KR940022574A - 상태 래지스터를 구비한 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 테스트 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 목적의 쉽고 효율적인 테스트를 할 수 있는 반도체 소자를 제공하는 것이다. 비휘발성 반도체 메모리는 워드선(WLi) 및 비트선 (BLi), 비휘발성 메모리 셀(Cij)로 구성되는 메모리 셀 매트릭스(17), 센스 증폭기(15), 기록 및 소거 동작을 위해 필요한 타이밍 제어를 행하는 기록/소거 타이밍 회로(9), 및 상기 회로(9)의 동작 완료시에 메모리의 동작 상태를 저장하기 위한 상태 레지스터(2)를 구비하여, 상기 메모리 셀 매트릭스(17)의 어드레스 외부에 제공되는 센스 증폭기(15)로부터 상이한 출력을 유도하는 상이한 값으로 설정된 값을 갖는 두 종류의 더미 셀(D1,D2,D3,…)을 또한 구비하고 있다. 상기 더미셀을 엑세스 하면 패스 조건 또는 페일 조건이 발생된다.

Description

상태 레지스터를 구비한 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 테스트 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1실시예를 블록도로 도시한 도면.

Claims (12)

  1. 격자 모양으로 배열된 복수의 워드선(WLi) 및 복수의 비트선(BLj)과; 게이트는 상기 워드선(WLi)에 접속되는 드레인은 상기 비트선(BLj)에 접속되어 있으며 상기 워드선(WLi)과 상기 비트선(BLj)간의 교차점들중 하나의 각각 형성된 전기 소거가능한 비휘발성 메모리 셀들(Cij)로 구성되는 메모리 셀 메트릭스(17)와 ; 선택된 워드선(WLi)과 선택된 비트선(BLi)간의 교차점에 위치한 메모리 셀(Cij)이 전도 상태인지 아니면 비전도 상태인지에 따라 변화하는 전류량을 검출하여 논리값“1”또는 “0”에 대응하는 신호를 출력하는 센스 증폭기(15)와 ; 데이터를 메모리 셀(Cij)로 기록하거나 이 메모리 셀(Cij)로부터 소거하는데 필요한 타이밍 제어를 자동으로 실행하는 기록/소거 타이밍 회로(9)와; 상기 기록/소거 타이밍 회로의 동작 완료시에, 저장 산태가 외부적으로 액세스가능하도록 상기 메모리의 동작 상태를 저장하는 상태 레지스터(2)를 구비하는 비휘발성 반도체 메모리에 있어서, 상기 메모리 셀 메트릭스(17)의 어드레스 외부에제공되고, 상기 센스 증폭기(15)가 액세스된 더미 셀의 상태에 따라 논리값“1” 또는 “0”을 출력할 수 있도록 두 상태중 하나의 상태로 각각 미리 설정되어 있는 전기적으로 변경 불가능한 셀들로 구성되는 더미 셀(D1,D2,D3,…)을 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상태 레지스터(2)의 성능을 테스트하기 위해 상기 기록/소거 타이밍 회로(9)가 동작될 때 상기 더미 셀(D1,D2,D3,…)이 액세스되도록 제어하는 제어 수단(19)을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리.
  3. 격자 모양으로 배열된 복수의 워드선(WLi) 및 복수의 비트선(BLi)과; 게이트는 상기 워드선(WLi)에 접속되고 드레인은 상기 비트선 (BLi)에 접속되어 있으며 상기 워드선(WLi)과 상기 과 상기 비트선(BLi)간의 교차점들중 하나에 각각 형성된 전기 소거가능한 비휘발성 메모리 셀들(Cij)로 구성되는 메모리 셀 매트릭스(17)와; 선택된 워드선(WLi)과 선택된 비트선(BLi)간의 교차점에 위치한 메모리 셀(Cij)이 전도 상태인지 아니면 비전도 상태인지에 따라 변화하는 전류량을 검출하여 논리값“1” 또는 “0”에 대응하는 신호를 출력하는 센스증폭기(15)와; 데이터를 메모리 셀(Cij)로 기록하거나 이 메모리 셀(Cij)로부터 소거하는데 필요한 타이밍 제어를 자동으로 실행하는 기록/소거 타이밍회로(9)와; 상기 기록/소거 타이밍 회로의 동작 완료시에, 저장 상태가 외부적으로 액세스가능하도록 상기 메모리의 동작 상태를 저장하는 상태 레지스터(2)와; 상기 메모리 셀 매트릭스(17)의 어드레스 외부에 제공되고, 상기 센스증폭기(15)가 액세스된 더미 셀의 상태에 따라 논리값“1” 또는 “0”을 출력할 수 있도록 두 상태중 하나의 상태로 각각 