JP3305056B2 - ダイナミックram - Google Patents
ダイナミックramInfo
- Publication number
- JP3305056B2 JP3305056B2 JP21602793A JP21602793A JP3305056B2 JP 3305056 B2 JP3305056 B2 JP 3305056B2 JP 21602793 A JP21602793 A JP 21602793A JP 21602793 A JP21602793 A JP 21602793A JP 3305056 B2 JP3305056 B2 JP 3305056B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tag
- address
- sub
- array
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/408—Address circuits
- G11C11/4087—Address decoders, e.g. bit - or word line decoders; Multiple line decoders
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
- G06F12/0802—Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches
- G06F12/0893—Caches characterised by their organisation or structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dram (AREA)
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
Description
いう)メモリを搭載したダイナミックRAM(以下、D
RAMという)に関するものである。
例えば、次のような文献に記載されるものがあった。 文献1;1990 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS DIGEST OF
TECHNICAL PAPERS(1990 シンポジウム オン ブイエ
ルエスアイ サーキッツ ダイジェスト オブ テクニ
カル ペイパーズ)、[JUNE 7-9](1990)The IEEE S
olid State-Circuits Council and The Japan Society
of Appiied Physics、(米)、K.Arimoto et al.“A CI
RCUIT DESIGN OF INTELLIGENT CDRAM WITH AUTOMATC W
RITE BACK CAPABILITY”p.79-80 従来、大規模なDRAMを高速にアクセスする手法とし
て、DRAMに加えてTAGメモリ及びキャッシュを合
わせて搭載する提案がなされている。図2は、従来のT
AGメモリ搭載のDRAMを示す構成ブロック図であ
る。図2のDRAMは、複数のワードラインWL、複数
のビットラインBL、及び該ワードラインWLとビット
ラインBLとの交点に適宜設けられたダイナミック型メ
モリセル(以下、MCという)からなる複数のサブアレ
イ101〜10mと、Xアドレスをデコードして各サブア
レイ101〜10m中のワードラインWLを活性化するX
デコーダ111〜11mとを備えている。さらに、このD
RAMは、各サブアレイ101〜10mのビットラインB
Lを介してMCに対してデータを入出力するセンスアン
プ列121〜12mと、Yアドレスをデコードしてセンス
アンプ列121〜12m中のセンスアンプを選択して読み
出し及び書き込みを行うためのYデコーダ20と、Yデ
コーダ20とほぼ平行に配置されたスタティックRAM
(以下、SRAMという)のキャッシュ(CACHE)
30と、TAGメモリ40とを、設けている。
ドレスを1組のTAGアドレスとして保持し、このTA
Gメモリ40は、1組のTAGアドレスをそれぞれ保持
する複数のTAGブロック41,42,…を有してい
る。各TAGアドレスに対応したデータが、キャッシュ
30内の各ブロック31,32,…に保持されている。
キャッシュ30内の各ブロック31,32,…に保持さ
れているデータは、センスアンプ列121〜12m中のT
AGブロックに対応したブロックの内の一部分が、Yデ
コーダ20により選択されてロードされる。図2のDR
AMでは、例えば読出し動作のとき、Xアドレス及びY
アドレスが確定すると、TAGメモリ40内にそのアド
レスに対応したTAGアドレスの存否が確認される。T
AGアドレスがTAGメモリ40内に存在した場合、即
ちヒットした場合、SRAMのキャッシュ30から対応
したデータが高速に読み出される。以上のように、DR
AMの回路に加えて、TAGメモリ及びSRAMのキャ
ッシュを搭載した大容量のDRAMは、高速なアクセス
が可能であると提案されている。この方式では、センス
アンプ列121〜12mのデータをキャッシュ30にマッ
ピングする際、Xアドレス及びYアドレスの両方を必要
とする。また、リフレッシュは、サブアレイ毎に行われ
るので、リフレッシュ時に更新されるセンスアンプ列1
21〜12mのデータとTAGメモリ40内のTAGブロ
ック41,42,…のTAGアドレスは、必ずしも対応
していない。また、従来のTAGメモリにおいて、外部
からのXアドレス及びYアドレスが図示しないバッファ
手段を介したのみで、論理レベルの処理を行わずに直接
入力されている。
DRAMにおいては、次のような課題があった。図2の
DRAMには、TAGメモリ及びSRAMのキャッシュ
30の面積分チップサイズが増加しコストがアップする
という課題があった。そこで、DRAM回路中のセンス
アンプをキャッシュとして制御する方法が別に提案され
ている。しかしながら、多数のブロックからなるTAG
メモリをYデコーダに沿って設けたDRAMにおいて、
センスアンプをキャッシュとして制御しようとすると、
リフレッシュ時にセンスアンプ列のデータが更新される
ため、これに対応するTAGメモリ中のTAGブロック
のアドレスをパージ(Purge)しなくてはならない。一
方、TAGメモリは、Yデコーダと平行に設けられ、各
TAGブロックが、センスアンプ列の一部としか対応し
ていないので、リフレッシュ時にすべてのTAGブロッ
クに保持されているTAGアドレスをパージする必要が
あった。そのため、キャッシュにおけるヒットする確
率、即ちヒットレートが大幅に低下していた。このよう
に、従来のTAGメモリ搭載のDRAMの構成では、チ
ップサイズの低減とヒットレートの向上を両立させるこ
とが困難であった。また、Xアドレス及びYアドレスが
多重化されて転送されるアドレス多重型のインタフェイ
スを採用した場合、Xアドレス及びYアドレスの両方の
入力が終了するまで、TAGメモリにおけるヒットまた
はミスの判定ができない。ヒットしない場合のミス時に
は、ヒットまたはミスの判定後、MCを介してデータの
読み出しが行われるので、ミス時におけるアクセス時間
の遅延が、大幅に増加していた。
では、TAGメモリ40に対して外部からのアドレスを
バッファ手段を介したのみで直接入力している。アドレ
スの階層デコードが必要な大規模メモリにおいて、無用
の配線の引き回しを避けるためには、TAGメモリ40
を最初のデコード手段の手前に配置しなければならなか
った。その結果、従来の構成のDRAMでは、TAGメ
モリの配置が制約され、Yデコーダに沿ってTAGメモ
リを配置せざるを得なかった。本発明は前記従来技術が
持っていた課題として、チップサイズが増大する、チッ
プサイズを小さくするとヒットレートが低下する、及び
TAGメモリの配置が制約される点について解決をした
DRAMを提供するものである。
に、本発明のうちの第1の発明では、複数のワードライ
ン及びビットラインの交差箇所にそれぞれ接続された複
数のメモリセルを有する複数のサブアレイと、Xアドレ
スをデコードして前記ワードラインを選択するXデコー
ダと、前記メモリセルから読み出された前記ビットライ
ン上の読出しデータを検知増幅するセンスアンプ列と、
前記センスアンプ列をキャッシュとして制御するサブア
