TW468221B - Sample processing system - Google Patents

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TW468221B
TW468221B TW088119174A TW88119174A TW468221B TW 468221 B TW468221 B TW 468221B TW 088119174 A TW088119174 A TW 088119174A TW 88119174 A TW88119174 A TW 88119174A TW 468221 B TW468221 B TW 468221B
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TW
Taiwan
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processing system
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separation
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TW088119174A
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Kazutaka Yanagita
Kazuaki Ohmi
Kiyofumi Sakaguchi
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Canon Kk
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Description

A7 B7 五、發明說明(1 ) 發明背景. 下述爲本發明之相關習知技藝 • J p A 7-302889,公開於 1 9 9 5,11,14 • J P A 5-21338,公開於 1 9 9 3,1 , 29 發明領域 本發明係關於一種樣本處理系統,且更特別而言,係 關於一種處理系統,其包括用於處理一樣本之多數處理裝 置。 相關技藝之說明 具有SO I構造(絕緣體上之矽)之基底(SO I基 底)已知爲在一絕緣層上具有單晶矽層之基底。使用此 S〇I基底具有一般合基底所無法達成之優點。此優點如 下所述。 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印製 (1) 因爲介電隔離相當簡單,因此可增加整合程 度。 (2 ) 可增加輻射電阻。 (3 ) 因爲雜散電容非常小,因此可增加裝置之操 作速度。 (4 ) 無需井步階。 ' (5) 可防止閂鎖。 -4- (請先1¾讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Δ 6 82 2 A 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 A7 B7 五、發明說明) (6'.) 可藉由薄膜形成而形成完全空乏場效電晶體 〇 由於SOI構造具有上述各種優點,已對其形成方法 進行數拾年之硏究》 關於一 SOI技術方面,長久以來已知矽以CVD ( 化學蒸氣沉積)異晶晶成長在單晶藍寶石基底上之S 0 S. (藍寶石上之矽)技術。此S 0 S技術爲已知最成熟的 SO I技術"但是,因爲在介於矽層和底層藍寶石基底間 之介面中之晶格不匹配會產生大量的晶體缺陷,形成藍寶 石基底之鋁會混合在矽層中,此基底相當昂貴,和難以獲 得大面積等原因,此S 0 S技術並未實際使用。 除了 SOS技術外,亦呈現各種SOI技術。對於這 些SOI技術而言,已進行各種方法以降低晶體缺陷和製 造成本。這些方法包括離子植入氧至一基底以形成一掩埋 氧化層之方法,經由一氧化膜結合兩晶圓和拋光或蝕刻一 晶圓以留下薄膜單晶矽層在氧化膜上之方法,和從具有氧 化膜之砂基底之表面離子植入氮至預疋深度》結合基底至 .另一基底,藉由加熱等而留下薄膜單晶矽層在氧化膜上, 和剝離結合基底之一基底(另一基底)之方法。 本發明人已揭示一新的so I技術在曰本專利第5 _ 2 1 3 3 8號案中。在此技術中,藉由形成—非多孔單晶 層(包括單晶矽層)在具有多孔層之單晶半導體基底上而 準備之第一基底經由一絕緣層結合至第二基底。而後,此 .基底在多孔層上分離,藉以傳送非多孔單晶層至第二基底 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公爱) -5- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ii--------
一 1b,— — — — — — — — — I I I n I ^ I I I i ^ 1 ί I I I 1 n I I I 46 822 1 A7 B7 五、發明說明0 ) 。此技術之優點爲因爲S 0 I層之膜厚度均勻性相當良好 ,可降低在SOI層中之晶體缺陷密度,SOI層之表面 平坦度相當良好,因此不需要具有特殊規格之昂貴製造裝. 置,和可藉由單一製造裝置製造具有約數百A至10 厚 SO I膜之SO I基底。 本發明人亦已揭示一技術於日本專利第 7 — 3 0 2 8 8 9號案中,其中第一和第二基底結咅,第 一基底和第二基底無破裂的分離,所分離之第一基底表面 平坦化,再度形成一多孔層,和再使用該多孔層。由於第 一基底並未浪費,此技術之優點爲可顯著的降低製造成本 和簡化製造方法。 依照由本發明人所揭示之SOI基底製造方法,可製 造高品質SOI基底。但是,在大量生產SOI基底時, 處理操作序列必須以高速執行。 發明槪要 ' 本發明乃在考量上述之狀況下完成,且其目的乃在提 供一種處理系統,其適於製造,如,SOI基底。 依照本發明,於此提供一種樣本處理系統,包含:多 數處理裝置用以操控或處理樣本;和一傳送機構,其具有 一保持部份以保持該樣本,該傳送機構線性的移動該保持 部份在水平面和樞轉該保持部份繞著—樞轉軸,和移動該 保持部份靠近或遠離樞轉軸以傳送在多數處理裝置中之樣 本,其中多數之處理裝置設置在該傳送機構可傳送樣本之 {荈先閱対背面之注意事邛再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '.-Ht--I I----訂 *!111· ---I I — ---!lti 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公釐) -6- 6 822 1 A7 _ — B7 五、發明說明(4 ) /-^7 sxa '- 位置^ . (請先閲讀背面之ii意事項再填寫本頁} 在上述樣本處理系統中,該多數處理裝置最好設置在 和樞轉軸之可移動範圍分離之實質等距位置。 在上述樣本處理系統中,較佳的,該傳送機構具有水 平驅動軸,和移動.該保持部份沿著該水平驅動軸。 在上述樣本處理系統中,該多數處理裝置之部份處理 裝置設置在水平驅動軸之一側上,在實質平行於水平驅動 軸之一線上》 >. 在上述樣本處理系統中,多數處理裝置之剩餘處理裝 置設置在水平驅動軸之另一側上,在實質平行於水平驅動 軸之一線上。 在上述樣本處理系統中,該多數處理裝置之剩餘處理 裝置之部份處理裝置設置在與水平驅動軸之一端和/或另 一端有預定距離之位置上。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 在上述樣本處理系統中,較佳的,設置在水平驅動軸 之一側上之該處理裝i包含用以操控樣本或物理的或化學 的處理樣本之一處理裝置,和設置在水平驅動軸之另一側 上之該處理裝置包含用以'操控樣本之一負載器或釋載器。 在上述樣本處理系統中,較佳的,設置在水平驅動軸 之一側上之該處理裝置和設置在水平驅動軸之一端和/或 另一端上之該處理裝置包含用以操控樣本或物理的或化學 的處理樣本之處理裝置,和設置在水平驅動軸之另—側上 之該處理裝置包含用以操控樣本之負載器或釋載器_'。 ..在上述樣本處理系統中,較佳的,欲處理之樣本爲板 本紙張尺度適用中圉國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公« ) 4 6 822 A7 B7 經濟部智慧財產局BK工消费合作社印製 五、發明說明(β ) 狀樣本乂和該傳送機構以該保持部份實質水平的保持和傳 送該板狀樣本。 在上述樣本處理系統中,每個該多數處理裝置以實質 水平狀態傳送/接收該傳送機構之保持部份。 在上述樣本處理系統中,較佳的,欲處理之板狀樣本 具有一分離層,和該多數處理裝置包括至少一分離裝置以 分離在分離層上之板狀樣本- 在上述樣本處理系統中,該分離裝置分離板狀樣本, 並水平的保持樣本。 在上述樣本處理系統中,該分離裝置射出一液體流至 分離層,而水平的保持板狀樣本以分離在分離層上之板狀 樣本。 在上述樣本處理系統中,該分離裝置射出一液體流至 分離層,而水平的保持和轉動板狀樣本以分離在分離層上 之板狀樣本。 在上述樣本處理i統中,該分離裝置分離板狀樣本, 並藉由從上和下側夾住樣本而保持樣本》 在上述樣本處理系統中,該分離裝置具有一白努利( Bernoulli)夾盤以保持該板狀樣本、 在上述樣本處理系統中,該分離裝置應用實質爲靜止 之流體壓力至板狀樣本之至少部份分離層以分離在分離層 上之板狀樣本。 t 在上述樣本處理系統中,較佳的,該分離裝置具有一 密閉容器,該板狀樣本儲存在密閉容器中,和在密閉容器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公龙) -8 - i —I— I ln\>^ I I I I---I—--I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 822 t 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明φ ) 中之属力.增加以分離在分離層上之板狀樣本。 在上述樣本處理系統中,該多數處理裝置包括一對中 裝置用以在板狀樣本傳送至分離裝置前對中板狀樣本。 在上述樣本處理系統中,該多數處理裝置包括一淸潔 裝置用以淸潔由分離裝置所分離而得之板狀樣本。 在上述樣本處理系統中,該淸潔裝置淸潔由分離裝置 在水平狀態分離而得之板狀樣本。 在上述樣本處理系統中,該多數處理裝置包括一淸潔 /乾燥裝置用以淸潔和乾燥由分離裝置所分離而得之板狀 樣本。 在上述樣本處理系統中,該淸潔/乾燥裝置淸潔和乾 燥由分離裝置在水平狀態所分離而得之板狀樣本。 在上述樣本處理系統中,該多數處理裝置包括一反向 裝置用以樞轉由分離裝置所分離而得之兩板狀樣本之上板 狀樣本1 8 0 °。 