KR950027925A - 포토마스크(photomask) 정렬방법 - Google Patents

포토마스크(photomask) 정렬방법 Download PDF

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KR950027925A
KR950027925A KR1019940004711A KR19940004711A KR950027925A KR 950027925 A KR950027925 A KR 950027925A KR 1019940004711 A KR1019940004711 A KR 1019940004711A KR 19940004711 A KR19940004711 A KR 19940004711A KR 950027925 A KR950027925 A KR 950027925A
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KR1019940004711A
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황준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼에 감광막 패턴을 얻기 위하여 노광전에 포토마스크를 정확하게 정렬하는 포토마스크 정렬방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼상에 배열된 패턴의 행마다 노광을 실시하기 전에 포토마스크를 정렬하는 포토마스크 정렬방법에 관한 것으로, 웨이퍼 중심과 가장 가까운 패턴 배열의 행 양끝위치에서 포토마스크의 회전 에러를 보정하여 정렬시키는 제1단계; 및 상기 웨이퍼의 상부 또는 하부에서부터 패턴 배열의 행의 양끝위치에서 포토마스크를 정렬시키고 노광을 실시한 후, 다음 행도 동일하게 양끝위치에서 포토마스크를 정렬시키고 노광을 실시하는 제2단계를 포함하여 구서되는 것을 특징으로 한다.

Description

포토마스크(photomask) 정렬방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 포토마스크의 정렬위치를 나타낸 웨이퍼의 평면도.

Claims (2)

  1. 포토마스크 정렬방법에 있어서, 웨이퍼 중심과 가장 가까운 패턴 배열의 행 양끝위치에서 포토마스크의 회전 에러를 보정하여 정렬시키는 제1단계; 및 상기 웨이퍼의 상부 또는 하부에서 부터 패턴 배열의 행의 양끝위치에서 포토마스크를 정렬시키고 노광을 실시한 후, 다음 행도 동일하게 양끝위치에서 포토마스크를 정렬시키고 노광을 실시하는 제2단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 정렬방법.
  2. 제1항에 있어서, 제2단계에서 상기 웨이퍼의 상부와 하부끝에 위치한 패턴 배열의 행의 포토마스크 정렬은 웨이퍼의 안쪽으로 바로 인접한 패턴 배열의 행의 포토마스크 정렬결과를 이용하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 정렬방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940004711A 1994-03-10 1994-03-10 포토마스크(photomask) 정렬방법 KR950027925A (ko)

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