JP6868466B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
LSI外部から直接テストできないRAMのテストにおいて、高いテスト品質(高い故障検出率)が得られる。また、BIST回路自体は、チップ搭載されることから少ないハード量で実現することができ、使われるRAMの仕様に合わせるため、多種のワード・ビット構成に柔軟に対応できなければならない。
具体的には、隣接セルとのショート、センス線からの回り込み、あるいは、欠陥セルのリークにより周囲の他のセルを干渉するなどのセル間干渉を検出することが可能である。
図1は、実施形態1に基づく半導体チップ1の外観構成図である。
図2は、実施形態1に基づくメモリ3の構成を説明する図である。
制御回路20は、クロック信号CLK、アドレスA[2:0]、制御信号CEN、制御信号WEN、テストアドレスTA[3:0]、制御信号TCEN、制御信号TWEN、制御信号TEの入力を受けて所定の動作を実行する。なお、本明細書において、[X:Y]の表記は、[Y]〜[X]として説明する。
図3は、実施形態1に基づく制御回路20の回路構成を説明する図である。
テストモードにおいては、制御信号TEは「H」レベルに設定される。制御信号BISTは、「H」レベルに設定される。一方、通常モードにおいては、制御信号TEは「L」レベルに設定される。制御信号BISTは「L」レベルに設定される。
AND回路AD2は、内部クロックCK1と、遅延段DLGの出力の反転信号との入力を受けて、AND論理演算結果を制御信号TDECとして出力する。
AND回路AD3は、制御信号TDECと、制御信号WENLの反転信号とのAND論理演算結果を制御信号WTEとして出力する。
インバータIV0は、制御信号RTEの入力を受けて動作する。インバータIV0は、ビット線BL[0]と接続される。インバータIV0は、制御信号RTE(「H」レベル)の入力に応答して、ビット線BL[0]の信号を反転させてラッチ回路LT0に出力する。ラッチ回路LT0は、制御信号RTEの入力を受けて動作する。
したがって、ビット線BL[0]は2つのインバータIV0,IV1と接続されるためビット線BL[0]に応じた読出データQ[0]として出力される。データ読出時において、ビット線BL[0]が「L」レベルの場合には、読出データQ[0]も「L」レベルに設定される。ビット線BL[0]が「H」レベルの場合には、読出データQ[0]も「H」レベルに設定される。
インバータIV2は、制御信号RTEの入力を受けて動作する。インバータIV2は、ビット線BL[1]と接続される。インバータIV2は、制御信号RTE(「H」レベル)の入力に応答して、ビット線BL[1]の信号を反転させてラッチ回路LT1に出力する。ラッチ回路LT1は、制御信号RTEの入力を受けて動作する。
したがって、ビット線BL[1]は2つのインバータIV0,IV1と接続されるためビット線BL[1]に応じた読出データQ[1]として出力される。データ読出時において、ビット線BL[1]が「L」レベルの場合には、読出データQ[1]も「L」レベルに設定される。ビット線BL[1]が「H」レベルの場合には、読出データQ[1]も「H」レベルに設定される。
IF制御回路30−1は、セレクタSL4〜SL8と、OR回路OR0,OR1と、アンプAP3とを含む。
したがって、セレクタSL4は、データD[0]をデータDL[0]としてフリップフロップFF4に出力する。また、マスクデータBWN[0]をマスクデータBWNL[0]としてフリップフロップFF5に出力する。
したがって、セレクタSL4は、テストデータTD[0]をデータDL[0]としてフリップフロップFF4に出力する。また、OR回路OR0の出力をマスクデータBWNL[0]としてフリップフロップFF5に出力する。
メモリセルMC00に対するデータ書込について説明する。
この場合は、フリップフロップFF5にマスクデータBWNL[0](「H」レベル)が出力される。これに伴い、NAND回路ND1の出力は「H」レベルに設定されるためNR回路NR0,NR1の出力も「H」レベルに設定される。したがって、NチャネルMOSトランジスタNT0,NT1は、導通しないため書込は禁止される。
(2)通常モードのデータ読出
実施形態1に基づくメモリ3は、一例としてアドレスA[2:0]の入力を受けて、8本のワード線WL[0]〜「7」のいずれか1つを選択する。
これにより読出データQ[0],Q[1],・・・の複数ビットのデータが一括して読み出される。