在上述樣本處理k統中,該多數處理裝置平行的執行 處理。 在上述樣本處理系統中,該傳送機構包含一標量機器 人和一驅動機構以線性的驅動該標量機器人在水平面上。 在上述樣本處理·系統中,分離層爲具有一易碎構造之 層。. 在上述樣本處理系統中,具有易碎構造之層爲一多孔 層。 、 在上述樣本處理系統中,具有易碎構造之層爲一微空 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公笼) -9- -------------a— <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 6 82 2 1 A7 ______B7 五、發明說明p ) 腔層> ' . 在上述樣本處理系統中,欲處理之板狀樣本爲一半導 體基底》 在上述樣本處理系統中,欲處理之板狀樣本乃藉由結 合第一基底和第二基底而形成,且具有含一易碎構造之層 當成分離層β 在上述樣本處理系統中,欲處理之板狀樣本乃藉由形 成一多孔層在第一半導體基底之表面上,形成一非多孔層 在多孔層上,和結合第二基底至非多孔層而形成。 由下述之說明伴隨附圖之解說,可更加明瞭本發明之 上述和其它目的,特徵,和優點。 圖式簡單說明 ^圖/ 1 Α至1 Ε用以說明在依照本發明之一較佳實施例 製造一SO I基底中之步驟之截面圖; ^2爲依照本發^月之第一實施例之處理系統之示意構 造之平面圖; v/i 3爲依照本發明之第二實施例之處理系統之示意構 造之平面圖; 4爲在依照第一實施例之處理系統中,裝置之處理 執行步驟和藉由標量機器人之結合基底堆曼或分離基底之 傳送處理之例圖; ^圖5爲在依照第二實施例之處理系統中,裝置之處理 執行步驟和藉由標量機器人之結合基底堆疊或分離基底之 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) ------1 —訂- ---------線—} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 * 297公釐) -10- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 82 2 1 A7 ______B7__._ 五、發明說明妇) 傳送處a之例圖; . 圖6爲說明在處理系統中之一結合基底堆疊之處理步 驟之流程圖, 圖7爲分離裝置之第一構造之示意圖; 圖8爲圖7所示之基底保持部份之外觀之示意圖: 圖9爲分離裝置之第二構造之示意圖; 圖10爲圖9所示之分離裝置之一部份之圖: 圖11爲分離裝置之第三構造之示意截面圖: 圖12爲分離裝置之第三構造之示意截面圖; 圖1 3爲分離裝置之第四構造之示意圖;和 圖1 4 A和1 4 B爲標量機器人之機器手之另一構造 圖。 主要元件對照表 11 單晶矽基底 t . . . 12 多孔矽層 13 ·非多孔單晶矽層 15 絕緣層 10 第一基底 2 0 第二基底 5 0 結合基底堆疊 6000 處理系統 6 1 5 0 刻劃機器人 ' 6 1 6 0 水平驅動軸 11 --------II —----^ I 1 — — — — — —— — — — —------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -11 - 4 6 82^1 A7 B7 五、發明說明φ ) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 6 1 5 2'· 機器手 6 1 5 1 樞轉軸 6 1 3 0 反向裝 置 6 1 2 0 對中裝 置 6 1 1 0 淸潔/ 乾 燥 裝置 6 0 7 0 負載器 6 0 8 0 第一釋 載 器 6 0 9 0 第二釋 載 器 ‘ 6 1 0 0 第三釋 載 器 6 0 2 0 ,6 3 2 0 分離 裝 置 6 0 7 1 第一匣 6 0 8 1 第二匣 6 0 9 1 第三匣 6 1 0 1 第四匣 6 0 1 0 631 0 室 6 0 6 0 -636 0 9 3 0 3 0 氣 門 6 0 4 0 ,6 3 4 0 J 3 0 4 0 噴 嘴 6 0 5 0 . 635 0 正交 機 器 人 6 1 4 0 操作板 6 5 0 0 處理系 統 1 0 0 0 分離裝 置 2 7 0 > ] L 0 1 0 基 底保 持部 份 1 4 0 轉動軸 1 1 0 馬達 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公芨) -12 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂-----I--、線 ----------------------! dG B22 t' A7 B7 五、發明說明(1〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 3 0 耦合件 1 2 0 支持件 17 0 上台 14 1 真空線 15 0 環 . 2 7 1 吸入孔 16 0 軸承 10 1 3 白努利夾盤 10 2 0 升高軸 10 1 1 氣體導入部份 10 2 1 壓力線 10 2 2 環 3 2 0 氣缸 3 3 0 耦合件 2 4 0 下台 10 3 0 往復/轉導件 2 5 0 馬達 19 0 0 分離裝置 1 9 0 9 >19 0 1 基底保持部份 19 0 3 -19 12 凸支持部份 19 1 1 -1913 移位防止構件 19 0 4 轉動軸 19 2 0 支持台 19 0 6 軸承 -—— it — — — - — 11 — — · — I (請先閱讀背面之注意事項再$本頁)
I -線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) -13 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 822 1 A7 B7 五、發明說明(11 ) 1 9 0 7'.真空線 1902* 1914 吸入孔 1 9 0 8 環 1910 驅動軸 1 9 3 0 驅動機構 4000 分離裝置 ^ 4001,4004 基底支持構件 4003 絞鏈部份 4002-4005 密封構件 n n I* n n I n ) ) -eJI I— I— i I n ^p. I^i I I n >1 d a^i n n n c : J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 0 0 8 密 封 構 件 4 0 0 6 注 入 部 份 4 0 2 0 封 閉 空 間 4 0 1 1 壓 力 源 4 0 0 6 支 持 台 4 0 3 0 通 Asr 氣 孔 4 0 1 0 缸 < · 4 0 0 9 支持 部 份 5 0 0 0 分 離 裝 置 5 0 0 1 密 閉 容 器 5 0 0 2 密 封 蓋 5 0 1 1 樣 本支 持構件 5 0 0 8 注 入 埠 5 0 1 0 泵 5 0 0 9 閥 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14-
6 -1—-- d. 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印S A7 822 11 ________B7____ 五、發明說明(12 ) 5 Ο 0. 6'.釋放埠 5 〇 〇 7 釋放控制閥 5004 震動源 9〇〇4 U形主體 9001-9003 保持部份。 較佳實施例之詳細說明 以下參考圖式說明本發明之較佳實施例。 1 Α至1 Ε爲說明在依照本發明之一較佳實施例製 造一S O I基底中之步驟之截面圖9 在圖1A之步驟中,準備一單晶矽基底11,和藉由 例如陽極化形成一多孔矽層1 2在單晶矽基底1 1之表面 上°在圖1B所示之步驟中,一非多孔單晶矽層13藉由 磊晶成長而形成在多孔矽層1 2上。一絕緣層(例如,一 i i 0 2層)1 5形成在非多孔單晶矽層1 3上。以此處理 ,可形成第一基底1 〇。 在圖1 C所示之步驟中,,準備第二基底,且和第一基 底10在室溫下緊密接觸,而使絕緣層15相對於第二基 底2 0 °而後,藉由陽極化結合,按壓,加熱,或其結合 以結合第一基底1 〇.和第二基底2 0。絕緣層1 5和第二 基底2 0緊密的結合以形成結合基底堆疊5 0。如上所述 ,絕緣層1 5可形成在非多孔單晶矽層1 3上。替代的, 絕緣層1 5亦可形成在第二基底2 0或在非多孔單晶矽層 1 3和第二基底2 0上,只要在第一和第二基底互相緊密 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公芨) .\^--------^---------^ — ----------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) \ -15- 4 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 6 822 1 A7 _____B7_____ 五、發明說明(13 ) 接觸時可獲得如圖1 c所示之狀態即可β 奄/ί ID所示之步驟中,兩結合基底在多孔矽層12 上分離。第二基底側(1CK + 20)具有多孔矽層 1 2" /單晶矽層1 3/絕緣層1 5/單晶矽層2 0之多 層構造。第一基底側(1 0 >)具有一構造,其中多孔矽 層1 2 >形成在單晶矽基底11上》 在移除剩餘多孔矽層1 2 >,且多孔矽層1 2 >之表 面依需要平坦化後,使用分離基底(l·. 〇 /)當成單晶矽 基底11,以再度形成第一基底(10)。 在結合基底堆疊分離後,在圖1E所示之步驟中,在 第二基底側(1 0〃 + 20)上之表面上之多孔層1 2" 受到選擇性移除。以此處理,可獲得具有單晶矽層1 3 / 絕緣層1 5/單晶矽基底2 0之多層構造,亦即,S〇 I 構造之基底。 關於第二基底方面,可使用不只單晶矽基底,且亦可 使用一絕緣基底(如1石英基底)或一透明基底(如,石 英基底)。 在上述製造方法中,爲了利於結合兩基底和將它們分 離之處理(圖1 D),具有易碎構造之多孔矽層1 2形成 在分離區域中。亦可形成微空腔層以取代多孔層。此微空 腔層可以例如將離子植入半導體基底而形成β 以下說明在上述製造如SO I基底之方法中,適合用 於結合基底堆疊處理(圖1D)之處理系統。 ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -16- 46 822 ί Α7 「 _B7 五、發明說明(14 ) (第一,施例) · 2爲依照本發明之第一實施例之處理系統之示意構 造平面圖。