미리 설정되는 있는 전기적으로 변경 불가능한 셀들로 구성되는 더미 셀(D1,D2,D3,…)을 구비하는 비휘발성 반도체 메모리의 성은을 테스트하는 방법에 있어서, 논리값“1”로 설정된 상기 더미 셀(D1,D2,D3,…)들중 하나의 셀에 논리값“0”을 기록하거나 논리값“0”으로 설정된 셀을 소거하여 상기 셀이 논리값“1”로 변화도지 않는다는 것을 확인함으로써 기록 불량 상태 또는 소거 불량 상태를 발생시키는 단계와; 논리값“1”로 설정된 상기 더미 셀(D1,D2,D3,…)들중 하나의 셀에 논리값“1”을 기록하거나 논리값“0”으로 설정된 셀에 논리값“0”을 기록함으로써 기록 정상 상태를 발생시키는 단계와; 기록된 상태에 대응하는 값으로 설정된 상기 더미 셀(D1,D2,D3,…)들중 하나의 셀을 소거함으로써 소거 불량 상태를 발생시키는 단계와; 기록되지 않은 상태에 대응하는 값으로 설정된 상기 더미 셀(D1,D2,D3,…)들중 하나의 셀을 소검함으로써 소거 정상 상태를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
  4. 데이터를 기록하는 기록 단계와; 상기 비휘발성 반도체 메모리를 규정된 노화 조건으로 유지하는 노화 단계와; 데이터를 판독하여 상기 기록 단계에서 기록된 데이터와 비교하여 검증하는 검증 단계를 포함하는 기록 가능한 비휘발성 반도체 메모리를 테스트하는 방법에 있어서, 상기 노화 단계는 조립시에 상기 비휘발성 반도체 메모리에 가해지는스트레스를 완화시키는 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기록 단계 및 상기 검증 단계는 반도체 웨이퍼상의 상기 비휘발성 반도체 메모리에 프로브를 접촉시켜 행해지는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 기록 단계는 반도체 웨이퍼상의 상기 비휘발성 반도체 메모리에 프로브를 접촉시켜 행해지고, 상기 검증 단계는 상기 비휘발성 반도체 메모리가 조립된 후에 최종 테스트 공정시에 행해지는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
  7. 제4항, 제5항 또는 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 비휘발성 반도체 메모리는 플라스틱 패키지에 조립되는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
  8. 센스 증포기를 갖는 반도체 메모리에 있어서, 상기 센스 증폭기(41)는 선택 접속 가능한 상이한 부하 특성을 갖는 복수의 부하 트랜지스터(TP8,TP9)를 갖는 부하 저항부(42)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  9. 제8항에 있어서, 전원 전압(VCC)에 따라 상기 복수의 부하 트래지스터(TP8,TP9)중 하나를 선택 접속하기 위한 선택 신호를 발생시키는 부하 트랜지스터 선택 신호 발생 회로를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  10. 정상적인 전원과 상기 정상적인 전원과는 무관하게 제공된 독립 전원을 포함하는 전원을 구비하고; 상기 정상 전원과 상기 독립 전원중 하나의 전원이 출력 회로용 전원으로서 선택될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  11. 제10항에 있어서, 외부에서 인가되는 신호 레벨을 따라 상기 전원들중 하나를 선택하기 위한 신호를 출력하는 전원 선택 회로(60)를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  12. 정상 전원과 상기 정상 전원과는 무관하게 제공된 독립 전원을 포함하는 전원과, 외부에서 인가되는 신호 레벨을 따라 상기 전원들중 하나를 선택하기 위한 신호를 출력하는 전원 선택 회로를 구비하는데, 상기 정상 전원과 상기 독립 전원중 하나의 전원이 출력 회로용 전원으로서 선택될 수 있는 반도체 소자의 동작시에 전원 전류를 검출하는 방법에 있어서, 상기 독립 전원을 선택할 수 있는 레벨의 신호를 인가하는 것을 특징으로 하는 검출 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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