KR950030234A - 반도체장치의 주변 노광방법 - Google Patents

반도체장치의 주변 노광방법 Download PDF

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KR950030234A KR1019940008862A KR19940008862A KR950030234A KR 950030234 A KR950030234 A KR 950030234A KR 1019940008862 A KR1019940008862 A KR 1019940008862A KR 19940008862 A KR19940008862 A KR 19940008862A KR 950030234 A KR950030234 A KR 950030234A
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이정훈
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문정환
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 주변 노광방법에 관한 것으로, 별도의 주변 노광장비없이 스텝퍼를 이용하여 주변노광을 행할 수 있도록 한 것이다.
본 발명은 스텝퍼를 마스크를 로딩하지 않은 상태로 만드는 단계와, 상기 스텝퍼에 소정의 주변 노광프로그램을 로딩하는 단계, 감광제가 도포된 웨이퍼를 상기 스텝퍼에 로딩하는 단계, 상기 주변 노광프로그램에 따라 주변 노광작업을 실시하는 단계로 이루어지는 반도체장치의 주변 노광방법을 제공한다.

Description

반도체장치의 주변 노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 스텝퍼를 마스크를 로딩하지 않은 상태로 만드는 단계와, 상기 스텝퍼에 소정의 주변노광 프로그램을 로딩하는 단계, 감광제가 도포된 웨이퍼를 상기 스텝퍼에 로딩하는 단계, 상기 주변노광 프로그램에 따라 주변노광작업을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 주변노광방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 주변노광 프로그램은 웨이퍼의 주변노광할 스텝 사이즈 및 샷의 행과 열을 정하는 단계와, 정해진 모든 행과 소정의 열의 노광시간을 0으로 하는 단계, 모든 행과 소정의 열의 노광시간을 감광제가 충분히 반응할 수 있는 시간으로 세트하는 단계, 메인칩과 충분히 분리될 수 있도록 소정의 열의 레이아웃을 소정방향으로 이동시키는 단계의 순서로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 주변노광방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 열은 2열로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 주변노광방법.
  4. 제2항에 있어서, 노광시간을 0으로 하는 열은 아래쪽 열임을 특징으로 하는 반도체장치의 주변노광방법.
  5. 제2항에 있어서, 노광시간을 감광제가 충분히 반응할 수 있도록 세트하는 열은 윗쪽 열임을 특징으로 하는 반도체장치의 주변노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019940008862A 1994-04-26 1994-04-26 반도체장치의 주변노광방법 KR0144251B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100399482B1 (ko) * 2001-08-23 2003-09-29 (주)씨앤에스 테크놀로지 영상전화기의 자동응답 녹음 및 재생 장치

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KR100399482B1 (ko) * 2001-08-23 2003-09-29 (주)씨앤에스 테크놀로지 영상전화기의 자동응답 녹음 및 재생 장치

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