在處理系統6000中,由一匣中抽出一結合 基底堆疊並將其分離,和分離之基底受到淸潔和乾燥,分 類,和儲存在匣中。 處理系統6 0 0 0具有一標量機器人6 1 5 0和水平 驅動軸6 0 6 0用以線性的驅動標量機器人6 1 5 0,此 兩者當成結合基底堆疊傳送機構。在處理系統6 0 0 0中 ,標量機器人6 1 5 0沿著水平驅動軸6 0 6 0線性的移 動,且同時,標量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2在水 平面上繞著樞轉軸6 1 5 1樞轉以移動機器手6 1 5 2靠 近或遠離樞轉軸6 1 5 1 .藉以在裝置中傳送.結合基底堆 疊或分離基底。 處理系統6 0 0 0具有各種處理裝置以在結合基底堆 疊或分離基底可在裝置和標量機器人6 1 5 0之機器手 6 1 5 2間傳送之位i上操控或處理結合基底堆疊或分離 基底。處理裝置最好設置在和標量機器人6 1 5 0可移動 之位置分離之實質等距離位置上。 更特別而言,在此實施例中,處理系統6 0 0 0具有 反向裝置6130,對中裝置6120,和淸潔/乾燥裝 置6110當成處理裝置以操控結合基底堆疊或分離基底 或物理的或化學的處理在水平驅動軸6 1 6 0 —側上以和 水平驅動軸6 1 6 0分離之實質等距離之位置之結合基底 .堆疊或分離基底。在此實施例中,處理系統6 0 0 0具有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i -------—訂 il- ί — !線—------------1 -----I___ d 6 822 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明〇5 ) —負載器‘6 070,第一釋載器6080,第二釋載器 6090,和第三釋載器61〇〇當成當成用以操控在水 平驅動軸6 1 6 0另一側上以和水平驅動軸6 1 6 0分離 之實質等距離之位置之結合基底堆疊或分離基底之處理裝 置。在此實施例中,分離裝置設置在與水平驅動軸 6 1 6 0之一端分離預定距離之位置上^ 在處理前,儲存多數結合基底堆疊之第一匣6 0 7 1 設置在負載器6 0 7 0上。在處理前,;一空的第二匣 6 0 8 1設置在第一釋載器6 0 8 0上,一空的第三匣 6 0 9 1設置在第二釋載器6 0 9 0上,和一空的第四匣 6 1 0 1設置在第三釋載器6 1 0 0上》 對中裝置6 1 2 0由標量機器人6 1 5 0接收結合基 底堆疊,執行(對中)處理以將結合基底堆疊之中央對準 在預定位置,而後傳送結合基底堆疊至標量機器人 6 15 0° 反向裝置6 1 3 0轉動兩分離基底之上基底1 8 0° ,以反向基底(引導分離表面向上標量機器人 6 1 5 0具有轉動基底1 8 0°以使基底反向之功能。在 .此例中,可省略反向裝置6 1 3 0。 在圖2所示之實施例中,分離裝置6020將一流體 (噴射介質)射向結合基底堆疊之多孔層,以藉由流體在 多孔層上分離結合基底堆疊《分離裝置6 0 2 0設置在一 室6 0 1 0中,‘以防止後述之噴射介質(例如水)散佈至 週邊部份》室6010具有一氣門6060,而標量機器 本紙ife尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格(210 χ 297公芨) -18- ~ ί ---— ----- ---訂· — ---I {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46822 A7 B7 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 五、發明說明(16 ) 人6 1 0之機.器手6 1 5 2可由此進入或離開室。分離 裝置6 0 2 0具有一噴嘴6 0 4 0以噴出一噴射流。噴嘴 6 0 4 0之位匱由一正交機器人6 0 5 0所控制。關於分. 離裝置6 0 2 0方面,亦可使用其它型式之分離裝置,其 將於後說明。 淸潔/乾燥裝置6110淸潔和乾燥分離基底。亦可 使用分離之淸潔裝置和乾燥裝置以取代清潔/乾燥裝置 6 110。 > 處理系統6 0 0 0根據來自操作板6 1 4 0之指示執 行結合基底堆疊之分離處理。 此處理系統之處理過程將說明如下。首先,儲存欲處 理之結合基底堆疊(如圖1 C所示之結合基底堆疊5 0 ) 之第一匣6 0 7 1以手動或自動的設置在負載器6 0 7 0 上之預定位置上。空的第二匣6081,第三匣6091 ,和第四匣6101分別設置在第一釋載器6080,第 二釋載器6 0 9 0,in第三釋載器6 1 0 0上。 在此實施例中,第二匣6 0 8 1使用以儲存下分離基 底,第三匣609 1使用以儲存上分離基底,和第四匣 6 1 0 1使用以儲存分離失敗之結合基底堆疊(或分離基 底)。 第一匣6 0 7 1設置在負載器6 0 7 0上,以使所儲 存之結合基底堆疊變成水平。第二匣6 0 8 1,第三匣 6.0 9 1,和第四匣6 1 0 1分別設置在第一釋載器 6.0 80,第二釋載器6090,和第三釋載器6 100 --------t--------- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) -19- 46 822 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(17 ) 上,因此.基底可以水平狀態儲存<= 圖6爲用於一結合基底堆疊之處理系統6 〇 〇 〇之處 理過程之流程圖。在步驟S 1 0 1中,標量機器人 6 1 5 0箝夾在第一匣6 0 7 1中之最下結合基底堆疊在 負載器6 0 7 0上,抽出結合基底堆疊,和將其傳送至對 中裝置6 1 2 0,並保持水平狀態、在步驟S 1 〇 2中, 對中裝置6 1 2 0對中結合基底堆疊且將其傳送至標量機 器人6 1 5 0。 . 在步驟S103中,室6010之氣門6060打開 以由標量機器人6 1 5 0傳送結合基底堆疊至分離裝置 6 0 2 0。當由下側以水平狀態支持結合基底堆疊時,標 量機器人6 1 5 0最好傳送對中之結合基底堆疊至分離裝 置6 0 2 0。如此可避免結合基底堆疊之掉落。傳送至分 離裝置6 0 2 0之結合基底堆疊已對中。因此,當標暈機 器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2移動至預定位置以傳送結 合基底堆疊至分離裝^6020時,結合基底堆疊可設置 至分離裝置6 0 2 ◦。 在步驟S104中,室6010之氣門6060關閉 ,且藉由分離裝置6 0 2 0執行分離處理。更特別而言, 在此實施例中,當在水平狀態中轉動結合基底堆疊時,分 離裝置6 0 2 0由噴嘴6 0 4 0噴出一噴射流向著結合基 底堆疊之多孔層,以藉由噴射流在多孔層上分離結合基底 堆疊成爲兩基底。 ' 在步驟S105中,室6010之氣門6060打開
Ilf----11---»11-----) ----- ——線-; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁J 本紙張尺度適用中固國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公爱) -20- 46 822 1 A7 B7 五、發明說明(18 ) ,和標.量.機器人6 1 5 0從分離裝置6 0 2 0接收下分離 基底,並將此基底傳送至淸潔/乾燥裝置6 1 1 0。標量 機器人6 1 5 0最好在從下側支持基底在水平狀態時,從 分離裝置6 0 2 0接收基底,和傳送基底至淸潔/乾燥裝 置6 1 1 0。如此可避免基底之掉落。 在步驟S 1 0 6中,淸潔/乾燥裝置6 1 1 0開始淸 潔和乾燥下分離基底。 和淸潔/乾燥處理平行的,在步驟S 1 〇 7中,標量 機器人6 1 5 0從分離裝置6 0 2 0中接收上分離基底, 和將此基底傳送至反向裝置6 1 3 0 »標量機器人 6 1 5 0最好在從上側支持基底在水平狀態時,從分離裝 置6 0 2 0接收基底,和傳送基底至反向裝置6 1 3 0。 以此構造,黏著至分離裝置表面之晶片極少黏著至標量機 器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2。再者,可避免因爲晶片 •而對基底造成之損壞》 < · 在步驟S 1 0 8中,反向裝置6 1 3 0轉動所接收之 基底18 0° 。而處理等待直到由淸.潔/乾燥裝置 6110對下基底所執行之淸潔/乾燥處理終止。 在步驟S 1 0 9中,標量機器人6 1 5 0從淸潔/乾 燥裝置6 1 1 0中接·收下基底,和儲存基底在第一釋載器 6 0 8 0上之第二匣6 0 8 1中。標量機器人6 1 5 0最 好在從下側支持基底在水平狀態時,從分離裝置6 0 2 0 接收基底,和將其儲存在第二匣6 0 8 1中。如此可避免 基底之掉落。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先Mil背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---I I I I I ^--— — — — — — — — — — — —— — — — — — illllllln! -21 - 46 822 1 A7 ____ B7 五、發明說明(19 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、奔步>驟S 1 1 0中,標量機器人6 1 5 0從反向裝置 6 1 3 0接收上基底和將基底傳送至淸潔/乾燥裝置 6 1 1 0。標量機器人6 1 5 0最好在從下側支持基底在 水平狀態時,從反向裝置6 1 3 0接收基底,和傳送基底 至淸潔/乾燥裝置6 1 1 0。如此可避免基底之掉落》 在步驟S 1 1 1中,淸潔/乾燥裝置6 1 1 0淸潔和 乾燥上基底9在步驟S 1 1 2中,標量機器人6 1 5 0從 淸潔/乾燥裝置6110中接收上基底,和儲存基底在第 二釋載器6 0 9 0上之第三匣6 0 9 1中。標量機器人 6 1 5 0最好在從下側支持基底在水平狀態時,從淸潔/ 乾燥裝置6 1 1 0接收基底,和將其儲存在第二釋載器 6090之第三匣6091中。如此可避免基底之掉落。 在圖6之處理中,下分離基底首先受到淸潔和乾燥。 相反的,亦可使上分離基底首先受到淸潔和乾燥。