レイ制御手段と、を備えたDRAMにおいて、次のよう
な手段を講じている。即ち、第1の発明では、前記Xア
ドレスと論理的に同値なアドレスを入力し、アクセス時
において同時に活性化される前記サブアレイに対して割
り当てられるTAGアドレスを保持する複数のTAGブ
ロックを有するTAGメモリと、前記TAGブロック毎
に配置され、前記サブアレイのリフレッシュ終了後に、
前記サブアレイに対応した前記TAGブロック及び前記
センスアンプ列をパージする複数の制御手段と、を設け
ている。
ビットラインの交差箇所にそれぞれ接続された複数のメ
モリセルを有する複数のサブアレイと、Xアドレスをデ
コードして前記ワードラインを選択するXデコーダと、
互いに隣接する前記サブアレイ毎に設けられ、前記複数
のサブアレイのメモリセルから読み出された前記ビット
ライン上の読出しデータを検知増幅するセンスアンプ列
と、を備えたDRAMにおいて、次のような手段を講じ
ている。即ち、第3の発明では、前記Xアドレスと論理
的に同値なアドレスを入力し、アクセス時において同時
に活性化される前記サブアレイに対して割り当てられる
TAGアドレスを保持する複数のTAGブロックを有す
るTAGメモリと、前記TAGブロック毎に配置され、
前記センスアンプ列をキャッシュとして制御する複数の
サブアレイ制御手段と、互いに隣接する前記サブアレイ
制御手段対の出力の一部に対して一方の出力を有効と
し、他方を無効とするセンスアンプ調停手段と、を設け
ている。 さらに、前記TAGブロックに対応する前記サ
ブアレイに隣接する前記サブアレイの活性化状態を検出
して前記TAGブロックに保持されているデータをパー
ジする第1のパージ手段と、前記TAGブロックに対応
する前記サブアレイのリフレッシュ動作を検出して前記
リフレッシュ動作の終了時に前記TAGブロック に保持
されているデータをパージする第2のパージ手段と、を
前記各TAGブロック毎に設けている。
ビットラインの交差箇所にそれぞれ接続された複数のメ
モリセルを有するサブアレイと、アドレスをデコードし
て前記メモリセルを選択するデコード手段と、を備えた
DRAMにおいて、次のような手段を講じている。即
ち、アドレスをプリデコードして中間アドレスを出力す
る第1のデコード手段と、前記中間アドレスを伝達する
第1の中間アドレスバスと、前記第1の中間アドレスバ
スに接続された複数のブロックよりなるTAGメモリ
と、をDRAMに設けている。そして、その前記TAG
メモリの各ブロックは、前記中間アドレスをロードして
保持すると共に前記中間アドレスを前記デコード手段へ
供給するTAGアドレス保持手段と、前記第1の中間ア
ドレスバス上のアドレスと前記TAGアドレス保持手段
の保持アドレスとを比較するアドレス比較手段と、前記
TAGアドレス保持手段の保持している各ビットをすべ
て非活性化するパージ手段と、を有している。第4の発
明では、請求項1または2記載のDRAMにおいて、前
記Xデコーダと前記TAGメモリを互いに隣接かつ平行
にチップの中央部に配置すると共に、前記Xデコーダ及
び前記TAGメモリの配置領域の両外側に同時にアクセ
スされる前記複数のサブアレイを対向して配置してい
る。
構成したので、複数のサブアレイはデータを保持し、X
デコーダはXアドレスをデコードしてサブアレイ中のワ
ードラインを選択活性化する。センスアンプ列は、サブ
アレイ中のビットライン上の読出しデータを検知増幅す
る。TAGメモリ内のTAGブロックは、同時に活性化
される複数のサブアレイに対して共通のTAGアドレス
を保持し、このTAGアドレスに基づいて、サブアレイ
制御手段が前記センスアンプ列をキャッシュとして制御
する。例えば、読み出し時にヒットした場合、センスア
ンプ列上にラッチされていたデータが読み出される。そ
して、制御手段が、TAGブロック及びセンスアンプ列
に保持されているアドレス及びデータをパージする。
ータを保持し、XデコーダはXアドレスをデコードして
サブアレイ中のワードラインを選択活性化する。センス
アンプ列は互いに隣接するサブアレイに対して、各サブ
アレイ中のビットライン上の読出しデータを検知増幅す
る。TAGメモリ内のTAGブロックは、同時に活性化
される複数のサブアレイに対して共通のTAGアドレス
を保持し、サブアレイ制御手段は、前記センスアンプ列
をキャッシュとして制御する。センスアンプ調停手段
は、隣接するサブアレイ制御手段の出力の一部に対し
て、その一方を有効、他方を無効とする。そして、第1
のパージ手段が、前記TAGブロックに隣接されたサブ
アレイの活性化状態を検出すると共に、該TAGブロッ
クに保持されている情報をパージする。また、第2のパ
ージ手段が、前記TAGブロックに対応するサブアレイ
のリフレッシュ動作を検出すると共に、該リフレッシュ
動作終了時にそのTAGブロックに保持されている情報
をパージする。
がアドレスをプリデコードして中間アドレスを出力す
る。TAGメモリ内のTAGアドレス保持手段が、中間
アドレスバスを介して前記中間アドレスをロードして保
持すると共に、その中間アドレスをDRAMのデコード
手段へ供給する。また、アドレス比較手段は、前記中間
アドレスバス上のアドレスとTAGアドレス保持手段に
保持されているアドレスとを比較し、パージ手段が、該
TAGアドレス保持手段に保持されているアドレスを全
ビットを非活性化する。以上によってヒットまたはミス
の判定がなされる。一方、複数のサブアレイはデータを
保持し、デコード手段はアドレスをデコードしてサブア
レイ中のMCを選択する。第4の発明によれば、チップ
の中央部に互いに隣接かつ平行に配置されたXデコーダ
とTAGメモリが接続される。また、該XデコーダとT
AGメモリの配置領域の両外側に対向して配置された、
同時にアクセスされる複数のサブアレイは、共通にTA
Gメモリ内のTAGブロックに接続される。従って、前
記課題を解決できるのである。
ロック図である。図1のDRAMは高速アクセスを実施
するために、TAGメモリを設けている。このDRAM
は、複数のワードラインWL、複数のビットラインB
L、及び該ワードラインWLとビットラインBLとの交
点に適宜設けられたMCからなる複数のサブアレイ10
01,1002,…と、XアドレスバスXAからのXアド
レスの下位ビットをデコードして各サブアレイ10
01,1002 ,…内のワードラインWLを選択活性化す
る複数のXデコーダ1101,1102 ,…と、各サブ
アレイ1001,1002,…のビットラインBLに図示
しないスイッチ手段を介して接続された複数のセンスア
ンプ列1201,1202,…と、Yアドレスをデコード
して、その図示しないスイッチ手段をオン、オフするY
デコーダ130と、複数のTAGメモリ140とを、備
えている。なお、各センスアンプ列1201,1202,
…は、それぞれサブアレイ1001,1002 ,…に対し
てキャッシュとして動作するので、以後、センスアンプ
キャッシュ1201,1202,…という。各センスアン
プキャッシュ1201,1202,…は、サブデータバス
SDBを介してデータバスDBに接続されている。
1101,1102,…と同様に、XアドレスバスXAか
らXアドレスの下位ビットをそれぞれ入力すると共に、
サブアレイアドレス線SADからサブアレイアドレスと
してXアドレスの上位ビットを入力する複数のTAGブ
ロック1401,1402,…を有している。各TAGブ
ロック1401,1402,…は、入力されたXアドレス
の下位ビットを保持すると共に、Xアドレスに応じてT
AG判定信号を出力する。各TAGブロック1401,
1402,…は、センスアンプキャッシュ1201,12
02,…、サブアレイ1001,1002,…、及びXデ
コーダ1101,1102,…にそれぞれ対応して配置さ
れている。なお、サブアレイアドレスは、各TAGブロ
ック1401 ,1402,…内の、ブロック制御手段1
40cに入力されている。図1のDRAMには、各TA
Gブロック1401,1402,…からの情報に基づい
て、センスアンプキャッシュ1201,1202,…、T
AGブロック1401,1402,…及びXデコーダ11
01,1102,…に対して、制御信号を出力する複数の
サブアレイ制御手段1501,1502,…が、それぞれ
設けられている。各サブアレイ制御手段1501,15
02,…からの制御信号によって、制御される制御単位