メモリセルMC00に対するデータ書込について説明する。
この場合は、フリップフロップFF5にマスクデータBWNL[0](「H」レベル)が出力される。これに伴い、NAND回路ND1の出力は「H」レベルに設定されるためNR回路NR0,NR1の出力も「H」レベルに設定される。したがって、NチャネルMOSトランジスタNT0,NT1は、導通しないため書込は禁止される。
実施形態1に基づくメモリ3は、一例としてテストアドレスTA[3:0]の入力を受けて、8本のワード線WL[0]〜「7」のいずれか1つを選択する。
次に、時刻T2において、ワード線WL[0]が選択(「H」レベル)される。これに伴い、ワード線WL[0]に対応するメモリセルMC00、MC01、・・・のデータ読出が実行される。
次に、時刻T4において、制御信号TWENが「L」レベルに設定される。
時刻T11において、制御回路20は、クロック信号CLKに同期して、テストアドレスTAおよび制御信号を取り込んで各種制御信号を出力する。
次に、時刻T15において、クロック信号CLKに同期して、テストアドレスTAおよび制御信号を取り込んで各種制御信号を出力する。
時刻T21において、制御回路20は、クロック信号CLKに同期して、テストアドレスTAおよび制御信号を取り込んで各種制御信号を出力する。
図6(A)には、比較例であるメモリ(MUX1)のマーチングテストが示されている。
上記で説明したように、メモリ(MUX1)は、アドレスとしてロウアドレス(行アドレス)のみが割り当てられ、カラムアドレス(列アドレス)を持たないメモリ(MUX1)である。
図7は、実施形態1の変形例に基づく半導体チップ1#の外観構成図である。
図8を参照して、メモリユニット3Bは、行列状に配置されたメモリセルMCを有するメモリセルアレイ6#と、行選択駆動回路100と、メモリユニット3B全体を制御する制御回路200と、複数の列選択駆動回路500と、複数のIO(入出力)制御回路400と、複数のIF(インタフェース)制御回路300とを含む。
制御回路200は、クロック信号CLK、アドレスA[4:0]、制御信号CEN、制御信号WEN、テストアドレスTA[4:0]、制御信号TCEN、制御信号TWEN、制御信号TEの入力を受けて所定の動作を実行する。
図9を参照して、制御回路200は、制御回路20と比較して、フリップフロップFF1を削除した点と、アンプAP1を削除した点と、セレクタSL1をセレクタSL1#に置換し、プリデコーダ25をプリデコーダ25#に置換した点が異なる。その他の構成については同様であるのでその詳細な説明については繰り返さない。
図10を参照して、列選択駆動回路500は、各列に対応して設けられた複数のプリチャージ回路41と、複数の書込補助回路42とを含む。
データ線対CBP0と各ビット線対BLPとの間にはトランスファーゲートTGが設けられる。また、トランスファーゲートTGを駆動するインバータINV0,INV1が設けられる。
一例として、コラムアドレス信号CA[0]が「H」レベルの場合には、トランスファーゲートTG0,/TG0が導通して、ビット線対BLP0とデータ線対CBP0とが電気的に接続される。
また、コラムアドレス信号CA(「L」レベル)を用いてプリチャージ回路41を動作させるため制御信号PCを生成する必要がなく、配線数を削減することが可能である。
IF制御回路300は、セレクタSL4,SL5とを含む。
したがって、セレクタSL4は、データD[0]をデータDL[0]としてフリップフロップFF4に出力する。また、マスクデータBWN[0]をマスクデータBWNL[0]としてフリップフロップFF5に出力する。
したがって、セレクタSL4は、テストデータTD[0]をデータDL[0]としてフリップフロップFF4に出力する。また、マスクデータTBWN[0]をデータBWNL[0]としてフリップフロップFF5に出力する。
メモリセルMC00に対するデータ書込について説明する。
ビット線/BL[0]は「L」レベルに設定される。これに伴い、書込補助回路42によりビット線BL[0]は、電源電圧VDDと接続される。
この場合は、フリップフロップFF5にマスクデータBWNL[0](「H」レベル)が出力される。これに伴い、NAND回路ND1の出力は「H」レベルに設定されるためNR回路NR0,NR1の出力も「H」レベルに設定される。したがって、NチャネルMOSトランジスタNT0,NT1は、導通しないため書込は禁止される。