在此例 中,處理進行以例如步驟S 1 〇 1,S 1 0 2,S 1 〇 3 ,s 1 〇 4 , S 1 〇 7 , S 1 0 8 , S 1 1 0 , Sill ,S112, Sl〇5, S106,和S109之順序進 行。 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 在處理系統6 0 0 0中,標量機器人6 1 5 0依照從 操作者經由操作板6 1 4 0而來之指示輸入儲存分離失敗 之基底在第三釋載器6 1 0 0上之第四匣6 1 0 1中。除 了依照來自操作者之指示辨識分離失敗外,亦可準備一分 離狀態監視裝置以偵測一分離失敗。 '' 上述已說明用於一結合基底堆疊之處理系統6 0 0 0 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 * 297公爱) 46 822 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明¢0 ) 之操作。在處理系統6 0 0 Q中,多數結合基底堆疊可平 行的處理。 圖4爲藉由標量機器人傳送之結合基底堆疊或分離基. 底之傳送處理和裝置之處理執行過程之例圖。參考圖4, 水平線表示由裝置之處理,和斜線表示由標量機器人 6 150所執行之基底傳送處理。此外,# 1至# 3表示 結合基底堆疊之編號,具有注標a之編號表示分離上基底 ,和具有注標b之編號表示分離下基底。 在依照此實施例之處理系統6000中,由於只有一 標量機器人6 1 5 0使用當成一機器人以傳送結合基底堆 疊或分離基底,因此無法同時傳送多數之結合基底堆疊或 分離基底。 但是,由標量機器人6 1 5 0用於傳送處理所需之時 間通常充分的短於由分離裝置6 0 2 0分離處理之時間。 因此,一機器人已足以傳送結合基底堆疊或分離基底。當 多數之結合基底堆疊ά分離基底需要同時傳送時,例如, 當只以一機器人之處理效率變成非常低時,可使用多數之 機器人(例如標量機器人)。 如上所述,依照此處理系統6 0 0 0,可平行處理多 數結合基底堆疊,以促成高產量。 依照此實施例,由於結合基底堆疊或分離基底在水平 狀態中傳送,可使用具有相當簡單構造之機器人(標量機 器人)當成傳送機構" ' 依照此實施例,裝置乃設置在和標量機器人6 1 5 0 --------^----------------------------I___ (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -23- 46 822 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明θ ) 可移動之.範圍分離實質等距離之位置上。當標量機器人 6150沿水平驅動軸6160移動時,且同時,機器手 6 15 2在水平面繞著樞轉軸6 1 5 1樞轉以移動機器手 6 1 5 2靠近或遠離樞轉軸6 1 5 1時,結合基底堆疊或 分離基底可在裝置間傳送>因此,結合基底堆疊或分離基 底可有效的傳送至所需位置。 (第二實施例) ·· ..圖3爲依照本發明之第二實施例之處理系統之示意構 造平面圖。在處理系統6 5 0 0中,由一匣中抽出一結合 基底堆疊並將其分離,和分離之基底受到淸潔和乾燥,分 類,和儲存在匣中,如同在第一實施例中之處理系統 6000。但是,處理系統6500和第一實施例之不同 點在於此系統具有兩分離裝置= 處理系統6 5 0 0具有一標量機器人6 1 5 0和水平 驅動軸6 1 6 0用以k性的驅動標量機器人6 1 5 0,此 兩者當成結合基底堆疊傳送機構。在處理系統6 5 0 0中 ,標量機器人6 1 5 0沿著水平驅動軸6 1 6 0線性的移 動,且同時,標量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2在水 平面上繞著樞轉軸6 1 5 1樞轉以移動機器手6 1 5 2靠 近或遠離樞轉軸6 1 5 1,藉以在裝置中傳送結合基底堆 疊或分離基底。 處理系統δ 5 0 0具有各種處理裝置以在結合基底堆 疊或分離基底可在裝置和標量機器人6 1 5 0之機器手 — — — — ^ I - — I ^ ϋ J I t— I . (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) ί線! 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -24- 4.6 Β22 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明钤) 6 1 5 間傳送之位置上操控或處理結合基底堆疊或分離 基底。處理裝置最好設置在和標量機器人6 1 5 0可移動 之位置分離之實質等距離位置上。 更特別而言,在此實施例中,處理系統6500具有 反向裝置6 13 0.,對中裝置6 120,和淸潔/乾燥裝 置6110當成處理裝置以操控結合基底堆疊或分離基底 或物理的或化學的處理在水平驅動軸6 1 6 0 —側上以和 水平驅動軸6 1 6 0分離之實質等距離之位置之結合基底 堆疊或分離基底。在此實施例中,處理系統6 5 0 〇具有 一負載器6 0 70,第一釋載器6 0 8 0,第二釋載器 6 0 9 0,和第三釋載器6 1 0 0當成當成用以操控在水 平驅動軸6 1 6 0另一側上以和水平驅動軸6 1 6 0分離 之實質等距離之位置之結合基底堆疊或分離基底之處理裝 置。 '在此實施例中,第一分離裝置6 0 2 0設置在與水平 驅動軸6 1 6 0之一 ^分離預定距離之位置上第二分離 裝置6 3 2 0設置在與水平驅動軸6 1 6 0之另一端分離 預定距離之位置上。第一分離裝置6 0 2 0和第二分離裝 置6 3 2 0可具有相同或不同的構.造。 在圖3所示之實施例中,第一分離裝置6 0 2 0設置 在一室6 0 1 0中,以防止噴射介質(例如水)散佈至週 邊部份。室6 0 1 0具有一氣門6 0 6 0,而標量機器人 Τ 6.1 5 0之機器手6 1 5 2可由此進入或離開室。分離裝 置.6 CT2 0’具有一噴嘴6 0 4 0以噴出一噴射流。噴嘴 1-----. 1-----It·!--- (請先¾讀背面之注§項再填寫本頁) • n I- n ϋ 1 I— n It i I . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -25- Λ 經濟部智慧財產局具工消費合作社印^ 6 822 1 A7 _____B7_;___ 五、發明說明¢3 ) 6 〇 4 CT之位置由一正交機器人6 0 5 0所控制。關於分 離裝置6 0 2 0方面,亦可使用其它型式之分離裝置,其 將於後說明。 相似的,第二分離裝置6 3 2 0設置在一室6 3 1 0 中,以防止噴射介質(例如水)散佈至週邊部份。室 6〇1〇具有一氣門6360,而標量機器人6150之 機器手6 1 5 2可由此進入或離開室。分離裝置6 3 2 0 具有一噴嘴6 3 4 0以噴出一噴射流〜噴嘴6 3 4 0之位 置由一正交機器人6 3 5 0所控制。關於分離裝置 6 3 2 0方面,亦可使用其它型式之分離裝置,其將於後 說明。 此處理系統之處理過程將說明如下。首先,儲存欲處 理之結合基底堆疊之第一匣6 0 7 1以手動或自動的設置 在負載器6 0 7 0上之預定位置上。空的第二匣6 0 8 1 ,第三匣6 0 9 1,和第四匣6 1 0 1分別設置在第一釋 載器6 0 8 0,第二^載器6 0 9 0,和第三釋載器 6 1 0 0 上。 在此實施例中,第二匣6 0 8 1使用以儲存下分離基 底,第三匣6 0 9 1使用以儲存上分離基底,和第四匣 6 1 0 1使用以儲存分離失敗之結合基底堆疊(或分離基 底)。 第一匣6 0 7 1設置在負載器6 0 7 0上,以使所儲 存之結合基底堆疊變成水平。第二匣6 〇 8 1,第三匣 6 0 9 1 ,和第四匣6 1 0 1分別設置在第—釋載器 本紙張尺度適用中囡國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I I I I — — — —— — — I -26- 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 6 82 2 1 A7 -—_ B7_____ 五、發明說明㉔) 60 8. 0'‘,第二釋載器6090,和第三釋載器6100 上,因此基底可以水平狀態儲存, 圖6爲用於一結合基底堆疊之處理系統6 5 0 0之處 理過程之.流程圖。在步驟s 1 〇 1中,標量機器人 6 1 5 0箝夾在第一匣6 0 7 1中之最下結合基底堆疊在 負載器6070上,抽出結合基底堆疊,和將其傳送至對 中裝置6 1 20,並保持水平狀態。在步驟s 1 02中, 對中裝置6 1 2 0對中結合基底堆疊且將其傳送至標量機 器人6 1 5 0。 在步驟S103中,爲了處理例如奇數編號結合基底 堆疊,室6 0 1 0之氣門6 0 6 0打開以由標量機器人 6 1 5 0傳送對中結合基底堆疊至第一分離裝置6 0 2 0 °另一方面,在步驟S103中,爲了處理例如偶數編號 結合基底堆疊,室6 3 1 0之氣門6 3 6 0打開以由標量 機器人6 1 5 0傳送對中結合基底堆疊至第二分離裝置 6 3 2 0 ° ' 在步驟S 1 0 4中,爲了處理例如奇數編號結合基底 堆疊,室6010之氣門6060關閉,且藉由第一分離 裝置6 0 2 0執行分離處理。另一方面,爲了處理例如偶 數編號結合基底堆疊·,室6 3 1 0之氣門6 3 6 0關閉, 且藉由第二分離裝置6320執行分離處理。 在步驟S 1 〇 5中,爲了處理例如奇數編號結合基底 堆疊,室6 0 1 0之氣門6 0 6 0打開,和標量機器人 6 1 5 0從第一分離裝置6 0 2 0接收下分離基底,並將 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -27- -、u--------t---------^ 1 ----I-------I---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 822 1 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明C25 ) 此基底傳途至淸潔/乾燥裝置6 1 1 0。另一方面,爲了 處理例如偶數編號結合基底堆疊,室6 3 1 0之氣門 6 3 6 0打開,和標量機器人6 1 5 0從第二分離裝置_ 6 3 2 0接收下分離基底,並將此基底傳送至淸潔/乾燥 裝置6 1 1 0。 在步驟S 1 〇 6中,淸潔/乾燥裝置6 1 1 0開始淸 潔和乾燥下分離基底。 