KR930006860A - 유기디실란 소오스를 사용하여 lpcvd에 의해 100°c 정도의 저온에서 이산화 규소막을 증착하는 방법 - Google Patents

유기디실란 소오스를 사용하여 lpcvd에 의해 100°c 정도의 저온에서 이산화 규소막을 증착하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 규소 전구체로서 1,4디실라부탄을 이용하고 산소 소오스로서 분자 산호를 이용하는 저압 CVD방법에 의해 이산화규소막을 증착하는 방법에 관한 것이다. 상기 증착 방법은 막내에 탄소가 본질적으로 없이 100℃와 같은 저온에서 기판상에 막이 놓여질 수 있게 한다. 1,4 디실라부탄은 독성 및 자연성 압축 기체인 실란에 대한 대체물로서 사용될 수 있다.

Description

유기디실란 소오스를 사용하여 LPCVD에 의해 100℃정도의 저온에서 이산화 규소막을 증착하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 증착된 막에 대한 적외선 스펙트럼의 플로트(파장에 대한 흡광도),
제2도는 본 발명에 따라 증착된 막의 오우거 프로필(Auger Profile;스퍼터 시간에 대한 원자 %의 플로트).

Claims (22)

  1. 기판을 진공중에서 약 95℃ 내지 약 500℃의 온도까지 가열하고, 하기 일반식(I)을 갖는 유기디실란으로 본질적으로 구성되는 규소-함유 공급물, 및 산소-함유 공급물을 진공내에 도입하고;상기의 온도 및 진공조건을 유지시켜서 이산화규소막을 상기의 기판상에 증착시키는 것을 포함하는, 저온 화학적 증착 방법;
    H3Si-CH(R)-[CH(R')]y-CH(R")-SiH3(I)
    식중, y=0,1,2,3,4,5,6,이고, R,R'는 각각 H, 및 C1-C3탄화수소로 본질적으로 구성되는 그룹에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 산소 함유 공급물이 산소 기체인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기의 산소 기체 대 상기의 유기디실란의 비가 1:1 내지 15:1인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 유기디실란이 일반식 H3Si-(CH2)x-SiH3(식중, x는 2,3,4,5, 또는 6)인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 유기디실란이 1,4 디실란부탄인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 온도가 약 100℃에서 유지되는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 진공이 00.5 내지 1.5torr에서 유지되는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 기판이 규소 웨이퍼인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 기판이 금속, 플라스틱, 절연체, 유전체, 포토래지스트 재료 및 반도체 재료로 구성되는 그룹에서 선택되는 방법.
  10. 기판을 진공중에서 약95℃내지 약500℃의 온도까지 가열하고;하기 일반식(Ⅱ)를 갖는 유기디실란으로 본질적으로 구성되는 규소-함유 공급물, 및 산소-함유 공급물을 진공내에 도입하고; 상기의 온도 및 진공조건을 유지시켜서 이산화규소막을 상기의 기판상에 증착시키는 것을 포함하는, 저온 화학적 증착 방법;
    H3Si-(CH2)x-SiH3
    식중, x는 2,3,4,5, 또는 6이다.
  11. 제10항에 있어서, 상기의 산소 함유 공급물이 산소 기체인 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기의 산소 대 상기의 유기디실란의 비가 1:1 내지 15:1인 방법.
  13. 제10항에 있어서, 유기디실란이 1,4 디실란부탄인 방법.
  14. 제10항에 있어서, 온도가 약 100℃에서 유지되는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 진공이 0.05 내지 1.5torr에서 유지되는 방법.
  16. 제10항에 있어서, 기판이 규소 웨이퍼인 방법.
  17. 제10항에 있어서, 유기디실란이 1,4 디실라부탄이고 온도가 100℃ 내지 400℃인 방법.
  18. 제10항에 있어서, 기판이 금속, 플라스틱, 절연체, 유전체, 포토래지스트 재료 및 반도체 재료로 이루어진 그룹에서 선택되는 방법.
  19. 기판을 진공중에서 약95℃내지 약500℃의 온도까지 가열하고; 1,4 디실라부탄 및 산소기체를 도입하고; 상기의 온도 및 진공조건을 유지시켜서 이산화규소의 막을 상기의 기판상에 증착시키는 것을 포함하는, 저온 화학적 증착방법.
  20. 제20항에 있어서, 온도가 100℃ 내지 400℃인 방법.
  21. 제20항에 있어서, 진공이 0.5 내지 1.5torr에서 유지되는 방법.
  22. 제20항에 있어서, 기판이 금속, 플라스틱, 절연체, 유전체, 포토래지스트 재료 및 반도체 재료로 구성되는 그룹에서 선택되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100375300B1 (ko) * 1998-12-16 2003-05-17 엘지전자 주식회사 통신장비의 데이타 입출력 측정방법

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