KR950001855A - 반응 챔버 안에서 입자 발생의 제어방법 및 장치 - Google Patents

반응 챔버 안에서 입자 발생의 제어방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

RF신호는 웨이퍼를 반응 챔버안에 도입하기에 앞서, 반응 챔버안의 어떤 입자를 교환 및 순환시키는 플라즈마를 초기화 하기 위하여 빠르게 고파워 레벨에 이르게 되며, 따라서 결과적인 반응 챔버 세척 효과를 주고; RF신호는 웨이퍼 처리 동안 상기 입자를 교란 및 순환시키는 것을 피하기 위하여 웨이퍼 처리에 앞서 또는 웨이퍼 처리동안 플라즈마를 초기화 하기 위해 천천히 고파워 레벨에 이르게 하며, 따라서 입자가 오염에 유도되는 것을 막는다. 자기장은 플라즈마 시스/글로우 영역 접면에서 반응 챔버 배기 라인으로 입자를 이동시키기 위해 반응 챔버에 가해질 수 있으며, 따라서 상기 입자가 처리된 웨이퍼 위로 떨어지는 것을 막을 수 있다.

Description

반응 챔버 안에서 입자 발생의 제어방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a및 2b도는 본 발명의 제1 및 2실시예에 따른 두 플라즈마 파워 램프(ramp)곡선.

Claims (19)