和淸潔/乾燥處理平行的,在步驟S 1 0 7中,爲了 處理例如奇數編號結合基底堆疊,標量機器人6 1 5 0從 第一分離裝置6 0 2 0中接收上分離基底,和將此基底傳 送至反向裝置6 1 3 0。另一方面,爲了處理例如偶數編 號結合基底堆叠,標量機器人6 1 5 0從第二分離裝置 6 3 2 0中接收上分離基底,和將此基底傳送至反向裝置 6 13 0° 在步驟S 1 0 8中,反向裝置6 1 3 0轉動所接收之 基底180° 。而處4等待直到由淸潔/乾燥裝置 6110對下基底所執行之淸潔/乾燥處理終止。 在步驟S 1 0 9中,標量機器人6 1 5 0從淸潔/乾 燥裝置6 1 1 0中接收下基底,和儲存基底在第一釋載器 6080上之第二匣6081中。 在步驟S 1 1 0中,標量機器人6 15 0從反向裝置 6 1 3 0接收上基底和將基底傳送至淸潔/乾燥裝置 t 6 110° ' 在步驟s111中,淸潔/乾燥裝置6110淸潔和 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) -28 - 「U--------訂---------線I (讀先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 46 822 1 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 A7 B7 五、發明說明¢26 ) 乾燥上基底。在步驟S 1 1 2中,標量機器人6 1 50從 淸潔/乾燥裝置6110中接收上基底,和儲存基底在第 二釋載器6 0 9 0上之第三匣6 0 9 1中。 在圖6之處理中,下分離基底首先受到淸潔和乾燥。 相反的,亦可使上分離基底首先受到淸潔和乾隆。在此例 中,處理進行以例如步驟S101, S102, S103 ,s 1 0 4 , S 1 0 7 , S 1 〇 8 , S 1 1 〇 , Sill ,S112, S105, S106,和Sl〇9之順序進 行。 在處理系統6 5 0 0中,標量機器人6 1 5 0依照從 操作者經由操作板6 1 4 0而來之指示輸入儲存分離失敗 之基底在第三釋載器6 1 0 0上之第四匣6 10 1中。除 了依照來自操作者之指示辨識分離失敗外,亦可準備一分 離狀態監視裝置以偵測一分離失敗。 上述已說明用於奇數或偶數編號之結合基底堆疊之處 理系統6500之操ίΐ»在處理系統6500中,多數結 合基底堆壘可平行的處理。 圖5爲藉由標量機器人傳送之結合基底堆疊或分離基 底之傳送處理和裝置之處理執行過程之例圖。參考圖5, 水平線表示由裝置之處理,和斜線表示由標量機器人 6150所執行之基底傳送處理。此外,# 1至# 7表示 結合基底堆疊之編號,具有注標a之編號表示分離上基底 ,和具有注標b之編號表示分離下基底。 、 在依照此實施例之處理系統6500中,由於只有一 ---------1—^ — — — ! --------------------1 . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國囤家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -29 - 46 8221 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明泛7 ) 標量機諄人6 1 5 0使用當成一機器人以傳送結合基底堆 疊或分離基底,因此無法同時傳送多數之結合基底堆疊或 分離基底。 但是,由標量機器人6 1 5 0用於傳送處理所需之時 間通常充分的短於由分離裝置6 0 2 0分離處理之時間。 因此,一機器人已足以傳送結合基底堆疊或分離基底。當 多數之結合基底堆疊或分離基底需要同時傳送時,例如, 當只以一機器人之處理效率變成非常低時,可使用多數之 機器人(例如標量機器人)。 在此實施例中,假設在對中處理,分離處理,轉動處 理,和淸潔/乾燥處理中,分離處理花費最長時間,因此 使用兩分離裝置。如果另一處理需要最長時間,則使用用 以執行此處理之兩處理裝置。在上述之假設下,可使用可 同時分離兩或多數結合基底堆疊之分離裝置。 如上所述,依照此處理系統6500,由於可準備用 於需要長時間執行處^之多數處理裝置,相較於第一實施 例,可縮短整體處理時間,以促成高產量。此外,藉由第 二實施例之處理系統6 5 0 0可獲得如同第一實施例之處 理系統6 0 0 0相同的效果》 以下說明適於第一和第二實施例之分離裝置之構造。 (分離裝置之第一構造) 分離裝置乏第~構造使用水噴射方法。一般而言,水 噴射方法噴射一高速,高壓水流至一目標,以切割或處.理 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 30 ------訂·!----1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ο 468221 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印*'衣 A7 B7 五、發明說明¢28 > 如—陶瓷^金屬,混凝土,樹脂,橡膠,或樹木,由表面 移除一塗覆膜,或淸潔表面(參考”水噴射”,V 0 1 . 1 No. 1,第 4 頁(1984))。 此分離裝置噴射一流體流至當成結合基底堆疊之易碎 構造之多孔層(分.離區域)以選擇性的使多孔層破裂,藉 以分離在多孔層上之基底堆疊。此流體流在此說明書中當 成一噴射流。形成噴射流之流體即爲噴射介質。關於噴射 介質方面,可使用水,例如乙醇之有機溶劑,如氫氟酸或 硝酸之酸,如氫氧化鉀之鹼,如空氣,氮氣,碳酸氣I稀 有氣體,或蝕刻氣體之氣體,或電漿。 當此分離應用以製造一半導體裝置或分離如結合基底 堆疊時,最好使用具有最少雜質金屬或顆粒之純水當成形 成噴射流之流體。 噴射流噴射狀況可依照分離區域之形式(如多孔層) 或結合基底堆疊之側表面之形狀而定。關於噴射流噴射狀 況,如應用至噴射介質之壓力,噴射掃瞄速度,噴嘴寬度 或直徑(此直徑實質和噴射流直徑相同),噴嘴形狀.介 於噴嘴和分離區域間之距離,和噴射流之流速皆爲重要的 參數。’ 依照使用水噴射方法之分離方法,一結合基底堆疊可 分離成兩基底而不會破壞結合基底堆疊。 此分離裝置保持如一結合基底堆疊之樣本,並設定樣 本表面實質水平,和在此狀態中,分離在易碎構造'(如, 多孔層·)上之樣本。當樣本受到保持而其表面設定爲水平 --------訂---------線 —^ <靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 χ 297公萤) -31 - 46 822 1 A7 B7 經濟邨智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明㈣) 時,(Γ.)樣本可免於掉落,(2)樣本可輕易保持,( 3)樣本可輕易傳送,(4)樣本可有效的在分離裝置和 另一裝置間傳送,和(5 )因爲構成元件可設置在垂直方 向,可降低分離裝置之投射區域(占據區域)。 圖7爲分離裝置之第一構造之示意圖。分離裝置 1 〇 〇 〇具有一對基底芦持部份2 7 0和1 0 1 0。 上基底保持部份2 7 0耦合至轉動軸1 4 0之一端。 轉動軸1 4 0之另一端經由一耦合件3 0耦合至馬達 110之轉動軸。馬達11〇和轉動軸140可不經由耦 合件1 3 0而是經由一皮帶或其它機構耦合。馬達1 1 〇 固定至固定在上台1 7 0上之支持構件1 2 0。馬達以一 控制部份’(未顯示)控制。 用以真空箝夾結合基底堆疊5〇在基底保持部份 2 7 0上之真空線1 4 1延伸至轉動軸1 4 0。真空線 1 4 1經由一環1 5 0連接至外部真空線。外部真空線具 有一螺旋管閥(未顯+)。螺旋管閥依需要以控制部份( 未顯示)開/關控制。基底保持部份2 7 0具有一吸入孔 2 7 1以真空箝夾結合基底堆疊5 0。吸入孔2 7 1連接 至真空線1 4 1。吸入孔2 7 1,真空線1 4 1,和螺旋 管閥構成基底保持部份2 7 0之真空箝夾機構。轉動軸 1 4 0由上台1 7 0經由一軸承1 6 0而支持" 下基底保持部份1 〇 1 〇具有一白努利(Bernoulli ) 夾盤1 0 1 3。白努利夾盤1 〇 1 3由遮蔽罩形夾盤之中 央噴射一氣體徑向沿著遮蔽罩和使用夾盤之中央部份具有 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) -I · I J I ϊ I I I ·11111
n n I 線丨ο---------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 32 - d6 822 A7 B7 五、發明說明(3〇 ) 負壓之.事.實箱夾當成結合基底堆疊之樣本。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有白努利夾盤lOiS之基底保持部份1010耦 合至升高軸1 0 2 〇之一端。白努利夾盤i 〇 1 3之氣體. 導入部份1 0 1 1耦合至在升高軸1 〇 2 0中之壓力線 10 21 °壓力線102 1經由一環1022連接至外部 壓力線。外部壓力線具有一螺旋管閥(未顯示)。螺旋管 閥依需要由控制部份(未顯示)開關控制。升高軸 1 0 2 0之另一端經由一耦合件3 3 0耦合至氣缸3 2 0 之活塞桿。升高軸1 0 2 0由下台經由一往復/轉動導件 1 0 3 0所支持。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 噴嘴3040 (相當於噴嘴6040或6340)由 上述正交機器人6 0 5 0或6 3 5 0所控制。氣門 3030 (相當於氣門6030或6330)插入於噴嘴 3 0 4 0和基底保持部份2 7 0和1 0 1 0間。氣門 _3 0 3 0以馬達2 5 0開/關。當氣門3 0 3 0打開,且 在此狀態時,噴射流i噴射3 0 4 0射出,此噴射流可注 入結合基底堆疊5 0中。當氣門3 0,3 0關閉時,可停止 噴射流之注入結合基底堆疊5 0 β 以下說明分離裝置1 0 0 0之分離處理之過程。氣缸 3 2 0縮回活塞桿以彤成適當的間隙在基底保持部份 2 7 0和基底保持部份1 〇 1 〇間。在此狀態中,結合基 底堆疊5 0由標量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2由下 側水平的支持,插入介於基底保持部份2 7 0和基底保持 部份1010間之預定位置,和設置在基底保持部份 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) 經濟邨智慧財產局具工消費合作社印製 4 6 822 1 A7 B7 五、發明說明⑺) 1 0 1 0'上。 