メモリユニット3Bは、一例としてアドレスA[5:0]の入力を受けて、8本のワード線WL[0]〜「7」のいずれか1つを選択するとともに、4個のビット線対BLPのうちの1つのビット線対BLPを選択する。
メモリセルMC00に対するデータ書込について説明する。
ビット線BL[0]は「L」レベルに設定される。これに伴い、書込補助回路42によりビット線/BL[0]は、電源電圧VDDと接続される。
この場合は、フリップフロップFF5にマスクデータBWNL[0](「H」レベル)が出力される。これに伴い、NAND回路ND1の出力は「H」レベルに設定されるためNR回路NR0,NR1の出力も「H」レベルに設定される。したがって、NチャネルMOSトランジスタNT0,NT1は、導通しないため書込は禁止される。
メモリユニット3Bは、一例としてテストアドレスTA[5:0]の入力を受けて、8本のワード線WL[0]〜「7」のいずれか1つを選択するとともに、4個のビット線対BLPのうちの1つのビット線対BLPを選択する。
制御信号TWENが「H」レベルであるため、時刻T31において制御信号RDEが「H」レベルに設定される。これによりデータ読出が実行される。
これに伴い、ワード線WL[0]およびビット線対BLP0に対応するメモリセルMC00のデータ読出が実行される。
次に、時刻T35において、制御信号TWENが「L」レベルに設定される。
これに伴い、ワード線WL[0]およビット線対BLP0に対応するメモリセルMC00のデータ書込が実行される。
時刻T43において、制御回路200は、クロック信号CLKに同期して、テストアドレスTAおよび制御信号を取り込んで各種制御信号を出力する。
これに伴い、ワード線WL[0]およびビット線対BLP1に対応するメモリセルMC01のデータ読出が実行される。
次に、時刻T48において、クロック信号CLKに同期して、テストアドレスTAおよび制御信号を取り込んで各種制御信号を出力する。
これに伴い、ワード線WL[0]およビット線対BLP1に対応するメモリセルMC01のデータ書込が実行される。
時刻T55において、制御回路200は、クロック信号CLKに同期して、テストアドレスTAおよび制御信号を取り込んで各種制御信号を出力する。
したがって、メモリユニット3B(MUX4)は、コラムアドレス信号CAを順番に活性化させることにより隣接セルの障害を検出するマーチングテストを実行することが可能である。
図13は、実施形態2に基づくIF制御回路300#を説明する図である。
Claims (13)
- 複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイ内のメモリセル列毎に設けられた複数のビット線対と、
前記複数のビット線対にそれぞれ対応して設けられた複数の入出力回路と、
通常モードにおいて、メモリセル行毎に対するデータ書込およびデータ読出を実行する場合に前記複数の入出力回路に対するデータの入出力を制御するインタフェース制御回路とを備え、
前記インタフェース制御回路は、テストモードにおいて、メモリセル行毎に対するデータ書込およびデータ読出を実行する場合にテスト用アドレスに従ってメモリセル行に含まれる第1メモリセルおよび前記第1メモリセルに隣接する第2メモリセルにそれぞれ対応する第1入出力回路および第2入出力回路のうちのいずれか一方に対するデータの入出力を選択する選択回路を含む、半導体装置。 - 前記テストモードにおいて、前記選択回路は、前記テスト用アドレスに応じて、前記第1入出力回路から出力される第1出力信号と前記第2入出力回路から出力される第2出力信号のうち、一方の出力信号をテスト用出力信号とする、請求項1記載の半導体装置。
- 前記テストモードにおいて、前記選択回路は、前記テスト用アドレスに応じて、前記第1入出力回路に入力される第1入力信号と前記第2入出力回路に入力される第2入力信号のうち、一方の入力信号をテスト用入力信号とする、請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1入出力回路は、読出制御信号に従って前記第1メモリセルからの読出信号を出力する第1読出回路を含み、
前記第2入出力回路は、前記読出制御信号に従って前記第2メモリセルからの読出信号を出力する第2読出回路を含む、請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1入出力回路は、書込制御信号に従って前記第1メモリセルへの書込データに応じた書込信号を出力する第1書込回路を含み、
