KR930005209A - 디램셀의 구조 및 제조방법

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내용 없음.

디램셀의 구조 및 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명 디램셀의 공정 단면도.

P⁺기판(1)의 트렌치(13)에 수직산화막(5)을 사이에 두고 유전체(9)와 P^-폴리실리콘(14)을 형성함과 아울러 상기 폴리실리콘(14)의 기판(1)상방에는 폴리실리콘(14)보다 내측으로 들어가게 에피층(15)과 유전체(9)를 형성하여 커패시터를 구성하고, 상기 기판(1)상방의 내측으로 들어간 에피층(15)의 측벽에는 수직으로 게이트를 구성한 디램셀의 구조.
제1항에 있어서, 상기 에피층(15)의 상면에 N⁺정선이 형성되고 이 N⁺정선에 비트라인(10)이 연결된 디램셀의 구조.
기판(1)에 트렌치(13)를 형성하고 유전체(9)와 폴리실리콘(14)을 차례로 증착하는 공정과, 상기 폴리실리콘(14)을 기판(1)표면까지 에치백하고 산화막(5)이 증착하는 공정과, 상기 산화막(5)을 사진/식각 공정으로 선택적 제거하고 산화막(5)이 제거된 부분에 에피층(15)을 형성한 후 N⁺불순물을 주입하는 공정과, 상기 산화막(5)을 제거하고 게이트 산화막(3)과 폴리실리콘(4)을 증착한 후 폴리실리콘(4)을 에치백하여 수직 게이트를 형성하는 공정과, 산화막(11)증착후 콘택을 형성하고 전면에 비트라인(10)을 증착하여 상기 N⁺정션과 비트라인(10)이 연결되게 하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어지는 디램셀의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.