圖8爲基底保持部份2 7 0和1 0 1 0之外觀之示意 圖》基底保持部份2 7 0和1 0 1 0在其外週緣部份上具· 有多數導件2 70 a和1 0 1 0 a以在分離時防止結合基 底堆疊引起位置移位或由基底保持部份突出。 爲了使標量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2傳送結 合基底堆疊5 0至基底保持部份2 7 0或基底保持部份 10 1 0,而由下側支持結合基底堆疊5 0以箝夾每個分 離基底之下表面(上表面爲分離表面)和允許機器手從基 底保持部份2 7 0和1 0 1 0接收基底,多數導件 2 7 0 a和1 〇 1 〇 a最好以適當間隔安排,如圖8所示 ,因此機器手可進入或離開。例如,三個導件270a和 三個導件1010a安排在120°之角間隔。 其次,氣缸320延伸活塞桿以移動下基底保持部份 1 0 1 0向上直到結合基底堆疊5 0之上表面和上基底保 持部份2 7 0之支持i份間具有一預定距離。 外部壓力線之螺旋管閥打開,和一氣體由基底保持部 份1010之白努利夾盤1〇13之中央徑向射出以箝夾 結合基底堆疊5 0。 馬達1 1 0受致動以傳送轉動力至轉動軸1 4 0。轉 動軸140,基底保持部份270,結合基底堆疊50, 基底保持部份1 0 1 0,和轉動軸1 〇 2 0整體的轉動》 當保持氣門3 0 3 0關閉時,連接至噴嘴3 0 '4 0之 泵(未顯示)受致動以將一高壓噴射介質(例如,水)饋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 >c 297公爱) ill —It--— ---— I — 訂· ---I (請先閱ί#·背面之注奇?事項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明說明(32 ) 至噴嘴3'.0 4 0。高壓噴射流由噴嘴3 0 4 0噴出。當噴 射流穩定時,氣門3030打開。由噴嘴3040噴出之 噴射流連續的注入結合基底堆疊5 0之多孔層以開始分離· 結合基底堆疊5 0。 當結合基底堆疊50之分離終止時,連接至噴嘴 3 ◦ 4 0之泵之操作停止以停止噴射流注入結合基底堆疊 50。此時,馬達1 10之操作亦停止。 當保持基底保持部份1 0 1 0之6努利夾盤1 0 1 3 受到致動時,基底保持部份2 70之真空箝夾機構亦受到 致動。上分離基底受到基底保持部份2 7 0真空箝夾》相 似的,下分離基底受到基底保持部份1 0 1 0之白努利夾 盤之箝夾。 氣缸3 2 0縮回活塞桿以在基底保持部份2 7 0和基 底保持部份1 0 1 0間形成一適當間隙》兩分離基底互相 間隔。 標量機器人6 1 έ 0之機器手6 1 5 2插入基底和基 底保持部份1 0 1 0之白努利夾盤1 0 1 3間。機器手 6 15 2箝夾基底。而後,取消由基底保持部份1 0 1 0 之白努利夾盤1013之箝夾,和基底由基底保持部份 1010傳送至機器手6152。 標量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2插入基底和基 底保持部份2 7 0間。機器手6 1 5 2箝夾基底。而後, 取消由基底保持部份270之箝夾,和基底由基底保持部 .份2 7 0傳送至機器手6 1 5 2。 --------------Q (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 *1 - — II - I I — — — — — —— - — II - — — — — — _ — I. 本紙張尺度適用中國固家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -35- 4 6 82 ^ ' A7 B7 五、發明說明(33 ) 在結冶基底堆疊5 0分離成兩基底後,噴射流呈現在 兩基底間。當噴射介質爲一液體(例如,水)時,表面張 力相當大。因此,爲了以較小力分離兩基底,最好由噴嘴 3 0 4 0供應一噴射流至介於兩基底間之間隙。在此例中 ,在兩基底分離後,停止由噴嘴3040噴出噴射流。替 代的,亦可獨立的準備使用以噴射一噴射流以分離兩基底 之機構β (分離裝置之第二構造) 如同第一構造,此構造亦關於以一噴射流分離結合基 底堆疊之分離裝置。 / 圖9爲分離裝置之第二構造之示意圖。圖爲圖9 之分離裝置之部份圖。分離裝置1 9 0 0具有一對基底保 持部份1 9 09和1901。基底保持部份1909和 1 9 0 1藉由夾住結合基底堆疊5 0之上下側而保持結合 基底堆疊50。一噴k流由噴嘴3040 (相當於噴嘴 6 0 4 0或6 3 4 0 )噴出且注入結合基底堆疊5 0之多 孔層,藉以在多孔層上分離結合基底堆疊5 0成爲兩基底 〇 下基底保持部份1 9 0 1具有凸支持部份1 9 0 3, 其在結合基底堆疊5 0和基底保持部份1 9 0 1之表面間 形成一間隙,因此標量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2 可插入間隙中;支持部份1 9 0 3具有一吸入孔1 '9 0 2 以真空箝夾結合基底堆疊5 0。基底保持部份1 9 0 1具 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐〉 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂 ---— II--線— _ 經濟部智慧財產局BK工消費合作社印製 -36- d6 822^ 經濟部智¾財產局員工消費合作社印契 A7 B7 五、發明說明存4 ) 有一移位:防止構件1 9 1 1環繞支持部份1 9 0 3。以例 如橡膠或樹脂製成之移位防止構件1911可防止結合基 底堆疊5 0在平面方向移動。以此移位防止構件1 9 1 1 ,結合基底堆疊50可藉由一小壓力或吸附力而保持。 基底保持部份1 9 0 1耦合至轉動軸1 9 0 4之一端 。轉動軸1 9 0 4由一支持台1 9 2 0經由一軸承 1 9 0 6而支持》軸承1 9 0 6之上部份具有一密封構件 1 9 0 5用以密封形成在支持台1 9 2 0以通過轉動軸 1 9 0 4之開口部份。—真空線1 9 0 7延伸通過轉動軸 1 9 0 4。真空線1 9 0 7連接至基底保持部份1 9 0 1 之吸入孔1 9 0 2。真空線1 9 07亦經由一環1 908 連接至外部真空線。轉動軸1 9 0 4藉由從轉動源所應用 之轉動力而耦合至轉動源(未顯示)以轉動。 基底保持部份1 9 0 9設置在基底保持部份1 9 ◦ 1 上。基底保持部份1 9 0 9耦合至驅動機構1 9 3 0之驅 動軸19 1 0以由驅έί機構1 9 3 0垂直移動。驅動軸 1 9 1 0由驅動機構1 9 3 0轉動的軸向支持。 上基底保持部份1 9 0 9具有凸支持部份1 9 1 2, 其在結合基底堆疊5 0和基底保持部份1 9 0 9之表面間 形成一間隙,因此標量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2 可插入間隙中。支持部份1 9 1 2具有一吸入孔1 9 1 4 以真空箝夾結合基底堆疊5 0。基底保持部份1 9 0 9具 有一移位防止構件1 9 1 3環繞支持部份1 9 1 2 '。以例 如橡膠或樹脂製成之移位防止構件1913可防止結合基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -37 - ------:--訂-----1--•線 —1^----------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ; 4 6 822 1 A7 _________B7_' _ 五、發明說明¢35 ) 底堆疊5\〇在平面方向移動。以此移位防止構件1 9 1 3 ,結合基底堆疊5 0可藉由一小壓力或吸附力而保持= 〔請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 噴嘴3 0 4 0由上述正交機器人6 0 5 0或6 3 5 0 所控制。氣門3030(相當於氣門6030或6330 )插入噴嘴3 0 4 0和基底保持部份1 9 0 1間β氣門 3 0 3 0以馬達2 5 0開關。當氣門打開,且在此狀態時 ,噴射流可注入結合基底堆疊5 0。當氣門3 0 3 0關閉 時,停止噴射流之注入結合基底堆疊5. 0。 以下說明分離裝置1 9 0 0之分離處理之過程。首先 ,基底保持部份1 9 0 9藉由驅動機構1 9 3 0向上移動 以在基底保持部份1 9 0 9和基底保持部份1 9 0 1間形 成適當的間隙。在此狀態中,.結合基底堆疊5 0由標量機 器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2從下側水平的支持並設置 在基底保持部份1 9 0 1之支持部份1 9 0 3上。基底保 持部份1 9 0 9以驅動機構1 9 3 0向下移動以使基底保 持部份1 9 0 9按壓έ合基底堆疊5 0 »基底保持部份 1 9 0 9和1 9 0 1由兩側按壓和保持結合基底堆疊5 0 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印" —轉動源(未顯示)受致動以傳送轉動力至轉動軸 19 0.4。轉動軸1904,基底保持部份1901,結 合基底堆疊50,和基底保持部份1 909整體的轉動。 當保持氣門3030關閉時,連接至噴嘴3040之泵( 未顯示)受致動以將一高壓噴射介質(例如,水)饋至噴 嘴3040。一高壓噴射流由噴嘴3040射出。當噴射 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) 4 經濟部智慈財產局員工消费合作社印製 6 8221 A7 ____B7_ . _ 五、發明說明(36 ) 流穩定.時.,氣門3 0 3 0打開。由噴嘴3 0 4 0射出之噴 射流連續的注入結合基底堆疊5 0之多孔層以開始分離結 合基底堆疊5 0 » 當結合基底堆疊50之分離停止時,氣門關閉,和連 接至噴嘴3 0 4 0之泵停止以停止噴射流注入結合基底堆 疊5 0。轉動軸1 9 0 4之驅動亦停止以停止結合基底堆 疊5 0之轉動。 基底保持部份1 9 Ο 1和1 9 0 9<之真空箝夾受到致 動。上分離基底由基底保持部份1 9 0 9所箝夾°同時, 下分離基底由基底保持部份1 9 0 1所箝夾。