がそれぞれ形成される。例えばサブアレイ制御手段15
01 の制御信号により、図1に一点鎖線で示されるTA
Gブロック1401 に対応した制御単位Aが形成され
る。Yデコーダ130に接続された複数のカラム線CL
は、各サブアレイ1001,1002 ,…上に配線され
ており、サブデータバスSDBとビットラインBL間の
スイッチ手段を制御している。サブデータバスSDB
は、必要に応じてさらに別スイッチ手段を介してデータ
バスDBに接続される。また、本実施例において、各X
デコーダ1101,1102,…は、入力したXアドレス
を保持する保持手段を備えている。
成ブロック図である。このTAGブロックは、入力され
たXアドレスの下位ビットをTAGロード信号TLによ
ってロードし、TAGアドレスとして保持するTAGア
ドレス保持手段141と、そのTAGアドレスと新たに
入力されたXアドレスの下位ビットとを比較して“一
致”或いは“不一致”の信号を出力するアドレス比較手
段142と、各TAGブロックを制御するブロック制御
手段140cとを、備えている。各ブロック制御手段1
40cは、TAGアドレスの有効或いは無効の状態を保
持するTAGフラグ143をそれぞれ有し、サブアレイ
選択線からの信号とTAGロード信号TLとがゲート1
44を介してそのTAGフラグ143のセット端子に入
力される。また、サブアレイ選択線からの信号とリフレ
ッシュ信号REFとタイミング信号Φeとが、ゲート1
45を介してTAGフラグ143のリセット端子に入力
される。タイミング信号Φe及びΦsと、TAGフラグ
143の出力と、アドレス比較手段142の出力とがゲ
ート146で判断され、ゲート146からTAG判定信
号の“HIT”、“MISS”、“EMPTY”、また
は“PURGE”が出力される。制御単位における各動
作の始まりにおいて、“一致”かつ“有効”の状態であ
ればTAG判定信号の“HIT”、“不一致”かつ“有
効”の状態であればTAG判定信号の“MISS”、
“一致”、“不一致”にかかわらず“無効”のときTA
G判定信号の“EMPTY”が出力される。また、各動
作の終了時においては、“無効”のときTAG判定信号
の“PURGE”が活性化されて出力される。
は、図1の動作を示すタイムチャートであり、図4を参
照しつつ、図1のDRAMの動作を説明する。図4の各
波形は、サブアレイアドレスによって活性化されたサブ
アレイとTAGブロックに関するものである。図1のD
RAMの主要動作状態には、(1)ロードサイクルと、
(2)ヒットサイクルと、(3)ミスサイクルと、(4)
パージサイクルの4サイクルがある。なお、他のサブア
レイのみが活性化されていて、該サブアレイの変化の無
いNopサイクルが存在するが、ここでは省略する。
ット、ビットラインBLがイコライズされ、TAGフラ
グ143は、“無効”を出力している。そのため、サブ
アレイアドレスSAD及びXアドレスバスXAが確定す
ると、TAGアドレスの状態にかかわらずTAG判定信
号の“EMPTY”が活性化されてロードサイクルに入
る。サブアレイ制御手段1501,1502,…は、TA
G判定信号の“EMPTY”を受けて、TAGロード信
号TLを送出すると共に、Xアドレスバス上の情報をX
デコーダ1101,1102,…にロードする。その結
果、TAGアドレスがTAGブロック1401,14
02,…に、XアドレスがXデコーダ1101 ,110
2 ,…にそれぞれ保持される。Xデコーダ1101,1
102,…は、入力されたXアドレスをデコードしてワ
ードラインWLを選択的に活性化し、ビットラインBL
上に読出し電圧が得られる。続いて、サブアレイ制御手
段1501 ,1502 ,…により、センスアンプキャッ
シュ1201,1202,…が活性化される。また、ビッ
トラインBLからのデータが、センスアンプキャッシュ
1201,1202 ,…に増幅されてリストアされる。
即ち、データがセンスアンプキャッシュ1201,12
02,…にロードされる。キャッシュのロード以降は、
公知なDRAMのページ・モード時の動作と同様の動作
となる。活性化されたセンスアンプキャッシュ12
01,1202,…、において、Yアドレスの確定により
カラムラインCLで指定されたセンスアンプに対して、
カラムアクセス動作が行われる。即ち、カラムラインC
Lの制御によってデータバスDBよりデータの読み出し
及び書き込みが行われる。
TAGフラグ143が“有効”であり、TAGブロック
1401,1402,…はTAGアドレスを、Xデコーダ
1101,1102,…は、前回のアクセス時のXアドレ
スを、センスアンプキャッシュ1201,1202,…
は、前回のアクセス時のデータをそれぞれ保持してい
る。ここで、サブアレイアドレスSAD及びXアドレス
バスXAが確定すると、TAGアドレスとXアドレスバ
スXAの情報が比較され、両者が一致すれば、TAG判
定信号の“HIT”が活性化され、ヒットサイクルに入
る。これ以降は、図4では省略しているが、TAGブロ
ック1401,1402,…及びサブアレイ1001,1
002,…の各状態がそのまま保持され、その状態でカ
ラムアクセス動作が実施される。
状態と同様である。ここで、サブアレイアドレスSAD
及びXアドレスバスXAが確定すると、TAGアドレス
とXアドレスバスXAの情報が比較される。この両者が
不一致であるとTAG判定信号の“MISS”が活性化
され、ミスサイクルに入る。サブアレイ制御手段150
1,1502,…は、このTAG判定信号の“MISS”
を受けてXデコーダ1101,1102,…中に保持され
ているXアドレスをパージすると共にワードラインWL
1 をリセットする。次に、TAG判定信号の“MIS
S”により、センスアンプキャッシュ1201,12
02,…は、不活性状態となり、センスアンプキャッシ
ュ1201,1202,…にラッチされているデータをパ
ージすると共に、ビットラインBLをイコライズする。
この後、サブアレイ制御手段1501,1502,…は、
TAGロード信号TLをTAGブロック1401,14
02,…へ送出する。TAGブロック1401 ,1402
,…は、そのTAGロード信号TLを受けて新しいX
アドレスバスの情報をTAGアドレスとしてTAGアド
レス保持手段141に保持する。一方、Xデコーダ11
01,1102,…は、新しいXアドレスバスの情報を保
持する。この結果、TAGブロック1401,1402,
…及びXデコーダ1101 ,1102 ,…の保持情報
は、更新される。次に、Xデコーダ1101,1102,
…により新たに選択されたワードラインWL2 がセット
され、ビットラインBL上に読出し電圧が生じる。続い
て、サブアレイ制御手段1501,1502,…によって
センスアンプキャッシュ1201,1202,…が再度活
性化され、ビットラインBLの電圧が増幅されてリスト
アされる。即ち、センスアンプキャッシュ1201,1
202,…におけるデータが更新される。この後、図示
しないカラムアクセス動作が実施される。
であった場合に、その動作の終了後に開始される。図4
のパージサイクルには、図4におけるミスサイクルがリ
フレッシュ動作であった場合の例が示されている。図4
のように、ミスサイクルがリフレッシュ動作である場
合、リフレッシュ信号REFが、サイクル期間中活性化
している。そして、サイクル終了時にタイミング信号Φ
eの活性化に伴いTAGフラグ143は、“無効”を出
力する。“無効”の信号を受けて、ゲート145におい
て、TAG判定信号の“PURGE”が活性化される。
サブアレイ制御手段1501,1502,…は、TAG判
定信号の“PURGE”を受けて、次のサイクル内に、
TAGメモリ140及びセンスアンプキャッシュ120
1,1202,…のパージを実施する。ただし、本実施例
の構成において、TAGフラグ143が既に“無効”と
なっているので、TAGメモリ140の保持情報自体の
リセットの必要はない。よって、センスアンプキャッシ
ュ1201,1202,…のパージのみ実施される。な
お、パージサイクルの開始時点での回路の状態は、ヒッ
トサイクルの開始時点と同じ状態である。パージサイク
ルが始まると、サブアレイ制御手段1501,1502,
…は、Xデコーダ1101,1102,…の保持情報をパ
ージすると共に、パージサイクルの前に選択されていた
