KR940012050A - 포지티브형 레제스트 조성물 - Google Patents

포지티브형 레제스트 조성물 Download PDF

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KR940012050A
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치네히또 에비나
히로시 모리우마
야스노리 우에다니
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가사이 아끼오
스미또모 가가꾸 고교 가부시기가이샤
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

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Abstract

본 발명은 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서, (a) 알데히드 화합물과 m-크레졸, p-크레졸 및 2, 5-크실렌올로 이루어진 페놀 혼합물과의 축합반응을 통해 얻어지는 노보락수지와; (b) 피놀성 히드록실기 3개 이상을 함유하는 화합물의 퀴논디아지드술폰산 디에스테르를 함유하되, 단, 페놀성 히드록실기 3개 이상을 함유하는 상기한 퀴논디아지도술폰산 디에스테르에 상응하는 피크면적이 254nm의 UV검출기로 측정한 고성능 액체 크로마토그래피 스펙트럼에서의 감광성 퀴논디아지드 물질에 상용하는 전체 피크면적의 40％이상인, 가뫙성 퀴논디아지드 물질과; (c) 분자량 900미만인 알칼리-가용성 화함물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은 스컴이 없고, 해상도, 프로파일, 촛점 심도 등과 같은 성능이 우수하다.

Description

포지티브형 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서, (a)알데히드 화합물과 m-크레졸, p-크레졸 및 2.5-크실렌올로 이루어진 페놀 혼합물과의 축합반응을 통해 얻어지는 노보락수지와; (b) 페놀성 히드록실기 3개 이상의 함유하는 화합물의 퀴논디아지드술폰산 디에스테르를 함유하되, 단, 페놀성 히드록실기 3개 이상의 함유하는 상기한 퀴논 디아지드 술폰산 디에스테르에 상응하는 피크면적이 254nm의 UV검출기로 측정한 고성능 액체 크로마토그래피 스펙트럼에서의 감광성 퀴논디아지드 물질에 상응하는 전체 피크면적의 40％이상인, 감광성 퀴논디아지드 물질과; (c)분자량 900 미만인 알칼리 -가용성 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 2, 5-크실렌올의 비율이 상기한 페놀 화합물의 혼합물 총물기준으로 10 내지 50몰％인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기한 노보락 수지의 폴리스티렌 환산분자량 900 이하의 범위의 GPC 패턴 면적비가 미반용된 페놀 화합물의 패턴 면적을 제외한 전체 패턴 면적에 대해 25％ 이하인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 페놀성 히드록실기 3개 이상을 함유하는 화합물이 옥시플라반 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기한 페놀성 히드록실기 3개 이상을 함유하는 화합물이 페놀 화합물과 알데히드 화합물로부터 얻어지는 페놀핵 3 내지 7개를 갖는 노보락형 반응 생성물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기한 분자량 900 미만의 알칼리-가용성 화합물의 페놀성 히들고실기 2개 이상을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기한 분자량 900 미만의 알칼리-가용성 화합물의 함량이 노보락수지, 감광성 퀴논디아지드 물질 및 분자량 900미만의 알칼리-가용성 화합물의 총량100중량부에 대해 3 내지 40중량부인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 상기한 페놀성 히드록실기 2개 이상을 함유하는 화합물이 하기 일반식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    α는 하기 반복단위를 함유하는 2가 기:
    (여기서, n0는 1이상의 정수이고, a, b, c, d, e 및 f는 서로 독립적으로 각기 0내지 3의 정수이며 (단 d+f≥1)이다. R′1,R′2및 R′3는 서로 독립적으로 각기 C1∼C18알킬기, C1∼C18알콕시기, 카르복시기 또는 할로겐 원자이고, R4는 수소원자, C1∼C18알킬기 또는 아릴기이다)이다].
  9. 제6항에 있어서, 상기한 페놀성 히드록실기 2개 이상을 함유하는 화합물이 하기 일반식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    (상기 식에서, R은 수소원자, 저급알킬기 또는 페닐기이고, R′는 알킬 또는 알콕시기이고, n은 0 내지 3의 정수이다)
  10. 제6항에 있어서, 상기한 펜로성 히드록 실기2개이상을 함유하는 화합물이 하기 일반식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    (상기식에서, R″는 C1∼C5알킬기 또는 C1∼C5알콕시기이고, n′는 0내지 3의 정수이다)
  11. 제4항에 있어서, 상기한 옥시플라반 화합물이 하기 일반식으로 표시되는 화합물인것을 특징으호 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    (상기 식에서, q는 0 내지 4의 정수이고, r은 1내지 5의 정수이고, R0 1,R0 2및R0 3는 서로 독립하여 수소원자, 알킬기, 아케닐기, 시클로헥실기 또는 아릴기를 나타낸다)
  12. 제4항에 있어서, 상기한 옥시플라반 화합물이 하기 일반식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    [상기식에서 Y1,Y2및 Z1내지 Z7은 서로 독립적으로 각기 수소원자, 히드록실기 또는할로겐에 의해 임의로 치환된 C1∼C4알킬기이며 (단 Y1및 Y2중 적어도 하나는 히드록실기이고, Z1내지 Z7중 저어도 두개는 히드록실기이다), R1내지 R6는 서로 독립적으로 각기 수소원자, C1∼C10알킬기, C2∼C4알케닐기, 시클로알킬기 또는 아릴기 이다]
  13. 제5항에 있어서, 상기한 펜로 화합물과 알데히드 화합물에서 얻어지는 3 내지 7개의 페놀 핵을 함유하는 노보락형 반응생성물이 하기 구조식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    (상기식에서 R1및R2는 서로 독립적으로 각기 수소원자, 할로겐원자, -OCOR3또는 임의로 치환된 알킬또는 알콕시기 (여기서 R3는 임의로 치환된 알킬 또는 페닐기이다), x 및 y는 서로 독립적으로 각기 1 내지 3의 정수이고, R, R0,R′ 및 R′0는 서로 독립적으로 각기 수소원자, 알킬기 또는 페닐기이다].
  14. 제5항에 있어서, 상기한 페놀 화합물과 알데히드 화합물에서 얻어지는 3내지 7개의 페놀 핵을 함유하는 노보락형 반응생성물이 하기 구조식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    [상기식에서, R1및 x2는 상기에서 정의된 바와 같고, Q1내지 Q4는 서로 독립적으로 각기 수소원자, 알킬기 또는 페닐기 이고, Z는 하기 일반식으로 표시된는 기 :
    (여기에서, R2및 R3는 상기에서 정의된 바와 같고, Y′는 1 또는 2이다)이고, n은 2 내지 5의 정수이다].
  15. 제1항에 있어서, 상기한 감광성 퀴논디아지드 물질이 페놀성 히드록실기 2개 이상을 함유하는 페놀 화합물의 퀴논디아지드 술폰산 디에스테르를 더욱 함유하되, 단 페놀성히드록 실기 2개 이상을 함유하는 페놀 화합물의 퀴논디아지드술폰산 에스테르 중 완전한 에스테르 화합물의 함량은 254nm의 파장을 가지는 UV검출기로 측정한 고성능 액체 크로마트그래피 스펙트럼에서의 패턴 면적비로 전 감광성 퀴논디아지드 물질 기준으로 5％ 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  16. 제6항에 있어서, 상기한 페놀성 히드록실기 2개 이상을 함유하는 화합물이 하기 구조식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 페지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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