, 이 처리시스템(6500)은 수평구동축(6160)으로부터 분리된 대략 등거리의 위치에서 수평구동축(6160)의 다른쪽에서 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 취급하는 처리장치로서, 로더(6070), 제 1언로더(6080), 제 2언로더(6090), 제 3언로더(6100)를 가진다. 본 실시예에 있어서, 분리장치(6020)는 수평구동축(6160)의 일단부에서 소정거리만큼 분리된 위치에 배치되어 있다.
본 실시예에 있어서, 제 1분리장치(6020)는 수평구동축(6160)의 일단부에서 소정거리만큼 떨어진 위치에 배치되어 있다. 제 2분리장치(6320)는 수평구동축(6160)의 타단부에서 소정거리만큼 떨어진 위치에 배치되어 있다. 제 1분리장치(6020)와 제 2분리장치(6320)는 동일하거나 다른 구성을 가진다.
도 3에 표시된 실시예에 있어서, 제 1분리장치(6020)는 젯매체(예를 들면, 물)가 주변부에 비산하는 것을 방지하도록, 챔버(6010)내에 배치되어 있다. 챔버(6010)는 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 챔버를 출입하는 셔터(6060)를 가진다. 분리장치(6020)는 젯을 분사하는 노즐(6040)을 가진다. 노즐(6040)의 위치는 직교로보트(6050)에 의해서 제어된다. 분리장치(6020)로서는, 이후의 언급하는 바와 같이 다른 타입의 분리장치를 채용할 수 있다.
마찬가지로, 제 2분리장치(6320)는 젯매체(예를 들면, 물)가 주변부에 비산하는 것을 방지하도록 챔버(6310)내에 배치되어 있다. 챔버(6310)는 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 챔버를 출입하는 셔터(6360)를 가진다. 분리장치(6320)는 젯을 분사하는 노즐(6340)을 가진다. 노즐(6340)의 위치는 직교로보트(6350)에 의해서 제어된다. 분리장치(6020)로서는 이후에 언급하는 바와 같이 다른 타입의 분리장치를 채용할 수 있다.
이하 이 처리시스템의 처리수순을 설명한다. 첫째로, 수동이나 자동으로 처리대상의 접합된 기판스택을 수납한 제 1카세트(6071)를 로더(6070)상의 소정위치에 위치시킨다. 텅빈 제 2카세트(6081), 제 3카세트(6091), 제 4카세트(6101)를 각각 제 1언로더(6080), 제 2언로더(6090), 제 3언로더(6100)상에 위치시킨다.
본 실시예에 있어서, 제 2카세트(6081)는 분리된 하부의 기판을 수용하기 위해 사용되고, 제 3카세트(6091)는 분리된 상부의 기판을 수용하기 위해 사용되고, 제 4카세트(6101)는 분리를 실패한 접합된 기판스택(또는 분리된 기판)을 수용하기 위해 사용된다.
제 1카세트(6071)는 수용된 접합기판스택이 수평으로 되도록 로더(6070)상에 배치되어 있다. 제 2카세트(6081), 제 3카세트(6091), 제 4카세트(6101)는 각각의 기판을 수평상태로 수용할 수 있도록, 제 1언로더(6080), 제 2언로더(6090), 제 3언로더(6100)상에 배치되어 있다.
도 6은 하나의 접합된 기판스택을 위한 처리시스템(6500)의 처리수순을 설명하기 위한 플로우차트이다. 스텝 S101에서 스칼라로보트(6150)는 로더(6070)상의 제 1카세트(6071)에서 최하부의 접합된 기판스택을 흡착해서 접합된 기판스택을 취출하고 수평한 상태를 유지하면서, 심출장치(6120)로 인도한다. 스텝S102에서 심출장치(6120)는 접합된 기판스택의 심출을 행해서 스칼라로보트(6150)에 인도한다.
스텝 S103에서는 예를 들면, 홀수매의 접합된 기판스택을 처리하기 위하여 챔버(6010)의 셔터(6060)를 개방하여 스칼라로보트(6150)에서 제 1분리장치(6020)로 심출된 접합기판스택을 인도한다. 한편, 스텝 S103에서는 예를 들면, 짝수매의 접합된 기판스택을 처리하기 위하여 챔버(6310)의 셔터(6360)를 개방하여 스칼라로보트(6150)에서 제 2분리장치(6320)로 심출된 접합기판스택을 인도한다.
스텝 S104에서는, 예를 들면 홀수매의 접합된 기판스택을 처리하기 위하여 챔버(6010)의 셔터(6060)를 폐쇄하고, 분리처리는 제 1분리장치(6020)에 의해서 실행된다. 한편, 예를 들면 짝수매의 접합된 기판스택을 처리하기 위하여 챔버(6310)의 셔터(6360)를 폐쇄하고 분리처리는 제 2분리장치(6320)에 의해 실행된다.
스텝 S105에서는 예를 들면, 홀수매의 접합된 기판스택을 처리하기 위하여, 챔버(6010)의 셔터(6060)를, 개방하고, 스칼라로보트(6150)는 제 1분리장치(6020)에서 분리된 아랫쪽 기판을 수취하여 세정/건조장치(6110)로 이 기판을 인도한다. 한편, 예를 들면 짝수매의 접합된 기판스택을 처리하기 위하여 챔버(6310)의 셔터(6360)를 개방하고, 스칼라로보트(6150)는 제 2분리장치(6320)에서 분리된 아랫쪽 기판을 수취해서 세정/건조장치(6110)로 이 기판을 인도한다.
스텝 S106에서는 세정/건조장치(6110)가 분리된 아랫쪽 기판의 세정과 건조를 개시한다.
세정/건조처리와 병행해서, 스텝 S107에서는, 홀수매의 접합된 기판스택을 처리하기 위하여, 스칼라로보트(6150)는 제 1분리장치(6020)에서 분리된 윗쪽기판을 수취하고, 반전장치(6130)로 이 기판을 인도한다. 한편, 예를 들면, 짝수매의 접합된 기판스택을 처리하기 위하여, 스칼라로보트(6150)는 제 2분리장치(6320)에서 분리된 윗쪽기판을 수취하고 반전장치(6130)로 이 기판을 인도한다.
스텝 S108에서 반전장치(6130)는 수취한 기판을 180°회전시킨다. 여기서 처리는 세정/건조장치(6110)에 의한 하부기판의 세정/건조처리가 종료할 때까지 대기한다.
스텝 S109에서 스칼라로보트(6150)는 세정/건조장치(6110)에서 아랫쪽 기판을 수취해서 제 1언로더(6080)상의 제 2카세트(6081)에 기판을 수용한다.