基底保持部 份1 9 0 9以驅動機構1 9 3 0移動向上=兩分離基底互 相間隔。 標’量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2插入基底和基 底保持部份1 9 0 1間。機器手6 1 5 2箝夾基底。而後 ·,取消由基底保持部份1 9 0 1之真空箝夾機構之箝夾, λ · 和基底由基底保持部份1 9 0 1傳送至機器手6 1 5 2。 標量機器人6 1 5 0之機器手6 5 2插入基底和基 底保持部份1 9 0 9間。機器手6 1 5 2箝夾基底。而後 ,取消由基底保持部份1 9 0 9之箝夾,和基底由基底保 持部份1 9 0 9傳送-至機器手6 1 5 2。 •在結合基底堆疊5 0分離成兩基底後,噴射流呈現在 兩基底間。當噴射流爲液體(例如,水)時,表面張力相 r 當大。因此,爲了以較小力分離兩基底,最好由噴嘴 3 0 4 0供應一噴射流至介於兩基底間之間隙。在此例中 I— 11 -------I ^--------^IΛ—^-------------1__________ <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中囤國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -39- 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 46 822 1 Α7 ____ Β7 五、發明說明¢7 ) ,在兩基:底分離後,停止由噴嘴3 0 4 0噴出噴射流。替 代的,亦可獨立的準備使用以噴射一噴射流以分離兩基底 之機構。 (分離裝置之第三構造) 圖11和12爲分離裝置之第三構造之示意截面圖。 圖11爲基底支持構件打開之狀態。圖12爲基底支持構 件關閉之狀態。 > 分離裝置4 0 0 0具有一對基底支持構件4 0 0 1和 4 0 0 4經由一鉸鏈部份4 0 0 3耦合。每個基底支持構 件4 0 0 1和4 0 0 4具有一環形以配合結合基底堆疊 5 0之側表面。基底支持構件4 0 0 1和4 0 0 4作用當 成封閉空間形成構件,其在夾住結合基底堆疊5 0時封閉 且彤成一封閉空間4 0 2 0環繞曝露有多孔層5 0 c之結 合基底堆疊5 0之緣部份。 基底支持構件4 0 1和4 0 0 4分別具有密封構件 (例如,0形環)4 0 0 2和4 0 0 5以確保介於構件和 結合基底堆疊5 0間之氣密性β基底支持構件4 0 0 4具 有一密封構件4 0 0 8 ,以確保介於基底支持構件 4 0 0 1和4 0 0 4間之氣密性。 在分離裝置4 0 0 0中,當結合基底堆疊5 0由基底 支持構件4 0 0 1和4 0 〇 4從兩側夾住和支持時,基底 支持構件4001由一鎖機構4007鎖住。 ' 基底支持構件4 0 〇 4具有一注入部份4 0 0 6用以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公楚) -40 - • I --- I I I I I I ^ · I I I I---^----------— II--— II______ <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 822 1 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(38 ) 將一流體'注入封閉空間4 0 2 0。注入部份4 0 0 6連接 至例如泵之壓力源4 0 1 1。封閉空間4 0 2 0充塡以由 壓力源4 0 1 1供應之流體(例如,水)。 基底支持構件4 0 0 1和/或4 0 〇 4可具有一除氣 部份以移除在將流體注入封閉空間4 0 2 0時產生之氣泡 ,和一閥以在壓力應用至在封閉空間4 0 2 0中之流體時 用以關閉除氣部份。 壓力源4 0 1 1應用壓力至充塡至封閉空間4 0 2 0 之流體β壓力源4 0 1 1最好具有一機構以調整應用至流 體之壓力。以此機構,應用至流體之壓力最好在結合基底 堆疊5 0之分離之初始級設定爲高,而後逐漸或步階降低 。例如,在分離之初始級,壓力設定爲2 0 kg/cm2, 而後在分離之最終級逐漸降低至1 k g / c m 2。 下基底支持構件4 0 0 4由一支持台4 0 0 6所支持 。支持台4 ◦ 0 6具有一通氣孔4 0 3 0以連通結合基底 t 堆疊5 0之下表面至外部大氣。結合基底堆疊5 0之下表 面保持在大氣壓力。支持台4 0 0 6具有一氣缸4 0 1 0 接近中央部份。支持部份4 0 0 9接附至氣缸4 0 1 0之 活塞桿。當結合基底堆疊或分離基底接收/傳送至標量機 器人6150之機器手6152時,支持部份4009受 到向上推動》以此支持部份4 0 0 9,用以接收機器手 6 1 5 2之間隙形成在下基底支持構件4 0 0 4和結合基 底堆疊或分離基底間。 ~ 以下說明分離裝置4 0 0 0對結合基底堆疊5 0之分 — — 111 — I J — ! — I 圓 ί I i I (晴先閲讀背面之注*事項再填窝本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) -41 - 46 822 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(39 ) 離處理之.過程《分離處理乃在例如大氣壓力下執行。 首先,基底支持構件4001由鎖機構4007解鎖 和打開,如圖1 1所示,和支持部份4 0 0 9向上移動。 結合基底堆疊5 0由標量機器人6 1 5 0之機器手 6152設置在基底支持構件4004上》 如圖12所示,支持部份4 0 0 9向下移動,和基底 支持構件4 0 0 1由鎖機構4 0 0 7封閉和鎖住。在此狀 態下,封閉空間4 0 2 0環繞曝露有多孔層5 0 c之結合 基底堆疊50之緣部份形成。 —流體藉由壓力源4 0 1 1注入封閉空間4 0 2 0。 壓力藉由壓力源4 0 1 1應用至在封閉空間4 0 2 0中之 流體。實質靜止之流體壓力應用至曝露在結合基底堆疊 50之緣之多孔層5 0c。 當所應用之壓力使曝露在結合基底堆疊5 0之緣之多 孔層5 0 c破裂時,開始分離。當流體注入破裂部份時, ·. 多孔層50 c之破裂加速。當多孔層5 0 c之破裂加速時 ,流體充分的注入結合基底堆疊5 0。此時,因爲介於作 用在結合基底堆疊5 0之內部上之流體壓力和作用在未封 閉空間(和封閉空間不同之空間)上之壓力間之差異,— 分離力會作用在結合基底堆疊5 0上以分離基底5 0 a和 5 ◦ b。以此分離力繼續分離。 當分離停止時,壓力源4011受控制以設定封閉空 間4020在树如大氣壓力。而後,鎖機構4007解鎖 。基底支持構件400 1打開,和支持部份4009向上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4i格(210 X 297公爱) -42^~' I 11-----i — — ^—訂|--------線----------------------^! (請先閱璜背面之注意事項再填^本頁) 4 6 82 2 1 A7 B7 五、發明說明(4〇 ) 移動以在.下基底支持構件4 0 0 4和分離之結合基底堆疊 間形成一適當間隙。標量機器人6 1 5 0之機器手 6152縮回上基底50a而後下基底50b。 在此例中,在上基底5 0 a由反向裝置6 1 3 0轉動 ,由淸潔/乾燥裝置6 1 1 0淸潔和乾燥,和儲存在第三 匣6 0 9 1後,或在上基底5 0 a傳送至反向裝置 6 1 3 0後,下基底5 0 b傳送至淸潔/乾燥裝置 6 110° » (分離裝置之第四構造) .圖1 3爲分離裝置之第四構造之示意圖。分離裝置 5 0 0 0應用壓力至整個結合基底堆疊5 0以在多孔層上 分離結合基底堆疊5 0。 此分離裝置5 0 0 0具有一密閉容器5 0 0 1以儲存 結合基底堆疊5 0和形成封閉空間,和一密閉蓋5 0 0 2 Λ · 用以開/關一開口部份,而標量機器人6 1 5 0之機器手 6 1 5 2可經由開口進入/離開密閉容器5 0 0 1。密閉 容器5 0 0 1具有一樣本支持構件5 0 1 1以由下側支持 結合基底堆疊50。 分離裝置5 0 0 0具有一注入埠5 0 0 8用以供應流 體至封閉空間。注入埠5 0 0 8經由一閥5 0 0 9連接至 —泵5 Ο 1 0。分離裝置5 0 0 0亦具有一釋放埠 5 0 0 6用以釋放在密閉容器5 0 0 1中之流體。釋放埠 5 .0 0 _6連接至一釋放控制閥5 0 0 7。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公爱) -43- α.ί (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: --線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 d 6 B22 ^ A7 B7 五、發明說明w ) 分離袭置5 0 0 0最好具有一震動源5 0 0 4用以應 用如超音波之震動能量至結合基底堆疊5 0。以此震動源 5 0 0 4,可執行兩步驟分離處理。在第一級中,壓力應 用至由密閉容器5 0 0 1所形成之封閉空間中以使在多孔 層中之空腔壁破裂,如上所述。在第二級中,剩餘的空腔 壁由震動能所破裂,藉以完全分離在多孔層上之結合基底 堆疊5 0 » 以下說明由分離裝置5000之分離處理。首先,打 開密封蓋5 0 0 2 ,和結合基底堆疊傳送至密閉容器 5 0 Q 1且藉由標量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2而 設置在支持構件5 0 1 1上。 而後,密封蓋5002關閉。致動泵5010,和閥 5 0 0 9打開以將流體注入封閉空間中。封閉空間之內部 壓力設定在預定壓力(第一分離處理啓始)。關於流體方 面,可使用如水之液體或如空氣之氣體。關於流體方面, 可使用一蝕刻氣體或ΐτ選擇性蝕刻含空腔層之蝕刻劑。在 此例中,可有效的執行分離處理,且可降低在分離後剩餘 之空數目。 4此狀態中,處理等待一段預定時間。結合基底堆疊 50在多孔層上完全分離,或大部份的空腔壁破裂。其次 ,泵5010停止,且閥5009關閉。閥5007打開 以經由釋放埠5006釋放在封閉空間中之流體,藉以將 在封閉空間中之壓力恢復至大氣壓力(第一分離處埋終止 )。