ワードラインWL2 をリセットする。次に、サブアレイ
制御手段1501,1502,…は、TAG判定信号の
“PURGE”によってセンスアンプキャッシュ120
1,1202,…を非活性とし、ビットラインBLをイコ
ライズする。即ち、センスアンプキャッシュ1201,
1202,…にラッチされていたデータがパージされ
る。
及びセンスアンプキャッシュが制御され、高速なアクセ
ス動作が実施される。本実施例は、さらに次のような利
点を有している。 (a) リフレッシュを含むアクセス時に活性化される
サブアレイ1001 ,1002,…に対応して、TAG
ブロック1401,1402 ,…が設けられている。そ
のため、サブアレイ1001,1002,…中のリフレッ
シュされるサブアレイに対応したTAGブロックのみが
パージされる。即ち、不必要にTAGメモリがパージさ
れない。そのため、センスアンプ列をキャッシュとして
用いても、高いヒットレートを確保しつつ、チップサイ
ズの低減をすることができる。 (b) リフレッシュされたサブアレイに対応したセン
スアンプキャッシュを次のサイクルでパージすることか
ら、それ以降のアクセス時に該サブアレイが選択された
場合に、改めてワードラインWL及びセンスアンプ列を
リセットする必要がない。その結果、ミス時におけるア
クセス時間が短縮される。 (c) 一般にリフレッシュ時のアドレスと、外部から
のアクセスのアドレスとの相関は無く、リフレッシュさ
れたサブアレイが再び次のアクセスで選定される場合、
ほとんどがミスアクセスとなる。そのため、(b)のよ
うにミス時におけるアクセス時間を短縮することで、ア
クセス時間の平均値を小さくすることができる。 (d) 待機時において、リフレッシュ動作と共にセン
スアンプキャッシュ1201,1202,…が逐次パージ
される。そのため、所定期間のリフレッシュインターバ
ルでは、センスアンプキャッシュ1201,1202,…
が非活性の状態となり、ビットラインBLがイコライズ
の状態となる。よって、従来のDRAMのように、セン
スアンプキャッシュがパージされずビットラインBLが
フルスイングした状態で待機するものに比較して、サブ
スレッショルド電流による待機電流の低減が図れる。 (e) TAGメモリにおけるヒット或いはミスの判定
が、Xアドレスのみで可能であり、アドレス多重型のシ
ステムを構築しても、Yアドレスの確定を待つ必要がな
い。そのため、ミス時に従来のDRAMよりも速やかに
サブアレイのワードラインWLのリセットを開始するこ
とができ、アクセス時間の短縮を実現できる。
定されず、種々の変形及び展開が可能である。その変形
及び展開例としては、例えば次のようなものがある。 (A) リフレッシュを含むアクセス時に同時に複数の
サブアレイとTAGブロックの組が、活性化されてもよ
い。この場合、活性化されたサブアレイとTAGブロッ
クの組には、同一のXアドレスが入力され、同一の制御
が実施されることになる。例えば、図1中の2点鎖線
は、制御単位Aに対して同時にアクセスされる制御単位
Bを示している。制御単位Bは、サブアレイとセンスア
ンプキャッシュとXデコーダとサブアレイ制手段を有
し、共通のTAGブロック1401 からの各種信号によ
って制御される。こうした構成にすることによって、同
時に多ビットの入出力を行うDRAMを実現することが
できる。 (B) レイアウト上可能であれば、1組のTAGブロ
ック及びサブアレイ制御手段で、リフレッシュを含めた
アクセス時に、複数のサブアレイ及びTAGブロックの
組が同時に活性化される構成にしてもよい。こうするこ
とによって、寄生容量の大きなワードラインWL及びビ
ットラインBLを分割するので、より高速な動作が可能
となる。 (C) 通常のアクセス時には、複数組のサブアレイ及
びTAGブロックがそれぞれ別サイクルで活性化し、リ
フレッシュ動作時には、同時に活性化するように制御さ
れてもよい。このことにより、リフレッシュ規格にかか
わらずサブアレイの数だけ、TAGアドレスを保持する
ことができる。従って、充分なエントリー数のTAGメ
モリが確保され、ヒットレートの向上が図れる。 (D) 隣接するサブアレイ同志で、互いにセンスアン
プキャッシュを共有するシェアド・センスアンプ方式を
採用してもよい。シェアド・センスアンプ方式を採用す
る場合、各センスアンプキャッシュに対して、互いに隣
接するサブアレイ制御手段のいずれか一方の出力を有効
とし他方を無効とする調停手段と、各TAGブロック内
のブロック制御手段に配置され、隣接するサブアレイの
活性化を検出して該TAGブロックをパージする手段と
を設ければよい。シェアド・センスアンプ方式を採用す
ることで、さらにチップサイズの小さなDRAMとする
ことができる。
を示す構成ブロック図である。図5には、請求項3に記
載のDRAMの回路の一部の構成図が示されている。図
5には、アドレスADDをプリデコードして中間アドレ
スを中間アドレスバスa0 ,a1,…,amを介して出力
する第1のデコード手段200と、その中間アドレスを
ロードして保持するTAGメモリを構成するTAGブロ
ック210と、アドレスをデコードしてメモリセルを選
択する第2のデコード手段220が示されている。中間
アドレスバスa0,a1,…,amは、複数のTAGブロ
ック210の各入力端子Ia0 ,Ia1,…,Iamにそ
れぞれ接続され、TAGブロックの各出力端子Oa0,
Oa1,…,Oamが、デコード手段220に接続されて
いる。
バスa0 ,a1 ,…,am のバス幅分のアドレス入力端
子Ia0 ,Ia1 ,…,Iam を有し、このアドレス入
力端子Ia0 ,Ia1 ,…,Iam に接続されてTAG
アドレスを保持する複数のTAGアドレス保持回路21
11 ,2112 ,…,211m と、それらTAGアドレ
ス保持回路2111 ,2112 ,…,211m の保持ア
ドレスをパージする複数のパージ回路2121 ,212
2 ,…,212m と、複数のアドレス比較回路21
31 ,2132 ,…,213m とを備えている。各TA
Gアドレス保持回路2111 ,2112 ,…,211m
は、保持情報を出力する出力端子Qと、保持情報を反転
して出力する出力端子QBをそれぞれ有し、各TAGア
ドレス保持回路2111 ,2112 ,…,211m の出
力端子Qが、保持アドレス出力端子Oa0 ,Oa1 ,
…,Oam に接続されている。また、各アドレス比較回
路2131 ,2132 ,…,213m の入力端子対は、
アドレス入力端子Ia0 ,Ia1 ,…,Iam と、TA
Gアドレス保持回路2111,2112 ,…,211m
の出力端子QBにそれぞれ接続されている。即ち、i番
目のアドレス比較回路213i の入力端子対には、入力
端子Iai とTAGアドレス保持回路211i の出力端
子QBとが、接続されている。また、アドレス比較回路
2131 ,2132 ,…,213m の出力は、共通に接
続されプリチャージ回路PRと共にHIT/MISS線
に接続されている。なお、各TAGブロック210に
は、該ブロックを制御する制御回路も含まれるが、説明
を省略する。
を説明する。1つのTAGブロック210において、各
アドレス保持回路2111 ,2112 ,…,211
m は、1組のTAGアドレスを保持するTAGアドレス
保持手段211として作用する。同様に、各アドレス比
較回路2131 ,2132 ,…,213m は、1つのT
AGブロックのアドレス比較手段213として動作し、
各パージ回路2121 ,2122 ,…,212m が、1
つのパージ手段212として動作する。DRAMの各動
作サイクルの初期には、プリチャージ回路PRによって
HIT/MISS線が、“H”レベルにチャージされて
いる。アドレスADDが確定すると、デコード手段20
0はアドレスADDをプリデコードし、プリデコードさ
れた中間アドレスが、中間アドレスバスa0 ,a1 ,
…,am に出力される。次いで、活性化されるサブアレ
イと対応するTAGブロックにおいて、アドレス比較手
段213により、TAGアドレスとその中間アドレスが
比較される。本実施例では、TAGアドレスと中間アド
レスの両者が一致しているとき、HIT/MISSのレ
ベルは、“H”即ち“HIT”、不一致のとき“L”即
ち“MISS”となる。一方、アドレスADDのビット
コードが、前回のアクセス時に対して変化すれば中間ア