前記第2入出力回路は、前記書込制御信号に従って前記第2メモリセルへの書込データに応じた書込信号を出力する第2書込回路を含む、請求項1記載の半導体装置。 - 前記インタフェース制御回路は、テスト制御信号に従ってテストデータと通常データとのうちの一方を書込データとして前記第1および第2書込回路にそれぞれ出力する第1および第2のセレクタを含む、請求項5記載の半導体装置。
- 前記第1および第2のセレクタは、共通の信号線を介して前記テストデータの入力を受ける、請求項6記載の半導体装置。
- 前記インタフェース制御回路は、
前記テスト制御信号に従って、前記テスト用アドレスと第1マスクデータとのうちの一方を出力して前記第1書込回路の活性/非活性を制御する第3のセレクタと、
前記テスト制御信号に従って、前記テスト用アドレスの反転データと第2マスクデータとのうちの一方を出力して前記第2書込回路の活性/非活性を制御する第4のセレクタとを含み、
前記テストモードにおいて、前記第3および第4のセレクタは、前記テスト制御信号に従って、前記テスト用アドレスと、前記テスト用アドレスの反転データとをそれぞれ前記第1書込回路および前記第2書込回路に出力する、請求項7記載の半導体装置。 - 前記メモリセルアレイに対してマーチングテストを実行するテスト回路をさらに備える、請求項1記載の半導体装置。
- 複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイを備え、
前記メモリセルアレイは、
前記メモリセルアレイ内に含まれ、第1メモリセルを有する第1メモリセル列と、
前記メモリセルアレイ内に含まれ、前記第1メモリセルと同一の行に配置され、かつ前記第1メモリセルと隣接する第2メモリセルを有する第2メモリセル列とを含み、
前記第1メモリセル列と電気的に接続され、前記第1メモリセルに対してデータを入出力する第1入出力回路と、
前記第2メモリセル列と電気的に接続され、前記第2メモリセルに対してデータを入出力する第2入出力回路と、
前記第1入出力回路と前記第2入出力回路とに電気的に接続されたインタフェース制御回路とをさらに備え、
前記インタフェース制御回路は、
テスト用アドレス信号線と、
前記テスト用アドレス信号線に電気的に接続された選択回路とを有し、
前記第1入出力回路と前記第2入出力回路とは、前記インタフェース制御回路と前記メモリセルアレイとの間に配置され、
通常モードにおいて、前記第1入出力回路と前記第2入出力回路とは、前記複数のメモリセルに対して行毎にデータの入出力を行うように前記第1メモリセルと前記第2メモリセルのそれぞれに対してデータの入出力を行い、
テストモードにおいて、テスト用アドレスが前記テスト用アドレス信号線を介して前記選択回路に入力され、
前記選択回路は、前記テスト用アドレスに応じて、前記第1入出力回路を用いた前記第1メモリセルのテストデータの入出力または前記第2入出力回路を用いた前記第2メモリセルのテストデータの入出力のうち、いずれか一方の入出力を選択する、半導体装置。 - 前記第1入出力回路は、書込制御信号に従って第1メモリセルへの書込データに応じた書込信号を出力する第1書込回路を含み、
前記第2入出力回路は、前記書込制御信号に従って前記第2メモリセルへの書込データに応じた書込信号を出力する第2書込回路を含み、
前記選択回路は、
前記テスト用アドレスと第1マスクデータとのうちの一方を出力して前記第1書込回路の活性/非活性を制御する第1のセレクタと、
前記テスト用アドレスの反転データと第2マスクデータとのうちの一方を出力して前記第2書込回路の活性/非活性を制御する第2のセレクタとを含み、
前記テストモードにおいて、前記第1および第2のセレクタは、前記テスト用アドレスと、前記テスト用アドレスの反転データとをそれぞれ前記第1書込回路および前記第2書込回路に出力する、請求項10記載の半導体装置。 - 複数のメモリセル列を含むメモリセルアレイを備え、
前記メモリセルアレイは、
前記複数のメモリセル列の第1メモリセル列に含まれた第1メモリセルと、
前記第1メモリセル列と隣接する第2メモリセル列に含まれ、かつ前記第1メモリセルと同一の行に配置される第2メモリセルとを含み、
前記第1メモリセル列に対応して設けられる第1入出力回路と、
前記第2メモリセル列に対応して設けられる第2入出力回路と、
前記第1入出力回路と前記第2入出力回路とに電気的に接続され、かつテスト用アドレスを伝達するテスト用アドレス信号線と、