스텝 S110에서, 스칼라로보트(6150)는 반전장치(6130)에서 윗쪽기판을 수취해서 이 기판을 세정/건조장치(6110)로 인도한다.
스텝 S111에서, 세정/건조장치(6110)는 윗쪽의 기판을 세정해서 건조한다. 스텝 S112에서, 스칼라로보트(6150)는 세정/건조장치(6110)에서 윗쪽의 기판을 수취하여 제 2언로더(6090)상의 제 3카세트(6091)에 기판을 수용한다.
도 6에 표시된 처리에 있어서, 분리된 아랫쪽의 기판이 우선 세정되고 건조된다. 반대로, 분리된 윗쪽의 기판이 우선 세정되고 건조될 수 있다. 이 경우에, 처리는 예를 들면, 스텝 S101, S102, S103, S104, S107, S108, S110, S111, S112, S105, S106, S109의 순으로 진행한다.
처리시스템(6500)에 있어서, 스칼라로보트(6150)는 조작패널(6140)을 개재해서 조작자로부터의 지령입력에 따라서 제 3언로더(6100)상의 제 4카세트(6101)에서 분리를 실패한 기판을 수용한다. 조작자로부터의 지령에 따라서 분리실패를 인식하는 대신에, 분리상태모니터장치는 분리실패를 검출하기 위해 준비될 수 있다.
하나의 홀수매 또는 짝수매의 접합된 기판스택에 대한 처리시스템(6500)의 동작을 이상과 같이 설명하였다. 처리시스템(6500)에 있어서, 복수매의 접합된 기판스택을 병행해서 처리할 수 있다.
도 5는 스칼라로보트에 의한 접합기판스택이나 분리된 기판의 반송처리와 장치의 처리실행수순의 일예를 표시하는 도면이다. 도 5를 참조하면, 횡방향선은 장치에 의한 처리를 표시하고, 사선은 스칼라로보트(6150)에 의한 기판반송처리를 표시한다. 또한, "#1" 내지 "#7"은 접합된 기판스택의 번호를 표시하고, 번호의 말미에 "a"를 첨부한 부호는 분리된 윗쪽의 기판을 표시하고, 번호의 말미에 "b"를 첨부한 부호는 분리된 윗쪽의 기판을 표시한다.
본 실시예에 따른 분리시스템(6500)에 있어서, 단지 하나의 스칼라로보트(6150)가 접합된 기판스택이나 분리된기판을 반송하는 로보트로서 사용되므로, 복수의 접합된 기판스택이나 분리된 기판은 동시에 반송될 수 없다.
그러나, 반송처리를 위한 스칼라로보트(6150)에 의해 요구되는 시간은 통상 분리장치(6020)에 의한 분리처리시간보다 충분히 짧다. 따라서 접합된 기판스택이나 분리된기판을 반송하는 로보트는 1개로 충분하다. 복수의 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 동시에 반송할 필요가 있을 때, 예를 들면, 처리효율이 하나의 로보트만으로는 낮을 때, 복수의 로보트(예를 들면, 스칼라로보트들)를 사용할 수 있다.
본 실시예에 있어서 2개의 분리장치는 심출처리, 분리처리, 회전처리 및 세정/건조처리중 분리처리가 최장의 시간이 걸린다는 전제하에서 사용된다. 다른 처리가 최장시간이 요구되면, 이 처리를 실행하는 2개의 처리장치를 사용한다. 상기 가정하에서, 동시에 2개이상의 접합된 기판스택을 분리할 수 있는 분리장치를 사용할 수 있다.
상기 언급한 바와 같이, 처리시스템(6500)에 따르면, 장시간을 요하는 처리를 실행하는 복수의 장치를 준비하므로, 전체처리시간이 제 1실시예와 비교해서 단축될 수 있으므로 결국 높은 스루풋을 달성한다. 또한, 제 1실시예의 처리시스템(6000)과 동일한 효과를 제 2실시예의 처리시스템(6500)에 의해서 얻을 수 있다.
다음에, 제 1 및 제 2실시예에 적절한 분리장치의 구성을 설명한다.
(분리장치의 제 1구성예)
분리장치의 제 1구성예는 워터젯법을 사용한다. 통상, 워터젯법은 물을 고압, 고속의 흐름으로 대상물에 대해서 분사해서, 예를 들면 세라믹, 금속, 콘크리트, 수지, 고무, 목재 등의 절단가공, 표면의 피막제거, 표면의 세정등을 행한다("워터젯", Vol. 1, No.1, 페이지 4(1984)).
이 분리장치는 접합된 기판스택의 취약한 구조로서 다공질층(분리영역)에 유체의 흐름을 분사하여, 다공질층을 선택적으로 파손시켜서 분리층에서 기판스택을 분리한다. 본 명세서에서는 흐름을 "젯(jet)"이라고 한다. 젯을 형성하는 흐름은 "젯매체(jet mediun)"라고 한다. 젯매체로서는 물, 알코올 등의 유기용매, 질산이나 불화수소산 등의 산, 수산화칼륨 등의 알칼리, 공기, 질소가스, 탄산가스, 희가스, 에칭가스 등의 가스 또는 플라즈마를 사용할 수 있다.
이 처리장치를 반도체디바이스의 제조공정, 예를 들면 접합된 기판스택의 분리공정에 사용하면, 젯 구성유체로서 최소의 불순물금속이나 파티클을 가진 순수한 물을 사용하는 것이 바람직하다.
젯분사조건은 예를 들면, 분리영역(예를 들면, 다공질층)의 타입이나 접합된 기판스택의 측면형상에 따라서 결정될 수 있다. 젯분사조건으로서는 예를 들면, 젯매체에 인가하는 압력, 젯주사속도, 노즐의 폭 또는 직경(직경은 대략 젯직경과 동일하다), 노즐형상, 노즐과 분리영역사이의 거리, 젯의 유량 등이 중요한 파라미터로 된다.
웨터젯법을 사용하는 분리방법에 따르면, 접합된 기판스택은 접합된 기판을 손상시키지 않고서 2매의 기판으로 분리할 수 있다.
이 분리장치는 접합된 기판스택 등의 시료를 시료면에 실질적으로 수평하게 설정하면서 유지하고, 이 상태에서, 취약한 구조(예를 들면, 다공질층)에서 시료를 분리한다. 시료가 수평으로 설정된 면으로 유지될 때 예를 들면 (1) 시료의 낙하를 방지할 수 있고 (2) 시료를 용이하게 유지할 수 있고, (3) 시료를 용이하게 반송할 수 있고, (4) 시료를 분리장치와 다른 장치사이에서 효율적으로 전달할 수 있고, (5) 구성요소가 상하방향으로 배치될 수 있기 때문에 분리장치의 투영면적(점유면적)을 작게할 수 있다.