ドレスのビットコードも変化するので、アドレス比較手
段213の出力は“MISS”となる。アドレスADD
のビットコードが、前回のアクセス時と同じであれば、
アドレス比較手段213の出力は“HIT”となる。
様に、DRAMの各回路は、そのままの状態で保持され
てカラムアクセス動作が実施される。“MISS”の時
には、適当なタイミングで、図5中のロード信号TLが
活性化され、中間アドレスバスa0 ,a1 ,…,am 上
のビットコードがTAGアドレス保持手段211にロー
ドされる。また、リフレッシュ動作時においては、その
サイクル終了時にパージ信号PURGEが活性化され、
パージ手段212がTAGアドレスをリセットする。こ
のことにより、TAGブロック210の保持アドレス出
力端子Oa0 ,Oa1 ,…,Oam の全てが、非活性化
される。一方、全てが非活性状態のビットコードにプリ
デコードされるアドレスADDは、存在しないので、こ
のTAGブロック210とそれに対応するサブアレイが
再び活性化される時に、アドレス比較手段213の出力
は必ず“MISS”となる。以上のように、プリデコー
ド済の中間アドレスを入力するように、デコーダ及びT
AGメモリを構成した場合でも、TAGのヒットとミス
の判定が可能である。そのため、サブアレイ制御回路を
適宜設けてセンスアンプをキャッシュとして制御するこ
とが可能である。
Mは、次のような利点を有している。 (f) TAGメモリは、プリデコード済の中間アドレ
スを入力するので、配置上の制約が少なく、TAGメモ
リは、例えばXデコーダに隣接して配置しても配線の引
回しによる増加がなく、チップ面積を小さくすることが
できる。 (g) 回路面積については、TAGメモリそのもので
比較すると従来のものより増加する。しかしながら、ア
ドレス保持手段211の出力を第2のデコード手段22
0に入力する構成なので、例えば第1の実施例のように
Xデコーダに保持手段を設ける必要はない。その結果、
TAGアドレスに応じてワードラインWLをセットした
ままアドレスを保持する必要のある方式において、従来
のTAGメモリを用いる場合と比較して全体の回路面積
をより小さくできる。 (h) 一般に入力容量の大きな第2のデコード手段2
20に対して、TAGアドレス保持手段211がバッフ
ァとして働くので、中間アドレスバスa0 ,a1 ,…,
am の負担が軽減される。そのため、高速なDRAMを
形成できる。
を示す図である。図6には、同一チップ300上に搭載
されたDRAMが示されており、チップの左側には、複
数のワードライン及びビットラインの交差箇所にそれぞ
れ接続された複数のメモリセルを有するサブアレイ31
01 ,3102 ,…,310m 及び3201 ,32
02 ,…,320m と、各サブアレイに対応したワード
ラインドライバ3111 ,3112 ,…,311m 及び
3211 ,3212 ,…,321m と、各サブアレイに
対応してキャッシュとしても動作するセンスアンプキャ
ッシュ3121 ,3122 ,…,312m 及び32
21 ,3222 ,…,322m と、Xアドレスをデコー
ドするXデコーダ群330と、TAGメモリ340と、
複数のサブアレイ制御手段を含む制御回路350と、Y
アドレスをデコードする2個のYデコーダ361,36
2とが搭載されている。チップ300の右側は、左側と
対称に同一の回路が搭載されている。制御回路350中
には、1つのサブアレイ制御手段351と同一の回路が
複数配置され、TAGメモリ340中には、TAGブロ
ック341が複数個配置されている。また、Xデコーダ
群330中には、1つのXデコーダ331と同一のもの
が複数配置されている。
の短辺方向のほぼ中間位置に、Xアドレスをプリデコー
ドした中間アドレスバスXADDが長辺方向に配線さ
れ、TAGメモリ340が、その中間アドレスバスXA
DDに沿って配置されている。このTAGメモリ340
に隣接し、かつ平行にXデコーダ群330が配置されて
いる。TAGメモリ340において、1組のTAGアド
レスを保持するTAGブロック341が、チップの長辺
方向に配列され、TAGブロック341においては、ア
ドレスの各ビットに対応する回路が、やはり長辺方向に
配列されている。また、中間アドレスバスXADDに沿
ってTAGメモリの配置位置とは、反対側に制御回路3
50が配置されている。TAGメモリ340及びXデコ
ーダ群330の配置領域の両外側に、複数のサブアレイ
が配列され、サブアレイ3101,3102 ,…,31
0m が図6の上側、サブアレイ3201 ,3202 ,
…,320m が図6の下側にそれぞれ配列されている。
これらの各サブアレイとXデコーダ群330間には、各
サブアレイに対応したワードラインドライバ3111,
3112 ,…,311m 及び3211 ,3212 ,…,
321m が各サブアレイに対応して配置され、各サブア
レイ毎に対応して、センスアンプキャッシュ3121 ,
3122 ,…,312m 及び3221 ,3222 ,…,
322m がそれぞれ配置されている。図6中に斜線で示
された部分は、アクセス時に同時に活性化されるサブア
レイの一例である。即ち、本実施例では、TAGメモリ
340及びXデコーダ群330の配置領域の両外側に、
同時にアクセスされるサブアレイの組が配置されてい
る。例えば、サブアレイ3101 と3201 が同時にア
クセスされる。
明する。中間アドレスバスXADDとTAGメモリ34
0中の各TAGブロック341との間と、各TAGブロ
ック341とXデコーダ群330の各回路ブロック33
1との間の配線とが、第1の伝導体で形成されている。
中間アドレスバスXADDと、TAGメモリ340及び
Xデコーダ群330内のチップの長辺方向の配線が第2
の伝導体で形成され、Xデコーダ群330の各回路ブロ
ック331と各ワードラインドライバ3111,311
2 ,…,311m 及び3211 ,3212 ,…,321
m 間を接続する配線が、第3の伝導体で形成されてい
る。
のような利点を有している。 (i) TAGメモリ340中のTAGブロック341
と該各TAGブロック341に対応する各Xデコーダ3
31が隣接している。そのため、両者を接続する配線に
無用な引回しが無く、配線長が最小となる。また、各T
AGブロック341に対応する各サブアレイ制御手段3
51との配線についても、同様に、無用な引回しが無
く、配線長が最小となる。したがって、配線によるチッ
プサイズの増加が防止できる。 (j) 上記(i)のため、サブアレイ制御手段が、T
AGメモリの判定結果を待って動作の始まるミス動作に
おいて、DRAMのアクセス時間の遅れを低減する。 (k) 同時に活性化されるサブアレイの組の制御を、
TAGメモリ340及びXデコーダ群330の外側に対
抗して配置したので、該サブアレイの組の制御を1組の
TAGブロック341及びXデコーダ331で共通に実
施することができる。そのため、TAGメモリ340及
びXデコーダ群330の面積を小さくできる。 (l) 各ワードラインドライバ3111 ,3112 ,
…,311m 及び3211 ,3212 ,…,321m を
各サブアレイ3101 ,3102 ,…,310m 及び3
201 ,3202 ,…,320m に、それぞれ対応させ
て設けている。そのため、ワードラインWLの大きな寄
生容量を充放電する際に、パワーライン上のノイズを分
散して小さくすることができる。また、各ワードライン
ドライバにおいて、ゲート手段を設けることで、例えば
上側のサブアレイと下側のサブアレイとでX冗長セルと
の置き換えの制御を分けて行うことができ、歩留まりの
向上に寄与する。さらに、ミスアクセス時に、ミスした
サブアレイをリセットする動作と新しいXアドレスをデ
コードする動作とを、一部或いは全部をオーバラップし
たタイミングで実施できる。
によれば、同時に活性化されるサブアレイに対して1組
のTAGアドレスを保持するTAGブロックを少なくと
も1個設け、該TAGブロックを複数配列してTAGメ
モリを構成したので、リフレッシュ時にパージされるT
AGブロックの数を最小にできる。そのため、チップサ
イズを小さく維持した状態でヒットレートの高いDRA
Mを実現できる。また、TAGメモリの動作において、
Yアドレスの確定を待たずにヒットまたはミスの判断を
するので、例えば、アドレス多重型のインタフェイスを
