KR950030163A - 반도체 메모리 디바이스 - Google Patents

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KR950030163A
KR950030163A KR1019930015584A KR930015584A KR950030163A KR 950030163 A KR950030163 A KR 950030163A KR 1019930015584 A KR1019930015584 A KR 1019930015584A KR 930015584 A KR930015584 A KR 930015584A KR 950030163 A KR950030163 A KR 950030163A
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다까시 이누이
기요다까 오꾸자와
요시히로 오가따
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윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
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Abstract

반도체 메모리 장치의 교란 검사 시간이 짧아질 수 있고 전력 소비가 즐어들 수 있는 반도체 메모리 장치.
본 발명의 반도체 메모리 장치에 대한 교란 검사에 있어서, 소자 분리 레이 아웃에 대응하는 복수의 워드 라인이 선정된 간격을 가지고 동시에 선택된다. 소자 분리 레이아웃에 대응하는 워드 라인들이 선택될 때, 소자 분리 상태에 의해 발생된 간섭이 배제될 수 있다. 복수의 워드 라인이 동시에 선택될지라도 전력소비가 증가하지 않는다.

Description

반도체 메모리 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 메모리 디바이스 내에서의 메모리 셀 구동 방법을 도시한 다이어그램이다.

Claims (2)

  1. 매트릭스 형태로 배열된 메모리 셀.상기 메모리 셀을 선택하는데 사용된 비트 라인 및 워드 라인.상기 비트라인 및 어드레스 디코더 회로에 접속되어 있고, 선정된 간격으로 메모리 셀의 소자 분리 레이아웃에 대응하는 복수의 워드 라인이 동시에 선택될 수 있는 검사 모드를 갖고 있으며, 상기 워드 라인에 접속되어 어드레스 신호에 대응하는 상기 워드 라인을 선택적으로 구동하는 감지 증폭기로 구성되는 것을 특성으로 하는 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 디코더 회로가 상기 검사 모드에 있을 때, 상기 워드 라인은 선정된 지연 시간을 가지고 순차적으로 구동되며, 이 동작은 상기 워드 라인이 구동될 때 감지 증폭기가 리셋트되지 않도록 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930015584A 1992-08-12 1993-08-12 반도체메모리디바이스 KR100314228B1 (ko)

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