  1. 반응 챔버 안에 있는 입자를 교란 및/또는 순환시키는 방법에 있어서, 플라즈마를 초기화시키기 위하여 선택된 램프를 가진 선택된 속도로, 반응챔버안의 전극에 공급되는 RF신호의 파워 레벨을 증가시키는 단계를 포함하며, 상기 플라즈마는 상기 챔버안의 입자 발생을 제어하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안에 있는 입자를 교란 및/또는 순환시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 RF신호 파워 레벨은 약 500 내지 2000와트/초의 속도로 빠르게 증가되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안에 있는 입자를 교란 및/또는 순환시키는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 RF신호 파워 레벨은 약 500와트/초의 속도로 증가되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안에 있는 입자를 교란 및/또는 순환시키는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 RF신호 파워 레벨은 약 1 내지 100와트/초 이하의 속도로 느리게 증가되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안에 있는 입자를 교란 및/또는 순환시키는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 RF신호 파워 레벨은 약 50와트/초 속도로 증가되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안에 있는 입자를 교란 및/또는 순환시키는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 추후 상기 입자를 상기 반응 챔버안에서부터 배기하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안에 있는 입자를 교란 및/또는 순환시키는 방법.
  7. 반응 챔버안에서 플라즈마 시스/글로우 영역 접면안에 집속된 입자를 제거하는 방법에 있어서, 상기 반응 챔버에 근접하게 자기장을 적용하는 단계와; 상기 자기장에 반응하여 상기 플라즈마 시스/글로우 영역 접면으로부터 상기 입자를 끌어내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버 안에서 플라즈마시스/글로우영역 접면안에 집속된 입자를 제거하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 추후 상기 반응 챔버로부터 상기 입자를 배기하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버 안에서 플라즈마시스/글로우 영역 접면안에 집속된 입자를 제거하는 방법.
  9. 반응 챔버안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 방법에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 처리하기 위해 상기 반응 챔버안에 도입하기에 앞서, 상기 반응 챔버안의 상기 입자의 제어된 교란 및/또는 순환 효과를 주는 제 1 플라즈마를 초기화 하기 위하여, 반응 챔버안의 전극에 공급되는 RF신호의 파워레벨을 제 1 선택 속도로 증가시키는 단계와; 챔버 세척 효과를 주기 위하여 상기 반응 챔버안으로부터 상기 입자를 배기시키는 단계와; 상기 제 1 플라즈마를 끄는 단계와; 웨이퍼 처리를 위해 상기 반응 챔버안에 상기 반도체 웨이퍼를 위치시키는 단계와; 상기 입자를 교란 및/또는 순환시키지 않는 제 2 플라즈마를 초기화하기 위하여, 반응 챔버안의 전극에 공급되는 RF신호 파워 레벨을 제 2 선택 속도로 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버 안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 플라즈마를 위한 상기 RF신호 파워 레벨은 약500와트/초의 속도로 증가되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버 안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 플라즈마를 위한 상기 RF신호 파워 레벨은 약 50와트/초의 속도로 증가되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버 안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 반응 챔버에 근접해서 자기장을 적용하는 단계와; 상기 자기장에 반응해서 제 2 플라즈마 시스/글로우 영역 접면으로부터 잔류입자를 제거하는 단계와; 상기 반응 챔버로부터 상기 잔류입자를 배기하는 단계를 추후 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버 안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 방법.
  13. 상기 반응 챔버안에 있는 입자를 교란 및/또는 순환시키지 않고 반응 챔버안의 플라즈마를 초기화시키는 방법에 있어서, 웨이퍼 처리를 위해 반도체 웨이퍼를 상기 반응 챔버안에 위치시키는 단계와; 불활성가스를 상기 반응 챔버안에 도입하는 단계와; 완만한 램프를 가지고 플라즈마를 초기화시키기 위하여 약 1 내지 100와트/초 이하의 속도로 반응 챔버안의 전극에 공급되는 RF신호 파워 레벨을 천천히 증가시키는 단계와; 상기 플라즈마가 폴 파워에 이른후, 상기 반응 챔버안에 반응물을 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안의 플라즈마를 초기화시키는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 RF신호 파워 레벨을 약 50와트/초의 속도로 증가되는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안의 플라즈마를 초기화시키는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 반응 챔버에 근접해서 자기장을 적용하는 단계와; 상기 자기장에 반응해서,플라즈마 시스/글로우 영역 접면으로부터 잔류입자를 제거하는 단계와; 상기 반응 챔버로부터 상기 잔류입자를 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안의 플라즈마를 초기화시키는 방법.
  16. 반응 챔버안의 플라즈마 시스/글로우 영역 접면에 집속된 입자를 제거하는 방법에 있어서, 상기 반응 챔버에 근접해서 자기장을 적용하는 단계와; 상기 자기장에 반응해서 플라즈마 시스/글로우 영역 접면으로부터 잔류입자를 제거하는 단계와; 상기 반응 챔버로부터 상기 잔류입자를 배기하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안의 플라즈마 시스/글로우 영역 접면에 집속된 입자를 제거하는 방법.
  17. 반응 챔버안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 방법에 있어서, 처리하기 위해 상기 반도체 웨이퍼를 사익 반응 챔버안에 도입하기에 앞서, 반응 챔버 안에서 상기 입자의 제어된 교란 및/또는 순환효과를 주는 제 1 플라즈마를 급격한 램프로 초기화시키기 위하여, 약 500 내지 2000와트/초의 속도로, 반응챔버안의 전극에 공급되는 RF신호 파워 레벨을 빠르게 증가시키는 단계와; 챔버 세척 효과를 추기 위하여 상기 반응 챔버안으로부터 상기 입자를 배기시키는 단계와; 상기 제 1 플라즈마를 끄는 단계와; 웨이퍼 처리를 위해 상기 반응 챔버안에 상기 반도체 웨이퍼를 위치시키는 단계와; 상기 입자를 교란 및/또는 순환시키지 않는 제 2 플라즈마를 완만한 램프를 가지고 초기화시키기 위하여, 1 내지 100와트/초 이하의 속도로, 반응 챔버안의 전극에 공급되는 RF신호 파워 레벨을 천천히 증가시키는 단계와; 상기 반응 챔버에 근접해서 위치된 자석에 의해 발생된 자기장을 적용하는 단계와; 상기 반응 챔버에 근접해서 위치된 자석에 의해 발생된 자기장을 적용하는 단계와; 상기 자기장에 반응해서 제 2 플라즈마 시스/글로우 영역 접면으로부터 잔류입자를 제거하는 단계와; 상기 반응 챔버로부터 상기 잔류입자를 배기하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버 안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 방법.
  18. 반응 챔버안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 장치에 있어서, 처리를 위해 상기 반도체 웨이퍼를 상기 반응 챔버안에 도입하기에 앞서, 상기 반응 챔버안에서 상기 입자의 제어된 교란 및/또는 순환 효과를 주는 제 1 플라즈마를 초기화하기 위하여, 반응 챔버안의 전극에 공급되는 RF신호 파워 레벨을 제 1 선택 속도로 증가시키고; 상기 입자를 교란 및/또는 순환시키지 않는 제 2 플라즈마를 초기화시키기 위하여, 반응 챔버안의 전극에 공급되는 RF신호 파워 레벨을 제 2 선택 속도로 증가시키기 위한 제어수단과; 챔버 세척 효과를 주기 위하여, 상기 반응 챔버안으로부터 상기 입자를 제거하기 위한 배기 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 자기장에 반응하여 제 2 플라즈마 시스/글로우 영역 접면으로부터 잔류입자를 제거하기 위해, 상기 반응 챔버에 근접해서 자기장을 만들어내기 위한 자석을 추후 포함하는 것을 특징으로 하는 반응 챔버안에서 집적회로 제조동안 반도체 웨이퍼의 오염을 막는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940010470A 1993-06-02 1994-05-13 반응 챔버 안에서 입자 발생의 제어방법 및 장치 KR950001855A (ko)

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