도 7은 분리장치의 제 1실시예를 표시하는 개략도이다. 분리장치(1000)는 한쌍의 기판유지부(270),(1010)를 가진다.
윗쪽기판유지부(270)는 회전축(140)의 일단부에 연결되어 있다. 회전축(140)의 타단은 커플링(130)을 개재해서 모터(110)의 회전축에 연결되어 있다. 모터(110)와 회전축(140)은 커플링(130)을 개재하지 않고, 예를 들면 벨트나 다른 기구를 개재해서 연결될 수 있다. 모터(110)는, 상부 테이블(170)에 고정된 지지부재(120)에 고정되어 있다. 모터는 제어부(도시생략)에 의해서 제어된다.
기판유지부(270)상의 접합된 기판스택(50)을 진공흡착하는 진공라인(141)은 회전축(140)을 개재해서 연장되어 있다. 진공라인(141)은 링(150)을 개재해서 외부진공라인에 접속되어 있다. 외부진공라인은 솔레노이드밸브(도시생략)를 가진다. 솔레노이드 밸브는 필요에 따라서 제어부에 의해 ON/OFF제어된다. 기판유지부(270)는 접합된 기판스택을 흡착하는 흡인구멍(271)을 가진다. 흡인구멍(271)은 진공라인(141)에 접속되어 있다. 흡인구멍(271), 진공라인(141), 솔레노이드밸브는 기판유지부(270)의 진공흡착기구를 구성한다. 회전축(140)은 베어링(160)을 개재해서 상부테이블(170)에 의해 유지된다.
하부기판유지부(1010)는 베르누이척(1013)을 가진다. 베르누이척(1013)은 우산형상의 척의 중심으로부터 우산형상을 따라서 기체를 방사상으로 분사하고 척의 중심부가 부압을 가진다는 것을 이용해서 접합된 기판스택 등의 시료를 흡착한다.
베르누이척(1013)을 가진 기판유지부(1010)는 승강축(1020)의 일단부에 연결되어 있다. 베르누이척(1013)의 기체도입부(1011)는 승강축(1020)의 내부의 압력라인(1021)에 연결되어 있다. 압력라인(1021)은 링(1022)을 개재해서 외부압력라인에 연결되어 있다. 외부압력라인은 솔레노이드밸브(도시생략)를 가진다. 솔레노이드밸브는 필요에 따라서 제어부(도시생략)에 의해서 ON/OFF제어된다.
승강축(1020)의 타단부는 커플링(330)을 개재해서 에어실린더(320)의 피스톤로드에 연결되어 있다. 승강축(1020)은 왕복/회전가이드(1030)를 개재해서 하부테이블(240)에 의해 유지된다.
노즐(3040)(노즐(6040),(6340)에 대응함)은 상기 언급한 직교로보트(6050), (6350)에 의해서 제어된다. 셔터(3030)(셔터(6030), (6330)에 대응함)는 노즐(3040)과 기판유지부(270),(1010)사이에 삽입된다. 셔터(3030)는 모터(250)에 의해서 개폐된다. 셔터(3030)가 개방되면, 이 상태에서 젯이 노즐(3040)에서 분사되고, 젯은 접합된 기판스택(50)으로 주입될 수 있다. 셔터(3030)가 폐쇄되면, 접합된 기판스택(50)으로의 젯주입은 정지될 수 있다.
이하, 분리장치(1000)에 의한 분리처리의 수순을 설명한다. 에어실린더(320)는 피스톤로드를 후퇴시켜서 기판유지부(270)와 기판유지부(1010)사이에 적절한 간격을 형성한다. 이 상태에서, 접합된 기판스택(50)은 아랫쪽으로부터 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)에 의해 수평으로 지지되어 기판유지부(270)와 기판유지부(1010)사이의 소정위치에 삽입되고, 기판유지부(1010)상에 위치된다.
도 8은 기판유지부(270),(1010)의 외관을 개략적으로 표시하는 도면이다. 기판유지부(270),(1010)는 그 외주부에서 분리하는 동안 접합된 기판스택이 기판유지부에서 위치변화를 일으키거나 돌출하는 것을 방지하는 복수의 가이드부재(270a),(1010a)를 가진다.
스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 접합된 기판스택(50)을 아랫쪽으로부터 지지한 상태에서 접합된 기판스택(50)을 기판유지부(270) 또는 기판유지부(1010)에 인도하거나, 로보트팔이 각각의 분리된 기판의 아랫쪽면 (상부면은 분리면이다)을 흡착해서 기판유지부(270),(1010)로부터 기판을 수취하는 것을 가능하게 하기 위해서는 예를 들면, 도 8에 표시된 바와 같이, 로보트팔의 출입이 가능하도록 상응의 간격을 설정해서 복수의 가이드부재(270a), (1010a)를 배치하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 3개의 가이드부재(270a)와 3개의 가이드부재(1010a)는 120°의 각도간격으로 배치한다.
다음에, 접합된 기판스택(50)의 상부면과 상부기판유지부(270)의 유지부가 그사이에 소정거리를 가질때까지 에어실린더(320)는 피스톤로드를 연장해서 하부기판유지부(1010)를 윗쪽으로 이동시킨다.
외부압력라인의 솔레노이드밸브가 개방되고, 기판유지부(1010)의 베르누이척(1013)의 중심으로부터 가스가 방사상으로 분사되어 접합된 기판스택(50)을 흡착한다.
모터(110)가 작동하여 회전축(140)에 회전력을 전달한다. 회전축(140), 기판유지부(270), 접합된 기판스택(50), 기판유지부(1010), 회전축(1020)이 일체적으로 회전한다.
폐쇄된 셔터(3030)를 유지하면서, 노즐(3040)에 접속된 펌프(도시생략)가 작동하여 노즐(3040)에 고압젯매체(예를 들면, 물)를 이송한다. 고압의 젯은 노즐(3040)에서 분사된다. 젯이 안정화되면, 셔터(3030)를 개방한다. 노즐(3040)에서 분사된 젯이 접합된 기판스택(50)의 다공질층에 연속적으로 주입되어 접합된 기판스택(50)의 분리를 개시한다.
접합된 기판스택(50)의 분리가 종료되면, 셔터(3030)를 폐쇄하고, 노즐(3040)에 접속된 펌프의 동작이 정지하여 접합된 기판스택(50)으로의 젯주입을 정지시킨다. 모터(110)의 동작도 정지한다.