採用したDRAMで、アクセス時間の遅れを少なくす
る。さらに、キャッシュとして用いられるセンスアンプ
を、リフレッシュ後にパージする構成にしているので、
待機時における待機電流を小さくできる。第2の発明に
よれば、隣接するサブアレイ同志で、互いにセンスアン
プキャッシュを共有する構成にしているので、さらにチ
ップサイズの小さなDRAMとすることができる。
したDRAMにおいて、TAGメモリがプリデコード済
の中間アドレスを入力するので、配置上の制約が少なく
なる。また、TAGメモリは、例えばXデコーダに隣接
して配置しても配線の引回しによる増加がなく、チップ
サイズを小さくすることができる。さらに、デコード手
段に対してTAGメモリがバッファとして働くので、高
速な動作が可能となる。第4の発明によれば、Xデコー
ダとTAGメモリを互いに隣接かつ平行にチップの中央
部に配置すると共に、該Xデコーダ及びTAGメモリの
配置領域の両外側に同時にアクセスされる複数のサブア
レイを対向して配置しているので、チップサイズを小さ
くできる。また、各種配線を短くすることができるの
で、高速に動作するDRAMを実現できる。
ロック図である。
ブロック図である。
である。
を示す構成ブロック図である。
を示す図である。
段 141 TAGアドレス
保持手段 142 アドレス比較手
段 1501 ,1502 ,… サブアレイ制御
手段 200 第1のデコード
手段 WL ワードライン BL ビットライン
Claims (4)
- 【請求項1】 複数のワードライン及びビットラインの
交差箇所にそれぞれ接続された複数のメモリセルを有す
る複数のサブアレイと、 Xアドレスをデコードして前記ワードラインを選択する
Xデコーダと、 前記メモリセルから読み出された前記ビットライン上の
読出しデータを検知増幅するセンスアンプ列と、 前記センスアンプ列をキャッシュとして制御するサブア
レイ制御手段と、 を備 えたダイナミックRAMにおいて、 前記Xアドレスと論理的に同値なアドレスを入力し、ア
クセス時において同時に活性化される前記サブアレイに
対して割り当てられるタグアドレスを保持する複数のタ
グブロックを有するタグメモリと、 前記タグブロック毎に配置され、前記サブアレイのリフ
レッシュ終了後に、前記サブアレイに対応した前記タグ
ブロック及び前記センスアンプ列をパージする複数の制
御手段と、 を設けたことを特徴とするダイナミックRAM。 - 【請求項2】 複数のワードライン及びビットラインの
交差箇所にそれぞれ接続された複数のメモリセルを有す
る複数のサブアレイと、 Xアドレスをデコードして前記ワードラインを選択する
Xデコーダと、 互いに隣接する前記サブアレイ毎に設けられ、前記複数
のサブアレイのメモリセルから読み出された前記ビット
ライン上の読出しデータを検知増幅するセンスアンプ列
と、 を備えたダイナミックRAMにおいて、 前記Xアドレスと論理的に同値なアドレスを入力し、ア
クセス時において同時に活性化される前記サブアレイに
対して割り当てられるタグアドレスを保持する複数のタ
グブロックを有するタグメモリと、 前記タグブロック毎に配置され、前記センスアンプ列を
キャッシュとして制御する複数のサブアレイ制御手段
と、 互いに隣接する前記サブアレイ制御手段対の出力の一部
に対して一方の出力を有効とし、他方を無効とするセン
スアンプ調停手段と、 前記各タグブロック毎に配置され、前記タグブロックに
対応する前記サブアレイに隣接する前記サブアレイの活
性化状態を検出して前記タグブロックに保持されている
データをパージする複数の第1のパージ手段と、 前記各タグブロック毎に配置され、前記タグブロックに
対応する前記サブアレイのリフレッシュ動作を検出して
前記リフレッシュ動作の終了時に前記タグブロックに保
持されているデータをパージする複数の第2のパージ手
段と、 を設けたことを特徴とするダイナミックRAM。 - 【請求項3】 複数のワードライン及びビットラインの
交差箇所にそれぞれ接続された複数のメモリセルを有す
るサブアレイと、 アドレスをデコードして前記メモリセルを選択するデコ
ード手段と、 を備えたダイナミックRAMにおいて、 アドレスをプリデコードして中間アドレスを出力する第
1のデコード手段と、 前記中間アドレスを伝達する第1の中間アドレスバス
と、 前記第1の中間アドレスバスに接続された複数のブロッ
クよりなるタグメモリとを設け、 前記タグメモリの各ブロックは、前記中間アドレスをロ
ードして保持すると共に前記中間アドレスを前記デコー
ド手段へ供給するタグアドレス保持手段と、 前記第1の中間アドレスバス上のアドレスと前記タグア
ドレス保持手段の保持アドレスとを比較するアドレス比
較手段と、 前記タグアドレス保持手段の保持している各ビットをす
べて非活性化するパージ手段と、 を有することを特徴とするダイナミックRAM。 - 【請求項4】 請求項1または2記載のダイナミックR
AMにおいて、 前記Xデコーダと前記タグメモリを互いに隣接かつ平行
にチップの中央部に配置すると共に、前記Xデコーダ及
び前記タグメモリの配置領域の両外側に同時にアクセス
される前記複数のサブアレイを対向して配置したことを
特徴とするダイナミックRAM。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21602793A JP3305056B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | ダイナミックram |
DE69425026T DE69425026T2 (de) | 1993-08-31 | 1994-08-26 | Dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff mit Cache- und Etikettenspeicher |
EP94113363A EP0640922B1 (en) | 1993-08-31 | 1994-08-26 | Dynamic random access memory (dram) with cache and tag |
KR1019940021443A KR100248878B1 (ko) | 1993-08-31 | 1994-08-29 | 다이나믹ram |
US08/297,450 US5577223A (en) | 1993-08-31 | 1994-08-29 | Dynamic random access memory (DRAM) with cache and tag |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21602793A JP3305056B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | ダイナミックram |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0764864A JPH0764864A (ja) | 1995-03-10 |
JP3305056B2 true JP3305056B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=16682154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21602793A Expired - Fee Related JP3305056B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | ダイナミックram |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5577223A (ja) |
EP (1) | EP0640922B1 (ja) |
JP (1) | JP3305056B2 (ja) |
KR (1) | KR100248878B1 (ja) |
DE (1) | DE69425026T2 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5787267A (en) * | 1995-06-07 | 1998-07-28 | Monolithic System Technology, Inc. | Caching method and circuit for a memory system with circuit module architecture |
