KR930024089A - 이중층 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

이중층 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이중층 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 고온의 후속 열처리 공정시에도 타이타늄 실리사이드의 표면을 균일하게 유지시켜 타이타늄 실리사이드의 고온 불안정성을 개선하는 장치 및 제조 방법으로 다결정 실리콘 상면에 소정의 제1온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 금속을 증착하여 제1금속 실리사이드층을 형성하고, 상기 제1온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 금속의 삼면에 상기 제1온도보다 더 낮은 제2온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 다른 금속을 증착하여 제2금속 실리사이드층을 형성하는 이중층의 실리사이드를 형성하는 것으로, 상기 이중층 실리사이드는 종래의 타이타늄 실리사이드로 된 반도체장치의 후속 열처리 공정에서 발생하는 고온 불안정성을 크게 개선시켜 입자성장 및 소성변형, 그리고 응집화를 막는 효과가 있다.

Description

이중층 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a-2b도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 단면을 도시하는 제조공정도.

Claims (18)

  1. 이중층의 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 소정의 단결정 실리콘 기판, 상기 단결정 실리콘 전면 상에 형성된 산화막, 상기 산화막의 전면 상에 성장된 다결정 실리콘, 상기 다결정 실리콘층 상면에 소정의 제1온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 금속을 증착하여 형성된 제1금속 실리사이드층, 및 상기 제1온도에서 실리사이드 형성온도를 갖는 금속의 상면에 상기 제1온도보다 더 낮은 제2온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 다른 금속을 증착하여 형성된 제2금속 실리사이드층을 포함하여 이루어지는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1금속 실리사이드층은 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄 중의 어느 한 금속을 증착함으로써 형성되는 반도체장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2금속 실리사이드층은 타이타늄(Ti)을 증착함으로써 형성되는 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 금속의 증착 두께가 100-200Å인 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 금속의 증착 두께가 400-600Å인 반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층의 증착 두께가 2500Å인 반도체장치.
  7. 이중층의 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 단결정 실리콘 기판전면상에 산화막을 형성하는 공정, 상기 산화막의 전면상에 다결정 실리콘층을 성장하는 공정, 상기 다결정 실리콘층 상면에 소정의 제1온도에서 실사이드 형성온도를 갖는 금속을 증착하여 제1금속 실리사이드층을 형성하는 공정, 및 상기 제1온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 금속의 상면에 상기 제1온도보다 더 낮은 제2온도에서 실리사이드 형성온도를 갖는 다른 금속을 증착하여 제2금속 실리사이드층을 형성하는 공정으로 이루어지는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1금속 실리사이드층은 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo) 또는 텅스텐(W)중의 어느 한 금속을 증착하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2금속 실리사이드층은 타이타늄(Ti)을 증착하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1온도에서 실리사이드 형성온도를 갖는 금속의 증착 두께가 100-200Å인 반도체장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 금속의 증착 두께가 400-600Å인 반도체장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 약 625℃, 250mTorr 분위기에서 저압 화학 기상 증착법으로 SiH4를 열분해하여 2500Å 정도의 두께로 증착하는 반도체 제조방법.
  13. 이중층의 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 단결정 실리콘 기판 전면상에 산화막을 형성하는 공정, 상기 산화막의 전면상에 다결정 실리콘층을 성장하는 공정, 상기 다결정 실리콘층 상면에 소정의 제1온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 컴포지트 타게트를 사용하여 제1금속 실리사이드층을 형성하는 공정, 및 상기 제1온도에서 실리사이드 형성온도를 갖는 금속 실리사이드의 상면에 상기 제1온도보다 더 낮은 제2온도에서 실리사이드 형성온도를 갖는 다른 컴포지트 타게트를 사용하여 제2금속 실리사이드층을 형성하는 공정으로 이루어지는 반도체장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1금속 실리사이드층은 탄탈륨 실리사이드, 몰리브데늄 실리사이드 또는 텅스텐 실리사이드로 된 어느 한 컴포지트 타게트를 사용하여 증착하는 반도체 장치의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2금속 실리사이드층은 타이타늄 실리사이드로 된 컴포지트 타게트를 사용하여증착하는 반도체장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1온도에서 실리사이드 형성온도를 갖는 금속 실리사이드의 증착 두께가 200-400Å인 반도체 장치의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2온도에서 실리사이드 형성 온도를 갖는 금속 실리사이드의 증착 두께가 800-1200Å인 반도체장치의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 약 625℃, 250mTorr 분위기에서 저압 화학 기상 증착법으로 SiH4를 열분해하여 2500Å 정도의 두께로 증착하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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