작동된 기판유지부(1010)의 베르누이척(1013)을 유지하면서, 기판유지부(270)의 진공척기구를 작동시킨다. 분리된 상부기판은 기판유지부(270)에 의해서 진공흡착된다. 동시에, 분리된하부기판은 기판유지부(1010)의 베르누이척에 의해서 흡착된다.
에어실린더(320)는 피스톤로드를 후퇴시켜서 기판유지부(270)와 기판유지부(1010)사이에 적절한 간격을 형성한다. 분리된 2개의 기판은 서로 떨어진다.
스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)은 기판과 기판유지부(1010)의 베르누이척(1013)사이에 삽입된다. 로보트팔(6152)은 기판을 흡착한다. 이후에, 기판유지부(1010)의 베르누이척(1013)에 의한 유착을 해제해서, 기판이 기판유지부(1010)에서 로보트팔(6152)로 인도된다.
스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 기판과 기판유지부(270)사이에 삽입된다. 로보트팔(6152)은 기판을 흡착한다. 이후에, 기판유지부(270)에 의한 흡착을 해제해서 기판이 기판유지부(270)에서 로보트팔(6152)로 인도된다.
접합된 기판스택이 2매의 기판으로 분리된 후에, 젯매체는 2매의 기판사이에 존재한다. 젯매체가 유체(예를 들면, 물)이면, 표면장력이 상당히 크다. 따라서, 작은 힘으로 2매의 기판을 분리하기 위해서는 2매의 기판사이의 간격에 노즐로부터 젯이 부여되는 것이 바람직하다. 이 경우에, 노즐로부터의 젯은 2매의 기판을 분리한 후에 정지한다. 그 대신에 2매의 기판을 분리하기 위해 사용된 젯을 분사하는 기구는 독립적으로 준비될 수 있다.
(분리장치의 제 2구성예)
이 구성도 제 1구성예와 마찬가지로 젯에 의해 접합된 기판스택을 분리하는 분리장치의 관한 것이다.
도 9는 분리장치의 제 2구성예를 표시한 개략도이다. 도 10은 도 9에 표시된 분리장치의 일부를 표시하는 도면이다. 분리장치(1900)는 1쌍의 기판유지부(1909),(1901)를 가진다. 기판유지부(1909),(1901)는 접합된 기판스택(50)을 위, 아래에서 샌드위치함으로써 수평으로 유지한다. 젯은 노즐(3040)(노즐 (6040), (6340)에 대응함)에서 분사되고, 접합된 기판스택(50)의 다공질층으로 주입되어, 접합된 기판스택을 다공질층에서 2매의 기판으로 분리한다.
하부기판유지부(1901)는 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 간격에 삽입되도록 접합된 기판스택(50)과 기판유지부(1901)의 표면사이에 간격을 형성하는 오목지지부(1903)를 가진다. 이 지지부(1903)는 접합된 기판스택(50)을 진공흡착하는 흡입구멍(1902)을 가진다. 기판유지부(1901)는 지지부(1903) 둘레에 변동방지부재(1911)를 가진다. 예를 들면 수지나 고무로 형성된 변동방지부재(1911)는 접합된 기판스택(50)이 면방향으로 이동하는 것을 방지한다. 이 변동방지부재에 의해서 접합된 기판스택(50)은 작은 가압력이나 흡입력에 의해서 유지될 수 있다.
기판유지부(1901)는 회전축(1904)의 일단부에 연결되어 있다. 회전축(1904)은 베어링(1906)을 개재해서 지지테이블(1920)에 의해서 지지된다. 베어링(1906)은 그 상부에 회전축(1904)을 통과하기 위해 지지테이블(1920)에 형성된 개구부를 시일하는 시일부재(1905)를 가진다. 진공라인(1907)은 회전축(1904)을 관통한다. 진공라인(1907)은 기판유지부(1901)의 흡입구멍(1902)에 연결되어 있다. 진공라인(1907)은 링(1908)을 개재해서 외부진공라인에도 연결되어 있다. 회전축(1904)은 회전원에서 부여된 회전력에 의해서 회전되는 회전원(도시생략)에 연결되어 있다.
기판유지부(1909)는 기판유지부(1901)상에 배치되어 있다. 기판유지부(1909)는 구동기구(1930)에 의해서 수직으로 이동되는 구동기구(1930)의 구동축(1910)에 연결되어 있다. 구동축(1910)은 구동기구(1930)에 의해서 회전가능하게 축방향으로 지지되어 있다.
상부기판유지부(1909)는 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 간격으로 삽입될 수 있도록 접합된 기판스택(50)과 기판유지부(1909)의 표면사이에 간격을 형성하는 오목지지부(1912)를 가진다. 이 지지부는 접합된 기판스택(50)을 진공흡착하는 흡입구멍(1914)을 가진다. 기판유지부(1909)는 지지부(1912)둘레에 변동방지부재(1913)를 가진다. 예를 들면 고무나 수지로 형성된 변동방지부재(1913)는 접합된 기판스택(50)이 면방향으로 이동하는 것을 방지한다. 이 변동방지부재(1913)에 의해서 접합된 기판스택(50)은 작은 가압력이나 흡입력에 의해서 유지될 수 있다.
노즐(3040)은 상기 언급한 직교로보트(6050),(6350)에 의해서 제어된다. 셔터(3030)(셔터(6030),(6330)에 대응함)는 노즐(3040)과 기판유지부(1901)사이에 삽입된다. 셔터(3030)는 모터(250)에 의해서 개폐된다. 셔터(3030)가 개방되면, 이 상태에서 젯은 노즐(3040)에서 분사되어, 젯은 접합된 기판스택(50)으로 주입될 수 있다. 셔터(3030)가 폐쇄되면, 접합기판스택(50)으로의 젯의 주입을 정지할 수 있다.
이하, 분리장치(1900)에 의한 분리처리의 수순을 설명한다. 우선, 기판유지부(1909)가 구동기구(1930)에 의해 윗쪽으로 이동하여 기판유지부(1909)와 기판유지부(1901)사이에 적절한 간격을 형성한다. 이 상태에서 접합된 기판스택(50)은 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)에 의해서 아랫쪽으로부터 수평으로 유지되고 기판유지부(1901)의 지지부(1903)상에 위치된다. 기판유지부(1909)는 구동기구(1930)에 의해서 아랫쪽으로 이동하여 기판유지부(1909)가 접합된 기판스택(50)을 가압하도록 한다. 기판유지부(1909),(1901)는 접합된 기판스택(50)을 양쪽에서 가압하여 유지한다.
회전원(도시생략)이 작동하여 회전축(1904)에 회전력을 전달한다. 회전축(1904), 기판유지부(1901), 접합된 기판스택(50), 기판유지부(1909)가 일체적으로 회전한다.