JP2885162B2 (ja) * | 1996-01-17 | 1999-04-19 | 日本電気株式会社 | キャッシュメモリ |
US5905680A (en) * | 1996-04-30 | 1999-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Self-timed comparison circuits and systems |
US6023745A (en) * | 1996-08-08 | 2000-02-08 | Neomagic Corporation | Scoreboarding for DRAM access within a multi-array DRAM device using simultaneous activate and read/write accesses |
US6104658A (en) * | 1996-08-08 | 2000-08-15 | Neomagic Corporation | Distributed DRAM refreshing |
US6044433A (en) * | 1996-08-09 | 2000-03-28 | Micron Technology, Inc. | DRAM cache |
US5860092A (en) * | 1997-02-14 | 1999-01-12 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method for addressing a cache memory in a computer system utilizing cache tag memory with integrated adder and pre-decode circuit |
US5835932A (en) * | 1997-03-13 | 1998-11-10 | Silicon Aquarius, Inc. | Methods and systems for maintaining data locality in a multiple memory bank system having DRAM with integral SRAM |
US6862654B1 (en) * | 2000-08-17 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Method and system for using dynamic random access memory as cache memory |
US6535959B1 (en) * | 2000-09-05 | 2003-03-18 | Conexant Systems, Inc. | Circuit and method for reducing power consumption in an instruction cache |
US6697909B1 (en) | 2000-09-12 | 2004-02-24 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for performing data access and refresh operations in different sub-arrays of a DRAM cache memory |
US6779076B1 (en) * | 2000-10-05 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Method and system for using dynamic random access memory as cache memory |
DE10055001A1 (de) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | Infineon Technologies Ag | Speicheranordnung mit einem zentralen Anschlussfeld |
DE10129315A1 (de) * | 2001-03-28 | 2003-01-02 | Infineon Technologies Ag | Dynamischer Halbleiterspeicher mit Refresh |
US7085186B2 (en) | 2001-04-05 | 2006-08-01 | Purple Mountain Server Llc | Method for hiding a refresh in a pseudo-static memory |
US6707752B2 (en) | 2001-06-22 | 2004-03-16 | Intel Corporation | Tag design for cache access with redundant-form address |
US6954822B2 (en) | 2002-08-02 | 2005-10-11 | Intel Corporation | Techniques to map cache data to memory arrays |
US7054999B2 (en) | 2002-08-02 | 2006-05-30 | Intel Corporation | High speed DRAM cache architecture |
JP2004103081A (ja) | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
KR100635439B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2006-10-18 | 통일공업 주식회사 | 덕트 및 이의 제조방법 |
US9396118B2 (en) | 2011-12-28 | 2016-07-19 | Intel Corporation | Efficient dynamic randomizing address remapping for PCM caching to improve endurance and anti-attack |
US9779025B2 (en) | 2014-06-02 | 2017-10-03 | Micron Technology, Inc. | Cache architecture for comparing data |
US10019367B2 (en) | 2015-12-14 | 2018-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory module, computing system having the same, and method for testing tag error thereof |
KR102491651B1 (ko) | 2015-12-14 | 2023-01-26 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 모듈, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것의 동작 방법 |
US10672444B1 (en) * | 2018-12-13 | 2020-06-02 | Micron Technology, Inc. | Decoder unit |
JP2020149759A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US11842762B2 (en) | 2019-03-18 | 2023-12-12 | Rambus Inc. | System application of DRAM component with cache mode |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4241425A (en) * | 1979-02-09 | 1980-12-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Organization for dynamic random access memory |