前記テスト用アドレス信号線と電気的に接続された選択回路とを有するインタフェース制御回路とをさらに備え、
前記第1入出力回路および前記第2入出力回路は、前記インタフェース制御回路と前記メモリセルアレイとの間に配置され、
通常モードにおいて、前記第1入出力回路および前記第2入出力回路は、前記複数のメモリセルに対して行毎にデータの入出力を行うように前記第1メモリセルおよび前記第2メモリセルのそれぞれに対してデータの入出力を行い、
テストモードにおいて、前記選択回路は、前記テスト用アドレスに応じて、前記第1入出力回路または前記第2入出力回路のうち一方の入出力回路を選択的に駆動し、前記選択された前記第1入出力回路または前記第2入出力回路のそれぞれに対応する前記第1メモリセルまたは前記第2メモリセルのデータの入出力を行う、半導体装置。 - 前記第1入出力回路は、書込制御信号に従って第1メモリセルへの書込データに応じた書込信号を出力する第1書込回路を含み、
前記第2入出力回路は、前記書込制御信号に従って前記第2メモリセルへの書込データに応じた書込信号を出力する第2書込回路を含み、
前記選択回路は、
前記テスト用アドレスと第1マスクデータとのうちの一方を出力して前記第1書込回路の活性/非活性を制御する第1のセレクタと、
前記テスト用アドレスの反転データと第2マスクデータとのうちの一方を出力して前記第2書込回路の活性/非活性を制御する第2のセレクタとを含み、
前記テストモードにおいて、前記第1および第2のセレクタは、前記テスト用アドレスと、前記テスト用アドレスの反転データとをそれぞれ前記第1書込回路および前記第2書込回路に出力する、請求項12記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017103799A JP6868466B2 (ja) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 半導体装置 |
US15/947,992 US10541041B2 (en) | 2017-05-25 | 2018-04-09 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017103799A JP6868466B2 (ja) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018200737A JP2018200737A (ja) | 2018-12-20 |
JP6868466B2 true JP6868466B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=64401630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017103799A Active JP6868466B2 (ja) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10541041B2 (ja) |
JP (1) | JP6868466B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN115902595B (zh) * | 2023-02-20 | 2023-07-14 | 之江实验室 | 一种芯片测试系统以及芯片测试方法 |
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-
2017
- 2017-05-25 JP JP2017103799A patent/JP6868466B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-09 US US15/947,992 patent/US10541041B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10541041B2 (en) | 2020-01-21 |
US20180342308A1 (en) | 2018-11-29 |
JP2018200737A (ja) | 2018-12-20 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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