폐쇄된 셔터(3030)를 유지하면서, 노즐(3040)에 접속된 펌프(도시생략)가 작동하여 노즐(3040)에 고압젯매체(예를 들면, 물)를 이송한다. 고압의 젯은 노즐(3040)에서 분사된다. 젯이 안정화되면, 셔터(3030)를 개방한다. 노즐(3040)에서 분사된 젯이 접합된 기판스택(50)의 다공질층에 연속적으로 주입되어 접합된 기판스택(50)의 분리를 개시한다.
접합된 기판스택(50)의 분리가 종료되면, 셔터(3030)를 폐쇄하고, 노즐(3040)에 접속된 펌프의 동작이 정지하여, 접합된 기판스택(50)으로의 젯주입을 정지시킨다. 회전축(1904)의 구동도 정지되어, 접합된 기판스택(50)의 회전을 정지시킨다.
기판유지부(1901),(1909)의 진공흡착기구를 작동시킨다. 분리된 상부기판은 기판유지부(1909)에 의해서 흡착된다. 동시에 분리된 하부기판은 기판유지부(1901)에 의해서 흡착된다. 기판유지부(1909)는 구동기구(1930)에 의해서 윗쪽으로 이동된다. 분리된 2매의 기판은 서로 떨어져 있다.
스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)은 기판과 기판유지부(1901)사이에 삽입된다. 로보트팔(6152)은 기판을 흡착한다. 이후에, 기판유지부(1901)의 진공흡착기구에 의한 흡착을 해제해서 기판이 기판유지부(1901)에서 로보트팔(6152)로 인도된다.
스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 기판과 기판유지부(1909)사이에 삽입된다. 로보트팔(6152)은 기판을 흡착한다. 이후에 기판유지부(1909)에 의한 흡착을 해제해서 기판이 기판유지부(270)에서 로보트팔(6512)로 인도된다.
접합된 기판스택(50)이 2매의 기판으로 분리된 후에, 젯매체는 2매의 기판사이에 존재한다. 젯매체가 유체(예를 들면, 물)이면, 표면장력이 상당히 크다. 따라서, 작은 힘으로 2매의 기판을 분리하기 위해서는 2매의 기판사이의 간격에 노즐로부터 젯이 부여되는 것이 바람직하다. 이 경우에, 노즐로부터의 젯은 2매의기판을 분리한 후에 정지한다. 그 대신에, 2매의 기판을 분리하기 위해 사용된, 젯을 분사하는 기구는 독립적으로 준비될 수 있다.
(분리장치의 제 3구성예)
도 11과 도 12는 분리장치의 제 3구성예를 표시하는 개략적인 단면도이다. 도 11은 기판지지부재가 개방되는 상태를 표시한다. 도 12는 기판지지부재가 폐쇄되는 상태를 표시한다.
분리장치(4000)는 힌지부(4003)를 개재해서 연결된 한쌍의 기판지지부재(4001),(4004)는 가진다. 각각의 기판지지부재(4001),(4004)는 접합된 기판스택(50)의 측면에 따르는 고리형상을 가진다. 기판지지부재(4001), (4004)는 접합된 기판스택(50)을 샌드위치하면서 폐쇄하여 다공질층이 노출되는 접합된 기판스택(50)의 에지부 둘레에 밀폐공간(4020)을 형성하고 밀폐공간 형성부재로서 기능한다.
기판지지부재(4001),(4004)는 이 부재와 접합된 기판스택(50)사이의 기밀성을 확보하기 위한 시일부재(예를 들면, ○-링)(4002),(4005)를 각각 가진다. 기판지지부재(4004)는 기판지지부재(4001),(4004)사이의 기밀성을 확보하기 위한 시일부재(4008)를 가진다.
분리장치(4000)에 있어서 접합된 기판스택(50)이 샌드위치되어 기판지지부재(4001),(4004)에 의해 양쪽에서 지지되고, 기판지지부재(4001)는, 록기구(4007)에 의해서 록된다.
기판지지부재(4004)는 밀폐공간(4020)에 유체를 주입하는 주입부(4006)를 가진다. 이 주입부(4006)는 펌프 등의 압력원(4011)에 접속되어 있다. 밀폐공간(4020)은 압력원(4011)에서 공급된 유체(예를 들면, 물)로 충전되어 있다.
기판지지부재(4001) 및/또는 (4004)는 밀폐공간(4020)에 유체를 주입할때 발생한 거품을 제거하는 거품빼기구와, 밀폐공간(4020)내의 유체에 압력이 부여될 때 거품빼기구를 폐쇄하는 밸브를 가진다.
압력원(4011)은 밀폐공간(4020)을 충전하는 유체에 압력을 부여한다. 바람직하게 압력원(4011)은 유체에 부여되는 압력을 조정하는 기구를 가진다. 이 기구에 의하여, 유체에 부여되는 압력은 접합된 기판스택(50)의 분리초기단계보다 높게 설정되고, 다음에 점차적으로 또는 단계적으로 감소하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 분리의 초기단계에서, 압력은, 예를 들면 20㎏/㎠로 설정되고, 다음에 점차감소되어 분리의 최종단계에서 예를 들면 1㎏/㎠로 설정된다.
하부기판지지부재(4004)는 지지테이블(4006)에 의해서 지지된다. 지지테이블(4006)은 외부대기에 접합된 기판스택의 하부면을 연통시키는 통기구멍(4030)을 가진다. 접합된 기판스택(50)의 하부면은 대기압으로 유지된다. 지지테이블(4006)은 중심부근처에 에어실린더(4010)를 가진다. 지지부(4009)는 에어실린더(4010)의 피스톤로드에 부착되어 있다. 지지부(4009)는 접합된 기판스택이나 분리된 기판이 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)에서 수취하거나 인도될때 윗쪽으로 밀린다. 이 지지부(4009)에 의해서, 로보트팔(6152)을 수취하는 간격은 하부기판지지부재(4004)와 접합된 기판스택이나 분리된 기판사이에 형성된다.
이하, 분리장치(400)에 의한 접합된 기판스택(50)의 분리처리수순을 설명한다. 분리처리는 예를 들면 대기압하에서 행해진다.
우선, 도 11에 표시된 바와 같이 기판지지부재(4001)는 록기구(4007)에 의해서 언록되어 개방되고, 지지부(4009)를 윗쪽으로 이동시킨다. 접합된 기판스택(50)은 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)에 의해서 기판지지부재(4004)상에 위치된다.
도 12에 표시된 바와 같이, 지지부(4009)는 아래로 이동되고, 기판지지부재(4001)는 폐쇄되고 록기구(4007)에 의해서 록된다. 이 상태에서 밀폐공간(4020)은 다공질층(50C)이 노출되는 접합된 기판스택(50)의 에지부둘레에 형성되어 있다.