US5226147A (en) * | 1987-11-06 | 1993-07-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device for simple cache system |
JPH01146187A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | キヤッシュメモリ内蔵半導体記憶装置 |
US5214610A (en) * | 1989-09-22 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Memory with selective address transition detection for cache operation |
JPH04109488A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | ダイナミック型半導体記憶装置 |
EP0895162A3 (en) * | 1992-01-22 | 1999-11-10 | Enhanced Memory Systems, Inc. | Enhanced dram with embedded registers |
JPH05274879A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP3199862B2 (ja) * | 1992-08-12 | 2001-08-20 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21602793A patent/JP3305056B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-26 EP EP94113363A patent/EP0640922B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-26 DE DE69425026T patent/DE69425026T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-29 US US08/297,450 patent/US5577223A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-29 KR KR1019940021443A patent/KR100248878B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100248878B1 (ko) | 2000-03-15 |
US5577223A (en) | 1996-11-19 |
EP0640922A1 (en) | 1995-03-01 |
DE69425026D1 (de) | 2000-08-03 |
JPH0764864A (ja) | 1995-03-10 |
DE69425026T2 (de) | 2001-03-22 |
KR950006864A (ko) | 1995-03-21 |
EP0640922B1 (en) | 2000-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3305056B2 (ja) | ダイナミックram | |
US5179687A (en) | Semiconductor memory device containing a cache and an operation method thereof | |
US5111386A (en) | Cache contained type semiconductor memory device and operating method therefor | |
US6430103B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device with memory banks and read buffer capable of storing data read out from one memory bank when data of another memory bank is outputting | |
JP2777247B2 (ja) | 半導体記憶装置およびキャッシュシステム | |
JP3304413B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2938511B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7606982B2 (en) | Multi-path accessible semiconductor memory device having data transmission mode between ports | |
US7653780B2 (en) | Semiconductor memory device and control method thereof | |
JP2705590B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20060015679A1 (en) | Method and system for using dynamic random access memory as cache memory | |
JP3362775B2 (ja) | Dram及びdramのデータ・アクセス方法 | |
US6925028B2 (en) | DRAM with multiple virtual bank architecture for random row access | |
JP3789998B2 (ja) | メモリ内蔵プロセサ | |
US6002632A (en) | Circuits, systems, and methods with a memory interface for augmenting precharge control | |
US6937537B2 (en) | Semiconductor memory with address decoding unit, and address loading method | |
US7333388B2 (en) | Multi-port memory cells | |
US20020186610A1 (en) | Integrated memory having a memory cell array with a plurality of segments and method for operating the integrated memory | |
JP4764537B2 (ja) | メモリ内のルックアヘッドカラム冗長アクセスを提供するための方法及び装置 | |
JP3710895B2 (ja) | キャッシュメモリ回路および動作方法 | |
JP2004047002A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2859966B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2975539B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH03205680A (ja) | 行列配置の複数の記憶セルを有する記憶装置 | |
JP2001028186A (ja) | 半導体記憶装置、それのアクセス方法、及び、データプロセッシングシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020423 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080510 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |