KR930005210A - 디램셀의 구조 및 제조방법

Info

내용 없음.

디램셀의 구조 및 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명의 완성도.

P⁺기판(1)에 형성된 두개의 트렌치에 유전체막(9)과 P^-형 폴리실리콘(8)을 형성하고 상기 폴리실리콘(8)의 기판 상방에 폴리실리콘(8)보다 내측으로 들어가게 에피층(8a)과 n⁺정션을 형성하여 커패시터를 구성하고, 상기 에피층(8a)의 측벽에는 게이트 산화막(3)과 게이트(4)를 수직으로 구성한 디램셀의 구조.
기판(1)에 두개의 트렌치를 형성하고 전 표면에 유전체(9)를 도포한뒤 트렌치에 채워지도륵 폴리실리콘(8)을 증착하는 공정과, 상기 폴리실리콘(8)을 기판(1)표면까지 에치백하고 산화막(7)을 증착하는 공정과, 상기 산화막(7)을 포토/에치 공정으로 선택적 제거하고 제거될 산화막(7)부분에 에피층(8a)을 형성한 후 에피층(8a)상부에 n⁺불순믈 이온주입하는 공정과, 상기 산화막(7)을 제거하고 게이트 산화막(3)과 폴리실리콘(4)을 증착한후 폴리실리콘(4)을 에치백하여 수직게이트를 형성하는 공정과, 평탄화용 SOG(11)을 증착하여 비트라인 연결을 위한 콘택을 형성하고 상기 n⁺정션과 연결되게 비트라인(12)을 증착하는 공정을 차례로 실시하여 저조하는 디램셀의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.