유체는 압력원(4011)에 의해서 밀폐공간으로 주입된다. 압력원(4011)에 의해 밀폐공간(4020)내의 유체에 압력을 부여한다. 실질적으로 정지한 유체의 압력을 접합된 기판스택(50)의 에지부에 노출된 다공질층(50c)에 부여한다.
부여된 압력이 접합된 기판스택(50)의 에지부에 노출된 다공질층(50c)을 파손하므로 분리를 개시한다. 유체가 파손된 부분으로 주입되면 다공질층(50c)의 파손을 진행한다. 다공질층(50c)의 파손이 진행하므로 유체가 접합된 기판스택(50)으로 충분하게 주입된다. 이 때에, 접합된 기판스택(50)의 내부에 작용하는 유체의 압력과, 비밀폐공간(밀폐공간이외의 공간)에 작용하는 유체의 압력 사이의 차이에 기인해서 접합된 기판스택(50)상에 분리력이 작용하여 기판(50a),(50b)을 분리한다. 이 분리력에 의해서 분리를 진행한다.
분리를 종료하면, 압력원(4011)은 밀폐공간(4020)을 예를 들면 대기압으로 설정하도록 제어된다. 이후에, 록기구(4007)는 언록된다. 기판지지부재(4001)가 개방되고, 지지부(4009)가 위로 이동하여 하부기판지지부재(4004)와 분리된 접합기판스택사이에 적절한 간격을 형성한다. 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)은 상부기판(50a)을 취출하고 다음에 하부기판(50b)을 취출한다.
이 경우에, 상부기판(50a)이 반전장치(6130)에 의해서 회전되고, 세정/건조장치(6110)에 의해서 세정되고 건조되어 제 3카세트(6091)내에 수용된 후, 또는 상부기판(50a)이 반전장치(6130)로 인도된 후, 하부기판(50b)이 세정/건조장치(6110)로 인도된다.
(분리장치의 제 4구성예)
도 13은 분리장치의 제 4구성예를 표시하는 개략도이다. 분리장치(5000)는 전체의 접합된 기판스택(50)에 압력을 부여하여 다공질층에서 접합된 기판스택을 분리한다.
이 분리장치(5000)는 접합된 기판스택(50)을 수용하고, 밀폐공간을 형성하는 밀폐용기(5001)와, 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)이 밀폐용기(5001)을 출입하는 개구부를 개폐하는 밀폐덮개(5002)를 가진다. 밀폐용기(5001)는 접합된 기판스택(50)을 아랫쪽에서 지지하는 시료지지부재(5011)를 가진다.
이 분리장치(5000)는 유체를 밀폐공간에 공급하는 주입구(5008)를 가진다. 이 주입구(5008)는 밸브(5009)를 개재해서 펌프(5010)에 접속되어 있다. 또한, 분리장치(5000)는 밀폐용기(5001)내의 유체를 배출하는 배출구(5006)를 가진다. 배출구(5006)를 배출제어밸브(5007)에 연결되어 있다.
바림직하게 분리장치(5000)는 접합된 기판스택(50)에 초음파 등의 진동에너지를 부여하는 진동원(5004)을 가진다. 이 진동원(5004)에 의해서 2개 스텝의 분리처리를 행할 수 있다. 제 1단계에서 상기 언급한 바와 같이, 밀폐용기(5001)에 의해 형성된 밀폐공간으로 압력을 부여해서 다공질층의 구멍벽을 파손한다. 제 2단계에서, 잔류한 구멍벽을 진동에너지에 의해서 파손시켜서 분리층에서 접합된 기판스택(50)을 완전히 분리한다.
이하, 분리장치(5000)에 의한 분리처리를 설명한다. 우선, 밀폐덮개(5002)를 개방하고, 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)에 의해서 접합된 기판스택을 밀폐용기(5001)로 반송하고 지지부재(5001)상에 위치시키다.
밀폐덮개(5002)를 폐쇄한다. 펌프(5010)를 작동시키고 밸브(5009)를 개방해서 밀폐공간에 유체를 주입한다. 밀폐공간의 내압은 소정압력으로 설정되어 있다(제 1분리처리의 개시). 유체로서는 에어등의 가스와 물 등의 유체를 사용할 수 있다. 유체로서는 공동함유층을 선택적으로 에칭할 수 있는 에칭제나 에칭가스를 사용할 수 있다. 이 경우에, 분리처리를 효율적으로 행할 수 있고 분리후에 잔류하는 구멍벽의 수를 감소시킬 수 있다.
이 상태에서 예를 들면 소정시간동안 처리를 대기시킨다. 접합된 기판스택(50)은 분리층에서 완전히 분리되거나 대부분의 구멍벽을 파손시킨다. 다음에, 펌프(5010)를 정지시키고, 밸브(5009)를 폐쇄한다. 밸브(5007)가 개방되어, 배출구(5006)를 개재해서 밀폐공간내의 유체를 배출하여, 밀폐공간내의 압력을 대기압으로 복귀시킨다(제 1분리처리의 종료). 자연환경에 악영향을 끼치는 유체를 사용하면, 배출구(5006)를 통해서 배출된 유체는 회수되어 적절하게 처리한다.
진동원(5004)은 구동되어 밀폐용기내의 접합된 기판스택(50)에 진동에너지를 부여한다. 이 처리에 의하여 미파손된 구멍벽이 파손되고, 접합된 기판스택(50)이 완전히 분리된다(제 2분리처리). 제 2분리처리는 제 1분리처리와 병행해서 실행될 수 있다.
유체로서 액체를 사용하면, 밀폐공간내의 유체는 필요에 따라서 밸브(5007)를 개방해서 배출된다. 밀폐덮개(5002)를 개방한다. 스칼라로보트(6150)의 로보트팔(6152)은 상부기판을 취출하고 다음에 하부기판을 취출한다. 이 경우에 상부기판이 반전장치(6130)에 의해서 회전되고, 세정/건조장치(6110)에 의해 세정되고 건조되어 제 3카세트(6091)내에 수용된 후, 또는 상부기판이 반전장치(6130)로 인도된 후, 하부기판은 세정/건조장치(6110)로 인도된다.
(스칼라로보트의 로보트팔의 다른 구조)
이하, 스칼라로보트(6150)의 로보트팔의 다른 구조를 설명한다. 도 14(a)와 도 14(b)는 스칼라로보트(6150)의 로보트팔의 다른 구조를 표시하는 도면이다. 도 14(a)는 평면도이고, 도 14(b)는 도 14A의 A-A'선을 따른 단면도이다. 도 14(a)와 도 14(b)에 표시된 로보트팔은 U형상의 본체(9004)와 접합된 기판스택이나 분리된 기판의 단부를 유지하는 유지부(9001∼9003)를 가진다. 유지부(9001∼9003)는 예를 들면 PTFE로 형성되는 것이 바람직하다.
