KR950006035A - 저온에서 결정성 탄화규소 피막을 형성시킨 방법 - Google Patents

저온에서 결정성 탄화규소 피막을 형성시킨 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 결정성 탄화규소 필름을 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 기판을 규소함유 사이클로부탄 기체의 존재하에서 600℃이상의 온도로 화학증착법을 포함한다.

Description

저온에서 결정성 탄화규소 피막을 형성시킨 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 탄화규소 완충 층을 탄화시켜 규소 기판위에 성장 시키고, 얇은 탄화규소 완충 층을 갖는 규소 기판을 600℃이상의 온도로 가열한 다음, 가열된 규소 기판을 에피택셜 탄화규소 필름을 성장시키기에 충분한 시간 동안 규소 함유 사이클로부탄을 포함하는 기체에 노출시킴을 포함하여, 에피택셜 탄화규소 필름을 규소기판 위에 성장시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 탄화규소 완충 층을 성장시키기 전에, 규소 기판이, 규소 기판을 침지시키는 방법 및 규소 기판을 1000℃이상의 온도에서 HC1/H2에서 노출시키는 방법으로부터 선택된 방법에 의해 세정되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 탄화 공정이, 기판을 1000℃이상의 온도에서 탄화수소의 수소 기체를 함유하는 기체 혼합물에 노출시킴으로써 수행되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 규소 함유 사이클로부탄이 구조식(I)의 물질을 포함하는 방법.
    상기식에서, R은 각각 독립적으로 수소, 불소 및 탄소수 1 내지 4의 탄화 수소 라디칼로부터 선택되고, R'는 각각 독립적으로 수소 및 탄소수 1내지 4의 탄화수소 라디칼로부터 선택된다.
  5. 제1항에 있어서, 규소 함유 사이클로부탄이 일반식(Ⅱ)의 물질을 포함하는 방법.
    상기식에서, R은 각각 독립적으로 수소, 불소 및 탄소수 1내 4의 탄화수소 라디칼로부터 선택되고, R'는 각각 독립적으로 수소 및 탄소수 1 내지 4의 탄화수소 라디칼로부터 선택된다.
  6. 제1항에 있어서, 기체가, 사이클로부탄 : 캐리어 비가 1:1 내지 1:10000의 범위인 불활성 캐리어 기체를 추가로 포함하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 가열된 규소 기판이 1내지 30분 동안 규소 함유 사이클로부탄 기체에 노출되는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 가열된 규소 기판이 133.3Pa(1Torr)내지 대기압 범위의 압력에서 규소 함유 사이클로부탄에 노출되는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 에피택셜 탄화규소 필름의 성장이 분자 비임 에피택시, 이온 비임 및 레이저로부터 선택된 수단에 의해서 보조되는 방법.
  10. 탄화규소 기판을 600℃이상의 온도로 가열한 다음, 가열된 탄화규소 기판을 에피택셜 탄화규소 필름을 성장시키기에 충분한 시간 동안 규소 함유 사이클로부탄을 포함하는 기체에 노출시킴을 포함하여, 에피택셜 탄화규소 필름을 탄화규소 기판 위에 성장시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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