當使用會對自然環境造成負面影響之流體時,經由釋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐〉 -44 - I i !;、ui ------I I--^ l\w I I-----------------I___ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 822 1 _____B7_ .__ 五、發明說明(42 ) 放埠5. 〇\〇 6釋放之流體受到回收且適當的處理。 震動源5 0 0 4受驅動以應用一震動能量至在密閉容 器中之結合基底堆疊5 0。以此處理,未破裂之空腔壁會 破裂,和結合基底堆疊5 0完全的分離(第二分離處理) 。第二分離處理可和第一分離處理平行執行》 當一液體使用當成流體時,在封閉空間中之流體可依 需要藉打開閥5 0 0 7而釋放。密封蓋5 0 0 2打開。標 量機器人6 1 5 0之機器手6 1 5 2抽回上基底而後下基 底。在此例中,在上基底由反向裝置6 13 0轉動,由淸 潔/乾燥裝置6110淸潔和乾燥,和儲存在第三匣 6091後,或在上基底傳送至反向裝置6130後,下 基底傳送至淸潔/乾燥裝置6 1 1 0 d (標量機器人之機器手之其它構造) 以下說明標量機器人6 1 5 0之機器手之其它構造。 圖1 4A和1 4 B爲^量機器人61 5 0之機器手之另一 構造。圖14A爲平面圖,和圖14>B爲沿圖14A之A —A/線所截取之截面圖。圖1 4A和1 4 B所示之機器 手具有U形主體9 0 0 4和保持部份9 0 0 1至9 0 0 3 以保持結合基底堆疊或分離基底之端部份。保持部份 9 0 0 1至9 0 0 3最好以例如PTFE製成。 具有此構造之機器手只與結合基底堆疊或分離基底之 端部份接觸。因此,結合基底堆疊或分離基底之表面不會 受到破壞。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -45- ------II-------111 ^il — 1--I ------------------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 8221 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(43 ) 具有、此構造之機器手只與分離基底之端部份接觸。因 此,無論分離表面是否導引至上或下側,即使當分離基底 由下側保持著,基底表面亦不會受到破壞。 具有此構造之機器手保持結合基底堆疊或分離基底, 而調整結合基底堆疊或分離基底以在平面方向移動。因此 ,可防止結合基底堆疊或分離基底之掉落。 具有此構造之機器手可具有一箝夾機構在一個或所有 保持部份9 0 0 1至9 0 0 3上。在此例中,可有效的防 止結合基底堆叠或分離基底之掉落。此外,基底可由上側 受到支持。 具有此構造之機器手可具有一機構以轉動箝夾一分離 基底之主體9004達180°以反向基底。在此例中, 可省略反向裝置6 1 3 0。 依照本發明,由於欲處理之樣本可有效的在多數處理 裝置間傳送,因此可以高速執行一序列之處理操作。 η τ 本發明並不限於上述之實施例,且於此仍可達成各種 改變和修飾,但其仍屬本發明之精神和範疇。因此,本發 明之精神和範疇應由下述申請專利範圍界定之。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -46 - r'a------'·訂---------線 1/ {詩先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 468221 A8SC8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ν/ί"二一種樣本處理系統,包含: · 多數處理裝置用以操控或處理樣本;和 一傳送機構,其具有一保持部份以保持該樣本,該傳 送機構線性的移動該保持部份在水平面和樞轉該保持部份 繞著一樞轉軸,和移動該保持部份靠近或遠離樞轉軸以傳 送在多數處理裝置中之樣本, 其中多數之處理裝置設置在該傳送機構可傳送樣本之 位置。 > _ 2 .如申請專利範圍第1項之樣本處理系統,其中該 多數處理裝置設置在和樞轉軸之可移動範圍分離之實質等 距位置。 Γ5 .如申請惠利範圓筚1垣夕様龙歳理茗絲.苴*誌 傳送機構具有水平驅動軸,和移動該保持部份沿著該水平 驅動軸。 4 .如申請專利範圍第3項之樣本處理系統,其中該 多數處理裝置之部份i理裝置設置在水平驅動軸之一側上 ,在實質平行於水平驅動軸之一線上。 5 .如申請專利範圍第4項之樣本處理系統,其中多 數處理裝置之剩餘處理裝置設置在水平驅動軸之另一側上 ,在實質平行於水平驅動軸之一線上。 弓,如申請專利範圍第5項之樣本處理系統,其中該 多數處理裝置之剩餘處理裝置之部份處理裝置設置在與水 平驅動軸之一端和/或另一端#預定距離之位置上' *如申請專利範圍第5項之樣本處理系統,其中設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -47 - (請先閱讀背面之注意事項再^腎本頁> . -線 〇 d6 822i 六、申請專利範圍 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 置在水平:驅動軸之一側上之該處理裝置包含用以操控樣本 或物理的或化學的處理樣本之一處理裝置,和設置在水平 驅動軸之另一側上之該處理裝置包含用以操控樣本之一負 載器或釋載器。 β .如申請專利範圍第6項之樣本處理系統,其中設 置在水平驅動軸之一側上之該處理裝置和設置在水平驅動 軸之一端和/或另一端上之該處理裝置包含用以操控樣本 或物理的或化學的處理樣本之處理裝置,和設置在水平驅 動軸之另一側上之該處理裝置包含用以操控樣本之負載器 或釋載器。 @ .如申請專利範圍第1項之樣本處理系統,其中欲 處理之樣本爲板狀樣本,和該傳送機構以該保持部份實質 水平的保持和傳送該板狀樣本。 10. 如申請專利範圍第9項之樣本處理系統,其中 每個該多數處理裝置以實質水平狀態傳送/接收該傳送機 構之保持部份。 ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11. 如申請專利範圍第9項之樣本處理系統,其中 欲處理之板狀樣本具有一分離層,和該多數處理裝置包括 至少一分離裝置以在分離層上分離板狀榡本。 12. 如申請專利範圍第11項之樣本處理系統,其 中該分離裝置分離板狀樣本,.並水平的保持樣本。 1,- 3 .如申請專利範圍第1 1項之樣本處理系統,其 中該分離裝置射出一液體流至分離層,而水平的保持铒狀 樣本以在分離層上分離板狀樣本β 本紙張尺度適用中0國家標準(CNS)A4規格(2〗〇χ297公釐) -48- 46 822 1 8888 ABCD 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 14..如申請專利範圍第11項之樣本處理系統,其 中該分離裝置射出一液體流至分離層,而水平的保持和轉 動板狀樣本以在分離層上分離之板狀樣本。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之樣本處理系統,其 中該分離裝置分離板狀樣本,並藉由從上和下側夾住樣本 而保持樣本。 1 6 .如申請專利範圍第1 2項之樣本處理系統,其 中該分離裝置具有一白努利(Bernou丨1Π夾盤以保持該板 狀樣本。 1 7 .如申請專利範圍第1 1項之樣本處理系統,其 V 中該分離裝置應用實質爲靜止之流體壓力至板狀樣本之至 少部份分離層以在分離層上分離板狀樣本。 iv'8 .如申請專利範圍第1 1項之樣本處理系統,其 中該分離裝置具有一密閉容器,該板狀樣本儲存在密閉容 器中,和在密閉容器中之壓力增加以分離在分離層上之板 狀樣本。 < 1 9 .如申請專利範圍第1 1項之樣本處理系統,其 中該多數處理裝置包括一對中裝置用以在板狀樣本傳送至 分離裝置前,對中板狀樣本。 20·如申請專利範圍第11項之樣本處理系統,其 中該多數處理裝置包括一淸潔裝置用以清潔由分離裝置所 分離而得之板狀樣本。 21.如申請專利範圍第20項之樣本處理系統,其 中該淸潔裝置淸潔由分離裝置在水平狀態分離而得之板狀 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ά 訂- -線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210*297公釐) -49- A8B8C8DS 烴濟部智«財產局貝工消費合作达中®! d6 82 2 t 六、申請專利範圍 樣本。7 22·如申請專利範圍第11項之樣本處理系統,其 中該多數處理裝置包括一淸潔/乾燥裝置用以淸潔和乾燥 由分離裝置所分離而得之板狀樣本。 23如申請專利範圍第22項之樣本處理系統,其 中該淸潔/乾燥裝置淸潔和乾燥由分離裝置在水平狀態所 分離而得之板狀樣本》 24.如申請專利範圍第11項之樣本處理系統,其 中該多數處理裝置包括一反向裝置用以樞轉由分離裝置所 分離而得之兩板狀樣本之上板狀樣本1 8 0°。 会5.如申請專利範圍第1項之樣本處理系統,其中 該多數處理裝置平行的執行處理。 2'’ 6 .如申請專利範圍第1項之樣本處理系統,其中 該傳送機構包含一標量機器人和一驅動機構以線性的驅動 該標量機器人在水平面上。 « > )(2 ' 7 .如申請專ίί範圍之樣本處理系統,其中 分離層爲具有一易碎構造之 2 8 .如申請專利範圍第2 7項之樣本處理系統,其 中具有易碎構造之層爲一多孔層。· 29 ·如申請專利範圍第2 7_項之樣本處理系統,其 中具有易碎構造之層爲一微空腔層。 30 .如申請專利範圍第1項之樣本處理系統,其中 t 欲處理之板狀樣本爲一半導體基底。 ' 3 1 ·如宇請專利範園第1項之樣本處理系統,其中 本紙張尺度適用+國西家標準<CNS)A4规格(2W * 297公S ) 1 -------ί -----ΓΙ·ί ---------------------- (請先閲請背面之注*事項再填寫本頁) •50- 46 822 1 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 欲處理.之.板狀樣本乃藉由結合第一基底和第二基底而形成 ,且具有含一易碎構造之層當成分離層。 32.如申請專利範圍第1項之樣本處理系統,其中 欲處理之板狀樣本乃藉由形成一多孔層在第一半導體基底 之表面上,形成一非多孔層在多孔層上,和結合第二基底 至非多孔層而形成。 (請先JW讀背面之注帝¥項再填寫本頁) ά 訂·. ,!線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公釐)
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