이러한 구조를 가진 로보트팔은 접합된 기판스택이나 분리된 기판의 단부에만 접촉한다. 따라서, 접합된 기판스택이나 분리된 기판의 표면은 거의 손상되지 않는다.
이러한 구조를 가진 로보트팔은 분리된 기판의 단부에만 접촉한다. 따라서, 분리된 표면이 윗쪽이나 아랫쪽을 향하는 지에 상관없이, 기판표면은 분리된 기판이 아랫쪽으로부터 유지될 때에도 칩 등에 의해 거의 손상되지 않는다.
이러한 구조를 가진 로보트팔은 접합된 기판스택이나 분리된 기판이 면방향으로 이동하는 것을 규제하면서 접합된 기판스택이나 분리된 기판을 유지한다. 이런 이유때문에, 접합된 기판스택이나 분리된 기판의 낙하를 방지할 수 있다.
이러한 구조를 가진 로보트팔은 유지부(9001∼9003)의 하나이상에서 척기구를 가질 수 있다. 이 경우에 접합된 기판스택이나 분리된 기판의 낙하를 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 예를 들면, 기판은 윗쪽으로부터 지지될 수 있다.
이러한 구조를 가진 로보트팔은 기판을 반전하기 위해, 분리된 기판을 흡착하는 본체(9004)를 180°회전시키는 기구를 가질 수 있다. 이 경우에, 반전장치(6130)를 생략할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 각종 변경과 변형은 본 발명의 정신과 범위내에서 이루어질 수 있다. 그러므로, 본 발명의 범위의 공공성을 증명하기 위하여 다음의 청구항을 작성하였다.
본 발명에 의하면, 예를 들면 처리대상의 시료를 복수의 처리장치의 사이에서 효율적으로 반송하는 것이 가능하기 때문에, 일연의 처리를 고속화할 수 있다.

Claims (32)

  1. 시료를 취급 또는 처리하기 위한 복수의 처리장치와;
    시료를 유지하는 유지부를 가지고, 상기 유지부를 수평면내에서 직선적으로 이동시키고, 회동축을 중심으로 해서 상기 유지부를 회전시키고, 상기 유지부를 상기 회동축으로부터 멀리 또는 가까이 이동시켜서 상기 복수의 처리장치사이에서 시료를 반송하는 반송기구를 구비한, 시료를 처리하는 처리시스템에 있어서,
    상기 복수의 처리장치는, 상기 반송기구가 시료를 인도할 수 있는 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 시료의 처리시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 처리장치는 상기 회동축의 이동가능한 범위로부터 대략 등거리의 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 반송기구는 수평구동축을 가지고, 상기 수평구동축에 따라서 상기 유지부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 복수의 처리장치중 일부의 처리장치는 상기 수평구동축의 한쪽에서 상기 수평구동축과 대략 평행한 선상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 복수의 처리장치중 나머지의 처리장치는 상기 수평구동축의 다른쪽에서 상기 수평구동축과 대략 평행한 선상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 복수의 처리장치중 나머지 처리장치의 일부처리장치는 상기 수평구동축의 일단부 및/또는 타단부로부터 소정거리만큼 떨어진 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 수평구동축의 한쪽에 배치된 처리장치는 시료를 조작하거나 시료를 물리적 혹은 화학적으로 처리하는 처리장치를 구비하고, 상기 수평구동축의 다른 쪽에 배치된 처리장치는 시료를 취급하는 로더나 언로더를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 수평구동축의 한쪽에 배치된 처리장치와 상기 수평구동축의 일단부 및/또는 타단부에 배치된 처리장치는 시료를 조작하거나 시료를 물리적 혹은 화학적으로 처리하는 처리장치를 구비하고, 상기 수평구동축의 다른쪽에 배치된 처리장치는 시료를 취급하는 로더나 언로더를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  9. 제 1항 내지 제 8항중 어느 한 항에 있어서, 처리대상의 시료는 판형상의 시료이고, 상기 반송기구는 상기 유지부를 가진 판형상의 시료를 대략 수평으로 유지해서, 반송하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 복수의 처리장치의 각각은 상기 반송기구의 유지부와의 사이에서 시료를 대략 수평한 상태에서 인도하고 수취하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 처리대상의 판형상의 시료는, 분리층을 가지고, 상기 복수의 처리장치는 분리층에서 판형상의 시료를 분리하는 적어도 하나의 분리장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 분리장치는, 시료를 수평으로 유지하면서 판형상의 시료를 분리하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 분리장치는 판형상의 시료를 수평으로 유지하면서 분리층에 유체의 흐름을 분사하여 분리층에서 판형상의 시료를 분리하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 분리장치는 판형상의 시료를 유지하고 회전시키면서 분리층에 유체의 흐름을 분사하여 분리층에서 판형상의 시료를 분리하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  15. 제 13항 또는 제 14항에 있어서, 상기 분리장치는 시료를 윗쪽과 아랫쪽에서 샌드위치해서 시료를 유지하면서 판형상의 시료를 분리하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  16. 제 12항 내지 제 15항중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리장치는, 판형상의 시료를 유지하는 유지기구로서 베르누이척을 가지는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  17. 제 11항에 있어서, 상기 분리장치는 판형상시료의 분리층의 적어도 일부에 대해서 실질적으로 정지한 유체의 압력을 인가하여 판형상의 시료를 분리층에서 분리하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  18. 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 분리장치는 밀폐용기를 가지고, 판형상의 시료는 밀폐용기내에 수용되고, 밀폐용기내의 압력을 증가시켜서 판형상의 시료를 분리층에서 분리하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  19. 제 11항 내지 제 18항중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 처리장치는 판형상의 시료를 상기 분리장치에 인도하기 전에 판형상의 시료를 심출하는 심출장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  20. 제 11항 내지 제 19항중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 처리장치는 상기 분리장치에 의한 분리에 의해서 얻은 판형상의 시료를 세정하는 세정장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 세정장치는 상기 분리장치에 의한 분리에 의해서 얻은 판형상의 시료를 수평한 상태에서 세정하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  22. 제 11항 내지 제 21항중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 처리장치는 상기 분리장치에 의한 분리에 의해서 얻은 판형상의 시료를 세정하고 건조하는 세정/건조장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  23. 제 22항에 있어서, 상기 세정/건조장치는 상기 분리장치에 의한 분리에 의해서 얻은 판형상의 시료를 수평한 상태에서 세정하고 건조하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  24. 제 11항 내지 제 23항중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 처리장치는 상기 분리장치에 의한 분리에 의해서 얻은 2개 판형상의 시료중 윗쪽의 판형상의 시료를 180°회전시키는 반전장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  25. 제 1항 내지 제 24항중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 처리장치는 처리를 병행해서 실행하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  26. 제 1항 내지 제 25항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송기구는 스칼라로브트와, 상기 스칼라로보트를 수평면에서 직선상으로 구동하는 구동기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  27. 제 1항 내지 제 26항중 어느 한 항에 있어서, 분리층은 취약한 구조를 가진 층인 것을 특징으로 하는 처리시스템
  28. 제 27항에 있어서, 취약한 구조를 가진 층은 다공질층인 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  29. 제 27항에 있어서, 취약한 구조를 가진 층은 미소기포층인 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  30. 제 1항 내지 제 26항중 어느 한 항에 있어서, 처리대상의 판형상의 시료는 반도체기판인 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  31. 제 1항 내지 제 26항중 어느 한항에 있어서, 처리대상의 판형상의 시료는 제 1기판과 제 2기판을 접합해서 형성되고, 분리층으로서 취약한 구조를 가진 층을 가지는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
  32. 제 1항 내지 제 26항중 어느 한 항에 있어서, 처리대상의 판형상의 시료는 제 1반도체기판의 표면상에 다공질층을 형성하고, 이 다공질층상에 비다공질층을 형성하고, 비다공질층에 제 2기판을 접합해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리시스템.
KR1019990049122A 1998-11-06 1999-11-06 시료의 처리시스템 KR20000035285A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10316576A JP2000150611A (ja) 1998-11-06 1998-11-06 試料の処理システム
JP1998-316576 1998-11-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000035285A true KR20000035285A (ko) 2000-06-26

Family

ID=18078641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990049122A KR20000035285A (ko) 1998-11-06 1999-11-06 시료의 처리시스템

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0999577A3 (ko)
JP (1) JP2000150611A (ko)
KR (1) KR20000035285A (ko)
CN (1) CN1258093A (ko)
TW (1) TW468221B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852952B1 (ko) * 2001-04-25 2008-08-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 양면 처리장치
US9330898B2 (en) 2010-08-23 2016-05-03 Tokyo Electron Limited Separation system, separation method, program and computer storage medium

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10030431A1 (de) 2000-06-21 2002-01-10 Karl Suess Kg Praez Sgeraete F Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und/oder Bonden von Substraten
JP4043234B2 (ja) * 2001-06-18 2008-02-06 株式会社荏原製作所 電解加工装置及び基板処理装置
JP2003054932A (ja) * 2001-08-23 2003-02-26 Sharp Corp 半導体基板の製造装置、半導体基板およびその製造方法ならびに太陽電池
KR20050004156A (ko) * 2002-05-17 2005-01-12 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치 및 기판처리방법
US7575406B2 (en) * 2002-07-22 2009-08-18 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
US7988398B2 (en) * 2002-07-22 2011-08-02 Brooks Automation, Inc. Linear substrate transport apparatus
KR100500169B1 (ko) * 2003-07-02 2005-07-07 주식회사 디엠에스 도킹형 기판 이송 및 처리 시스템과, 그를 이용한 이송 및 처리 방법
US7527723B2 (en) 2004-01-16 2009-05-05 Ebara Corporation Electrolytic processing apparatus and electrolytic processing method
JP4869622B2 (ja) * 2005-04-19 2012-02-08 信越半導体株式会社 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いる剥離用治具
JP5552462B2 (ja) * 2010-08-23 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5455987B2 (ja) * 2010-08-23 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2014044974A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN103811397B (zh) * 2012-11-13 2016-06-01 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种基板翻转对中装置
PT3309279T (pt) 2016-10-14 2020-09-08 Atotech Deutschland Gmbh Método, aparelho de processamento de substrato do tipo bolacha e sua utilização

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4480585A (en) * 1983-06-23 1984-11-06 Energy Conversion Devices, Inc. External isolation module
KR950034505A (ko) * 1994-03-28 1995-12-28 이노우에 아키라 코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법
JPH08306760A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法および半導体装置の作製装置
KR970013008A (ko) * 1995-08-30 1997-03-29 윤덕용 Soi소자 제조장치 및 그를 이용한 soi소자의 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003907B1 (ko) * 1988-02-12 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
JPH07297258A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
TW309503B (ko) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5746565A (en) * 1996-01-22 1998-05-05 Integrated Solutions, Inc. Robotic wafer handler
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
SG68035A1 (en) * 1997-03-27 1999-10-19 Canon Kk Method and apparatus for separating composite member using fluid
JPH115064A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Canon Inc 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4480585A (en) * 1983-06-23 1984-11-06 Energy Conversion Devices, Inc. External isolation module
KR950034505A (ko) * 1994-03-28 1995-12-28 이노우에 아키라 코팅된 알루미늄계 부재를 가지는 처리장치와 알루미늄계 부재의 코팅방법 및 접합부의 형성방법
JPH08306760A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法および半導体装置の作製装置
KR970013008A (ko) * 1995-08-30 1997-03-29 윤덕용 Soi소자 제조장치 및 그를 이용한 soi소자의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852952B1 (ko) * 2001-04-25 2008-08-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 양면 처리장치
US9330898B2 (en) 2010-08-23 2016-05-03 Tokyo Electron Limited Separation system, separation method, program and computer storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
EP0999577A3 (en) 2005-02-23
TW468221B (en) 2001-12-11
CN1258093A (zh) 2000-06-28
JP2000150611A (ja) 2000-05-30
EP0999577A2 (en) 2000-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20050236114A1 (en) Sample processing system
KR20000035285A (ko) 시료의 처리시스템
US7579257B2 (en) Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
KR100444262B1 (ko) 시료의 처리시스템
KR100429524B1 (ko) 반도체시료의 처리시스템
US6427748B1 (en) Sample processing apparatus and method
TWI607487B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR100413146B1 (ko) 부재분리장치 및 부재분리방법
JP2009111406A (ja) 試料の処理システム
JP2000150456A (ja) 試料の分離装置及び分離方法
JP2000068172A (ja) 試料の分離装置及び分離方法
JP2001094081A (ja) 試料の分離装置及び分離方法並びに基板の製造方法
JP4143161B2 (ja) 部材の分離装置
JP4143162B2 (ja) 部材の分離方法及び半導体基板の製造方法
JP2000049061A (ja) 試料の処理装置及び処理方法
KR20000012011A (ko) 시료처리장치 및 시료처리방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
WITB Written withdrawal of application